JPS627670A - 半導体拡散炉の構成部材の製造方法 - Google Patents

半導体拡散炉の構成部材の製造方法

Info

Publication number
JPS627670A
JPS627670A JP60142498A JP14249885A JPS627670A JP S627670 A JPS627670 A JP S627670A JP 60142498 A JP60142498 A JP 60142498A JP 14249885 A JP14249885 A JP 14249885A JP S627670 A JPS627670 A JP S627670A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
particle size
average particle
diffusion furnace
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60142498A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0248511B2 (ja
Inventor
玉水　照康
幸文 酒井
広志 田代
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP60142498A priority Critical patent/JPS627670A/ja
Priority to US06/877,918 priority patent/US4771021A/en
Publication of JPS627670A publication Critical patent/JPS627670A/ja
Publication of JPH0248511B2 publication Critical patent/JPH0248511B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産　　　の　１ 本発明は半導体拡散炉の構成部材に関する。
支股仄Ｌ１ 特公昭５４−１０８２５号公報は半導体拡散炉の構成部
材を示している。この従来例にあっては、０．１〜８μ
の平均粒径を有する微粒と、３０〜１７０μの平均粒径
を有する粗粒からなるＳｉＣ粉末の焼結体によって焼結
ＳｉＣマトリックスが形成されている。
が　°しよ　とする【　１、 前述の半導体拡散炉の構成部材にあっては、特に微粒の
ＳｉＣ粉末が０，１〜８μの平均粒径を有するため、粉
末全体としてみたときＳｉＣ粉末の表面積が非常に大き
くなり、その結果として、不純物が混入しやすい。通常
は、粗粒のＳｉＣ粉末を粉砕するのであるが、そのよう
な粉砕工程において不純物が入りやすいのである。この
時、不純物の混入を避けるためには、特別な処理操作が
必要であり、生産コストを高くする欠点がある。
１１Ｌ１乱 この発明は前述のような従来技術の欠点を解消して、処
理操作が比較的容易で、しかも物理特性の優れた半導体
拡散炉構成部材を提供することを目的としている。
立」Ｌ列ＪＬＬ この目的を達成するために、この発明は３０〜１７０μ
の平均粒径を有するＳｉＣ粉末５０〜９０重量部と、０
．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末３〜１５型針部と
、０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉ粉粉末７〜３童 構成部材を要旨としている。
「」　−を　°するための　゛ この発明による半導体拡散炉の構成部材においては、Ｓ
ｉＣ粉末は粗粒のみを使用し、微粒は使用しない。すな
わち、３０〜１７０ｆｔの平均粒径を有するＳｉＣ粉末
を５０〜９０重量部使用するのである。このＳｉＣ粉末
に０．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末３〜１５重量
部と０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉｉ末７〜３５
重量部を添加する。
Ｃ粉末が３＠最部よりも少ないと、ＳｉＣの結合力が小
さく、強度が低下する。また、Ｃ粉末が１５槍量部より
も大きいと、Ｓｉの合浸前に変形をおこしやすくなり、
強度が低下する。
Ｓｉ粉末が７重量部よりも少ないと、ＳｉＣの結合力が
弱まり、強度が下がる。また、Ｓｉ粉末の含有量が３５
重量％よりも多いと、Ｓｉの含浸が困難となり、材質の
均一性に欠けやすくなる。
Ｃ粉末とＳｉ粉末の全体量が多すぎると、焼成時に体積
の減少が生じ変形の問題が起る。
前述のようなＳｉＣ粉末、Ｃ粉末およびＳ１粉末に有機
バインダーを加えて混練造粒し、ラバープレスにより成
型してから焼成し、Ｓｉを含浸してケイ化するのが一般
的な製造方法である。また、ＨＣＱによりパージをして
純化を行なうと、より高品質のものがえられる。
ズ」１１ ３０〜１７０μの平均粒径を有するＳｉＣ粉末７０！最
部と、０．１〜８μの平均粒径を右するＣ粉末９重量部
と、０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉｉ末２１重量
部と、有機バインダーとしてアルコール１０型ｆｉ部を
配合゛混線し、周知のやり方で造粒する。このような造
粒物を乾燥させてからラバープレスにより半導体炉芯管
の形状に成型する。しかるのち１２００℃の温度で焼成
し、塩酸ガスと少量の水蒸気とにより１０００℃の温度
でパージを行なって純化させてからＳｉを１７００℃の
温度で含浸してケイ化させる。最後に必要に応じて研磨
等の最終仕上げを行なう。
以上の方法で製造された半導体拡散炉の構成部材の物理
特性を測定したところ、嵩密度が３．０８で、強度が２
５０ＭＰａであった。
立」ＬΔ力」Ｌ ＳｉＣ粉末は粗粒のみを使用し、従来のように微粒のも
のを使用しなＣ・）ので、処理操作が極めて容易になる
ばかりでなく、不純物の混入を防ぎやすくなる。Ｃ粉末
とＳｉ粉末は微粒のものを使用するが、このようなＣ粉
末やＳｉ粉末は、ＳｉＣ粉末に比較して粉砕が容易であ
り、製造コストの低減をはかれるばかりでなく、不純物
の混入を効果的に防止できるのである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ３０〜１７０μの平均粒径を有するＳｉＣ粉末５０〜９
    ０重量部と、０．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末３
    〜１５重量部と、０．１〜８μの平均粒径を有するＳｉ
    粉末７〜３５重量部とを混合焼成してなる半導体拡散炉
    の構成部材。
JP60142498A 1985-07-01 1985-07-01 半導体拡散炉の構成部材の製造方法 Granted JPS627670A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60142498A JPS627670A (ja) 1985-07-01 1985-07-01 半導体拡散炉の構成部材の製造方法
US06/877,918 US4771021A (en) 1985-07-01 1986-06-24 Semi-conductor diffusion furnace components

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60142498A JPS627670A (ja) 1985-07-01 1985-07-01 半導体拡散炉の構成部材の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS627670A true JPS627670A (ja) 1987-01-14
JPH0248511B2 JPH0248511B2 (ja) 1990-10-25

Family

ID=15316730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60142498A Granted JPS627670A (ja) 1985-07-01 1985-07-01 半導体拡散炉の構成部材の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS627670A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017217378A1 (ja) * 2016-06-13 2017-12-21 帝人株式会社 炭化ケイ素の製造方法及び炭化ケイ素複合材料

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0421415U (ja) * 1990-06-12 1992-02-24

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017217378A1 (ja) * 2016-06-13 2017-12-21 帝人株式会社 炭化ケイ素の製造方法及び炭化ケイ素複合材料
JPWO2017217378A1 (ja) * 2016-06-13 2019-01-17 帝人株式会社 炭化ケイ素の製造方法及び炭化ケイ素複合材料

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0248511B2 (ja) 1990-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4984204B2 (ja) 酸化インジウム粉末およびその製造方法
JPS5939719B2 (ja) 核燃料体とその製法
JPS6212666A (ja) 半導体用炉芯管の製造方法
JPS627670A (ja) 半導体拡散炉の構成部材の製造方法
JPS58180985A (ja) 核燃料ペレツトおよびその製品の製造方法
JPS6212667A (ja) 半導体用部材の製造方法
JPH0525556A (ja) 焼結鉱の製造方法
JPH07215707A (ja) 大粒径の窒化アルミニウム粉末およびその製造方法
TW473523B (en) Magnetic-abrasive powder composition, and method of producing same
JPS6212668A (ja) 半導体拡散炉の構成部材
JPS60131866A (ja) サイアロン粒および粉の調製方法ならびに組成物
JPS62207703A (ja) 窒化アルミニウム粉末の製造方法
JPS6335452A (ja) 半導体拡散炉用構成部材の製造方法
JPS63236757A (ja) 多結晶セラミツクス製品及びその製造方法
JPS59123543A (ja) セラミツクス粉砕用媒体
JPS5891057A (ja) 非酸化物系セラミツクス焼結体
JP2544017B2 (ja) 粉末冶金用銅粉の製造方法
JP3073217B2 (ja) 粉末成形による精密金属部品の製造方法
KR20230077000A (ko) 블랙 알루미나 소결체 및 이의 제조방법
JPH0745343B2 (ja) 立方晶窒化ほう素焼結体およびその製造方法
JPH0483759A (ja) 窒化ほう素複合焼結体の製造方法
JPS62212266A (ja) 非酸化物セラミツク粉末の造粒体
JPS5875862A (ja) 半導体用タングステンスラグ
JPS60200859A (ja) ジルコニア磁器の製造法
JPS60141672A (ja) ジルコニア焼結体の製造法