JPS6263683A - 模様を有するメツキ層の形成法 - Google Patents

模様を有するメツキ層の形成法

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JPS6263683A
JPS6263683A JP20312285A JP20312285A JPS6263683A JP S6263683 A JPS6263683 A JP S6263683A JP 20312285 A JP20312285 A JP 20312285A JP 20312285 A JP20312285 A JP 20312285A JP S6263683 A JPS6263683 A JP S6263683A
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plating
layer
acid
molded product
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JP20312285A
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English (en)
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Tsunetomo Nakano
中野 常朝
Kohei Nakajima
中島 紘平
Hiroshi Yasuno
安野 弘
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0076Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/182Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/184Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks

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  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、金属メッキ性を有する合成樹脂成形品の表面
に、種々の模様を有する光硬化被覆層を形成し、その成
形品の露出表面をメッキ前処理して、金属メッキを施し
、最後に、前記光硬化被覆層上のメッキ層のみを除去し
て、種々の模様を有する美麗なメッキ層を形成する新規
な方法に関するもので、本発明の方法によれば、合成樹
脂成形品の表面にメッキによる種々の模様付けを容易に
行うことができ、例えば、メッキ部分く又はメッキ以外
の樹脂部分)が装飾的模様ではな≦文字、数字等を表す
ように模様付けを行うことによって各種の表示板、案内
板等を製造でき、また配線パターンの形成も可能である
〔従来の技術〕
金属メッキ性を有するABS樹脂、ポリプロピレン、ポ
リイミドエーテル等の合成樹脂(プラスチック等)の表
面には、強酸で粗面化して化学メッキ及び/又は電気メ
ッキを施して、強力に密着した金属メッキ層を全面的に
形成することができることは、よく知られている。
また、最近、前記の金属メッキ性を有する合成樹脂の表
面に、非金属メッキ性(非メッキ性)である合成樹脂層
(例えば、アクリレート系やエポキシアクリレート系の
感光性樹脂等の光硬化層)を印刷・光硬化等によりある
模様に形成し、従来と同じ金属メッキを行い、最後に前
記非金属メッキ性の合成樹脂層の上のメッキ層を除去す
ることにより、文字、図形等のm様にメッキされていな
い部分を有する「模様を有するメッキ層」を形成する方
法が提案されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記の「模様を有するメッキ層」の形成方法では、非金
属メッキ性の合成樹脂層が強酸のメッキ前処理によって
