JP3416364B2 - 光起電力素子及びその製造方法 - Google Patents
光起電力素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3416364B2 JP3416364B2 JP30709595A JP30709595A JP3416364B2 JP 3416364 B2 JP3416364 B2 JP 3416364B2 JP 30709595 A JP30709595 A JP 30709595A JP 30709595 A JP30709595 A JP 30709595A JP 3416364 B2 JP3416364 B2 JP 3416364B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diamond
- carbon film
- photovoltaic element
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光起電力素子及び
その製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、複数の半導体層を積層し、ｐｉｎ接合等をその内部
に形成した光起電力装置においては、半導体層の接合界
面を凹凸化したテクスチャー構造を形成することによ
り、半導体層内に光を閉じ込め、光電変換効率を向上さ
せる研究がなされている。しかしながら、多くの研究
は、Solar Cells,11(1984)357-366 に示されているよう
に、基板上に形成する透明導電膜または金属反射膜の表
面にテクスチャー構造を形成するものである。
り、複数の半導体層を積層し、ｐｉｎ接合等をその内部
に形成した光起電力装置においては、半導体層の接合界
面を凹凸化したテクスチャー構造を形成することによ
り、半導体層内に光を閉じ込め、光電変換効率を向上さ
せる研究がなされている。しかしながら、多くの研究
は、Solar Cells,11(1984)357-366 に示されているよう
に、基板上に形成する透明導電膜または金属反射膜の表
面にテクスチャー構造を形成するものである。
【０００３】図７は、透明導電膜の表面にテクスチャー
構造を形成した従来の光起電力装置を示す断面図であ
る。図７を参照して、基板１の上には透明導電膜２が形
成されている。透明導電膜２は、その表面にサブミクロ
ンオーダーのテクスチャー形状が形成されている。この
ようなテクスチャー構造は、例えば四塩化錫（ＳｎＣｌ
4 ）や４−メチル錫（Ｓｎ（ＣＨ3 ）4 ）を原料とし、
熱ＣＶＤ法やスプレー法等で形成することにより形成さ
れる。このようなテクスチャー形状を有する透明導電膜
２の上には、ｐ層またはｎ層３、ｉ層４、ｎ層またはｐ
層５が順次積層され、さらにその上に裏面電極層６が形
成されている。これらｐ層、ｉ層及びｎ層は、それぞれ
ｐ型、ｉ型及びｎ型の非晶質シリコンに代表される非晶
質半導体からなる。図７に示されるように、基板１上の
下地層となる透明電極膜２の表面にテクチスャー構造を
形成することにより、その上に積層する層の表面もテク
スチャー構造の凹凸形状を受け継ぎ凹凸形状に形成され
る。しかしながら、上方の積層膜になるに従い、その凹
凸形状が鈍くなっている。図７においては、ｐ層または
ｎ層３とｉ層４の界面の凹凸形状に比べ、ｉ層４とｎ層
またはｐ層５との界面の凹凸形状の方が鈍くなっている
ことがわかる。
構造を形成した従来の光起電力装置を示す断面図であ
る。図７を参照して、基板１の上には透明導電膜２が形
成されている。透明導電膜２は、その表面にサブミクロ
ンオーダーのテクスチャー形状が形成されている。この
ようなテクスチャー構造は、例えば四塩化錫（ＳｎＣｌ
4 ）や４−メチル錫（Ｓｎ（ＣＨ3 ）4 ）を原料とし、
熱ＣＶＤ法やスプレー法等で形成することにより形成さ
れる。このようなテクスチャー形状を有する透明導電膜
２の上には、ｐ層またはｎ層３、ｉ層４、ｎ層またはｐ
層５が順次積層され、さらにその上に裏面電極層６が形
成されている。これらｐ層、ｉ層及びｎ層は、それぞれ
ｐ型、ｉ型及びｎ型の非晶質シリコンに代表される非晶
質半導体からなる。図７に示されるように、基板１上の
下地層となる透明電極膜２の表面にテクチスャー構造を
形成することにより、その上に積層する層の表面もテク
スチャー構造の凹凸形状を受け継ぎ凹凸形状に形成され
る。しかしながら、上方の積層膜になるに従い、その凹
凸形状が鈍くなっている。図７においては、ｐ層または
ｎ層３とｉ層４の界面の凹凸形状に比べ、ｉ層４とｎ層
またはｐ層５との界面の凹凸形状の方が鈍くなっている
ことがわかる。
【０００４】図８は、同様に透明導電膜の表面にテクス
チャー構造を形成し、この透明導電膜上に半導体層を積
層することにより形成したタンデム構造の光起電力素子
を示す断面図である。図８を参照して、ｎ層またはｐ層
５の上には、次のセル単位となるｐ層まはたｎ層７、ｉ
層８、及びｎ層またはｐ層９が積層され、さらにこの上
に裏面電極層１０が形成されている。このようにさらに
多数積層していくと、テクスチャー構造の凹凸形状がさ
らに鈍くなることがわかる。例えば、ｉ層８とｎ層また
はｐ層９との界面は、ｉ層４とｎ層またはｐ層５との界
面の凹凸形状よりもさらに鈍くなっている。
チャー構造を形成し、この透明導電膜上に半導体層を積
層することにより形成したタンデム構造の光起電力素子
を示す断面図である。図８を参照して、ｎ層またはｐ層
５の上には、次のセル単位となるｐ層まはたｎ層７、ｉ
層８、及びｎ層またはｐ層９が積層され、さらにこの上
に裏面電極層１０が形成されている。このようにさらに
多数積層していくと、テクスチャー構造の凹凸形状がさ
らに鈍くなることがわかる。例えば、ｉ層８とｎ層また
はｐ層９との界面は、ｉ層４とｎ層またはｐ層５との界
面の凹凸形状よりもさらに鈍くなっている。
【０００５】このように従来の光起電力装置では、透明
電極膜または金属反射膜にテクスチャー構造を付与して
も、その上に半導体層を積層していくと、半導体層の上
方の界面では、テクスチャー構造の凹凸形状が鈍くな
り、十分な光閉じ込め効果を得ることができていなかっ
た。
電極膜または金属反射膜にテクスチャー構造を付与して
も、その上に半導体層を積層していくと、半導体層の上
方の界面では、テクスチャー構造の凹凸形状が鈍くな
り、十分な光閉じ込め効果を得ることができていなかっ
た。
【０００６】また、テクスチャー構造の凹凸形状が、散
乱させたい光の波長と関連するものであるので、半導体
層表面のテクスチャー構造の凹凸形状を自由に制御する
ことができれば、光閉じ込め効果をさらに十分に得るこ
とが可能になる。
乱させたい光の波長と関連するものであるので、半導体
層表面のテクスチャー構造の凹凸形状を自由に制御する
