CN111834468A - 光电二极管制备方法及其光电二极管 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种光电二极管制备方法及其光电二极管，该方法包括：在外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区；在外延层的上表面形成传输栅，传输栅的一侧与第一掺杂区连接；对外延层的第二区域进行第二类型材料掺杂，形成第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区连接；在外延层的第三区域进行第二类型材料掺杂，获得输出区域，传输栅的另一侧与输出区域连。在停止对传输栅加电，第一掺杂区与输出区域之间的反型层释放的光生电子向第二掺杂区回流时，实现将回流的光生电子存储在第一掺杂区，避免回流的光生电子回流至第二掺杂区，进而提高了光电二极管的光电转换效果。

Description

光电二极管制备方法及其光电二极管
技术领域
本发明涉及半导体领域，具体地，涉及一种光电二极管制备方法及其光电二极管。
背景技术
随着科技的发展，互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)图像传感器已经广泛应用在人们生活的各方各面，例如远距离高精度测距、高动态成像、高帧频成像。
现有技术中，CMOS图像传感器至少包括：像素阵列、时序控制模块、模拟信号处理模块以及模数转换模块，其中，像素阵列可以采用光电二极管实现光电转换。图1是一种现有技术的光电二极管的结构示意图，如图1所示，该光电二极管包括：P型衬底P-sub1上设置有P型外延层P-epi2，P型外延层P-epi2中一个区域设置有N型掺杂区PDN3，同时在N型掺杂区PDN3的一部分上表面设置有钳位层6，P型外延层P-epi2中另一个区域设置有输出端FD4，在P型外延层P-epi2的上表面形成传输栅TX5，其中，该传输栅TX5的下表面分别与输出端FD4以及N型掺杂区PDN3直接连接。从而，光电二极管接收光照时，光波穿透到P型外延层P-epi2区域，在P型外延层P-epi2区域产生光生电子，同时N型掺杂区PDN3对该光生电子进行吸引，从而将P型外延层P-epi2区域中产生的光生电子存储在N型掺杂区PDN3，当对传输栅TX5加电时，N型掺杂区PDN3与输出端FD4之间形成反型层，该反型层作为导电沟道将N型掺杂区PDN3的光生电子通过该导电沟道自身从输出端FD4输出。
然而，本发明的发明人在实现上述现有技术的过程中发现，当对传输栅TX5停止加电时，反型层会释放部分光生电子并返回N型掺杂区PDN3，导致下一次的光电转换产生的光生电子与返回N型掺杂区PDN3的光生电子无法区分，从而导致光电二极管的光电转换效果较差。
发明内容
本公开的目的是提供一种光电二极管制备方法及其光电二极管，用以解决光电二极管的光电转换效果较差的问题。
为了实现上述目的，本公开实施例的第一方面，提供一种光电二极管制备方法，包括：
在硅衬底的一面形成外延层，所述外延层掺杂有第一类型材料；
在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区；
在所述外延层的上表面形成传输栅，所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接；
对所述外延层的第二区域进行第二类型材料掺杂，形成第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接；
在所述外延层的第三区域进行第二类型材料掺杂，获得输出区域，所述传输栅的另一侧与所述输出区域连接。
进一步的，所述在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区之前，还包括：
在所述第一区域下方进行第一类型材料掺杂，形成第一隔离区。
进一步的，所述在所述外延层的上表面形成传输栅之前，还包括：
在所述第二掺杂区以及第一掺杂区的上方进行第一类型材料掺杂，形成第二隔离区；
所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接，包括：
所述传输栅的所述一侧通过所述第二隔离区与所述第一掺杂区连接。
进一步的，所述第二类型材料与所述第一类型材料分别为不同类型的半导体材料，所述半导体材料包括P型半导体材料和N型半导体材料。
进一步的，所述掺杂包括注入。
进一步的，所述传输栅的另一侧与所述第一掺杂区连接，包括：
所述传输栅的下表面的至少一半通过所述第二隔离区与所述第一掺杂区连接。
进一步的，所述第一掺杂区中第二类型材料的浓度高于所述第二掺杂区中第二类型材料的浓度。
进一步的，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间存在重叠区域。
进一步的，所述在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区之前，还包括：
在所述外延层的第四区域进行第一类型材料掺杂，形成第三隔离区，所述输出区域设置在所述第三隔离区中。
