JPS627214A - 静電密封された圧電装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は一般に圧電装置（ｐｒｅｚｏｅ＋ｅｃｔｒ＋ｃ
ｄｅｖｉｃｅｓ）に関する。本明細書に於て間隙される
圧Ｎ装置は圧電共振子とフィルタと表面弾性波（ＳＡＷ
）装置等を含む。とりわけ本発明は相互に密封されて気
密状態を形成する２体のパッケージ内に配置された圧電
装置を指向するものである。本発明は更にパッケージを
通して圧電装置と電気的に接続する課題、一般に「フィ
ード・スルー」すなわち貫通型の接続と称する課題に関
するものでもある。

（従来の技術） 発振回路における周波数制御素子として、長年にわたっ
て水晶共振子が使用されてきた、電子装置及びコンピュ
ータと関連することが多い環境ｔの配慮の故に、水晶共
振子は密封したパッケージ内で保護することが通常は望
ましい。

一般に使用される水晶共振子パッケージの１つはヘッダ
と、ヘッダに密封された金属容器とにより成っている。

ヘッダは金属フレームと、フレーム内に収納された密封
ガラスと、ガラスを貫通して、密封されたパッケージ内
部に実装された水晶共振子に電気的な接続を与えるコバ
ール（にｏｖａｒ）ピンとにより成っている。これらの
ビンと、密封ガラスは、一般に同様の熱膨張特性を有し
、それ故、動作温度の範囲にわたってパッケージの密封
が維持されるものが選、択される。このパッケージはこ
れまで一般にうまくゆくことが分かっているが、最新式
の製造技術に従ってより容易に製造しかつ取扱える水晶
共振子パッケージに対する需要が高まっている。例えば
、自動装置によって印−刷配線板上に容易に取付は可能
なリード無し密封共振子が望まれよう。

ガラス容器を備えた各種の共振子がこれまで提唱されて
おり、その例として米国特許 第４，２９３，９８６号、第４，３６２，９６１号、第
４，４４５，２５６号がある。これらの特許で開示され
ているパッケージはガラス又はガラスとセラミック製の
２つの半部（ｈａｌｆ）より成っており、１つの半部に
は水晶発振子を受けるためのくぼみがある。このような
ガラスパッケージは、はんだのような共晶金属により、
その周囲を相互に結合される。被着された共晶材の融解
により、上記パッケージの周辺に密封部が形成される。

しかし、ガラスパッケージのそれぞれの半部の周囲に比
較的融点が低い共晶材をおくためには、別な金属の中間
層が必要である。何故ならば所望の共晶材はガラスに直
接的に付着しないからでおる。

（発明が解決しようとする問題点） 密封水晶パッケージに関する重要な問題は密封の完全性
をなお保持しつつ、パッケージ外部との電気的接続をも
たらす方法である。パッケージの壁に孔を形成すること
は自明であるが、孔を貫いて電気的接続が可能であるよ
うに、容易かつ確実に密封を形成するには困難な問題が
おる。

本発明の目的は改良された密封水晶共振子パッケージを
提供することである。

（問題点を解決するための手段） 本発明は基本的に、相互に静電的に密封されて、両者間
の水晶ウェーハを密閉する（ｈｅｒｍｅｔｉｃａｌ　１
ｙｓｅａｌ）ベースとカバーより成る水晶共振子パッケ
ージを企図するものである。ベース又はカバー内のくぼ
みが水晶ウェーハを収納する。ベース又はカバーは双方
におり、周囲に静電密封部を形成された貫通（フィード
・スルー）孔が、密封を保持しつつ水晶ウェーハとの電
気的接続を行なう手段を提供する。

（実施例） 次に本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する
。各図面において同じ要素には同一の参照数字が付され
ている。

第１図及び第２図を参照するに、本発明に基づく水晶共
振子パッケージ２０の実施例はカバー２２、水晶ウェー
ハ２４及びベース２６を含んでいる。カバー２２は好ま
しくはガラス製であり間隔隔離された孔２８を含んでい
る。カバー２２内のくぼみ（ｒｅｃｅｓｓ）　３０の寸
法は、カバー２２をベース２６に固定した際、水晶ウェ
ーハ２４を受は入れるような寸法になっている。

図示した水晶ウェーハ２４は対向面上に配置された、め
っきした電極３２と３４を含むＡＴ条片共振子より成っ
ているものでよい。ウェーハ２４の一端には、金属電極
３２と３４にそれぞれ接続されている金属接続パッドな
いし領域３６と３８が含まれている。パッド３６は、第
１図に示す通りウェーハ２４の上部面にあり、又パッド
３８は低部面上にめる。

ベース２６もガラス製でおるのがよく、カバー２２と適
合する金属パターン４０が表面上に配置されている。図
示した金属パターン４０はベース２６の周囲の、間隔隔
離された金属パッドないし領域４４０近くに連続部４２
を含みかつ、パッド４４を周囲４２と接続する接続条片
４６を含んでいる。それぞれのパッド４４はカバー２２
内の孔２８と整列するようにベース２６上に配置されて
いる。それぞれの金属パッド４４の面積は各々の孔２８
を完全に囲むように対応する孔２８の面積よりも大きい
。２つの条片４６はウェーハ２４上の金属接続領域３６
及び３８と整列するよう配置されている。電極３２と３
４への電気的な接続は、孔２８を通して到達可能なパッ
ド４４によって行なうことができる。

次に水晶共振子パッケージ２０の製造法と、パッケージ
に関する補足的な詳細について説明する。

ガラスカバー２２内の孔２８とくぼみ３０はガラス板の
エツチング又は機械加工により、又は溶解状態のガラス
を所望の形に熱間打扱きすることにより形成可能でおる
。

ガラスベース２６は厚さがほぼ均一なガラス板より成っ
ているものがよい。金属パターン４０は種々の方法で形
成可能である。ベース２６の上部表面全体に均質な金属
層を被着させるには薄膜被着技術を利用可能である。次
に従来式の写真印刷技術（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａ
ｐｈｉｃ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）を用いて金属化され
た表面を所望のパターンにエツチングすることができる
。別の方法としては、例えば０．５〜６ミル（０，０１
２７〜０．１５２＃）の厚ざの金属箔の薄板をベース２
６の一方の表面に接着する方法がおる。その後、写真印
刷技術により所望のパターンを達成できる。

金属箔としてアルミニウムを使用するとよいことが実証
されているが、別の金属も利用可能であろう。もちろん
、金属箔の部分のエツチングの代りに、所望の形状とな
るように金属箔パターンを形成して、ベース２６の表面
上に直接移してもよいだろう。上記の厚さの金属箔を利
用する方が一般に薄膜金属被着方式よりも優れている。

何故ならば、前者の方がベースとカバーの表面の平滑さ
に関して許容度（１ａｔｉｔｕｄｅ）がより大きくなる
からでおる。カバーとベースとの間の密閉の形成はベー
ス、金属及びカバー間の密接度に左右されるので、ガラ
ス表面のより大きな変動に適応できるように金Ｒ箔の使
用の方が優れている。孔の端部も金属箔によりカバーし
、密封することが可能である。

本発明は静電ないし陽極接合（ａｎｏｄｉｃ　ｂｏｎｄ
）の形成によって、カバー２２をベース２６及び接近孔
（ａｃｃｅｓｓ　ｈｏｌｅｓ）に密封せんとするもので
おる。

金属と、はう（プい酸塩、ソーダ石灰シリカ又はアルミ
ノけい酸塩等のガラスの極めて優れた結合を形成するこ
とが可能である。結合は金属とガラスの接触中に相当の
ＤＣ電圧を該金属とガラスの間に印加し、材料の温度を
上昇させることにより形成される。ガラスは圧電装置の
動作温度の範囲では絶縁体で″あるが、温度が上昇する
につれて徐々に導体となる。従って上昇した温度では金
属とガラス間にわずかな電流を導通させることが可能で
あり、それによって金属とガラスの境界で金属のガラス
へのイオン移動（ｍｉｇｒａｔ　１ｏｎ）を生じて結合
をもたらすものと考えられる。この技術はガラスカバー
２２とベース２６間の密封をより有効にするために利用
される。この結合技術は「陽極接合」と題する米国特許
第３．３９７．２７８号に於てより詳細に説明されてい
る。

材料の特性は、とくにパッケージが耐えられる最高温度
に関して制約を有しているので、水晶つ工−ハ２４を製
造するのに通常使用される材料を理解することが重要で
ある。水晶は５７３℃に温度が近づくと質の低下をまね
く傾向がある。しかし、金属パターン３２及び３４を形
成するのに広く使用される技術が付加的な温度限界を与
える。水晶ウェーハに直接金を被着することが困難でお
るので、通常クロムの中間層が用いられる。一般にりロ
ムの層をウェーハ上に被着し、次に、金とクロムが新た
な合金を形成するような反応を相互に生じないように、
クロム上に金の層を被着する。

３００℃より高い温度では、水晶ウェーハ２４上のクロ
ム／金のパターンは質の低下がはじまり、そのため水晶
の性能に悪影響を及ぼす。本発明の１つの見地として、
水晶ウェーハ２４に関連した温度の制約を認識すること
及び、水晶ウェーハ又はその金属層の゛実質的な品質低
下をもたらすことなく有効な静電結合を作るためにある
範囲の温度と電圧を利用できることを発見することがあ
る。

金属パターン４０をベース２６上に被着し終えると、水
晶ウェーハ２４は該ウェーハ上の金属領域３６と３８が
それぞれの条片４６に近接するようにベース上に配置さ
れる。ウェーハ２４上の金属領域３６及び３８と条片４
６との間の電気的接続は導通性のセメント又は導通性の
エポキシ４７を用いることにより達成可能である。例え
ば、小量のエポキシ４７を条片４６とウェーハ２４上の
金属領域３８の間にくるように条片４６（第１図参照）
のそばに配置することが可能である。別のエポキシ４７
を金属領域３６の上部面に置いて、ウェーハ２４の端縁
上を流れて別の条片４６と結合するようにさせる。この
ようにして、水晶上の電極と、ベース２６上の拡大され
た金属パッド４４の間の電気的接続が達成される。エポ
キシは、ウェーハ２４の底面とガラスベース２６の間に
わずかな隙間ができるようにウェーハを保持する役割を
もはたす。これは動作中、ウェーハの発振が不要に減衰
されることを防止するために必要なものである。もちろ
ん、発振子の安定化と保持のために別のスペーサを使用
することも可能であろう。

ウェーハ２４を装着後、水晶ウェーハ２４がくぼみ３０
内に受入れられるように、カバー２２をベース２６上の
金属領域４０上に載置する。カバーは金属領域４０と整
列しかつ接触を保つようにされ、かつ組立てられたパッ
ケージを温度制御炉等である高い温度まで加熱する。Ｄ
Ｃ電源４８をその正端子５０が金属条片４２に、また負
端子５２がガラスカバー２２に接続されるように接続す
る。金属領域４０と金属領域が接触するカバ一部２２の
領域の間の密封を生じるのに十分な時間だけ、温度上昇
されたパッケージ２０に電圧を印加する。このプロセス
の後、カバーとベースの周囲は金属条片４２によって、
又孔２８の周囲は金属領域４４によって相互に密封され
、これによって密封されたパッケージが形成される。

条片４６は、結合プロセス中に使用されるＤＣ電圧が全
ての金属領域に印加されるように金属領域４４と４２の
間の電導をもたらすために使用されたものである。しか
し、当業者には、ウェーハ４２上の電極は、ランナ４６
が周囲の金属条片４２によって相互に接続されているの
で有効に短絡されることが明らかであろう。パッケージ
の密封後、条片４６は横の非導通性の間隔４５を形成す
るためにレーザー光線を用いて周囲の金属条片４２のそ
れぞれの接合部近くで切断される。その後、ウェーハ２
４上の電極３２と３４は、それぞれの金属化された領域
４４にのみ接続される。カバー２２内の孔２８は、従来
型の電気接続が可能な電気パッドとして機能する金属領
域４４への接続（ａｃｃｅｓｓ　）をもたらすものであ
る。孔２８は領域４４と接しておりかつ多孔の周囲はこ
れらの金属パッドに密封されているので、ウェーハの密
封は維持される。

第３図及び第４図は発振子パッケージ６０の別の実施例
を示している。この実施例では、カバー２２は２つの丸
孔６２及び、それぞれの孔６２を囲むカバーの外表面上
の間隔隔離されためっき領域６４を含んでいる。

ベース２６は、第４図に示す通り、孔６２と整列するよ
うに配置された丸孔６６を含む。めっき部６８はベース
２６の上部表面上の多孔６６を囲んでいる。一般にめっ
き部６８と対向するベース２６の別の表面上では、間隔
隔離されためっき部７０も孔６６を囲んでいる。

孔６２と６６の内表面は、第４図に示すようにパッケー
ジの組立ての際にそれぞれの対のめっき部６４．６８及
び７０が相互に電気的に接続されるようにめっきされる
のが有利である。めっき部６４．６８及び７０は金属領
域とガラス部材を静電接合することにより、又は薄膜金
属被着プロセスによりカバー及びベースと固定すること
ができる。孔６２と６６のめっきに関しては、薄膜金属
被着技術を利用可能でおる。

部品ウェーハ２４の電極３２と３４は導通性エポキシ７
２を用いてそれぞれの金属領域６８と接続される。エポ
キシはウェーハ２４をベースとの間隔をあけて保持する
役割をも果たす。共振子つ工−ハ２４をベース２６に実
装後、第４図に示すようにカバー２２とベース２６を相
互に組立て、かつベース２６上の金属領域４２と６８は
カバー２２上の対応するガラス面に静電密封され、それ
によって共振子ウェーハ２４への密封を形成する。

それぞれの対の孔６２と６６は完成したパッケージ６０
を貫く通路を形成しているが、周囲の金属領域６８が、
パッケージ内部からの孔を隔絶する有効な密封を形成し
ているので、上記の通路は密封の形成の妨害とはならな
い。

８対の金属領域６４と７０はパッケージ６０の双方の側
から共振子ウェーハ２４上の電極との電気的接続をもた
らすための接続手段を与えるものである。例えば、ベー
ス２６上の金属領域７０ははんだ付は等によって印刷回
路板上の対応する金属領域に直接実装可能でありかつ付
加的な部品を領域６４に実装可能であろう。このような
実装方法では、領域６４はテスト用に探針可能な導通領
域をももたらす。８対の孔６２と６６はパッケージ６０
を完全に貫く通路をもたらすので、いわゆる「盲（ｂｌ
ｉｎｄ）Ｊ孔は避けることができる。盲孔とは１つの開
口部からしかアクセスできない孔である。製造過程中、
盲孔は共振子の電気性能に悪影響を及ぼし、又はパッケ
ージの密封度を低下させることのある不要な残滓を集積
することがおる。

パッケージ６０内に形成された貫通通路により、盲孔を
なくし、そのような問題を最小限にすることができる。

第５図、第６図及び第７図は、パッケージ６０に用いら
れるベース２６の製造中の各段階を示している。第５図
にみられる通り、例えばアルミニウムのような薄い金属
箔のシート７４を接合してベースの１つの表面全体を被
覆する。ベースの金属被覆に先立ち、孔６６をドリルそ
の他で形成する。金属＠７４は静電的にベース２６に接
合するのがよい。

第６図では、ベース２６は、連続する周囲の条片４２と
孔６６を囲む間隔隔離された金属領域６８を残すように
選択された金属領域を除去することにより更に処理され
ている。不要な金属部の除去は従来の写真印刷技術を用
いて化学的にエツチング除去を行なうことにより達成可
能である。

第７図に於ては、ベースは更に処理されて、孔６６にめ
っきを加え、かつ孔６６を囲み一般に金属領域６８と対
向する付加的な金属化領域７０を加えである。この追加
の金属化は薄膜金属被着技術を用いて達成可能である。

おるいは、孔６６の内側金属は、薄膜金属被着技術を用
いて被着可能であり、かつ金属化された領域７０は、金
属をベース２６の底部面に静電結合することによっても
達成可能であろう。

第８図及び第９図は共振子パッケージ８０の別の実施例
を図示しており、これもカバー２２、共振子ウェーハ２
４及びベース２６を含んでいる。

この実施例では、電極パターン３２及び３４にそれぞれ
接続するための共振子ウェーハ２４上の金属領域３６と
３８はウェーハの対向端部に配置される。

ベース２６内の孔８２は共振子ウェーハ２４上の金属領
域３６と３８にほぼ隣接して配置されている。金属領域
８４は孔８２に隣接しかつこれを囲んでいる。金属領域
８６はベース２６の反対面上のパターン８４とほぼ対向
して配置され、孔８２のそれぞれの端を囲んで、または
カバーしている。金属領域８６は孔８２上の密封を形成
している。

パッケージ８０の製造に於て、ベース２６には孔８２が
形成され、かつ全ての金属化領域（４２゜８４．８６）
は共（辰子ウェーハ２４及びカバー２２との組立てに先
立ってその上に配置される。

導通性エポキシ８８の溶滴を、第９図に示すようにエポ
キシが孔の上方にわずかに突出する量だけ孔８２に挿入
する。次にウェーハ２４を、ウェーハのそれぞれの端が
エポキシのプールににつて支持されるようにベース上に
載置する。あるいは、エポキシは完全に硬化させ、小量
の追加のエポキシを用いてウェーハを硬化したエポキシ
に固着させることも可能である。ウェーハ２４の上部面
上の金属パッド３６が確実に電気的な接触を確立するた
めには、パッド３６上のウェーハ２４の上部面上に更に
追加の小量のエポキシを配置して、それぞれの孔８２へ
と延びるエポキシと接合するようにウェーハの端部上に
エポキシが延びるようにする。導通性のエポキシは２つ
の目的を達成する。

第１にエポキシはウェーハをベースに装着し、つ工−ハ
がベース上にわずかに持上げられた位置に保持して、ウ
ェーハの能動面がベースと接触しないようにさせる。第
２に、エポキシは共振子つ工−ハ上の電極と外部の金属
化されたパッド領域８６との間の電気的な接触を達成す
る。ウェーハ上の電極とベース上の金属パッドの間の接
続は線結合（ワイヤボンド）、直接はんだ付け、または
他の公知の方法で可能であろう。共振子ウェーハをベー
スに実装した後、カバー２２を周囲の金属リング４２上
に載置し、かつ静電結合を形成してカバーをベースに密
封する。外部パッドは従来の手段によって印刷回路板に
実装可能でおる。

本発明の特定の実施例ははうけい酸塩ガラス及びアルミ
ニウム箔を用いて実施された。例えば、厚さ約０．００
１５〜０．００６インチ（０，０３８１〜０．１５２Ｍ
ｒ１）の箔を、２００〜５００℃の間で２０〜３０分だ
け加熱している間に６０〜１０００ボルトのＤＣ電圧を
印加することによって、はうけい酸塩ガラス板に静電的
に接合可能である。この範囲内の温度で、平方インチ（
約６．４５ｃｆｆｌ＞あたり約０．０００１５アンペア
の電流密度を生成するように電圧を適宜に選択する。

圧電ＡＴ共振子ははうけい酸塩ガラス製のカバーとベー
スとの間にうまく密封され、その際ベースはその結合面
に厚さ０．００５インチ（０，１２７ｍ）のアルミニウ
ム箔が既に接合されている。共振子を導通性のエポキシ
によりベース上のパッドに実装した後、ベース上にカバ
ーを載置し、アセンブリを大気圧下で３００℃に加熱し
た。４００〜８００ボルトの範囲の電圧を３０分間印加
して、平方インチく約６．４５０ｆｆｌ）あたり０．０
００１５アンペアの電流密度を生成する。もちろん、必
要なら密封プロセス中、不活性ガス大気を使用すること
も可能であろう。

ガラスは材料として望ましいが、静電結合と適応できる
別の材料も使用可能でおろう。例えば、パッケージ８０
内のカバーはカバーとしての機能しか果たさないので、
これを金属で作成して金属条片４２の必要性をなくする
こともできよう。共振子パッケージは更に、ウェーハ上
の電極の１つとの接続を達成するための１つの孔を有す
るように形成し、ウェーハへの別の電気接続は周囲の金
属化領域４２により達成される電気接続によって確立す
ることも可能であろう。例えば、第１図にみられるパッ
ケージ２０内の孔２８の１つは、対応する金属導体４６
が周囲の金属化領域４２との接続を保つようにさせるこ
とによって省くことが可能であろう。別の残りの孔２８
と連結された別の金属ランナ４６は第１図に関して説明
したように切断される。このようにして、残りの孔２８
に対応するパッド４４に線を取付けることにより電極へ
の接続が可能でおり、別の接続は、便利に接続するため
パッケージを越えて延びるタブを有することもできる金
底層４２に対して電気接続を達成することにより可能で
ある。

共振子パッケージの製造に関して、小数のこのような共
振子を個々に製造してもよい。しかし、このような装置
の量産には半導体産業で用いられるようなバッチウェー
ハ法を用いるのが妥当であろう。すなわち、多数のベー
スを単一の基板上に形成し、また異なる基板上に形成さ
れた対応する数のカバーを、それぞれのカバーとベース
が相互に整列するように形成可能である。ベース上に共
振子ウェーハを挿入した後、カバーを担う基板をそれぞ
れのベースを担う基板上に載置して、静電処理を完了さ
せる。次に個々の共振子パッケージを、電気性能のテス
ト後に分離する。

ガラスカバーまたはガラスベースを用いることによって
、レーザーを用いて密封された共振子パッケージを精密
な周波数に仕上げることが可能である。例えば、パッケ
ージ内に密封後の共振子つ工−ハ上の電極の有効領域は
、レーザー光線で金属の一部を燃焼させることにより有
効に減小させることができよう。これによって共振子の
周波数を対応して変化させ、密封されたパッケージを所
望の周波数に能動的に同調させることが可能であろう。

レーザー光線はカバーをベースに密封するためにも利用
可能である。例えば、パッケージ８０内のカバー２２は
、ウェーハ２４をベースに実装した後、レーザー光線に
よってベースに密封可能である。この場合、金属条片４
２を省略し、レーザー光線をカバーとベースの隣接する
周囲端の回りに向けて小母の材料を各々から融解させて
密封を形成可能であろう。貫通型の孔８２は静電的に結
合されたパッド８６によって密封されよう。レーザー光
線の使用によるカバーのベースに対する密封は、レーザ
一式密封プロセスによっては局部的な加熱しか発生しな
いので、ウェーハ２４が加熱されないという長所を有し
ている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に基づく水晶共振子とパッケージの分解
図である。 第２図は第１図の２−２線に沿った横断面図である。 第３図は本発明の別の実施例の分解図でおる。 第４図は第３図の４−４線に沿った横断面図である。 第５図、第６図及び第７図は本発明に基づく共振子パッ
ケージの一部の部分的斜視図で、その異なる製造段階を
示している。 第８図は本発明に基づく共振子の別の実施例の分解図で
ある。 第９図は第８図の９−９線に沿った横断面図である。 ２０：水晶共振子パッケージ、２２：カバー、２４：水
晶ウェーハ、２６：ベース、２８：孔、３０二くぼみ、
３２，３４：電極、 ３６．３８：金属パッド、 ４０：金属パターン、４４：金属パッド。 特許出願人　モトローラ・インコーポレーテッド代理人
　弁理士　池　内　義　明 ２ｏ　　　　工＝＝２ ｌ＝７５ １＝＝ｆ ｌ＝１１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、密封された圧電装置パッケージに於て、装置の動作
   温度範囲内で絶縁体であるベース及びカバーと、 前記ベース及びカバーの間に実装されかつ第１と第２の
   電極を有する圧電装置と、 前記パッケージの外側と前記第１及び第２の電極とを電
   気的に接続するための接続手段であつて、前記接続手段
   は前記ベース及びカバーの１つに配置された少なくとも
   第１の孔と、前記第１の電極と電気的に接続された第１
   の金属パッドとを含み、前記パッドは前記第１の孔の周
   辺と隣接している形式の接続手段と、 前記ベースに対して前記カバーを静電的に密封して前記
   装置をパッケージ内に気密に密封するための手段であつ
   て、前記密封手段は前記ベース及びカバーの周辺に隣接
   して配置された金属条片を含み、前記密封手段は前記第
   １の孔の周囲に静電密封を形成するために前記第１のパ
   ッドを使用し、かつ前記カバー及びベースの周辺に密封
   を形成するために前記金属条片を使用し、それにより圧
   電装置をパッケージ内部に密封するものと、 を具備することを特徴とする密封された圧電装置パッケ
   ージ。 ２、前記ベース及びカバーは静電接合に適するガラス製
   である特許請求の範囲第１項に記載のパッケージ。 ３、前記第１のパッドを前記第１の孔の周辺に静電接合
   している間に前記第１の金属パッドを前記周辺の金属条
   片に電気的に接続するための手段を更に具備する特許請
   求の範囲第１項に記載のパッケージ。