粗面化し易く、結局、前記合成樹脂層が非金属メッキ層
として機能せず、最後のメッキ層の除去が容易ではない
という問題点を有していた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者等は、前記の[模様を有するメッキ層」の形成
方法における問題点を解消する方法について鋭意研究し
た結果、非金属メッキ性の合成樹脂層として、感光性の
芳香族ポリアミドから光硬化によって形成された光硬化
被覆層を用いることにより、美麗な模様を有する金属メ
ッキ層を容易に形成することができることを見出し、本
発明を完成した。
即ち、本発明は、金属メッキをすることができる合成樹
脂成形品の表面に、感光基を有する芳香族ポリアミドか
らなり種々の模様を有する光硬化性被覆層を形成し、こ
の光硬化性被覆層を光硬化して、光硬化被覆層となし、
次いで、その成形品の露出表面を粗面化するためにメッ
キ前処理を行い、そして、前処理された成形品の全面に
メッキを施し、最後に、光硬化被覆層上のメッキ層のみ
を除去することを特徴とする模様を有するメッキ層の形
成法を提供するものである。
以下に本発明の模様を有するメッキ層の形成法について
詳述する。
先ず、本発明の形成法において用いられる感光基を有す
る芳香族ポリアミドについて説明する。
上記感光基を有する芳香族ポリアミドは、ジカルボン酸
成分と、感光基を有する芳香族ジアミン化合物を少なく
とも30モル%、好ましくは40モル%以上含有する芳
香族ジアミン成分との重合物からなるを機溶媒可溶性の
感光性ポリアミドである。
この芳香族ポリアミドの好ましい例としては、芳香族ジ
カルボン酸類を、全ジカルボン酸成分に対して少なくと
も30モル%、好ましくは50モル%以上、更に好まし
くは70モル%以上含有するジカルボン酸成分と、 感光基を有する芳香族ジアミン化合物を少なくとも30
モル%、好ましくは40モル%以上、更に好ましくは5
0モル%以上含有する芳香族ジアミン成分とを、 有機極性溶媒中等で重合して得られるホモ重合体又は共
重合体からなる、有機溶媒可溶性の芳香族ポリアミドが
挙げられる。
芳香族ポリアミドの製造に用いられる前記ジカルボン酸
成分は、芳香族ジカルボン酸類の他に、例えば、脂環族
又は脂肪族ジカルボン酸類が併用されていてもよい。
前記芳香族ジカルボン酸類としては、芳香族ジアミン成
分との重合反応によって、ポリアミドを製造することが
できれば、どのような公知の芳香族ジカルボン酸、又は
その誘導体であってもよく、特に芳香族ジカルボン酸、
或いはその酸のハロゲン化物等を好適に挙げることがで
きる。
前記芳香族ジカルボン酸類の好ましい具体例としては、
テレフタル酸、イソフタル酸、4,4゛−ジカルポキシ
ービフエ二ル、4,4′−ジカルボキシ−ジフェニルメ
タン、4,4′−ジカルボキシ−ジフェニルエーテル等
の芳香族ジカルボン酸と、それらの酸のハロゲン化物を
挙げることができる。これらの芳香族ジカルボン酸類の
中でも、上記の各芳香族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物
、特に酸塩化物が最適である。
また、前記の脂環族又は脂肪族ジカルボン酸類としては
、芳香族ジアミン成分との重合反応によってポリアミド
を形成することができれば、どのような公知の脂環族又
は脂肪族ジカルボン酸、又はその誘導体であってもよく
、特に脂環族又は脂肪族ジカルボン酸、或いはその酸の
ハロゲン化物等を好適に挙げることができる。
前記脂環族又は脂肪族ジカルボン酸類の好ましい具体例
としては、1.4−一ジカルボキシーシクロヘキサン、
1,2−ジカルボキシー−〜−シクロペンタン、1.5
−ジカルボキシ−シクロオクタン等の脂環族ジカルボン
酸化合物、又は、一般式1式% 数である)で示される脂肪族ジカルボン酸、或いはそれ
らの酸ハロゲン化物(特に酸塩化物)等を好適に挙げる
ことができる。上記一般式で示される脂肪族ジカルボン
酸化合物としては、例えば、コハク酸、プロパンジカル
