JPS59123543A - セラミツクス粉砕用媒体 - Google Patents

セラミツクス粉砕用媒体

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JPS59123543A
JPS59123543A JP22850382A JP22850382A JPS59123543A JP S59123543 A JPS59123543 A JP S59123543A JP 22850382 A JP22850382 A JP 22850382A JP 22850382 A JP22850382 A JP 22850382A JP S59123543 A JPS59123543 A JP S59123543A
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JP
Japan
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silicon
medium
carbide
ceramic
sintered body
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JP22850382A
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English (en)
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JPS63108B2 (ja
Inventor
晃 千田
本宮 達彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Publication of JPS63108B2 publication Critical patent/JPS63108B2/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセラミックス粉砕用媒体、特にセラミックス原
料粉末をサブミクロンにまで粉砕する工程に使用さnる
粉砕、混合機用の媒体に関するものである。
炭化けい素(SiC)、窒化けい素(Si、N番)、酸
化ジルコニウム(ZrO2)などはファインセラミック
スとして近時注目さnているものであるが、こnらの暁
結体についてはそnらが高温において高い強度を示すと
いうこともよく知らnている。
しかし、こnらのファインセラミックス材についてはこ
nをまづサブミクロン程度の微粉としてから焼結させる
ことが心安とさnるため、こnにはその粉砕に大きな問
題点がある。
すなわち、このセラミックス材の粉砕は通常ボールミル
、ポールトンミル、振醜ミルで行なわnるのであるが、
この場&には摩耗全社けるためにゴムライニングした粉
砕機を使っても、この粉砕機に投入さA、6媒体が炭素
鋼、タングステンカーバイド、アルミナなどとさnてい
るため、粉砕中における媒体の摩耗をさけることができ
ず、例えば炭素鋼ボールを使用してSiCfC1a〜1
μm程度にまで粉砕するとこの微粉中には約5%の鉄が
含まnるようになるし、St、N、の粉砕をタングステ
ンカーバイドボールで08〜1μmVCまで粉砕すると
5isN4粉末中にタングステンが約1チ含まnるよう
になってしまうという不利が生じ、このためにこnがら
作らnたセラミックス焼結体の高温強肛が低下してしま
うという欠点があった。
そのため、このファインセラミックス材の粉砕について
は、この媒体としてダイヤモンドについで高硬度のSi
C@媒体とする方法も検討さnているが、ホットプレス
法で作ら扛たSiC焼結体は非常で高価であるし、こf
′L、を常圧またはガス圧焼結して作ったものは強度が
低いということで、とt′Lは未だ実用化さnてぃない
本発明はこのような不利を解決したセラミックス粉砕用
媒体に関するものであり、こnは比重が2.8以上の炭
化けい累−けい素(SiC−8i)焼結体で構成してな
ること全特徴とするものである。
こn’に説明すると、本発明者らはセラミックス粉砕用
の媒体について種々検討の結果、こnについては5iC
−8i  焼結体全便用すnばこnが高い硬度をもつも
ので通常のミル中で摩耗することが少なく、シたがって
粉砕対称物となるセラミックス中に不純物として混入さ
nる危険が少ないこと、またこの5iC−8i 焼結体
がSiCと炭素粉末を混合して成形したのち、溶融シリ
コンを浸透させて作らnるものであり、安価があるとい
うことから、こnによnば従来法にくらべて有オリにセ
ラミック粉砕を行なうことができること全確認して本発
明を完成させた。
本発明方法に使用さnる5iC−8i 焼結体はそn自
体がファインセラミックス材として公印のものであり、
こtを主材とする粉砕用媒体は前記したよりにSiC粉
末と炭素源物質例えば炭素粉およびフェノール樹脂のよ
うな炭化水素化付物とを混合して常圧で所望の形状、大
きさに成形したのち、とnf溶融けい素浴中に浸漬する
ことによって作ることができる。この成形物の形状、大
きさは粉砕対象物としてのセラミックスの形状、大きさ
に応じて決めnばよいが、こしは例えば直径25簡のボ
ール状、あるイij I R5tmφ×1z5叫の柱状
に成形すnばよい。この成形物を溶融Si浴に浸漬する
と、この炭素源物質とSiとの反応でこのS′tの大部
分はSiCとなるがその一部はSt としてこの成形体
中に残留し、5iC−8i焼結体となる。しかし、この
5iC−8i焼結体中に含ましるS(量はそnが少なす
ぎると材料強度が出ないという不利がちり、こnはそf
が多すぎても強吹が低下し、この場合には耐摩耗性も劣
るようになるという欠点が生じるので、本発明の目的達
成のためにはこILは3〜40%の範囲、好ましくは7
〜20%の範囲とすることがよい。
また、この5iC−8i 焼結体はできるだけ他物の混
入しないものとすることがよいが、こnは目的に応じて
炭化チタン、炭化ホウ素、炭化タングステン、窒化ホウ
素、窒化アルミニウム、窒化けい累、酸化けい素から選
ばする1種または2種以上の化付物を1重M′チ以下含
有する混合物であってもよく、こnによ几は焼結体の材
料強肛および摩耗が5iC−8i の場合とほとんど変
らないが、焼結が進行し易くなるという効果が付加さ几
る。
なお、この5iC−8i焼結体は例えば4fi×3ty
yn X I Q mの試験片による3点曲げ強度で4
0〜65Kp/■2の強度を示すが、こnばその強度保
持という見地からその比重が2.8  (SiC−8i
中のSi含有量約40チ)以上のものでなけnばならず
、こt′Lは好ましくはSi含有蓋を10%前後とした
比重ao−a2の範囲としたものとすることがよい。
つぎに本発明方法の実施例’t6げる。
実施例り 平均粒径44μmの炭化けい果粒子(S i C)を、
その表面をゴムライニングした振動ミル、ポールトンミ
ル、ボールミルに入n1こnらのミル中に第1表に示し
た大きさのSs C−SZ媒体(Si含衛10係、比重
aio)、炭素鋼媒体(比重790)、アルミナ媒体(
比重a63)の媒体を充填し、第1表に示した条件で湿
式粉砕したところ、得らnf?:、sic微粉の平均粒
径、粉砕時間、不純物混入量はそnぞ′n第2表に示し
たとおりであり、5iC−Si媒体が最もすぐnたもの
でおることが確認さnた。
なお、こ\に使用した5iC−3i媒体を切断して4 
m X 3謳XIQmの試験片20ケを作り、と几らに
ついての3点曲げ強度を測定したところ、こnは40〜
65 Kg+ / m ”の範囲内にあったが、比較の
ために常圧焼結、ガス圧焼結で作ったSiC焼結体で作
った媒体の3点曲げ強度は25〜35Kp / m ”
であり、こ扛は上記のボールミル中で数時間で破損した
実施例2、 平均粒径44μmの窒化けい素(SZsN4)粒子全ゴ
ムライニングした振動ミル、ボールミルに入n1 こn
に実施例1で使用した5iC−8i媒体とタングステン
カーバイド(WC) 媒体〔比重eL70]全充填して
実施例1における第1衣と同じ条件で湿式粉砕したとこ
ろ、阿3表に示したとおりの結果が得らnlこの場せに
も5iC−8i媒体がすぐnたものであることが71′
に認さnた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1  比重が2.8以上の炭化けい素−けい素焼給体で
    構成してなること全特徴とするセラミックス粉砕用媒体
    。 2  炭化けい素−けい素焼給体が3〜40%のけい累
    を含有するものである特許請求の範囲第1項記載のセラ
    ミックス粉砕用媒体。 a  炭化けい素−けい素焼給体が炭化チタン、炭化ホ
    ウ素、炭化タングステン、窒化ホウ素、窒化アルミニウ
    ム、窒化けい素、酸化けい素から選ばnる1棟または2
    種以上の化合物をIM量チ以下含有するものである特許
    請求の範囲第1項または第2項記載のセラミック粉砕用
    媒体。
JP22850382A 1982-12-29 1982-12-29 セラミツクス粉砕用媒体 Granted JPS59123543A (ja)

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JP22850382A JPS59123543A (ja) 1982-12-29 1982-12-29 セラミツクス粉砕用媒体

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JPS63108B2 JPS63108B2 (ja) 1988-01-05

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0247895A2 (en) * 1986-05-30 1987-12-02 Stemcor Corporation Autogenous attrition grinding
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JPS63108B2 (ja) 1988-01-05

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