JPS6273662A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS6273662A JPS6273662A JP60213065A JP21306585A JPS6273662A JP S6273662 A JPS6273662 A JP S6273662A JP 60213065 A JP60213065 A JP 60213065A JP 21306585 A JP21306585 A JP 21306585A JP S6273662 A JPS6273662 A JP S6273662A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野］
本発明は固体撮像装置の製造方法に関りる。
（発明の技術的行頭〕
固体撮像装置は人力された光信号を電気信号に変換１゛
る光電変換素子（例えばフォト・ダイオード）と、信２
Ｊ電荷を転送する雷伺転送部とを有している。
る光電変換素子（例えばフォト・ダイオード）と、信２
Ｊ電荷を転送する雷伺転送部とを有している。
第５図の￥Ｊ造■稈別断面図により、従来の製造方法を
説明する。まず、第５図（ａ＞に示１ようにｐヤの半導
体基板１上にフォトレジストｖ！２を形成し、露光現象
丁ツヂング（Ｐ Ｉ Ｆ ） Ｉ：程によってパターニ
ングする。そしで、所定電界により加速されたｎ型不純
物イオン流３（ＶＡえば１１市の＋３１ リンイオンＰ ）を打も込む（イオン注入）Ｔｊるこ
とにより、比較的ｔｒ４ａ度のｎ型注入層４を形成する
。
説明する。まず、第５図（ａ＞に示１ようにｐヤの半導
体基板１上にフォトレジストｖ！２を形成し、露光現象
丁ツヂング（Ｐ Ｉ Ｆ ） Ｉ：程によってパターニ
ングする。そしで、所定電界により加速されたｎ型不純
物イオン流３（ＶＡえば１１市の＋３１ リンイオンＰ ）を打も込む（イオン注入）Ｔｊるこ
とにより、比較的ｔｒ４ａ度のｎ型注入層４を形成する
。
次に、第５図（ｂ）に示１ようにフォトレジストｗＡ２
を除去しτ熱拡散工程によりｎ型不純物層５を形成する
。ｎ型不純物は矢印で示すように、縦方向のみならず横
方向にも拡散する。
を除去しτ熱拡散工程によりｎ型不純物層５を形成する
。ｎ型不純物は矢印で示すように、縦方向のみならず横
方向にも拡散する。
次に、第５図（Ｃ）に示すように素子分離層７、’ｔｉ
ｌｔ ７４転送手段としてのＣＣＤのｎ型埋込ヂＩｐネ
ル層８、絶縁膜９およびＣＯＤの制＠電極１０を形成す
る。そして、フォトレジストのＰＥＰ工稈によってイオ
ン注入ブロック１１を形成した俊、ｐ、＋１１ 型不純物イオン（例えばボロンＢ ）１２をイオン注
入し、高濃度ｐ型不純物層１３を浅く形成する。
ｌｔ ７４転送手段としてのＣＣＤのｎ型埋込ヂＩｐネ
ル層８、絶縁膜９およびＣＯＤの制＠電極１０を形成す
る。そして、フォトレジストのＰＥＰ工稈によってイオ
ン注入ブロック１１を形成した俊、ｐ、＋１１ 型不純物イオン（例えばボロンＢ ）１２をイオン注
入し、高濃度ｐ型不純物層１３を浅く形成する。
上記の製造工程において、第５図（Ｃ）に示すようにｎ
型不純物層５と制御電極１０がオーバーラツプ覆ること
は不可欠なことである。なぜならば、ｎ型不純物層５を
形成する工程と、ｉ制御電極１０を形成する工程とが独
立しているため、Ｐ ＥＰ工稈にＪＨプるマスクの合せ
ずれ等が生じてｎを不純物層５と制＠電ＶＭ１０の相対
的位置関係にバラツ４−が現れる。このため、ある程度
のオーバーラツプをとっておかないとｎ型不純物層５と
制御電極１０の位置が離れて、両者の間に隙間が生じる
ことがあり、この場合には電荷転送が不可能になってし
まうからである。
型不純物層５と制御電極１０がオーバーラツプ覆ること
は不可欠なことである。なぜならば、ｎ型不純物層５を
形成する工程と、ｉ制御電極１０を形成する工程とが独
立しているため、Ｐ ＥＰ工稈にＪＨプるマスクの合せ
ずれ等が生じてｎを不純物層５と制＠電ＶＭ１０の相対
的位置関係にバラツ４−が現れる。このため、ある程度
のオーバーラツプをとっておかないとｎ型不純物層５と
制御電極１０の位置が離れて、両者の間に隙間が生じる
ことがあり、この場合には電荷転送が不可能になってし
まうからである。
しかしながら、上記のオーバーラツプがあると電荷転送
時に残留電荷が存在するという不都合がある。第６図の