ことができれば、光閉じ込め効果をさらに十分に得るこ
とが可能になる。
【０００７】本発明の目的は、基板から離れた半導体層
表面のテクスチャー構造を自由に制御することができ、
光閉じ込め効果を十分に得ることができる光起電力素子
の構造及びその製造方法を提供することにある。
表面のテクスチャー構造を自由に制御することができ、
光閉じ込め効果を十分に得ることができる光起電力素子
の構造及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の光起電力素子
は、基板上方に複数の半導体層を積層することにより構
成された光起電力素子であり、複数の半導体層のうちｉ
層またはｉ層の一部の層として、前記基板と反対側の表
面をエッチングしてテクチャー構造としたダイヤモンド
様炭素膜が設けられている。
は、基板上方に複数の半導体層を積層することにより構
成された光起電力素子であり、複数の半導体層のうちｉ
層またはｉ層の一部の層として、前記基板と反対側の表
面をエッチングしてテクチャー構造としたダイヤモンド
様炭素膜が設けられている。
【０００９】本発明の製造方法は、上記本発明の光起電
力素子を製造することができる方法であり、複数の半導
体層のうちの少なくとも１つの半導体層として、ｓｐ3
構造／ｓｐ2 構造の比を所定の比率に制御したダイヤモ
ンド様炭素膜を形成する工程と、ダイヤモンド様炭素膜
のｓｐ2 構造を選択的にエッチングすることによりその
表面にテクスチャー構造を形成する工程とを備えてい
る。
力素子を製造することができる方法であり、複数の半導
体層のうちの少なくとも１つの半導体層として、ｓｐ3
構造／ｓｐ2 構造の比を所定の比率に制御したダイヤモ
ンド様炭素膜を形成する工程と、ダイヤモンド様炭素膜
のｓｐ2 構造を選択的にエッチングすることによりその
表面にテクスチャー構造を形成する工程とを備えてい
る。
【００１０】ダイヤモンド様炭素膜は、Ｈ2 、Ｈｅ、Ｎ
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、またはこれらのうちの少なくとも１種
を含む混合ガスを処理用ガスとして用い、プラズマ処理
することによりエッチングすることができる。このよう
なエッチングの際、ダイヤモンド様炭素膜のｓｐ2 構造
が選択的にエッチングされ、この結果凹凸形状のテクス
チャー構造が形成される。
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、またはこれらのうちの少なくとも１種
を含む混合ガスを処理用ガスとして用い、プラズマ処理
することによりエッチングすることができる。このよう
なエッチングの際、ダイヤモンド様炭素膜のｓｐ2 構造
が選択的にエッチングされ、この結果凹凸形状のテクス
チャー構造が形成される。
【００１１】ダイヤモンド様炭素膜のｓｐ3 構造／ｓｐ
2 構造の比は、０．８以上３．２以下であることが好ま
しく、さらに好ましくは１．０以上３．２以下であり、
さらに好ましくは１．０以上２．０以下である。
2 構造の比は、０．８以上３．２以下であることが好ま
しく、さらに好ましくは１．０以上３．２以下であり、
さらに好ましくは１．０以上２．０以下である。
【００１２】本発明に従えば、テクスチャー構造を有し
たダイヤモンド様炭素膜がｉ層またはｉ層の一部の層と
して設けられるので、半導体層積層によるテクスチャー
構造の凹凸形状の鈍化を改善することができ、光閉じ込
め効果を向上させることができる。
たダイヤモンド様炭素膜がｉ層またはｉ層の一部の層と
して設けられるので、半導体層積層によるテクスチャー
構造の凹凸形状の鈍化を改善することができ、光閉じ込
め効果を向上させることができる。
【００１３】また本発明に従えば、ｓｐ3 構造／ｓｐ2
構造の比を制御することにより、ダイヤモンド様炭素膜
の表面に形成するテクスチャー構造の凹凸形状を制御す
ることができる。従って、効果的に散乱させたい波長に
応じて、ダイヤモンド様炭素膜表面のテクスチャー構造
を形成することができる。
構造の比を制御することにより、ダイヤモンド様炭素膜
の表面に形成するテクスチャー構造の凹凸形状を制御す
ることができる。従って、効果的に散乱させたい波長に
応じて、ダイヤモンド様炭素膜表面のテクスチャー構造
を形成することができる。
【００１４】以上のように、本発明に従えば、光閉じ込
め効果を向上させることができるので、短絡電流を大幅
に増加させることができ、変換効率の向上を達成するこ
とができる。
め効果を向上させることができるので、短絡電流を大幅
に増加させることができ、変換効率の向上を達成するこ
とができる。
【００１５】また、従来と同じ短絡電流を得るのであれ
ば、ｉ層の膜厚を薄くすることができるので、光劣化後
の変換効率を大幅に改善することができる。本発明の限
定された局面においては、基板上に形成される透明導電
膜または金属反射膜がテクスチャー化されており、この
ようなテクスチャー構造を有する透明導電膜または金属
反射膜の上に複数の半導体層が積層され、複数の半導体
層のうちｉ層またはｉ層の一部の層として、ダイヤモン
ド様炭素膜が形成される。
ば、ｉ層の膜厚を薄くすることができるので、光劣化後
の変換効率を大幅に改善することができる。本発明の限
定された局面においては、基板上に形成される透明導電
膜または金属反射膜がテクスチャー化されており、この
ようなテクスチャー構造を有する透明導電膜または金属
反射膜の上に複数の半導体層が積層され、複数の半導体
層のうちｉ層またはｉ層の一部の層として、ダイヤモン
ド様炭素膜が形成される。
【００１６】本発明に従う他の限定された局面において
は、基板上方に、ｐ型、ｉ型、ｎ型の半導体層を積層す
ることにより構成された光起電力装置において、ｉ型の
半導体層の基板と反対側に、基板と反対側の表面をエッ
チングしてテクスチャー構造としたダイヤモンド様炭素
膜が設けられる。このようなダイヤモンド様炭素膜は、
ｉ型のものがよい。
は、基板上方に、ｐ型、ｉ型、ｎ型の半導体層を積層す
ることにより構成された光起電力装置において、ｉ型の
半導体層の基板と反対側に、基板と反対側の表面をエッ
チングしてテクスチャー構造としたダイヤモンド様炭素
膜が設けられる。このようなダイヤモンド様炭素膜は、
ｉ型のものがよい。
【００１７】本発明に従う他の限定された局面における
製造方法は、上記局面の光起電力装置を製造することが
できる方法であり、ｉ型の半導体層の上にｓｐ3 構造／
ｓｐ 2 構造の比を所定の比率に制御したダイヤモンド様
炭素膜を形成する工程と、ダイヤモンド様炭素膜のｓｐ
2 構造を選択的にエッチングすることにより、その表面
にテクスチャー構造を形成する工程とを備えている。
製造方法は、上記局面の光起電力装置を製造することが