进一步的，所述第三隔离区与所述第一掺杂区之间不直接连接。
进一步的，所述在所述外延层的第四区域进行第一类型材料掺杂，形成第三隔离区，包括：
对所述第四区域进行至少两次所述第一类型材料的注入，获得所述第三隔离区，所述对所述第四区域进行至少两次所述第一类型材料的注入包括：在相邻两次注入中，后一次注入的计量与能量小于前一次注入的计量与能量。
进一步的，所述第一隔离区分别与所述和所述第二掺杂区均连接。
进一步的，所述在所述外延层的上表面形成第一传输栅和第二传输栅之后，还包括：
在所述传输栅侧壁制备侧墙；
对所述第二隔离区与所述第二掺杂区之间进行第一类型材料掺杂，获得第四隔离区，所述第三区域位于所述第二隔离区与所述第二掺杂区之间。
进一步的，所述在所述外延层的上表面形成传输栅，包括：
在所述外延层的上表面形成多晶硅栅；
对所述多晶硅栅进行刻蚀，形成所述传输栅。
本公开实施例的第二方面，提供一种光电二极管，包括：外延层、第一掺杂区、传输栅、第二掺杂区、输出区域，其中，
所述外延层设置在硅衬底上，所述外延层掺杂有第一类型材料；
所述第一掺杂区设置在所述外延层的第一区域，所述第一掺杂区掺杂有第二类型材料掺杂；
所述第二掺杂区设置在所述外延层的第二区域，所述第二掺杂区掺杂有第二类型材料，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接；
所述传输栅设置在所述外延层的上表面，所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接；
所述输出区域设置在所述外延层的第三区域，所述输出区域中掺杂有第一类型材料，所述传输栅的另一侧与所述输出区域连接。
进一步的，还包括：第一隔离区；
所述第一隔离区设置在所述第一区域下方，所述第一隔离区中掺杂有第一类型材料。
进一步的，还包括：第二隔离区；
所述第二隔离区设置在所述第二掺杂区以及所述第一掺杂区的上方，所述第二隔离区包括第一类型材料掺杂；
所述传输栅的所述一侧通过所述第二隔离区与所述第一掺杂区连接。
进一步的，所述第二类型材料与所述第一类型材料分别为不同类型的半导体材料，所述半导体材料包括P型半导体材料和N型半导体材料。
进一步的，所述传输栅的下表面的至少一半通过所述第二隔离区与所述第一掺杂区连接。
进一步的，所述第一掺杂区中第二类型材料的浓度高于第二掺杂区中所述第二类型材料的浓度。
进一步的，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间存在重叠区域。
进一步的，还包括：第三隔离区；
所述第三隔离区设置在所述外延层的第四区域，所述第三隔离区中掺杂有第一类型材料掺杂，所述输出区域设置在所述第三隔离区中。
进一步的，所述第三隔离区与所述第一掺杂区之间不直接连接。
进一步的，还包括：
所述第一隔离区分别与所述和所述第二掺杂区均连接。
进一步的，还包括：侧墙以及第四隔离区；
所述侧墙设置在所述传输栅的侧壁；
所述第四隔离区设置在所述第二隔离区与所述第二掺杂区之间，所述第四隔离区掺杂有第一类型材料。
通过上述技术方案，本公开所提供的光电二极管制备方法及其光电二极管，包括：在硅衬底的一面形成外延层，所述外延层掺杂有第一类型材料；在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区；在所述外延层的上表面形成传输栅，所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接；对所述外延层的第二区域进行第二类型材料掺杂，形成第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接；在所述外延层的第三区域进行第二类型材料掺杂，获得输出区域，所述传输栅的另一侧与所述输出区域连。在停止对传输栅加电，第一掺杂区与输出区域之间的反型层释放的光生电子向第二掺杂区回流时，通过在第二掺杂区与传输栅之间设置第一掺杂区，实现将回流的光生电子存储在第一掺杂区，避免回流的光生电子回流至第二掺杂区，从而避免影响下一次光电转换时产生的光生电子，进而提高了光电二极管的光电转换效果。
本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
附图说明
附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
图1是一种现有技术的光电二极管的结构示意图；
图2是本发明的光电二极管一实施例的结构示意图；
图3是本发明的光电二极管另一实施例的结构示意图；
图4是本发明的光电二极管制备方法一实施例的流程示意图；
图5是本发明的光电二极管制备方法另一实施例的流程示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。
图2是本发明的光电二极管一实施例的结构示意图，如图2所示，该光电二极管，包括：外延层101、第一掺杂区102、传输栅103、第二掺杂区4、输出区域105。其中，
所述外延层101设置在硅衬底上，所述外延层101掺杂有第一类型材料；