ポテンシャル図によりこの事情を説明する。信号電荷の
蓄積時す／Ｚわれ制御電極１０がゼロ電位のときは第６
図（ａ）のＪ、うになってＪ３す、電位がそれぞれＶ（
５）、■（１２）の領域５．１２にＱ −１−０２の
電荷が蓄積される。この状態でυＩｔｌｌ？！ｆ極１０
にＩＯ電位を印加すると、ボテンシＶル分布は第６図（
ｂ）のようになって電仙Ｑ１が埋込ブ１戸ネル層８に転
送される。しかし、ｎ型不純物層５と制御電極１０のＡ
−バーラップにより電位ｖ（１３）の障壁があり、この
ため電信Ｑ２が光電変換部に残ってしまう。
時に残留電荷が存在するという不都合がある。第６図の
ポテンシャル図によりこの事情を説明する。信号電荷の
蓄積時す／Ｚわれ制御電極１０がゼロ電位のときは第６
図（ａ）のＪ、うになってＪ３す、電位がそれぞれＶ（
５）、■（１２）の領域５．１２にＱ −１−０２の
電荷が蓄積される。この状態でυＩｔｌｌ？！ｆ極１０
にＩＯ電位を印加すると、ボテンシＶル分布は第６図（
ｂ）のようになって電仙Ｑ１が埋込ブ１戸ネル層８に転
送される。しかし、ｎ型不純物層５と制御電極１０のＡ
−バーラップにより電位ｖ（１３）の障壁があり、この
ため電信Ｑ２が光電変換部に残ってしまう。
この残留電荷０２番よ従来から公知の熱エネルギー分布
（ボルツマン分布）を４【シ、その中で電位■（１３）
を越えるのに十分なエネル）竺−を（ｌする４−ヤリア
は、拡散過程を経て埋込チトネル図８へ長い時間をかけ
て移動りる。この現蒙は、埋込ブセネル層８に電荷が存
在しないときに顕在化して偽信号となる。このため、例
えば昭い前照で移動する明るい像を１１ると、これが残
像となって現れる。
（ボルツマン分布）を４【シ、その中で電位■（１３）
を越えるのに十分なエネル）竺−を（ｌする４−ヤリア
は、拡散過程を経て埋込チトネル図８へ長い時間をかけ
て移動りる。この現蒙は、埋込ブセネル層８に電荷が存
在しないときに顕在化して偽信号となる。このため、例
えば昭い前照で移動する明るい像を１１ると、これが残
像となって現れる。
〔発明の目的］
本発明は上記の従来技術の欠点を克服するためになされ
たもので、残留雷何による残像が現れないようにした固
体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
たもので、残留雷何による残像が現れないようにした固
体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため本発明は、第１導電型の半導
体基板の電荷転送部形成領域に絶縁膜を介して制御電極
を形成する工程と、制御電極をマスクにして光電変換部
形成領域に第２導電型不純物を低濃度で浅くイオン注入
する工程と、上記絶縁膜および制御電極の上に注入プ［
Ｊツク層を形成して光電変換部のフォトダイオード形成
ｆａ域を開１］する工程と、注入ブロック層をマスクに
してフォトダイオード形成領域に第２導電型不純物を深
くイオン注入すると共に、第１導電型不純物を高温度で
浅くイオン注入する］７稈どを備える固体撮像装置の製
造方法を提供Ｊ’ ８ ’ｂのである。
体基板の電荷転送部形成領域に絶縁膜を介して制御電極
を形成する工程と、制御電極をマスクにして光電変換部
形成領域に第２導電型不純物を低濃度で浅くイオン注入
する工程と、上記絶縁膜および制御電極の上に注入プ［
Ｊツク層を形成して光電変換部のフォトダイオード形成
ｆａ域を開１］する工程と、注入ブロック層をマスクに
してフォトダイオード形成領域に第２導電型不純物を深
くイオン注入すると共に、第１導電型不純物を高温度で
浅くイオン注入する］７稈どを備える固体撮像装置の製
造方法を提供Ｊ’ ８ ’ｂのである。
また本発明は、第１ｉ９電型の半導体基板上に注入ブロ
ック層を形成して光電変換部のフォトダイオード形成領
域を開目する工程と、この注入ブ［］マスクをマスクに
して第２導電型不純物を深くイオン注入すると共に、第
１ｙ＃電型不純物を高温度で浅くイオン注入する工程と
、注入ブロック層を除去して制御電極を形成リ−る一工
程と、制御゛電極をマスクにして光電変換部形成領域に
第２導電型不純物を低濃度で浅くイオン注入する工程と
を備える固体撮像装置のｌｌＩ造り法を提供づるもので
ある。
ック層を形成して光電変換部のフォトダイオード形成領
域を開目する工程と、この注入ブ［］マスクをマスクに
して第２導電型不純物を深くイオン注入すると共に、第
１ｙ＃電型不純物を高温度で浅くイオン注入する工程と
、注入ブロック層を除去して制御電極を形成リ−る一工
程と、制御゛電極をマスクにして光電変換部形成領域に
第２導電型不純物を低濃度で浅くイオン注入する工程と
を備える固体撮像装置のｌｌＩ造り法を提供づるもので
ある。
さらに本発明は、第１導電型の半導体基板の°電荷転送
部形成領域に絶縁膜を介し−Ｕ ｆ［、ｌＩ ｉｌｌ電
穫を形成する工程と、少なくともこの制御電極をマスク
にして、光電変換部のフォトダイオード形成領域に第２
導電型不純物を浅くイオン注入すると共に、第１導電型
不純物をｔＳｏ度で浅くイオン注入する工程とを備える
固体照像装置の製造方法を提供するものである。
部形成領域に絶縁膜を介し−Ｕ ｆ［、ｌＩ ｉｌｌ電
穫を形成する工程と、少なくともこの制御電極をマスク
にして、光電変換部のフォトダイオード形成領域に第２
導電型不純物を浅くイオン注入すると共に、第１導電型
不純物をｔＳｏ度で浅くイオン注入する工程とを備える
固体照像装置の製造方法を提供するものである。
〔発明の実施例）
以下、第１図乃至第４図を参照して本発明のいくつかの
実施例を説明する。
実施例を説明する。
第１図は第１の実施例の製造工程別の断面図である。ま
ず、第１図（ａ）に示すようにｐ型基板１にＰ＋型素子
分離層７およびｎ型ヂャネル層８を形成したのち、表面
に絶縁膜９を形成する。そして、制御１？ｆｆｉ極１０
およびイオン注入ブロック１１をＰＥＰ工程等で選択的
に形成してｎ型不純物（例えば１価のリン）２１をイオ
ン注入し、ｎ型不純物層２０を心成する。なＪ３、この
イオン注入は基板１の表面から浅くかつ低濃度とする。
ず、第１図（ａ）に示すようにｐ型基板１にＰ＋型素子
分離層７およびｎ型ヂャネル層８を形成したのち、表面
に絶縁膜９を形成する。そして、制御１？ｆｆｉ極１０
およびイオン注入ブロック１１をＰＥＰ工程等で選択的
に形成してｎ型不純物（例えば１価のリン）２１をイオ
ン注入し、ｎ型不純物層２０を心成する。なＪ３、この
イオン注入は基板１の表面から浅くかつ低濃度とする。
次に、いったん注入ブロック層１１を除去した復に注入
ブロック層２２を新たに形成し、ｎ型不純物２３をイオ
ン注入してｎ型不純物ＦｆＩ２４を形成づる。このイオ
ンえ１人は基板１の表面から深い領域にまで行ない、例
えば不純物濃度の最大値が半導体表面から０．１μｍ以
上離れたバルク内に存在するように、イオンの加速エネ
ルギーを設定する。なお、このようなｎ型不純物イオン
とじて例えば２１ｉ［ｉの燐イオンＰ＋＋３１を用いる
と、ｎ型不純物層２０を形成したときと同一の加速電界
で２倍の運動エネルＹ−を注入不純物に与えることがで
きる。従って、熱拡散Ｙ程を経ずに不純物層２４を深く
することができる。なお、不純物図２０よりも不純物層
２４の濃度が高くなるように設定する。
ブロック層２２を新たに形成し、ｎ型不純物２３をイオ
ン注入してｎ型不純物ＦｆＩ２４を形成づる。このイオ
ンえ１人は基板１の表面から深い領域にまで行ない、例
えば不純物濃度の最大値が半導体表面から０．１μｍ以
上離れたバルク内に存在するように、イオンの加速エネ
ルギーを設定する。なお、このようなｎ型不純物イオン
とじて例えば２１ｉ［ｉの燐イオンＰ＋＋３１を用いる
と、ｎ型不純物層２０を形成したときと同一の加速電界
で２倍の運動エネルＹ−を注入不純物に与えることがで
きる。従って、熱拡散Ｙ程を経ずに不純物層２４を深く
することができる。なお、不純物図２０よりも不純物層
２４の濃度が高くなるように設定する。
次に、注入ブロック層２２を再びマスクとして用いてｎ
型不純物２５をイオン注入し、Ｐ′型不純物層２６を形
成する。このｎ型不純物イオンとしては例えばボロンＢ
＋１１を用いるが、その濶痘分布は１ル板１の表面近傍
て・最大値になるようにする。
型不純物２５をイオン注入し、Ｐ′型不純物層２６を形
成する。このｎ型不純物イオンとしては例えばボロンＢ
＋１１を用いるが、その濶痘分布は１ル板１の表面近傍
て・最大値になるようにする。
上記の如き第１の実茄例によれば、Ｐ″ｎｐ型フォトダ
イオード２４．２６と電仙転送用の制御電極１０どが所
定の間隔をし−）で形成され、その間隔部分は低濃度の
ｎ３＋ｐ不純物層２０ ’ｒ充される。
イオード２４．２６と電仙転送用の制御電極１０どが所
定の間隔をし−）で形成され、その間隔部分は低濃度の
ｎ３＋ｐ不純物層２０ ’ｒ充される。
しかし、不純物層２０は制ｔｌＯ電極１０をマスクとし
てセルフアライメントに形成されるため、従来のような
オーバーラツプＷＩ造は全くなくなる。さらに上記実施
例の方法では熱拡散工程が介在しないため、各々の不純
物層の位置整合を容易に行なうことができる。
てセルフアライメントに形成されるため、従来のような
オーバーラツプＷＩ造は全くなくなる。さらに上記実施
例の方法では熱拡散工程が介在しないため、各々の不純
物層の位置整合を容易に行なうことができる。
第２図は本発明の第２の実施例の製造］工程別断面図で
ある。ぞしてこれが第１の実施例と異なる点は、フォト
ダイオードの形成工程の後に低濃度のｎ型不純物注入工
程が適用されていることである。すなわち、まず第２図
（ａ）に示すように絶縁層９の上に注入ブロック層３１
を形成し、ｎ ｆｉｌ不純物イオン２３を注入する。こ
のイオン注入は、例えば第１の実施例の如く２価の燐イ
オンＰ＋＋３１を用いて行ない、深いｎ型不純物層２４
を形成する。
ある。ぞしてこれが第１の実施例と異なる点は、フォト
ダイオードの形成工程の後に低濃度のｎ型不純物注入工
程が適用されていることである。すなわち、まず第２図
（ａ）に示すように絶縁層９の上に注入ブロック層３１
を形成し、ｎ ｆｉｌ不純物イオン２３を注入する。こ
のイオン注入は、例えば第１の実施例の如く２価の燐イ
オンＰ＋＋３１を用いて行ない、深いｎ型不純物層２４
を形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように同一の注入ブロック層
３１を用いｔ’ ｎ型不純物イオン２５を注入し、表面
近傍に高濃度の不純物層２６を形成する。
３１を用いｔ’ ｎ型不純物イオン２５を注入し、表面
近傍に高濃度の不純物層２６を形成する。
次に、第２図（Ｃ）に示すように注入ブロック層３１を
エツチング等で除去する。ぞして、第２図（ｄ）に示す
ように制御電ｌ４ｉ１０ Ｊ３よび注入ブロック層３２
を選択的に形成し、これをマスクにしてｎ型不純物イＡ
ン２１を注入する。このイオン注入は基板１の表面に低
濃度で浅く行イ【う。これによってｎ型不純物層２０が
形成される。この結束、第１の実施例によるものと同一
のＭ４造の固体１ｌｉｌ像装置が得られる。
エツチング等で除去する。ぞして、第２図（ｄ）に示す
ように制御電ｌ４ｉ１０ Ｊ３よび注入ブロック層３２
を選択的に形成し、これをマスクにしてｎ型不純物イＡ
ン２１を注入する。このイオン注入は基板１の表面に低
濃度で浅く行イ【う。これによってｎ型不純物層２０が
形成される。この結束、第１の実施例によるものと同一
のＭ４造の固体１ｌｉｌ像装置が得られる。
次に、第３図を参照して作用を説明する。図示の通り、
ｎ型不純物層２０の表面４２における空乏化電位■（４
２）は、フォトダイオードのｎ型不純物層２４の−１ヤ
リア空乏止定位Ｖ（２４）よりも常に低い。従って、制
御電極１０がゼロ電位のときには発生した信号電荷Ｑが
蓄積される（第３図（ｂ）図示）。一方、制ｔＸｌｆｆ
ｉ極１０が高電位のときには、ｔＪＪｔｍｌＨｉ １０
（７） 下（Ｄ領ｈａ ４１ （１）ｍ位置 （４１
）ハ■（４２）より低くなり、従って信号電荷Ｑｕ仝て
埋込チＶネル８に流入する（第３図（Ｃ）図示）、。
ｎ型不純物層２０の表面４２における空乏化電位■（４
２）は、フォトダイオードのｎ型不純物層２４の−１ヤ
リア空乏止定位Ｖ（２４）よりも常に低い。従って、制
御電極１０がゼロ電位のときには発生した信号電荷Ｑが
蓄積される（第３図（ｂ）図示）。一方、制ｔＸｌｆｆ
ｉ極１０が高電位のときには、ｔＪＪｔｍｌＨｉ １０
（７） 下（Ｄ領ｈａ ４１ （１）ｍ位置 （４１
）ハ■（４２）より低くなり、従って信号電荷Ｑｕ仝て
埋込チＶネル８に流入する（第３図（Ｃ）図示）、。
このようにして、光電変換８ＩＳに残留電６Ｉが存在す
ることはない。
ることはない。
第４図は本発明の第３の実施例の製造Ｔ程別所面図であ
る。そして、これが第１および第２の実施例と異なる点
は、フォトダイオードがら埋込ヂｔ！ネル方向に延びる
低濃度のｎ型不純物層が存在ｔ！ず、フオトダイオード
を構成する深いｎ型不純物層２４および高ｌｌ１度のＰ
＋型不純物層２６が制Ｗ電極１０とセルフアライメント
に形成されることである。
る。そして、これが第１および第２の実施例と異なる点
は、フォトダイオードがら埋込ヂｔ！ネル方向に延びる
低濃度のｎ型不純物層が存在ｔ！ず、フオトダイオード
を構成する深いｎ型不純物層２４および高ｌｌ１度のＰ
＋型不純物層２６が制Ｗ電極１０とセルフアライメント
に形成されることである。
これを工程別に説明する。まず、第４図（ａ）に示すよ
うに制ｔｌＩＩ電極１０およびＬｔ人人口０７９層５１
順次に形成し、ｎ型不純物イオン２３を注入する。この
どき、注入イオンを２１曲イオンにしたり、あるいは加
速電界を高くしたりすることにより、ｎ型不純物層２４
を深く形成する（第４図（ｂ）図示）。
うに制ｔｌＩＩ電極１０およびＬｔ人人口０７９層５１
順次に形成し、ｎ型不純物イオン２３を注入する。この
どき、注入イオンを２１曲イオンにしたり、あるいは加
速電界を高くしたりすることにより、ｎ型不純物層２４
を深く形成する（第４図（ｂ）図示）。
次に、再び制６［１電Ｉｆｉ１０および注入ブロック層
５１をマスクに用いて、ｎ型不純物イオン２５を注入Ｊ
る。このとき、不純物イオン２５の加速エネル）−を小
さくし、かつイオンの総量を多くすることによりＰ＋型
不純物層２６を浅く高濃度で形成する（第４図（ｃ）図
示）。
５１をマスクに用いて、ｎ型不純物イオン２５を注入Ｊ
る。このとき、不純物イオン２５の加速エネル）−を小
さくし、かつイオンの総量を多くすることによりＰ＋型
不純物層２６を浅く高濃度で形成する（第４図（ｃ）図
示）。
上記の実施例でｔよ、フオトダイオードと制御１１４ｆ
ｉｎ カ）ｒ −バーラップすることのない固体１ｅａ
ｉｉを得ることができる。従って、υｌ ｔｌｌ １ｉ
極１０に高電圧を印加したときに残留電荷が存在するこ
とがない。
ｉｎ カ）ｒ −バーラップすることのない固体１ｅａ
ｉｉを得ることができる。従って、υｌ ｔｌｌ １ｉ
極１０に高電圧を印加したときに残留電荷が存在するこ
とがない。
本発明は上記の実施例に限定されるものではない。例え
ば、実施例ではｎ型基板を用いでいるが、ｎ型基板を用
いて各不純物層の導電型を逆にしてもよく、ｎ型基板に
ｎ・りＩルを設けたりｒ）型基板にｐウェルをｔｌｌで
そこにフオトダイオード等を形成するようにしてもよい
。また、深いｎ型不純物層を形成１ｊる工程ど浅いＰ１
型不純物層を形成づる工程の順序を逆にしてもよい。
ば、実施例ではｎ型基板を用いでいるが、ｎ型基板を用
いて各不純物層の導電型を逆にしてもよく、ｎ型基板に
ｎ・りＩルを設けたりｒ）型基板にｐウェルをｔｌｌで
そこにフオトダイオード等を形成するようにしてもよい
。また、深いｎ型不純物層を形成１ｊる工程ど浅いＰ１
型不純物層を形成づる工程の順序を逆にしてもよい。
以上の通り本発明では、光電変換領域の゛ノ４トダイＡ
−ドをなり不純物層の形成をイオン注入の加速エネルギ
ーを変えることによりｔＪ ｔい、またフォトダイオー
ドから電荷転送部方向に延びる不純物層を制御電極をマ
スクとしてレルファライメントで行なうようにしたので
・、残留電荷による残像が現れないようにした固体１１
１３像装置の製造方法を（！？ることがでさめる。
−ドをなり不純物層の形成をイオン注入の加速エネルギ
ーを変えることによりｔＪ ｔい、またフォトダイオー
ドから電荷転送部方向に延びる不純物層を制御電極をマ
スクとしてレルファライメントで行なうようにしたので
・、残留電荷による残像が現れないようにした固体１１
１３像装置の製造方法を（！？ることがでさめる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は第１および第２の実施例の製造工
程別断面図、第３図は本発明方法で製造された固体撮像
装置の作用を説明するポテンシャル図、第４図は第３の
実施例の製造工程別断面図、第５図は従来例の製造工程
別断面図、第６図は従来方法で製造された固体撮像装置
の作用を説明り゛るポテンシャル図である。 １・・・ｎ型半導体基板、８・・・埋込チャネル層、９
・・・絶縁膜、１０・・・制御［ｌ電極、２０・・・浅
い低濃度ｎ型不純物層、２４・・・深いｎ型不純物層、
２６・・・浅い高温度ｐ型不純物層。 出願人代理人 佐 藤 −雄 躬 １ 図 第２ 図 躬３図 １Ｉ１１年 −ｄ
程別断面図、第３図は本発明方法で製造された固体撮像
