JPS58111566U - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS58111566U JPS58111566U JP1982007167U JP716782U JPS58111566U JP S58111566 U JPS58111566 U JP S58111566U JP 1982007167 U JP1982007167 U JP 1982007167U JP 716782 U JP716782 U JP 716782U JP S58111566 U JPS58111566 U JP S58111566U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- imaging device
- state imaging
- correction circuit
- solid
- linear correction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は電荷転送素子を用いた撮像素子の平面図、第２
図は第１図に示す■−■線上の断面図、およびその直下
の電位分布図、第３図はブルーミングを抑制する撮像素
子の断面図、第４図は第３図に示すＩ−ＩＩＩ線上の断
面図、第５図は本考案の第１の実施例を示すブロック図
、第６図は本考案の第１の実施例の動作を説明するため
の図、第７図は本考案の第２の実施例を示すブロック図
、第８図は第２の実施例の動作を説明するための図であ
る。 図において１０は垂直シフトレジスタ、１１は光電変換
素子、１２は転送ゲート、１３は水平シフトレジスタ、
１４は信号電荷検出装置、１５は半導体基板、１６は絶
縁層、１７は電荷転送電極、１８はトランスファゲート
電極、１９はＮ型層、２０はチャンネルストッパ領域、
２１は金属層、２３と２４．２５は電位井戸、２６は基
板半導体、２７と２８はＰ型領域、２９はＰ層、３５は
撮像素子、３６は駆動回路、°３７はプリアンプ、３δ
はガンマ補正回路、４０は利得調整器、４２は白クリツ
プ回路である。
図は第１図に示す■−■線上の断面図、およびその直下
の電位分布図、第３図はブルーミングを抑制する撮像素
子の断面図、第４図は第３図に示すＩ−ＩＩＩ線上の断
面図、第５図は本考案の第１の実施例を示すブロック図
、第６図は本考案の第１の実施例の動作を説明するため
の図、第７図は本考案の第２の実施例を示すブロック図
、第８図は第２の実施例の動作を説明するための図であ
る。 図において１０は垂直シフトレジスタ、１１は光電変換
素子、１２は転送ゲート、１３は水平シフトレジスタ、
１４は信号電荷検出装置、１５は半導体基板、１６は絶
縁層、１７は電荷転送電極、１８はトランスファゲート
電極、１９はＮ型層、２０はチャンネルストッパ領域、
２１は金属層、２３と２４．２５は電位井戸、２６は基
板半導体、２７と２８はＰ型領域、２９はＰ層、３５は
撮像素子、３６は駆動回路、°３７はプリアンプ、３δ
はガンマ補正回路、４０は利得調整器、４２は白クリツ
プ回路である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 第１導電型の半導体基板に前記基板と反対の導電型
をもつ第２導電型の領域を塑成してなる接合領域で前記
接合深さが浅い第１の接合領域と前記接合深さが深い第
２の接合領域を設け、前記第１の接合領域の主面に前記
第１導電型からなる光電変換素子群と前記第２の接合領
域の主面に前記光電変換素子群からの信号を読み出す手
段とを少くとも備えた撮像素子と前記撮像素子の出力信
号を映像信号に変換する手段と前記映像信号を非直線補
正する非直線補正回路とを少（とも備えた固体撮像装置
であって、過大な光の入射に対して前記撮像素子の第１
の接合領域の電位の不均一性に起因して発生する前記゛
不均一性に対応した信号を前記非直線補正回路で白クリ
ップして除去するようにしたことを特徴とする固体撮像
装置。 ２ 前記非直線補正回路はガンマ補正向路である実用新
案登録請求の範囲１の固体撮像装置。 ３ 前記非直線補正回路は白クリツプ回路である実用新
案登録請求の範囲１の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982007167U JPS58111566U (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1982007167U JPS58111566U (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111566U true JPS58111566U (ja) | 1983-07-29 |
Family
ID=30019931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1982007167U Pending JPS58111566U (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111566U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273662A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH0218964A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP1982007167U patent/JPS58111566U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273662A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH0218964A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
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