所述第一掺杂区102设置在所述外延层101的第一区域，所述第一掺杂区102掺杂有第二类型材料掺杂；
所述第二掺杂区104设置在所述外延层101的第二区域，所述第二掺杂区104掺杂有第二类型材料，所述第二掺杂区104与所述第一掺杂区102连接；
优选的，所述第一掺杂区102与所述第二掺杂区104之间存在重叠区域。其中，所述第一掺杂区102中所述第二类型材料的浓度高于所述第二掺杂区104中所述第二类型材料的浓度。从而通过在第一掺杂区102与所述第二掺杂区104之间的重叠区域，可以存储部分电子，进一步的，在传输栅103关闭时，重叠区域可以对反型层释放的光生电子进行存储，避免注入回第二掺杂区104，进一步避免影响下一次的光电转换，进而提高了光电转换效率。
所述传输栅103设置在所述外延层101的上表面，所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区102连接；
所述输出区域105设置在所述外延层101的第三区域，所述输出区域105中掺杂有第一类型材料，所述传输栅的另一侧与所述输出区域105连接。
优选的，所述传输栅的下表面的至少一半与所述第一掺杂区102连接。
具体的，当光电二极管接收光照时，光波穿透到外延层101可以产生光生电子，接着，第二掺杂区104对上述光生电子进行吸引，并将上述光生电子吸引到第二掺杂区104，同时对传输栅加电，以使第二掺杂区104的光生电子通过第一掺杂区102传输以及与输出区域105之间的反型层传输到输出区域105，进一步的，在停止对传输栅加电时，第一掺杂区102与输出区域105之间的反型层释放光生电子，导致释放的光生电子向第二掺杂区104回流，通过在第二掺杂区104与传输栅103之间设置第一掺杂区102，实现将回流的光生电子存储在第一掺杂区102，避免回流的光生电子回流至第二掺杂区104，从而避免影响下一次光电转换时产生的光生电子，进而提高了光电二极管处理光电转换的效率。
在本实施例中，光电二极管，包括：外延层、第一掺杂区、传输栅、第二掺杂区、输出区域；所述外延层设置在硅衬底上，所述外延层掺杂有第一类型材料；所述第一掺杂区设置在所述外延层的第一区域，所述第一掺杂区掺杂有第二类型材料掺杂；所述第二掺杂区设置在所述外延层的第二区域，所述第二掺杂区掺杂有第二类型材料，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接；所述传输栅设置在所述外延层的上表面，所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接；所述输出区域设置在所述外延层的第三区域，所述输出区域中掺杂有第一类型材料，所述传输栅的另一侧与所述输出区域连接。实现在停止对传输栅加电，第一掺杂区与输出区域之间的反型层释放的光生电子向第二掺杂区回流时，通过在第二掺杂区与传输栅之间设置第一掺杂区，实现将回流的光生电子存储在第一掺杂区，避免回流的光生电子回流至第二掺杂区，从而避免影响下一次光电转换时产生的光生电子，进而提高了光电二极管的光电转换效果。
图3是本发明的光电二极管另一实施例的结构示意图，如图3所示，在上述实施例的基础上，该光电二极管，还可以包括：第一隔离区106；
所述第一隔离区106设置在所述第一区域下方，所述第一隔离区106中掺杂有第一类型材料。
优选的，所述第一隔离区106分别与所述和所述第二掺杂区均连接，通过在第一掺杂区102的下方设置第一隔离区106，可以避免所述第二掺杂区中的光生电子进入第一掺杂区。
优选的，在上述实施例的基础上，该光电二极管，还可以包括：第二隔离区107；
所述第二隔离区107设置在第二掺杂区104以及所述第一掺杂区102的上方，所述第二隔离区107包括第一类型材料掺杂；
所述传输栅的所述一侧通过所述第二隔离区107与所述第一掺杂区102连接。
具体的，在第一掺杂区102与传输栅之间设置第二隔离区107，可以实现对传输栅阈值的调整，该阈值包括将第二掺杂区104中的光生电子转移到输出区域105时施加在传输栅的电压值，进而，在传输栅关闭时，光生电子会有一小部分可能注入回第二掺杂区104，由于第一掺杂区102设置在第二掺杂区104与传输栅之间，并且由于所述第一掺杂区中第二类型材料的浓度高于第二掺杂区中所述第二类型材料的浓度，避免了传输栅关闭时光生电子注入回第二掺杂区104，从而实现光生电子单向转移，即光生电子从第二掺杂区104转移到输出区域105。
优选的，在上述实施例中，所述第二类型材料与所述第一类型材料分别为不同类型的半导体材料，所述半导体材料包括P型半导体材料和N型半导体材料，其中，所述第一类型材料包括P型半导体材料，或者，N型半导体材料中的任意一种，所述第二类型材料包括P型半导体材料，或者，N型半导体材料中的任意一种。举例来讲，P型半导体材料可以是Ⅲ族元素或者Ⅱ族元素中任意一种元素的离子或其化合物，N型半导体材料可以是Ⅴ族元素中任意一种元素的离子或其化合物；需要说明的是，本实施例中，对于不同区域，可以采用不同的元素，也可以采用相同的元素，例如，第一区域、第二区域或者第三区域进行第二类型材料掺杂，可以采用不同的元素，也可以采用相同的元素；对于不同区域，例如，对第四隔离区、第二隔离区107以及第一隔离区106进行第一类型材料掺杂时，可以采用不同的元素，也可以采用相同的元素。