できる方法であり、ｉ型の半導体層の上にｓｐ3 構造／
ｓｐ 2 構造の比を所定の比率に制御したダイヤモンド様
炭素膜を形成する工程と、ダイヤモンド様炭素膜のｓｐ
2 構造を選択的にエッチングすることにより、その表面
にテクスチャー構造を形成する工程とを備えている。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に従う一実施形態
の光起電力素子を示す断面図である。図１を参照して、
基板１１の上には、テクスチャー構造が形成された透明
電極膜１２が形成されており、この透明電極層１２の上
にｐ層もしくはｎ層１３が形成されている。これらｐ層
もしくはｎ層は、ｐ型の非晶質シリコンカーバイドもし
くはｎ型の非晶質シリコンからなる。ｐ層もしくはｎ層
１３の上には、ｉ型の非晶質シリコンからなるｉ層１４
が形成されている。ｐ層もしくはｎ層１３及びｉ層１４
は、透明電極層１２のテクスチャー構造を引き継ぐよう
に凹凸形状を有している。
の光起電力素子を示す断面図である。図１を参照して、
基板１１の上には、テクスチャー構造が形成された透明
電極膜１２が形成されており、この透明電極層１２の上
にｐ層もしくはｎ層１３が形成されている。これらｐ層
もしくはｎ層は、ｐ型の非晶質シリコンカーバイドもし
くはｎ型の非晶質シリコンからなる。ｐ層もしくはｎ層
１３の上には、ｉ型の非晶質シリコンからなるｉ層１４
が形成されている。ｐ層もしくはｎ層１３及びｉ層１４
は、透明電極層１２のテクスチャー構造を引き継ぐよう
に凹凸形状を有している。
【００１９】ｉ層１４の上には、ダイヤモンド様炭素膜
１５が形成されている。このダイヤモンド様炭素膜１５
の、基板１１と反対側の表面には、その表面をエッチン
グすることにより形成されたテクスチャー構造が形成さ
れている。ｉ層１４の表面のテクスチャー構造の凹凸形
状は、透明導電膜１２のテクスチャー構造の凹凸形状に
比べ鈍化しているが、このように形成されたダイヤモン
ド様炭素膜１５の表面は、その表面をエッチングするこ
とにより新たに形成されたテクスチャー構造であるた
め、鋭い凹凸形状を有している。この新たに形成された
テクスチャー構造の上に、ｎ層もしくはｐ層１６が形成
され、さらにその上にＡｇなどからなる裏面電極層１７
が形成されている。
１５が形成されている。このダイヤモンド様炭素膜１５
の、基板１１と反対側の表面には、その表面をエッチン
グすることにより形成されたテクスチャー構造が形成さ
れている。ｉ層１４の表面のテクスチャー構造の凹凸形
状は、透明導電膜１２のテクスチャー構造の凹凸形状に
比べ鈍化しているが、このように形成されたダイヤモン
ド様炭素膜１５の表面は、その表面をエッチングするこ
とにより新たに形成されたテクスチャー構造であるた
め、鋭い凹凸形状を有している。この新たに形成された
テクスチャー構造の上に、ｎ層もしくはｐ層１６が形成
され、さらにその上にＡｇなどからなる裏面電極層１７
が形成されている。
【００２０】上記実施形態の光起電力素子は、基板１１
として透明基板を用い、基板側から光を入射するタイプ
の光起電力素子である。従って、ｐｉｎ接合は、光入射
側からｐ／ｉ／ｎの順で設けられることが好ましいの
で、１３はｐ層、１６はｎ層として形成されることが好
ましい。
として透明基板を用い、基板側から光を入射するタイプ
の光起電力素子である。従って、ｐｉｎ接合は、光入射
側からｐ／ｉ／ｎの順で設けられることが好ましいの
で、１３はｐ層、１６はｎ層として形成されることが好
ましい。
【００２１】基板と反対側から光が入射するタイプの光
起電力素子の場合は、基板１１として透明基板を用いる
必要はなく、シリコンなどの半導体基板や金属基板を用
いることができる。またこの場合、基板表面にテクスチ
ャー構造を形成し、この上に半導体層を積層させてもよ
い。また基板の上にテクスチャー化した金属層１２を形
成させ、この上に半導体層を積層させてもよい。この場
合、最上層１７は透明電極層となる。上述のように、光
入射側からｐ／ｉ／ｎの順で半導体層を積層することが
好ましいので、このような場合には、１６がｐ層とな
り、１３がｎ層となることが好ましい。また、ｐ層１６
を高濃度にドーピングすることにより、ｐ層１６を透明
導電膜として機能させることができる。このような場
合、その上の透明導電膜１７を省略することができる。
起電力素子の場合は、基板１１として透明基板を用いる
必要はなく、シリコンなどの半導体基板や金属基板を用
いることができる。またこの場合、基板表面にテクスチ
ャー構造を形成し、この上に半導体層を積層させてもよ
い。また基板の上にテクスチャー化した金属層１２を形
成させ、この上に半導体層を積層させてもよい。この場
合、最上層１７は透明電極層となる。上述のように、光
入射側からｐ／ｉ／ｎの順で半導体層を積層することが
好ましいので、このような場合には、１６がｐ層とな
り、１３がｎ層となることが好ましい。また、ｐ層１６
を高濃度にドーピングすることにより、ｐ層１６を透明
導電膜として機能させることができる。このような場
合、その上の透明導電膜１７を省略することができる。
【００２２】
【００２３】上記実施形態においては、ｉ層として非晶
質シリコン層を形成しているが、ｉ層としてダイヤモン
ド様炭素膜を形成してもよい。図２は、図１に示す光起
電力素子を製造する工程を説明するための断面図であ
る。ダイヤモンド様炭素膜１５は、例えば、原料ガスＣ
2 Ｈ2 の流量５０ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、ＲＦパ
ワー５０ｍＷ／ｃｍ2 、圧力１Ｐａの条件でプラズマＣ
ＶＤ法により形成することができる。このようにして形
成したダイヤモンド様炭素膜をエッチングし、その表面
にテクスチャー構造を形成する。このようなエッチング
は、処理用ガスとして、Ｈ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ
などのガスを用い、例えば、ガス流量５０ｓｃｃｍ、基
板温度２００℃、ＲＦパワー５０ｍＷ／ｃｍ2 、圧力１
Ｐａの条件でプラズマ処理することにより行うことがで
きる。
質シリコン層を形成しているが、ｉ層としてダイヤモン
ド様炭素膜を形成してもよい。図２は、図１に示す光起
電力素子を製造する工程を説明するための断面図であ
る。ダイヤモンド様炭素膜１５は、例えば、原料ガスＣ
2 Ｈ2 の流量５０ｓｃｃｍ、基板温度２００℃、ＲＦパ
ワー５０ｍＷ／ｃｍ2 、圧力１Ｐａの条件でプラズマＣ
ＶＤ法により形成することができる。このようにして形
成したダイヤモンド様炭素膜をエッチングし、その表面
にテクスチャー構造を形成する。このようなエッチング
は、処理用ガスとして、Ｈ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｋｒ
などのガスを用い、例えば、ガス流量５０ｓｃｃｍ、基
板温度２００℃、ＲＦパワー５０ｍＷ／ｃｍ2 、圧力１
Ｐａの条件でプラズマ処理することにより行うことがで
きる。
【００２４】本発明におけるダイヤモンド様炭素膜のプ
ラズマＣＶＤ法における一般的な形成条件としては、Ｃ
2 Ｈ2 などの原料ガスの流量１０〜５００ｓｃｃｍ、基
板温度１００〜３５０℃、ＲＦパワー１〜３００ｍＷ／
ｃｍ2 、圧力０．５〜５Ｐａが挙げられる。
ラズマＣＶＤ法における一般的な形成条件としては、Ｃ
2 Ｈ2 などの原料ガスの流量１０〜５００ｓｃｃｍ、基
板温度１００〜３５０℃、ＲＦパワー１〜３００ｍＷ／
ｃｍ2 、圧力０．５〜５Ｐａが挙げられる。
【００２５】以上のようなプラズマ処理によるエッチン
グで、ダイヤモンド様炭素膜１５の表面をテクスチャー
構造にすることができる。このようにテクスチャー構造
を付与した後に、残りの層を積層し、図１に示すような
光起電力素子とする。
グで、ダイヤモンド様炭素膜１５の表面をテクスチャー
構造にすることができる。このようにテクスチャー構造
を付与した後に、残りの層を積層し、図１に示すような
光起電力素子とする。
【００２６】図１におけるその他の半導体層は、プラズ
マＣＶＤ法を用いて、原料ガスとしてＢ2 Ｈ6 、ＳｉＨ
4 及びＰＨ3 を適宜切り替えることにより形成すること
ができる。
マＣＶＤ法を用いて、原料ガスとしてＢ2 Ｈ6 、ＳｉＨ
4 及びＰＨ3 を適宜切り替えることにより形成すること
ができる。
【００２７】ダイヤモンド様炭素膜のｓｐ3 構造／ｓｐ
2 構造の比は、例えばプラズマＣＶＤ法で形成する場
合、原料ガスの流量、基板温度、ＲＦパワー、圧力等の
全てのパラメーターにより影響を受けるものである。こ
こでは、成膜時の下地へのダメージを低減するため、基
板温度２００℃、ＲＦパワー５０ｍＷ／ｃｍ2 と一定の
条件にし、反応圧力を０．５〜５Ｐａの範囲内で変化さ
せることにより、種々のダイヤモンド様炭素膜を形成
し、反応圧力と膜中水素量及びｓｐ3 構造／ｓｐ2構造
の比との関係を求めた。結果を、図３及び図４にそれぞ
れ示す。なお、膜中水素量はＳＩＭＳ（Secondary Ion
Mass Spectroscopy)で測定し、ｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造
の比は、ＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）
によりそれぞれ測定した。
2 構造の比は、例えばプラズマＣＶＤ法で形成する場
合、原料ガスの流量、基板温度、ＲＦパワー、圧力等の
全てのパラメーターにより影響を受けるものである。こ
こでは、成膜時の下地へのダメージを低減するため、基
板温度２００℃、ＲＦパワー５０ｍＷ／ｃｍ2 と一定の
条件にし、反応圧力を０．５〜５Ｐａの範囲内で変化さ
せることにより、種々のダイヤモンド様炭素膜を形成
し、反応圧力と膜中水素量及びｓｐ3 構造／ｓｐ2構造
の比との関係を求めた。結果を、図３及び図４にそれぞ
れ示す。なお、膜中水素量はＳＩＭＳ（Secondary Ion
Mass Spectroscopy)で測定し、ｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造
の比は、ＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）
によりそれぞれ測定した。
【００２８】図３から明らかなように、反応圧力が低下
するに伴い、形成されるダイヤモンド様炭素膜中での膜
中水素量が増加している。また図４から明らかなよう
に、反応圧力が低下するに伴い、ダイヤモンド様炭素膜
中のｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造の比が増加していることが
わかる。このような低い圧力におけるダイヤモンド様炭
素膜におけるｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造の比の増加は、イ
オン衝撃により選択的にｓｐ2 結合が切断されているこ
とによるものと思われる。従って、例えば、反応圧力を
コントロールすることにより、ダイヤモンド様炭素膜中
のｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造の比を所定の比率となるよう
に制御することができる。
するに伴い、形成されるダイヤモンド様炭素膜中での膜
中水素量が増加している。また図４から明らかなよう
に、反応圧力が低下するに伴い、ダイヤモンド様炭素膜
中のｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造の比が増加していることが
わかる。このような低い圧力におけるダイヤモンド様炭
素膜におけるｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造の比の増加は、イ
オン衝撃により選択的にｓｐ2 結合が切断されているこ
とによるものと思われる。従って、例えば、反応圧力を
コントロールすることにより、ダイヤモンド様炭素膜中
のｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造の比を所定の比率となるよう
に制御することができる。
【００２９】次に、図１に示すような構造の光起電力素
子のダイヤモンド様炭素膜１５として、種々のｓｐ3 構
造／ｓｐ2 構造の比を有するダイヤモンド様炭素膜を形
成し、ダイヤモンド様炭素膜のｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造
の比と、光起電力素子における短絡電流との関係を検討
した。図１におけるｉ層１４の膜厚としては２５００Å
とし、エッチング処理前のダイヤモンド様炭素膜１５の
膜厚としては５００Åとなるように形成した。基板１１
と透明電極膜１２とからなるＴＣＯ基板としては、ヘイ
ズ率１５％のものを用いた。なお、ここでヘイズ率と
は、直達光に対する散乱光の割合を示す値である。また
ｐ層１３としては、膜厚１００Åのｐ型非晶質シリコン
カーバイド層を形成した。ダイヤモンド様炭素膜１５の
上に形成するｎ層１６としては、膜厚１００Åのｎ型非
晶質シリコン層を形成した。裏面電極層１７としては、
Ａｇ層をスパッタリング法により形成した。
子のダイヤモンド様炭素膜１５として、種々のｓｐ3 構
造／ｓｐ2 構造の比を有するダイヤモンド様炭素膜を形
成し、ダイヤモンド様炭素膜のｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造
の比と、光起電力素子における短絡電流との関係を検討
した。図１におけるｉ層１４の膜厚としては２５００Å
とし、エッチング処理前のダイヤモンド様炭素膜１５の
膜厚としては５００Åとなるように形成した。基板１１
と透明電極膜１２とからなるＴＣＯ基板としては、ヘイ
ズ率１５％のものを用いた。なお、ここでヘイズ率と
は、直達光に対する散乱光の割合を示す値である。また
ｐ層１３としては、膜厚１００Åのｐ型非晶質シリコン
カーバイド層を形成した。ダイヤモンド様炭素膜１５の
上に形成するｎ層１６としては、膜厚１００Åのｎ型非
晶質シリコン層を形成した。裏面電極層１７としては、
Ａｇ層をスパッタリング法により形成した。
【００３０】なお、短絡電流は、ダイヤモンド様炭素膜
１５を形成していない、すなわち図７に示すような従来
の光起電力素子の構造で、非晶質シリコンからなるｉ層
１４の膜厚を３０００Åとし、その他の構造は上述の実
施形態と同様である比較の光起電力素子を作製し、この
比較の光起電力素子で得られる短絡電流で規格化した規
格化短絡電流として表した。図５に、ｓｐ3 構造／ｓｐ
2 構造の比と、このようにして測定された規格化短絡電
流との関係を示す。
１５を形成していない、すなわち図７に示すような従来
の光起電力素子の構造で、非晶質シリコンからなるｉ層
１４の膜厚を３０００Åとし、その他の構造は上述の実
施形態と同様である比較の光起電力素子を作製し、この
比較の光起電力素子で得られる短絡電流で規格化した規
格化短絡電流として表した。図５に、ｓｐ3 構造／ｓｐ
2 構造の比と、このようにして測定された規格化短絡電
流との関係を示す。
【００３１】図５から明らかなように、ｓｐ3 ／ｓｐ2
の比が０．８以上３．２以下の範囲で、規格化短絡電流
の値が１以上になっており、短絡電流の改善が認められ
る。特に好ましくは、１．０以上３．２以下であり、さ
らに好ましくは、１．０以上２．０以下である。これら
の範囲で短絡電流が著しく改善されている。ｓｐ3 ／ｓ
ｐ2 の比が大きくなると、選択的にエッチングされるｓ
ｐ2 の構造が少なくなるため、エッチングによる凹凸形
状の形成が不十分になるため、短絡電流が低下するもの
と思われる。またｓｐ3 ／ｓｐ2 の比が小さくなると、
選択的にエッチングされるｓｐ2 構造が多くなるため、
大部分がエッチングされ、効果的な凹凸形状が形成され
ず、短絡電流が低下するものと思われる。
の比が０．８以上３．２以下の範囲で、規格化短絡電流
の値が１以上になっており、短絡電流の改善が認められ
る。特に好ましくは、１．０以上３．２以下であり、さ
らに好ましくは、１．０以上２．０以下である。これら
の範囲で短絡電流が著しく改善されている。ｓｐ3 ／ｓ
ｐ2 の比が大きくなると、選択的にエッチングされるｓ
ｐ2 の構造が少なくなるため、エッチングによる凹凸形
状の形成が不十分になるため、短絡電流が低下するもの
と思われる。またｓｐ3 ／ｓｐ2 の比が小さくなると、
選択的にエッチングされるｓｐ2 構造が多くなるため、
大部分がエッチングされ、効果的な凹凸形状が形成され
ず、短絡電流が低下するものと思われる。
【００３２】さらに、ｓｐ3 ／ｓｐ2 ＝１．２におい
て、約１割の短絡電流の改善が認められたため、このよ
うなｓｐ3 ／ｓｐ2 の比率を有するダイヤモンド様炭素
膜を用い、ｉ層の薄膜化による光劣化の改善効果を検討
した。すなわち、ｉ層の膜厚を２５００Åから２０００
Åに薄くした、図１に示すような構造の光起電力素子を
作製し、変換効率を測定した。変換効率は、上記の比較
の光起電力素子と同様に、図７に示すような構造を有す
る従来の光起電力素子においてｉ層の膜厚を３０００Å
とした光起電力素子の効率を基準とし、（本実施形態の
光起電力素子の変換効率）／（比較の光起電力素子の変
換効率）の比を、規格化効率として示した。光劣化条件
は、初年度劣化に相当する加速劣化条件（５００ｍＷ／
ｃｍ2 、２５℃、１６０分）とした。光劣化前の初期の
規格化効率及び光劣化後の規格化効率を表１に示す。
て、約１割の短絡電流の改善が認められたため、このよ
うなｓｐ3 ／ｓｐ2 の比率を有するダイヤモンド様炭素
膜を用い、ｉ層の薄膜化による光劣化の改善効果を検討
した。すなわち、ｉ層の膜厚を２５００Åから２０００
Åに薄くした、図１に示すような構造の光起電力素子を
作製し、変換効率を測定した。変換効率は、上記の比較
の光起電力素子と同様に、図７に示すような構造を有す
る従来の光起電力素子においてｉ層の膜厚を３０００Å
とした光起電力素子の効率を基準とし、（本実施形態の
光起電力素子の変換効率）／（比較の光起電力素子の変
換効率）の比を、規格化効率として示した。光劣化条件
は、初年度劣化に相当する加速劣化条件（５００ｍＷ／
ｃｍ2 、２５℃、１６０分）とした。光劣化前の初期の
規格化効率及び光劣化後の規格化効率を表１に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１から明らかなように、光劣化前の規格
化変換効率は１．０１であり、本実施形態と比較の光起
電力素子はほぼ同程度の変換効率を示しているが、劣化
後においては、規格化効率が１．１５であり、本実施形
態の光電変換効率が比較の光起電力素子の変換効率より
も著しく高くなっている。これは、本実施形態によれ
ば、光閉じ込め効果が改善され、従来より薄いｉ層で従
来と同程度の短絡電流が得られるため、ｉ層を薄膜化す
ることにより、光劣化後の光起電力素子の特性を大幅に
改善することができたことに対応している。
化変換効率は１．０１であり、本実施形態と比較の光起
電力素子はほぼ同程度の変換効率を示しているが、劣化
後においては、規格化効率が１．１５であり、本実施形
態の光電変換効率が比較の光起電力素子の変換効率より
も著しく高くなっている。これは、本実施形態によれ
ば、光閉じ込め効果が改善され、従来より薄いｉ層で従
来と同程度の短絡電流が得られるため、ｉ層を薄膜化す
ることにより、光劣化後の光起電力素子の特性を大幅に
改善することができたことに対応している。
【００３５】ところで、ダイヤモンド様炭素膜は、その
膜中のｓｐ3 ／ｓｐ2 の比率を変えることにより、その
光学ギャップを変化させることができる。ｓｐ3 ／ｓｐ
2 の比率をそれぞれ１．２及び１．８と代えて作製した
ダイヤモンド様炭素膜の光学ギャップを表２に示す。
膜中のｓｐ3 ／ｓｐ2 の比率を変えることにより、その
光学ギャップを変化させることができる。ｓｐ3 ／ｓｐ
2 の比率をそれぞれ１．２及び１．８と代えて作製した
ダイヤモンド様炭素膜の光学ギャップを表２に示す。
【００３６】
【表２】
【００３７】表２から明らかなように、ダイヤモンド様
炭素膜のｓｐ3 ／ｓｐ2 の比を変化させることにより光
学キャップを変化させることが可能であることがわか
る。このような種々の光学ギャップに制御可能なセル
は、積層型光起電力素子のフロントセルやボトムセルの
発電層としても有用なものである。
炭素膜のｓｐ3 ／ｓｐ2 の比を変化させることにより光
学キャップを変化させることが可能であることがわか
る。このような種々の光学ギャップに制御可能なセル
は、積層型光起電力素子のフロントセルやボトムセルの
発電層としても有用なものである。
【００３８】図６は、このような積層型光起電力素子に
本発明を適用した実施形態の１つを示す断面図である。
本実施形態の積層型光起電力素子は、基板と反対側から
光が入射するいわゆる逆タイプ構造のものである。図６
を参照して、基板１の上にテクスチャー構造を有する金
属電極層２２が設けられており、この上にはｎ層２３、
ｉ層２４、及びｐ層２５が順次積層されている。このｎ
層２３、ｉ層２４、及びｐ層２５からボトムセルが形成
されている。
本発明を適用した実施形態の１つを示す断面図である。
本実施形態の積層型光起電力素子は、基板と反対側から
光が入射するいわゆる逆タイプ構造のものである。図６
を参照して、基板１の上にテクスチャー構造を有する金
属電極層２２が設けられており、この上にはｎ層２３、
ｉ層２４、及びｐ層２５が順次積層されている。このｎ
層２３、ｉ層２４、及びｐ層２５からボトムセルが形成
されている。
【００３９】このボトムセルの上には、ｎ層２６、ｉ層
２７が形成され、このｉ層２７はダイヤモンド様炭素膜
から形成されている。このｉ層２７の上には、ダイヤモ
ンド様炭素膜２８が形成されている。ダイヤモンド様炭
素膜２８の表面は、Ｈ2 プラズマ処理等によりテクスチ
ャー構造が形成されている。このテクスチャー構造が形
成された表面上にｐ層２９が形成され、さらにその上に
ＩＴＯなどからなる透明電極膜３０が形成されている。
ｎ層２６、ｉ層２７、ダイヤモンド様炭素膜２８、及び
ｎ層２９からフロントセルが構成される。
２７が形成され、このｉ層２７はダイヤモンド様炭素膜
から形成されている。このｉ層２７の上には、ダイヤモ
ンド様炭素膜２８が形成されている。ダイヤモンド様炭
素膜２８の表面は、Ｈ2 プラズマ処理等によりテクスチ
ャー構造が形成されている。このテクスチャー構造が形
成された表面上にｐ層２９が形成され、さらにその上に
ＩＴＯなどからなる透明電極膜３０が形成されている。
ｎ層２６、ｉ層２７、ダイヤモンド様炭素膜２８、及び
ｎ層２９からフロントセルが構成される。
【００４０】図６に示すようなタンデム型の光起電力素
子において、ダイヤモンド様炭素膜２８として、ｓｐ3
／ｓｐ2 の比が１．２であるものを用いると、フロント
セルとして、上述のように光学ギャップが１．９ｅＶの
ものが得られる。従って、ボトムセルのｉ層２４とし
て、例えば、公知のプラズマＣＶＤ法により形成した光
学ギャップ１．７ｅＶの非晶質Ｓｉ層を用い、積層型太
陽電池とすることができる。
子において、ダイヤモンド様炭素膜２８として、ｓｐ3
／ｓｐ2 の比が１．２であるものを用いると、フロント
セルとして、上述のように光学ギャップが１．９ｅＶの
ものが得られる。従って、ボトムセルのｉ層２４とし
て、例えば、公知のプラズマＣＶＤ法により形成した光
学ギャップ１．７ｅＶの非晶質Ｓｉ層を用い、積層型太
陽電池とすることができる。
【００４１】なお、ダイヤモンド様炭素膜２８の表面を
Ｈ2 プラズマ処理でエッチングしない場合に比べ、エッ
チング処理しテクスチャー構造を形成した場合には、変
換効率が約１割向上し、変換効率として１０％が得られ
た。
Ｈ2 プラズマ処理でエッチングしない場合に比べ、エッ
チング処理しテクスチャー構造を形成した場合には、変
換効率が約１割向上し、変換効率として１０％が得られ
た。
【００４２】上記実施形態では、いわゆる逆タイプ構造
の積層型太陽電池においてフロントセルとして本発明に
従う光起電力素子を用いたが、基板側から光が入射す
る、いわゆる順タイプ構造の積層型太陽電池にも本発明
に従う光起電力素子を用いることができる。例えば、基
板側に形成するフロントセルとして、公知のプラズマＣ
ＶＤにより形成した、光学ギャップ１．８ｅＶの非晶質
Ｓｉからなるｉ層のセルを用い、ボトムセルとして表３
に示したｓｐ3 ／ｓｐ2 の比が１．８である、光学ギャ
ップ１．６ｅＶのｉ層を有する光起電力素子を形成する
ことができる。このような積層型太陽電池は、ボトムセ
ルにおいてエッチング処理によるテクスチャー構造の付
与を行わないものに比べ、変換効率において約１．５割
向上し、変換効率として１０．５％が得られた。
の積層型太陽電池においてフロントセルとして本発明に
従う光起電力素子を用いたが、基板側から光が入射す
る、いわゆる順タイプ構造の積層型太陽電池にも本発明
に従う光起電力素子を用いることができる。例えば、基
板側に形成するフロントセルとして、公知のプラズマＣ
ＶＤにより形成した、光学ギャップ１．８ｅＶの非晶質
Ｓｉからなるｉ層のセルを用い、ボトムセルとして表３
に示したｓｐ3 ／ｓｐ2 の比が１．８である、光学ギャ
ップ１．６ｅＶのｉ層を有する光起電力素子を形成する
ことができる。このような積層型太陽電池は、ボトムセ
ルにおいてエッチング処理によるテクスチャー構造の付
与を行わないものに比べ、変換効率において約１．５割
向上し、変換効率として１０．５％が得られた。
【００４３】以上のように、本発明の光起電力素子は、
積層型光起電力素子にも適用することができ、変換効率
を向上させることができる。
積層型光起電力素子にも適用することができ、変換効率
を向上させることができる。
【００４４】
【発明の効果】本発明に従えば、基板から離れた半導体
層表面のテクスチャー構造を自由に制御することがで
き、光閉じ込め効果を十分に得ることができる。また、
効果的に散乱させたい波長に応じてテクスチャー構造の
凹凸形状を制御することができるので、短絡電流を大幅
に増加することができ、変換効率の向上を達成すること
ができる。
層表面のテクスチャー構造を自由に制御することがで
き、光閉じ込め効果を十分に得ることができる。また、
効果的に散乱させたい波長に応じてテクスチャー構造の
凹凸形状を制御することができるので、短絡電流を大幅
に増加することができ、変換効率の向上を達成すること
ができる。
【００４５】また短絡電流を大幅に増加することが可能
であるので、短絡電流を従来と同程度のものにすれば、
ｉ層の膜厚を薄くすることができる。このため、光劣化
後の変換効率を大幅に改善することができる。
であるので、短絡電流を従来と同程度のものにすれば、
ｉ層の膜厚を薄くすることができる。このため、光劣化
後の変換効率を大幅に改善することができる。
【図１】本発明に従う一実施形態の光起電力素子を示す
断面図。
断面図。
【図２】図１に示す本発明の実施形態を製造する工程を
説明するための断面図。
説明するための断面図。
【図３】ダイヤモンド様炭素膜の形成の際の反応圧力
と、膜中水素量との関係を示す図。
と、膜中水素量との関係を示す図。
【図４】ダイヤモンド様炭素膜の形成の際の反応圧力
と、ｓｐ3 ／ｓｐ2 の比との関係を示す図。
と、ｓｐ3 ／ｓｐ2 の比との関係を示す図。
【図５】本発明におけるダイヤモンド様炭素膜のｓｐ3
／ｓｐ2 の比を変化させたときの光起電力素子の規格化
短絡電流を示す図。
／ｓｐ2 の比を変化させたときの光起電力素子の規格化
短絡電流を示す図。
【図６】本発明に従う他の実施形態である積層型太陽電
池を示す断面図。
池を示す断面図。
【図７】従来の光起電力素子の一例を示す断面図。
【図８】従来の積層型光起電力素子の一例を示す断面
図。
図。
１１…基板
１２…透明電極膜または金属電極膜
１３…ｐ層またはｎ層
１４…第１のダイヤモンド様炭素膜であるｉ層
１５…ダイヤモンド様炭素膜
１６…ｎ層もしくはｐ層
１７…裏面電極膜または透明電極膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−214680（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−34975（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−77973（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−183568（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−97919（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/04 - 31/078
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上方に複数の半導体層を積層するこ
とにより構成された光起電力素子において、 前記複数の半導体層のうちｉ層またはｉ層の一部の層と
して、前記基板と反対側の表面をエッチングしてテクチ
ャー構造としたダイヤモンド様炭素膜が設けられている
ことを特徴とする光起電力素子。 - 【請求項２】 前記ダイヤモンド様炭素膜がｉ層の一部
の層である場合に、前記ダイヤモンド様炭素膜は、ｉ層
の他の部分の層に対し前記基板と反対側に設けられてい
ることを特徴とする請求項１に記載の光起電力素子。 - 【請求項３】 基板上方に複数の半導体層を積層するこ
とにより構成された光起電力素子を製造する方法であっ
て、 前記複数の半導体層のうちの少なくとも１つの半導体層
として、ｓｐ3 構造／ｓｐ2 構造の比を所定の比率に制
御したダイヤモンド様炭素膜を形成する工程と、 前記ダイヤモンド様炭素膜のｓｐ2 構造を選択的にエッ
チングすることにより、その表面にテクスチャー構造を
形成する工程とを備える光起電力素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記ダイヤモンド様炭素膜のエッチング
が、Ｈ2 、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、またはこれらのう
ちの少なくとも１種を含む混合ガスを用いたエッチング
である請求項３に記載の光起電力素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記ダイヤモンド様炭素膜のｓｐ3 構造
／ｓｐ2 構造の比が、０．８以上３．２以下である請求
項３または４に記載の光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30709595A JP3416364B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 光起電力素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30709595A JP3416364B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 光起電力素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148594A JPH09148594A (ja) | 1997-06-06 |
| JP3416364B2 true JP3416364B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=17964972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30709595A Expired - Fee Related JP3416364B2 (ja) | 1995-11-27 | 1995-11-27 | 光起電力素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3416364B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3619053B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| JP2002033497A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Nihon University | 太陽電池並びに太陽電池パネル |
| US7057256B2 (en) | 2001-05-25 | 2006-06-06 | President & Fellows Of Harvard College | Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices |
| US7442629B2 (en) | 2004-09-24 | 2008-10-28 | President & Fellows Of Harvard College | Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate |
| US9673243B2 (en) | 2009-09-17 | 2017-06-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| US9911781B2 (en) | 2009-09-17 | 2018-03-06 | Sionyx, Llc | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| WO2011119618A2 (en) * | 2010-03-24 | 2011-09-29 | Sionyx, Inc. | Devices having enhanced electromagnetic radiation detection and associated methods |
| US8692198B2 (en) | 2010-04-21 | 2014-04-08 | Sionyx, Inc. | Photosensitive imaging devices and associated methods |
| CN103081128B (zh) | 2010-06-18 | 2016-11-02 | 西奥尼克斯公司 | 高速光敏设备及相关方法 |
| US9496308B2 (en) | 2011-06-09 | 2016-11-15 | Sionyx, Llc | Process module for increasing the response of backside illuminated photosensitive imagers and associated methods |
| US20130016203A1 (en) | 2011-07-13 | 2013-01-17 | Saylor Stephen D | Biometric imaging devices and associated methods |
| US9064764B2 (en) | 2012-03-22 | 2015-06-23 | Sionyx, Inc. | Pixel isolation elements, devices, and associated methods |
| KR20150130303A (ko) | 2013-02-15 | 2015-11-23 | 사이오닉스, 아이엔씨. | 안티 블루밍 특성 및 관련 방법을 가지는 높은 동적 범위의 cmos 이미지 센서 |
| WO2014151093A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Sionyx, Inc. | Three dimensional imaging utilizing stacked imager devices and associated methods |
| US9209345B2 (en) | 2013-06-29 | 2015-12-08 | Sionyx, Inc. | Shallow trench textured regions and associated methods |
| CN105957910A (zh) * | 2016-05-03 | 2016-09-21 | 天津理工大学 | 一种碳硅异质结太阳能电池及其制备方法 |
| CN111304602B (zh) * | 2018-12-11 | 2023-07-21 | 深圳先进技术研究院 | 超疏水类金刚石复合层结构及其制备方法 |
-
1995
- 1995-11-27 JP JP30709595A patent/JP3416364B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09148594A (ja) | 1997-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3416364B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
| US5213628A (en) | Photovoltaic device | |
| EP1724840B1 (en) | Photoelectric cell | |
| EP2110859B1 (en) | Laminate type photoelectric converter and method for fabricating the same | |
| US20100024871A1 (en) | Photovoltaic device and method of manufacturing the same | |
| WO1999063600A1 (en) | Silicon-base thin-film photoelectric device | |
| KR20080002657A (ko) | 반도체 구조, 태양 전지 및 광 전지 디바이스 제조 방법 | |
| JP2004014958A (ja) | 薄膜多結晶太陽電池とその製造方法 | |
| CN218788382U (zh) | 一种高效异质结太阳能电池 | |
| CN112447867A (zh) | 太阳能电池结构及其制作方法 | |
| JPH1084125A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
| KR20180098116A (ko) | 태양 전지 및 이의 제조 방법 | |
| JP3346907B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP5843734B2 (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
| JP2002280590A (ja) | 多接合型薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| JP3229705B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH10226598A (ja) | 透明導電性酸化チタン膜及びその製造方法 | |
| CN217606831U (zh) | 一种高效异质结太阳能电池 | |
| JP4247947B2 (ja) | 半導体薄膜光電変換装置の製造方法 | |
| JP2771921B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| US6593164B2 (en) | Silicon photoelectric conversion device, method of manufacturing the same and method of processing the same | |
| JP2003008036A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| KR20230117714A (ko) | 태양 전지 및 태양광 모듈 | |
| JPH0456170A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
| JP3358164B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |