JPS6212668A - 半導体拡散炉の構成部材 - Google Patents

半導体拡散炉の構成部材

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Publication number
JPS6212668A
JPS6212668A JP60149347A JP14934785A JPS6212668A JP S6212668 A JPS6212668 A JP S6212668A JP 60149347 A JP60149347 A JP 60149347A JP 14934785 A JP14934785 A JP 14934785A JP S6212668 A JPS6212668 A JP S6212668A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
weight
sic
semiconductor diffusion
particle size
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60149347A
Other languages
English (en)
Inventor
玉水　照康
幸文 酒井
広志 田代
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Coorstek KK
Original Assignee
Toshiba Ceramics Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Ceramics Co Ltd filed Critical Toshiba Ceramics Co Ltd
Priority to JP60149347A priority Critical patent/JPS6212668A/ja
Priority to US06/877,918 priority patent/US4771021A/en
Publication of JPS6212668A publication Critical patent/JPS6212668A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｍ４１皿１艷 本発明は半導体拡散炉の構成部材に関する。
支り弘１Ｌ 特公昭５４−１０８２５号公報は半導体拡散炉の構成部
材を示している。この従来例にあっては、０．１〜８μ
の平均粒径を有する微粒と、３０〜１７０μの平均粒径
を有する粗粒からなるＳｉＣ粉末の焼結体によって焼結
ＳｉＣマトリックスが形成されている。
が　′しよ−とする。　。
前述の半導体拡散炉の構成部材にあっては、特に微粒の
ＳｉＣ粉末が０．１〜８μの平均粒径を有するため、粉
末全体としてみたときＳｉＣ粉末の表面積が非常に大き
くなり、その結果として、不純物が混入しやづい。通常
は、粗粒のＳｉＣ粉末を粉砕するのであるが、周知のと
おりＳｉＣは非常に硬くて粉砕が困難であるばかりでな
く、そのような粉砕工程において不純物が入りやすいの
である。この時、不純物の混入を避けるためには、特別
な処理操作が必要であり、生産コストを高くする欠点が
ある。
１１列１江 この発明は前述のような従来技術の欠点を解消して、処
理操作が比較的容易で、しかも物理特性の優れた半導体
拡散炉構成部材を提供することを目的としている。
ｌ１仄ＬＬ この目的を達成するために、この発明は平均粒径１０μ
〜平均粒径２００μのＳｉＣ粉末８５〜９７重量部と、
３ｉによってＳｉＣに転化せしめる平均粒径０．１μ〜
平均粒径８μのＣ微粉末３〜１５重量部とを混合焼成し
て生ずる空隙にＳｉを充填してなることを特徴とする高
密度でかつ高強度の半導体拡散炉の構成部材を要旨とし
ている。
を　°するため’７）ＩＪＬ この発明による半導体拡散炉の構成部材においては、Ｓ
ｉＣ粉末は粗粒のみを使用し、微粒は使用しない。すな
わち、１０〜２００μの平均粒径を有するＳｉＣ粉末を
８５〜９７重量部使用するのである。このような粗粒の
ＳｉＣ粉末に０．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末３
〜１５重量部を添加して混合焼成する。その焼成体の空
隙に０．１〜８μの平均粒径をイｊする３ｉ粉末７〜３
５重Ｍ部を添加する。その際、気孔率を１％以下にし、
かつＳｉＣを１０〜２５重量％含有する３ｉＣにするの
が望ましい。
Ｃ粉末が３重量部よりも少ないと、ＳｉＣ化した結合力
が小さく、強度が低下する。また、Ｃ粉末が１５重量部
よりも大きいと、Ｓｉの含浸が困難となることから残留
Ｃが残りやすくなり、強度が低下する。
前述のようなＳｉＣ粉末とＣ粉末に有機バインダーを加
えて混練造粒し、ラバープレスにより成形してから焼成
し、Ｓｉを充填してケイ化するのが一般的な製造方法で
ある。また、ＨＣＱによりパージをして純化を行なうと
、より高品質のものがえられる。
１ｉ九 ３０〜１７０μの平均粒径を有するＳｉＣ粉末７０重量
部と、０．１〜８μの平均粒径を有するＣ粉末９重量部
と、有機バインダーとしてフェノールレジン１０！量部
を配合混練し、周知のやり方で造粒する。このような造
粒物を乾燥させてからラバープレスにより半導体炉芯管
の形状に成形する。しがるのち１２００℃の温度で焼成
したのち、塩酸ガスと少量の水蒸気とによりｉ　ｏｏｏ
℃の温度でパージを行なって純化させてからＳｉを１７
００℃の温度で含浸してＣ微粉末をケイ化させる。最後
に必要に応じて研磨等の最終仕上げを行なう。
以上の方法で製造された半導体拡散炉の構成部材の物理
特性を測定したところ、嵩密度が２，９で、強度が１９
０ＭＰａであった。
１１悲１１ ＳｉＣ粉末は粗粒のみを使用し、従来のように微粒のも
のを使用しないので、処理操作が極めて容易になるばか
りでなく、不純物の混入を防ぎやすくなる。Ｃ粉末は微
粒のものを使用するが、このようなＣ粉末は、ＳｉＣ粉
末に比較して粉砕が容易であり、製造コストの低減をは
かれるばかりでなく、不純物の混入を効果的に防止でき
るのである。
手続ネ市正書　（自発） 昭和６１年ｚ月１０日

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）平均粒径１０μ〜平均粒径２００μのＳｉＣ粉末
    ８５〜９７重量部と、ＳｉによってＳｉＣに転化せしめ
    る平均粒径０．１μ〜平均粒径８μのＣ微粉末３〜１５
    重量部とを混合焼成して生ずる空隙にＳｉを充填してな
    ることを特徴とする高密度でかつ高強度の半導体拡散炉
    の構成部材。
  2. （２）気孔率が１％以下でかつＳｉを１０〜２５重量％
    含有するＳｉＣである特許請求の範囲第１項に記載の半
    導体拡散炉の構成部材。
JP60149347A 1985-07-01 1985-07-09 半導体拡散炉の構成部材 Pending JPS6212668A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60149347A JPS6212668A (ja) 1985-07-09 1985-07-09 半導体拡散炉の構成部材
US06/877,918 US4771021A (en) 1985-07-01 1986-06-24 Semi-conductor diffusion furnace components

Applications Claiming Priority (1)

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JP60149347A JPS6212668A (ja) 1985-07-09 1985-07-09 半導体拡散炉の構成部材

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JPS6212668A true JPS6212668A (ja) 1987-01-21

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JP60149347A Pending JPS6212668A (ja) 1985-07-01 1985-07-09 半導体拡散炉の構成部材

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