进一步的，在上述实施例中，该光电二极管，还可以包括：第三隔离区108；
所述第三隔离区108设置在所述外延层101的第四区域，所述第三隔离区108中掺杂有第一类型材料掺杂，所述输出区域105设置在所述第三隔离区108中。也就是说，第四区域设置在输出区域105的外围区域，该外围区域设置在外延层101中。其中，第三隔离区108中分别设置有浅槽隔离区STI1011，用于实现与相邻像素单元的隔离。
在本实施例中，通过对输出区域105的外围设置第三隔离区108，从而实现输出区域105与第二掺杂区之间的隔离。
优选的，所述第三隔离区108与所述第一掺杂区102之间不直接连接。从而实现传输栅103对在第一掺杂区102与输出区域105之间的开关作用。
可选的，在上述实施例的基础上，所述第一隔离区106分别与所述和所述第二掺杂区104均连接。
在本实施例中，第一隔离区106分别与所述和所述第二掺杂区104均连接，可以避免光生电子通过第二掺杂区104与输出区域105之间的沟道从第二掺杂区104进入输出区域105。
进一步的，在上述实施例的基础上，该光电二极管还可以包括：
侧墙109以及第四隔离区1010；
所述侧墙设置在所述传输栅的侧壁；
所述第四隔离区设置在所述第二隔离区107与所述第二掺杂区104之间，所述第四隔离区掺杂有第一类型材料。
本实施例还提供一种光电二极管，其中，该光电二极管中第二掺杂区102的两侧镜像设置有上述第一掺杂区104、第一隔离区106、输出区域105以及第三隔离区108。
图4是本发明的光电二极管制备方法一实施例的流程示意图，如图4所示，该光电二极管制备方法，包括：
步骤401、在硅衬底的一面形成外延层。
在本实施例中，所述外延层掺杂有第一类型材料；本实施例中掺杂的第一类型材料可以是P型半导体材料，也可以是型半导体材料。
举例来讲，对硅衬底进行外延层制备，同时在外延层制备过程中进行P型材料掺杂，获得的P型外延层的厚度至少为15um，其中，在P型外延层的P型材料的浓度为5e13cm3。
步骤402、在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区。
需要说明的是，本实施例中的所述第二类型材料与所述第一类型材料分别为不同类型的半导体材料，所述半导体材料包括P型半导体材料和N型半导体材料，其中，所述第一类型材料包括P型半导体材料，或者，型半导体材料中的任意一种，所述第二类型材料分别为P型半导体材料，或者，型半导体材料中的任意一种。举例来讲，P型半导体材料可以是Ⅲ族元素或者Ⅱ族元素中任意一种元素的离子或其化合物，型半导体材料可以是Ⅴ族元素中任意一种元素的离子或其化合物；需要说明的是，本实施中，对于不同区域，例如，第一区域、第二区域或者第三区域进行第二类型材料掺杂，可以采用不同的元素，也可以采用相同的元素；对于不同区域进行的第一类型材料掺杂，可以采用不同的元素，也可以采用相同的元素。
步骤403、在所述外延层的上表面形成传输栅。
本实施例中的所述传输栅与所述第一掺杂区连接。
举例来讲，首先在所述外延层的上表面形成多晶硅栅，接着，对所述多晶硅栅进行刻蚀，形成所述传输栅。
步骤404、对所述外延层的第二区域进行第二类型材料掺杂，形成第二掺杂区。
在本实施例中，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接。
需要说明的是，所述第一掺杂区中所述第二类型材料的浓度高于所述第二掺杂区中所述第二类型材料的浓度。
举例来讲，在所述外延层的第一区域通过注入进行第二类型材料掺杂，对所述外延层的第二区域通过注入进行第二类型材料掺杂，具体实现方式如下：对第二区域注入第二类型材料砷，注入计量dose＝3e11cm-2，注入能量energy＝50Kev。接着，在形成传输栅之后，对第一区域注入第二类型材料砷，注入计量dose为2.6e11cm -2，注入能量energy为125Kev。
步骤405、在所述外延层的第三区域进行第一类型材料掺杂，获得输出区域。
在本实施例中，所述传输栅的一侧与所述输出区域105连接，所述传输栅的另一侧与所述第一掺杂区连接。
举例来讲，本实施例中，通过注入的方式对所述外延层的第三区域进行第一类型材料掺杂，例如：注入第一类型材料磷P，注入计量dose为6e13cm-2，注入能量energy为14Kev。
具体的，当光电二极管接收光照时，光波穿透到外延层101可以产生光生电子，接着，第二掺杂区104对上述光生电子进行吸引，并将上述光生电子吸引到第二掺杂区104，再接着，对传输栅加电，以使第二掺杂区104的光生电子通过第一掺杂区102传输到输出区域105，进一步的，在停止对传输栅加电时，会有部分光生电子回流第二掺杂区104，通过第二掺杂区104与输出区域105之间设置第一掺杂区102，实现将回流的光生电子存储在第一掺杂区102，避免回流的光生电子回流回第二掺杂区104，提高了光电二极管的光电转换效果，进而提高了光电二极管的处理效率。