装置の作用を説明するポテンシャル図、第４図は第３の
実施例の製造工程別断面図、第５図は従来例の製造工程
別断面図、第６図は従来方法で製造された固体撮像装置
の作用を説明り゛るポテンシャル図である。 １・・・ｎ型半導体基板、８・・・埋込チャネル層、９
・・・絶縁膜、１０・・・制御［ｌ電極、２０・・・浅
い低濃度ｎ型不純物層、２４・・・深いｎ型不純物層、
２６・・・浅い高温度ｐ型不純物層。 出願人代理人 佐 藤 −雄 躬 １ 図 第２ 図 躬３図 １Ｉ１１年 −ｄ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも表面から所定の深さまで第１導電型の不
純物を含む半導体基板の電荷転送部形成領域に絶縁膜を
介して制御電極を形成する第１の工程と、前記制御電極
をマスクにして光電変換部形成領域に第２導電型の不純
物を低濃度で浅くイオン注入する第２の工程と、前記絶
縁膜および制御電極の上に注入ブロック層を形成して前
記光電変換部のフォトダイオード形成領域を開口する第
３の工程と、前記注入ブロック層をマスクにして前記フ
ォトダイオード形成領域に第２導電型不純物を深くイオ
ン注入すると共に、第１導電型不純物を高濃度で浅くイ
オン注入する第４の工程とを備える固体撮像装置の製造
方法。 ２、前記第４の工程における第２導電型不純物イオンの
注入加速エネルギーは、注入不純物の半導体基板内分布
の最大密度が表面から少なくとも０．１μｍ以上の深さ
にあるように設定されている特許請求の範囲第１項記載
の固体撮像装置の製造方法。 ３、前記第４の工程における第２導電型不純物イオンと
して２価以上のイオンを用いる特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の固体撮像装置の製造方法。 ４、少なくとも表面から所定の深さまで第１導電型の不
純物を含む半導体基板上に注入ブロック層を形成し、光
電変換部のフォトダイオード形成領域を開口する第１の
工程と、前記注入ブロック層をマスクにして前記フォト
ダイオード形成領域に第２導電型不純物を深くイオン注
入すると共に、第１導電型不純物を高濃度で浅くイオン
注入する第２の工程と、前記注入ブロック層を除去し、
絶縁膜を介して電荷転送部形成領域に制御電極を形成す
る第３の工程と、前記制御電極をマスクにして前記光電
変換部形成領域に第２導電型の不純物を低濃度で浅くイ
オン注入する第４の工程とを備える固体撮像装置の製造
方法。 ５、前記第２の工程における第２導電型不純物イオンの
注入加速エネルギーは、注入不純物の半導体基板内分布
の最大密度が表面から少なくとも０．１μｍ以上の深さ
にあるように設定されている特許請求の範囲第４項記載
の固体撮像装置の製造方法。 ６、前記第２の工程における第２導電型不純物イオンと
して２価以上のイオンを用いる特許請求の範囲第４項ま
たは第５項記載の固体撮像装置の製造方法。 ７、少なくとも表面から所定の深さまで第１導電型の不
純物を含む半導体基板の電荷転送部形成領域に絶縁膜を
介して制御電極を形成する第１の工程と、少なくとも前
記制御電極をマスクとして光電変換部のフォトダイオー
ド形成領域に第２導電型不純物を深くイオン注入すると
共に、第１導電型不純物を高濃度で浅くイオン注入する
第２の工程とを備える固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213065A JPS6273662A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60213065A JPS6273662A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273662A true JPS6273662A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0574946B2 JPH0574946B2 (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=16632950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60213065A Granted JPS6273662A (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273662A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306661A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| US8921900B2 (en) | 2012-06-20 | 2014-12-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device and camera |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56134767A (en) * | 1980-02-19 | 1981-10-21 | Philips Nv | Charge coupled image pickup device and method of producing same |
| JPS5762557A (en) * | 1980-10-02 | 1982-04-15 | Nec Corp | Solid state image pickup device and driving method therefor |
| JPS57197859A (en) * | 1981-05-12 | 1982-12-04 | Thomson Csf | Blooming suppressing element for photoelectric charge transfer element |
| JPS5842370A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| JPS58111566U (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-29 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60213065A patent/JPS6273662A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56134767A (en) * | 1980-02-19 | 1981-10-21 | Philips Nv | Charge coupled image pickup device and method of producing same |
| JPS5762557A (en) * | 1980-10-02 | 1982-04-15 | Nec Corp | Solid state image pickup device and driving method therefor |
| JPS57197859A (en) * | 1981-05-12 | 1982-12-04 | Thomson Csf | Blooming suppressing element for photoelectric charge transfer element |
| JPS5842370A (ja) * | 1981-09-07 | 1983-03-11 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| JPS58111566U (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-29 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02306661A (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| US8921900B2 (en) | 2012-06-20 | 2014-12-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging device and camera |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0574946B2 (ja) | 1993-10-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |