JPS6293963A - 樹脂封止形半導体集積回路装置 - Google Patents

樹脂封止形半導体集積回路装置

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JPS6293963A
JPS6293963A JP60235716A JP23571685A JPS6293963A JP S6293963 A JPS6293963 A JP S6293963A JP 60235716 A JP60235716 A JP 60235716A JP 23571685 A JP23571685 A JP 23571685A JP S6293963 A JPS6293963 A JP S6293963A
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JP
Japan
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resin
integrated circuit
dielectric constant
chip
semiconductor integrated
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Application number
JP60235716A
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Isamu Yamamoto
勇 山本
Takahiko Iida
隆彦 飯田
Eizo Ito
伊藤　栄三
Yuji Sawamori
沢森　雄治
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は改良さｎた樹脂封止形半導体集積回路装置に関
するものである。
〔従来の技術〕
第８図、第４図は夫々従来のモールド樹脂封止形半導体
集積回路装置の断面図であり、図において、（１）は半
導体集積回路チップ（以下ＩＣチップという０）（２）
はこのＩＣチップを封止する樹脂、（３）はＩＣの入出
力の端子となるリード、（４）はＩＣチップを載せるダ
イパッド（第４図のみ）、（５）はＩＣチップのパッド
と、リードを＠（的につなぐ、金属細線、（６）は熱抵
抗を良くするだめのヒートシンクである（第３図のみ）
。
次に、動作について説明する。
ＩＣが動作するときに、リード（３）とＩＣチップ（１
）、ダイパッド（４）またはヒートシンク（６）間の樹
脂の誘電率が低いためＩＣのスイッチングが遅れる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のモールド樹脂封止形半導体集積回路装置は、以上
のように、ｈ（成されているので、リード（３）とＩＣ
チップ（１）、ダイパッド（４）またはヒートシンク（
６）間の樹脂の誘〜イ率が低いことにより、高速スイッ
チングに支障を生じる問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、高速スイッチングのできる樹脂封止形半導
体集積回路装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するだめの手段〕
この発明に係る樹脂封止形半導体集積回路装置は、リー
ドとＩＣチップダイパッド、またはヒートシンクの間に
誘電率の低い材質を介在させたものである。
〔作用〕
この発明における樹脂封止形半導体集積回路装置はリー
ドとｌＣチップ、ダイパッドまたは、ヒートシンクの間
に介在させた誘電率の低い材料により１高速スイツチン
グを可能とする。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図、第２図において、（１）はＩＣチップ、（２）は樹
脂、（３）はリード、（４）はダイパッド、（５）は金
属細線、（７）はリード（３）とＩＣチップ（１）また
はヒートシンク（６）間に介在し樹脂（２）よりも誘電
率の低い低誘電率部材である。
ＩＣは前記低誘電率部材を設けることにより、高速スイ
ッチングが可能となる。
第２図は、低い誘電率の材質を、リード（３）とＩＣチ
ップ（１）またはダイパッド（６）の間に低誘電率部材
（７）を介在させた他の実施例である。
なお上記低誘電率部材（７）は必ずしも樹脂（２）より
誘電率の低いものでなくとも、例えば多泡質にすること
により見掛の誘電率の低くした物質を使用することも可
能である。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によればリードとＩＣチップ、
ダイパッド、またはヒートシンク間に樹脂のよりも誘電
率の低い物質を設けたので樹脂封止形半導体集積回路装
置の高速スイッチングが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の一実施例になるモールド樹脂封止
形半導体集積回路装置を示す断面図、第２図はこの発明
の他の実施例を示す断面図、第３図と第４図は従来のモ
ールド樹脂封止形半導体集積回路装置を示す断面図であ
る。 （１）はチップ、（２）は樹脂、（３）はリード、（４
）はダイパッド、（５ｉは金属細線、（６）はヒートシ
ンク、（７）は低誘電率物質である。 図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）樹脂封止形半導体集積装置に於て、樹脂により包
    囲された内部リードと集積回路チップあるいはこのチッ
    プを載置するダイパッドもしくはヒートシンクとの間に
    、前記樹脂封止形集積回路装置を構成する樹脂の誘電率
    よりも低い物質を介在させた事を特徴とする樹脂封止形
    半導体集積回路装置。
  2. （２）介在させた物質は、本来封止樹脂の誘電率よりも
    高いものであつても、多泡質とする事により、見掛の誘
    電率をモールド樹脂のそれより低いものとした物である
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止
    形半導体集積回路装置。
JP60235716A 1985-10-21 1985-10-21 樹脂封止形半導体集積回路装置 Pending JPS6293963A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6570247B1 (en) * 1997-12-30 2003-05-27 Intel Corporation Integrated circuit device having an embedded heat slug

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979686A (ja) * 1972-12-07 1974-08-01

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