在本实施例中，光电二极管制备方法，包括：在硅衬底的一面形成外延层，所述外延层掺杂有第一类型材料；在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区；在所述外延层的上表面形成传输栅，所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接；对所述外延层的第二区域进行第二类型材料掺杂，形成第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接；在所述外延层的第三区域进行第二类型材料掺杂，获得输出区域，所述传输栅的另一侧与所述输出区域连。在停止对传输栅加电，第一掺杂区与输出区域之间的反型层释放的光生电子向第二掺杂区回流时，通过在第二掺杂区与传输栅之间设置第一掺杂区，实现将回流的光生电子存储在第一掺杂区，避免回流的光生电子回流至第二掺杂区，从而避免影响下一次光电转换时产生的光生电子，进而提高了光电二极管的光电转换效果。
需要说明的是，实现光电二极管制备方法的先后顺序不以上述步骤的先后顺序为限，举例来讲，另一种光电二极管制备方法的实现方式可以是步骤403在步骤402之前执行，或者，另一种光电二极管制备方法的实现方式可以是步骤404在步骤402和步骤403之前执行，在此仅为举例，不以此为限。
本实施例提供另一种光电二极管，在上述实施例的基础上，在步骤402之前，还可以包括：
在所述第一区域下方进行第一类型材料掺杂，形成第一隔离区106。
优选的，对第一区域下方进行多次注入第一类型材料掺杂，形成第一隔离区106。例如分两次注入第一类型材料硼B，第一次注入第一类型材料硼B，注入计量dose为6e11cm-2，注入能量energy为1450Kev，第二次注入第一类型材料硼B，注入计量dose为6e11cm-2，注入能量energy为1100Kev。
具体的，通过在第一掺杂区的下方设置第一隔离区106，可以避免所述第二掺杂区中的光生电子进入第一掺杂区。
本实施例还提供另一种光电二极管，该光电二极管制备方法，包括：
在上述实施例的基础上，在所述外延层的上表面形成传输栅之前，还可以包括：
在所述第二掺杂区104以及第一掺杂区的上方进行第一类型材料掺杂，形成第二隔离区107；
所述传输栅的另一侧与所述第一掺杂区连接，包括：
所述传输栅的所述另一侧通过所述第二隔离区107与所述第一掺杂区连接。
具体的，在第一掺杂区与传输栅之间设置第二隔离区107，可以实现对传输栅阈值的调整，该阈值包括将第二掺杂区中的光生电子转移到输出区域时施加在传输栅的电压，进而，在传输栅关闭时，光生电子注入会有一小部分可能注入回第二掺杂区，由于第一掺杂区设置在第二掺杂区与传输栅之间，并且由于所述第一掺杂区中第二类型材料的浓度高于第二掺杂区中所述第二类型材料的浓度，避免了传输栅关闭时光生电子注入回第二掺杂区，从而实现光生电子单向转移，即光生电子从第二掺杂区转移到输出区域。
需要说明的是，上述实施例中所述掺杂包括注入。
优选的，所述传输栅的下表面的至少一半与所述第一掺杂区连接。
所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间存在重叠区域。
在本实施例中，通过第一掺杂区与所述第二掺杂区之间存在重叠区域，从而在传输栅关闭时，光生电子会有一小部分可能注入回第二掺杂区，由于第一掺杂区设置在第二掺杂区与传输栅之间，并且由于重叠区域中第二类型材料的浓度高于所述第一掺杂区，进而实现光生电子存储在该重叠区域，避免了传输栅关闭时光生电子注入回第二掺杂区104，进而实现光生电子单向转移，即光生电子从第二掺杂区104转移到输出区域105。
本实施例还提供另一种光电二极管，该光电二极管制备方法，在上述实施例的基础上，在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区之前，还包括：
在所述外延层的第四区域进行第一类型材料掺杂，形成第三隔离区108，所述输出区域105设置在所述第三隔离区108中。
优选的，所述第三隔离区108与所述第一掺杂区之间不直接连接。从而实现传输栅103对在第一掺杂区102与输出区域105之间的开关作用。
具体的，所述在所述外延层的第四区域进行第一类型材料掺杂，形成第三隔离区108，包括：
对所述第四区域进行至少两次所述第一类型材料的注入，获得所述第三隔离区108，所述对所述第四区域进行至少两次所述第一类型材料的注入包括：在相邻两次注入中，后一次注入的计量与能量分别小于前一次注入的计量与能量。
优选的，所述第一隔离区106分别与所述和所述第二掺杂区104均连接。
在本实施例中，第一隔离区106分别与所述和所述第二掺杂区104均连接，可以避免光生电子通过第二掺杂区104与输出区域105之间的沟道从第二掺杂区104进入输出区域105。
本实施例还提供另一种光电二极管，该光电二极管制备方法，在上述实施例的基础上，所述在所述外延层的上表面形成传输栅之后，还包括：
在所述传输栅侧壁制备侧墙；
对所述第二隔离区107与所述第二掺杂区104之间进行第一类型材料掺杂，获得第四隔离区，所述第三区域位于所述第二隔离区107与所述第二掺杂区104之间。
可选的，在上述实施例的基础上，所述在所述外延层的上表面形成传输栅，包括：
在所述外延层的上表面形成多晶硅栅；
对所述多晶硅栅进行刻蚀，形成所述传输栅。
图5是本发明的光电二极管制备方法另一实施例的流程示意图，如图5所示，该光电二极管制备方法，包括：
步骤501、在硅衬底的一面形成外延层。
在本实施例中，所述外延层掺杂有第一类型材料；本实施例中掺杂的第一类型材料可以是P型半导体材料，也可以是N型半导体材料。
举例来讲，对硅衬底进行外延层制备，同时在外延层制备过程中进行P型材料掺杂，获得的P型外延层的厚度至少为15um，其中，在P型外延层的P型材料的浓度为5e13cm3。
步骤502、在所述外延层的第四区域进行第一类型材料掺杂，形成第三隔离区。
本实施例中的所述输出区域105设置在所述第三隔离区108中。
优选的，所述第三隔离区108与所述第一掺杂区之间不直接连接。
对于在所述外延层的第四区域进行第一类型材料掺杂，形成第三隔离区108的实现方式至少包括：
对所述第四区域进行至少两次所述第一类型材料的注入，获得所述第三隔离区108，所述对所述第四区域进行至少两次所述第一类型材料的注入包括：在相邻两次注入中，后一次注入的计量与能量分别小于前一次注入的计量与能量。
步骤503、在第一区域下方进行第一类型材料掺杂，形成第一隔离区。
举例来讲，对第一区域下方进行多次注入第一类型材料掺杂，形成第一隔离区106。具体的，分两次注入第一类型材料硼B，第一次注入第一类型材料与注入计量均相同，第一次的注入能量大于第二次的注入能量，例如，注入材料为硼B，第一次注入能量energy为1100，第二次注入能量energy为900。其中，第一区域为形成第二掺杂区104的区域。
具体的，通过在第一掺杂区的下方设置第一隔离区106，可以实现第一掺杂区与外延层的隔离，从而避免第一掺杂区种存储的光生电子传输到外延层中。
步骤504、在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区。
优选的，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区104之间存在重叠区域。
举例来讲，在所述外延层的第一区域通过注入进行第二类型材料掺杂，对所述外延层的第二区域通过注入进行第二类型材料掺杂，具体实现方式如下：对第二区域注入第二类型材料砷，注入计量dose＝2.6e12，注入能量energy＝60。接着，在形成传输栅之后，对第一区域注入第二类型材料砷，注入计量dose为1.6e12，注入能量energy为145。
步骤505、在第二掺杂区以及第一掺杂区的上方进行第一类型材料掺杂，形成第二隔离区。
步骤506、在所述外延层的上表面形成传输栅。
具体的，在所述外延层的上表面形成多晶硅栅，接着，对所述多晶硅栅进行刻蚀，形成所述传输栅。
优选的，所述传输栅的下表面的至少一半与所述第一掺杂区连接。
步骤507、在所述传输栅侧壁制备侧墙；
步骤508、对所述第二隔离区与所述第二掺杂区之间进行第一类型材料掺杂，获得第四隔离区。
步骤509、对所述外延层的第二区域进行第二类型材料掺杂，形成第二掺杂区。
在本实施例中，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接。并且，所述第一隔离区106分别与所述和所述第二掺杂区均连接。
需要说明的是，所述第一掺杂区中所述第二类型材料的浓度高于所述第二掺杂区中所述第二类型材料的浓度。
步骤510、在所述外延层的第三区域进行第一类型材料掺杂，获得输出区域。
在本实施例中，所述传输栅的一侧与所述输出区域105连接，所述传输栅的另一侧与所述第一掺杂区连接。
举例来讲，本实施例中，通过注入的方式对所述外延层的第三区域进行第一类型材料掺杂，例如：注入第一类型材料磷P，注入计量dose为6e15，注入能量energy为15KeV。
在本实施例中，在停止对传输栅加电，第一掺杂区与输出区域之间的反型层释放的光生电子向第二掺杂区回流时，通过在第二掺杂区与传输栅之间设置第一掺杂区，实现将回流的光生电子存储在第一掺杂区，避免回流的光生电子回流至第二掺杂区，从而避免影响下一次光电转换时产生的光生电子，进而提高了光电二极管的光电转换效果。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。同时本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。本公开并不局限于上面已经描述出的精确结构，本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种光电二极管制备方法，其特征在于，包括：
在硅衬底的一面形成外延层，所述外延层掺杂有第一类型材料；
在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区；
在所述外延层的上表面形成传输栅，所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接；
对所述外延层的第二区域进行第二类型材料掺杂，形成第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接；
在所述外延层的第三区域进行第二类型材料掺杂，获得输出区域，所述传输栅的另一侧与所述输出区域连接。
2.根据权利要求1所述的光电二极管制备方法，其特征在于，所述在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区之前，还包括：
在所述第一区域下方进行第一类型材料掺杂，形成第一隔离区。
3.根据权利要求2所述的光电二极管制备方法，其特征在于，所述在所述外延层的上表面形成传输栅之前，还包括：
在所述第二掺杂区以及第一掺杂区的上方进行第一类型材料掺杂，形成第二隔离区；
所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接，包括：
所述传输栅的所述一侧通过所述第二隔离区与所述第一掺杂区连接。
4.根据权利要求1-3任一项所述的光电二极管制备方法，其特征在于，所述第二类型材料与所述第一类型材料分别为不同类型的半导体材料，所述半导体材料包括P型半导体材料和N型半导体材料。
5.根据权利要求4所述的光电二极管制备方法，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间存在重叠区域。
6.一种光电二极管，其特征在于，包括：外延层、第一掺杂区、传输栅、第二掺杂区、输出区域；
所述外延层设置在硅衬底上，所述外延层掺杂有第一类型材料；
所述第一掺杂区设置在所述外延层的第一区域，所述第一掺杂区掺杂有第二类型材料掺杂；
所述第二掺杂区设置在所述外延层的第二区域，所述第二掺杂区掺杂有第二类型材料，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接；
所述传输栅设置在所述外延层的上表面，所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接；
所述输出区域设置在所述外延层的第三区域，所述输出区域中掺杂有第一类型材料，所述传输栅的另一侧与所述输出区域连接。
7.根据权利要求6所述的光电二极管，其特征在于，还包括：第一隔离区；
所述第一隔离区设置在所述第一区域下方，所述第一隔离区中掺杂有第一类型材料。
8.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，还包括：第二隔离区；
所述第二隔离区设置在所述第二掺杂区以及所述第一掺杂区的上方，所述第二隔离区包括第一类型材料掺杂；
所述传输栅的所述一侧通过所述第二隔离区与所述第一掺杂区连接。
9.根据权利要求6-8任一项所述的光电二极管，其特征在于，所述第二类型材料与所述第一类型材料分别为不同类型的半导体材料，所述半导体材料包括P型半导体材料和N型半导体材料。
10.根据权利要求9所述的光电二极管，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间存在重叠区域。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040251468A1 (en) * 2003-06-16 2004-12-16 Chandra Mouli Photodiode with self-aligned implants for high quantum efficiency and method of formation
CN101471360A (zh) * 2007-12-27 2009-07-01 东部高科股份有限公司 图像传感器及其制造方法
US20100149397A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state image capturing apparatus, method for manufacturing same, and electronic information device
KR20110019556A (ko) * 2009-08-20 2011-02-28 주식회사 동부하이텍 Ｃｍｏｓ 이미지 센서
US20150021668A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Stmicroelectronics Sa Photosensitive cell of an image sensor
US20150060951A1 (en) * 2013-08-27 2015-03-05 Aptina Imaging Corporation Image sensors operable in global shutter mode and having small pixels with high well capacity
US20170200758A1 (en) * 2016-01-07 2017-07-13 Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Cmos image sensor and fabrication method thereof
CN109300925A (zh) * 2018-09-06 2019-02-01 德淮半导体有限公司 像素单元及其制造方法、图像传感器以及成像装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1537602B1 (en) * 2002-08-30 2007-05-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Image sensor, camera system comprising the image sensor
KR100672666B1 (ko) * 2004-12-29 2007-01-24 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
US20070023803A1 (en) * 2005-07-26 2007-02-01 Dongbu Electronics Co., Ltd. CMOS image sensor and method of fabricating the same
KR100871714B1 (ko) * 2005-12-05 2008-12-05 한국전자통신연구원 트랜스퍼 트랜지스터 및 이를 구비한 저잡음 이미지 센서
KR100884976B1 (ko) * 2006-12-29 2009-02-23 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서의 제조 방법
JP5458135B2 (ja) * 2012-03-28 2014-04-02 シャープ株式会社 固体撮像素子の製造方法
GB201302664D0 (en) * 2013-02-15 2013-04-03 Cmosis Nv A pixel structure
US20210313358A1 (en) * 2018-08-20 2021-10-07 Ningbo Abax Sensing Co., Ltd. Photodiode and manufacturing method, sensor and sensing array

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040251468A1 (en) * 2003-06-16 2004-12-16 Chandra Mouli Photodiode with self-aligned implants for high quantum efficiency and method of formation
CN101471360A (zh) * 2007-12-27 2009-07-01 东部高科股份有限公司 图像传感器及其制造方法
US20100149397A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Sharp Kabushiki Kaisha Solid-state image capturing apparatus, method for manufacturing same, and electronic information device
KR20110019556A (ko) * 2009-08-20 2011-02-28 주식회사 동부하이텍 Ｃｍｏｓ 이미지 센서
US20150021668A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Stmicroelectronics Sa Photosensitive cell of an image sensor
US20150060951A1 (en) * 2013-08-27 2015-03-05 Aptina Imaging Corporation Image sensors operable in global shutter mode and having small pixels with high well capacity
US20170200758A1 (en) * 2016-01-07 2017-07-13 Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Cmos image sensor and fabrication method thereof
CN106952931A (zh) * 2016-01-07 2017-07-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种cmos图像传感器的制造方法
CN109300925A (zh) * 2018-09-06 2019-02-01 德淮半导体有限公司 像素单元及其制造方法、图像传感器以及成像装置

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