ボン酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸等を挙
げることができる。
また、前記芳香族ジアミン成分は、感光基を有する芳香
族ジアミン化合物単独、又は感光基を有する芳香族ジア
ミン化合物と他の芳香族ジアミン化合物とのモル此の値
が3/7以上、好ましくは476以上である芳香族ジア
ミン化合物の混合物からなる芳香族ジアミン成分である
ことが好ましい。
前記芳香族ジアミン成分において、感光基を有する芳香
族ジアミン化合物の含有割合があまりに少なくなり過ぎ
ると、そのような千ツマ−から得られるポリアミドは光
硬化性が充分でなくなるので好ましくない。
また、本発明では、芳香族ジアミン成分として、前記の
感光基を有する芳香族ジアミン化合物の他に、感光基を
有さない他の芳香族ジアミン化合物が配合されているモ
ノマーから得られるポリアミドは、その光硬化物(膜)
の耐熱性が安定化し又は向上するので好ましく、更に、
感光基を有さない他の芳香族ジアミン化合物として、ケ
トン基を有する芳香族ジアミン化合物が配合されている
七ツマ−から得られたポリアミドは、光硬化膜を形成す
る際の光に対する感度が向上するので好ましい。
尚、本発明では、芳香族ジアミン化合物以外のジアミン
化合物、例えば、脂肪族ジアミン化合物等が使用されて
いると、本発明の目的ポリアミドが得られなかったり、
或いは重合でポリマーが得られたとしても、そのポリア
ミドが耐熱性の劣るものであったり、有機溶媒に不溶性
でゲル化し易かったりするので好ましくなく、従って、
実質的に脂肪族ジアミン化合物が、芳香族ジアミン成分
中に配合されていないモノマーから得られたポリアミド
であることが最適である。
前記の感光基を有する芳香族ジアミン化合物としては、
光等の照射によって架橋することができる感光基、例え
ば、エチレン基、アクリロイル基等の炭素−炭素不飽和
基を有する芳香族ジアミン化合物等であればより、具体
的には、3.5−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エ
ステル、2゜4−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エ
ステル、3.5−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル酸
エステル、2,4−ジアミノ安息香酸エチルメタクリル
酸エステル、3,5−ジアミノ安息香酸グリシジルアク
リレートエステル、2,4−ジアミノ安息香酸グリシジ
ルアクリレートエステル、3゜5−ジアミノ安息香酸グ
リシジルメタクリレートエステル、2.4−一ジアミノ
安患香酸グリシジルメタクリレートエステル、3.5−
ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル、2,4−ジアミノ安
息香酸ケイ皮エステル等の安息香酸エステルミ;3,5
−ジアミノベンジルアクリレート、3,5−ジアミノベ
ンジルメタクリレート等のペンジシレアクリレート類;
4−アクリルアミド−3,4”−ジアミノジフェニルエ
ーテル、2−アクリルアミド−3,4°−ジアミノジフ
ェニルエーテル、4−シンナムアミド−3,4゛−ジア
ミノジフェニルエーテル、3,4゛−ジアクリルアミド
−3゛、4−ジアミノジフェニルエーテル、3.4’−
ジシンナムアミドー3゛、4−ジアミノジフェニルエー
テル、4−メチル−2’−(2−アクリロイルオキシカ
ルボニル)−3,4’−ジアミノジフェニルエーテル等
のジフェニルエーテル類;及び4゜4゛−ジアミノカル
コン、3.3′−ジアミノカルコン、3,4°−ジアミ
ノカルコン、3° 、4−ジアミノカルコン、4′−メ
チル−3°、4−ジアミノカルコン、4°−メトキシ−
3°、4−ジアミノカルコン、3”−メチル−3,5−
ジアミノカルコン等のカルコン類を挙げることができる
また、芳香族ジアミン成分として使用される感光基を有
さない他の芳香族ジアミン化合物としては、例えば、パ
ラフェニレンジアミン、メタフェニレンジアミン、2,
4−ジアミノトルエン、4゜4°−ジアミノジフェニル
エーテル、4.4’−ジアミノジフェニルメタン、0−
トリジン、1゜4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベン
ゼン、“2゜2′−ビス(4−アミノフェノキシフェニ
ル)プロパン、0−トリジンスルホン等のジアミン化合
物、及び9,9−ビス(4−アミノフェニル)−一10
−アンスロン、1.5−ジアミノアントラキノン、1,
4−ジアミノアントラキノン、3゜3°−ジアミノベン
ゾフェノン、4”−N、N−ジメチルアミノ−3,5−
ジアミノベンゾフェノン、1−ジメチルアミノ−4−(
3,5−ジアミノベンゾイル)−ナフタレン等のケトン
基を有し、増感性能を有するジアミン化合物を挙げるこ
とができる。
本発明において使用される感光基を有する芳香族ポリア
ミドは、前述のジカルボン酸成分と、感光基を有する芳
香族ジアミン化合物を含有する前述の芳香族ジアミン成
分とを、大略等モル使用して、公知の重合方法と同様の
重合条件(例えば、有機極性溶媒中、約100℃以下、
好ましくは0〜80℃、特に好ましくは5〜60℃の重
合温度、約0.1〜48時間の重合時間等)で、重合し
て得られる高分子量の重合体からなる重合体であり、有
機溶媒に対して可溶性である感光性ポリアミドである。
前記芳香族ポリアミドは、ポリアミドの濃度が、0.5
g/f00oi1  (N−メチル−2−ピロリドン;
NMP)である希薄溶液を使用して、30℃の温度で測
定し、夏山された対数粘度が、0.1〜2.0、特に0
.2〜1.5程度の範囲内にあるものが好ましい。
尚、本発明においては、芳香族ポリアミドとして、前述
のジカルボン酸成分と、感光基を有する芳香族ジアミン
化合物を含有する前述の芳香族ジアミン成分とを重合し
て得られる感光性ポリアミドを、例えば、(メタ)アク
リル酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、酢酸クロリド、ア
ラアジドクロリド等の化合物と反応させて、ポリマーの
アミド結合の水素原子基を前記化合物の残基のような有
機基で置換した感光性ポリアミド変性物を用いることも
できる。
また、本発明でメッキ処理の対象とされる合成樹脂成形
品は、金属メッキ性を有する合成樹脂の成形品であり、
その例としては、ABS樹脂、ポリプロピレン、ポリイ
ミドエーテル等の合成樹脂の成形品を挙げることができ
る。
次に、前述の感光基を有する芳香族ポリアミドを用いた
、本発明の模様を有するメッキ層の形成法の好ましい一
実施態様を図面を参照し乍ら説明する。
先ず、第1図に示す如く、前記の合成樹脂成形品1の表
面に、前記の感光基を存する芳香族ポリアミドからなる
種々の模様を有する光硬化性被覆層(膜)2を形成する
この光硬化性被覆層2の形成は、例えば、前記の感光基
を有する芳香族ポリアミドの有機極性溶媒溶液(感光性
樹脂液)を調製し、この溶液を、前記の合成樹脂成形品
1の表面にスクリーン印刷等で所定の模様に印刷し、乾
燥することによって行うことができる。
上記感光性樹脂液の調製に使用される有機極性溶媒とし
ては、例えば、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N
−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン
、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチレンホスホルアミ
ド、ジグライム等を挙げることができる。
この有機極性溶媒の使用量は、芳香族ポリアミド100
重量部に対して、1.00〜2000重量部、好ましく
は150〜1500重景部、更に好ましくは200〜1
000重量部であることが好ましく、溶媒の使用量が少
なくなり過ぎると、感光性樹脂液の回転粘度が上昇し、
光硬化性被覆層2が不均一な厚さになったり、製膜自体
が困難になるので好ましくなく、また溶媒の使用量が多
(なり過ぎると、製膜の際に溶媒の蒸発除去に長い時間
を要するので好ましくない。
また、上記感光性樹脂液の回転粘度は、常温(約25℃
)で、約50〜100000センチボイズ、特に100
〜50000センチボイズ程度にすることが好ましい。
上記感光性樹脂液には、光重合性単量体が適当量配合さ
れていてもよく、かかる光重合性単量体としては、例え
ば、ヒドロキソ基等を有するモノ(メタ)アクリレート
系化合物、ポリ (メタ)アクリレート系化合物、及び
その他として、N−ビニル−2−ピロリドン、分子内に
リン酸又はウレタン樹脂の残基を含有する(メタ)アク
リル酸エステル化合物等を挙げることができる。この光
重合性単量体の使用量は、芳香族ポリアミド100重量
部に対して、0.5〜150重量部、特に1〜120重
量部程度の範囲内であることが好ましい。
また、上記感光性樹脂液には、適当な光重合開始剤を配
合することが好ましく、かかる光重合開始剤としては、
例えば、ミヒラーズケトン、ベンゾイン、ベンゾインメ
チルエーテル、ベンツインエチルエーテル、ベンゾイン
イソプロピルエーテル、2〜ターシャリ−ブチルアント
ラキノン、1゜2−ベンゾ−9,10−アントラキノン
、4゜4°−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、
アセトフェノン、ベンゾフェノン、チオキサントン、メ
チルチオキサントン、クロルチオキサントン、1.5−
アセナフテン、ベンジルケタール、アントラニル酸ジメ
チルアミノベンゾエート等を挙げることができる。
更に、上記感光性樹脂液には、必要に応じて増感剤、熱
重合防止剤、充填剤等を配合することもでき、増感剤と
しては、N、N−ジメチルアントラニル酸メチル、オル
ソ−又はバラー−N、N−ジメチル安息香酸エチル等を
少量使用することができる。
前記合成樹脂成形品1の表面に印刷した前記感光性樹脂
液の乾燥は、熱風乾燥器等により約150℃以下の温度
、特に100℃以下の温度下に、10〜60分間、特に
15〜40分間程度行うことが好ましい、この際減圧は
してもしなくてもよい。この乾燥によって、前記感光性
樹脂液中の有機極性溶媒等の揮発成分を徐々に蒸発除去
する。
前記光硬化性被覆N2の厚さは、通常、約2〜50μ請
、好ましくは5〜20μmとするとよい。
次いで、上記の如くして形成した光硬化性被覆層2に、
超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ
等を用いて紫外線、可視光線、電子線、X線等の活性エ
ネルギー線を、約150℃以下の温度、好ましくは10
0℃以下の温度、更に好ましくはs o ’c以下の温
度下に短時間照射して、前記光硬化性被覆層2を光硬化
させ、光硬化被覆層とする。
この光硬化被覆層は、必要であれば、約60〜150℃
の温度、好ましくは約70〜140℃の温度下に約0.
1〜5時間、好ましくは0.2〜2時間、後加熱しても
よい。
次いで、この光硬化被覆層の形成された合成樹脂成形品
1に対してメッキ前処理を行い、合成樹脂成形品の露出
表面1° (第1図参照)を粗面化する。
このメッキ前処理は、合成樹脂成形品1を、例えば、塩
酸、硫酸等の強酸溶液やジメチルホルムアミド溶液等に
、好ましくは約50〜80℃の温度下に約5〜30分間
浸漬することにより行うことができる。
このメッキ前処理によって、合成樹脂成形品の露出表面
1°が粗面化されるが、光硬化性被覆層2を光硬化した
光硬化被覆層はこの前処理に対して極めて安定であり、
粗面化されることはない。
次いで、メッキ前処理された成形品1の全面(粗面化し
た合成樹脂成形品の露出表面l゛及び光硬化性被覆N2
を光硬化した光硬化被覆層の表面)に通常の化学メッキ
、電気メッキ等の方法によりメッキを施し、第2図に示
す如く、露出表面1゛及び光硬化被覆層3の表面にメッ
キ層4を形成する。
最後に、酸性液による弱酸処理及び/又は拭き取り等の
化学的及び/又は機械的手段によって、光硬化被覆1i
53.1:のメッキN4のみを除去し、第3図に示す如
く、合成樹脂成形品lの表面にメッキN4が所望の模様
に形成されている本発明の製品を得る。更に必要に応じ
て、この製品に電気メッキを行い、第4図に示す如く、
メッキ層4を厚くすることもできる。
光硬化被覆層3上のメッキ層4の除去に使用される酸性
液としては、5%塩酸水溶液、5%硫酸水溶液等が挙げ
られる。
〔実施例〕
以下に、本発明で使用される感光基を有する芳香族ポリ
アミドの製造例、及び本発明の実施例を示す。
製造例1 三ロフラスコに乾燥窒素を通じてフラスコ内を置換した
後、塩化リチウム3gと3.5−ジアミノ安息香酸エチ
ルメタクリル酸エステル31.714gを入れ、これに
N−メチル−2−ピロリドン(NMP)240mlを加
え溶解した。溶解後、2℃に冷却し攪拌しながらテレフ
タル酸ジクロライド24.364 gを加えた。この時
発熱があり、溶液の温度が32℃まで」二昇L7た。こ
れを30分間氷水中で撹拌し、た後、室温で1時間撹拌
をつづけ反応さセた。次いで、反応溶液にNMP300
mlを加え希釈した。
更に、反応溶液に、メタクリル酸クロライド25.8g
をNMP30+ilに溶解L7た溶液を30分間で滴下
して加えた。この時発熱があり、溶液の温度が35℃ま
で上昇した。
反応後、反応溶液をメタノール61と水6gの混合液に
加えポリアミドを析出させた。析出物を濾集し乾燥し、
白色のポリアミド粉末51gを得た。
実施例1 暮叉箪皿盗痰叫叫鷲。
上記製造例1で得られた感光性ポリアミド粉末100g
をNMP500gに溶解した後、これに、熱重合防止剤
としてp−メトキシフェノール1g、光重合開始剤とし
てジエチルチオキサントン3g、ジメチルアミノ安息香
酸エチルエステル4g1ベンジル1.5gを加え、感光
性樹脂液を調製した。
ヒ    の多  びその 嗟傷」光更似被上記感光性
樹脂液を用い、ABS樹脂(三菱レーヨン製、LMSグ
レード)成形品の表面にニッケルメタルスクリーン(1
50メツシエ)で図形を印刷し、光硬化性被覆層を形成
した。次いで、この光硬化性被覆層を90℃で15分間
乾燥した後、3に一超高圧水銀灯(オーク製作新製、H
MW−6N)を用いて空気中で露光!0.5J/cmの
照射を行って光硬化させた6次いで、72℃で30分間
熱処理を行い、上記ABS樹脂成形品の表面に6μmの
厚さの光硬化被覆層を形成した。
ムヱ土m怒1− 上記の光硬化被覆層の形成されたABS樹脂成形品を下
記の■〜■の工程に従ってメッキ前処理した。
■界面活性剤にッコール NP−10)の水溶液中に1
0分間浸漬した。
■無水クロム酸450g/lと硫酸400 g/lの混
液中に60℃で10分間浸漬し、エツチングした。
■水洗後、塩酸15%液に液温20℃で1〜2分間浸漬
した。
■塩化パラジウム0.3g/l、塩化第1スズ20g/
l及び塩酸200cc/ 12の混液に25℃で3分間
漫清し、活性化した。
■硫酸200 g/(lに液温40〜50℃で2分間ン
受ン貞した。
:((λ−デン:、シー’7’邊ニー メッキ前処理されたABS樹脂成形品を、硫酸鋼12 
g/l、EDTA  2Na  35 g/ l−及び
界面活性剤(PEG−3A)50ag/ffの混液に7
0℃で1時間浸漬し、ABS樹脂成形品の全面に3.0
μmの1¥さの銅メツキ履を形成した。
友豊止兼−覆3i p旦しヱ土1■盈去銅メッキ層の形
成されたABS樹脂成形品を酸性液(5%塩酸水溶液)
に25℃で10分間浸漬して弱酸処理し、光硬化被覆層
上の銅メ・ツキ層のみを除去した。
i気メッキ (モ」仁ケー土!l土) ABS樹脂成形品を負極、Ni金属を陽極にし、硫酸ニ
ッケル240g/f、塩化ニッケル30g/l及び硼酸
30 g/l!の混液中に5mA/d+n”の電流を1
時間流し、銅メッキ層の上に、15μmの厚さのニッケ
ルメッキ層を形成しまた。
このようにして、模様を有するメッキ層が表面に形成さ
れた本発明のABS樹脂成形品を得た。
この本発明のABS樹脂成形品は、光硬化被覆層の上に
は全くメッキが付着しておらず、光硬化被覆層の部分は
良好な透光性を保持しており、又メッキ層の模様が美麗
且つ精密に形成されていた。
実施例2 本発明の形成法により銅配線パターンを下記のようにし
て形成した。
ポリアミドのパターニング 変性ポリイミドエーテル〔ゼネラルエレクトリック(G
、 E、 )社製、商品名ウルテム〕からなる基板に、
実施例1で調製した感光性樹脂液を用いスクリーン印刷
で銅配線パターン図(線幅0.31fil11%ランド
1.3 mmφ、線間隔0.5 mm最小)を描いた。
次いで、この銅配線パターン図(光硬化性被覆層)を9
0℃で30分間乾燥した後、3KW超高圧水銀灯(オー
ク製作所型、HMW−6N)を用いて空気中で露光量0
.5J/cdの照1・jを行って光硬化させた。次いで
、70℃で30分間熱処理を行い、変性ポリイミドエー
テル基板上に、永久保護膜として残置する20μmの厚
さのメッキ用レジストパターン(光硬化被覆層)を形成
した。
蓬Jb1災(7)JJTL化及匣−7−ノー徒−d−場
ト記のメッキ用レジストパターンの形成されたパターン
基板を、ジメチルホルムアミド溶液中に30℃で3分間
浸漬し、基板の露出表面を粗面化した。
次いで、このパターン基板に対して2、実施例1と同様
に化学メッキ及びメッキ用レジストパターン(光硬化被
覆層)上の銅メッキ層の除去を行い、更に、常法に従っ
て電気メッキ(銅メッキ)を行って、パターン基板の凹
部に銅配線メッキ(メッキ層)が施された本発明の銅配
線パターンを得た。
この本発明の銅配線パターンを、半田ディツプに260
℃で10秒間浸漬したところ、メッキ用レジストパター
ン(光硬化被覆層)の変化及び半田ののりはみられなか
った。
また、この本発明の銅配線パターンは、メッキ用レジス
トパターンの上には全くメッキが付着しておらず、又銅
配線メッキが精密に形成されていた。
〔発明の効果〕
本発明の形成法によれば、金属メッキ性を有する合成樹
脂成形品の表面に形成した、感光性の芳香族ポリアミド
からなる光硬化被覆層が金属メッキのための前処理に対
して極めて安定で、粗面化されることがなく十分に非金
属メッキ性を保持しているため、光硬化被覆層上のメッ
キ層の除去が容易であり、美麗且つ精密な模様(文字、
数字、図形等)を有する金属メッキ層を合成樹脂成形品
の表面に容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図及び第4図は、本発明の模様を
有するメッキ層の形成法による成形品の概略をそれぞれ
工程順に示す断面図である。 l・・・合成樹脂成形品 1′ ・・合成樹脂成形品の露出表面 2・・・光硬化性被覆層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属メッキをすることができる合成樹脂成形品の表面に
    、感光基を有する芳香族ポリアミドからなり種々の模様
    を有する光硬化性被覆層を形成し、この光硬化性被覆層
    を光硬化して、光硬化被覆層となし、次いで、その成形
    品の露出表面を粗面化するためにメッキ前処理を行い、
    そして、前処理された成形品の全面にメッキを施し、最
    後に、光硬化被覆層上のメッキ層のみを除去することを
    特徴とする模様を有するメッキ層の形成法。
JP20312285A 1985-09-13 1985-09-13 模様を有するメツキ層の形成法 Pending JPS6263683A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0694990A1 (en) * 1994-07-22 1996-01-31 Connector Systems Technology N.V. Method for selective metallization of plastic connectors
US6638082B2 (en) 2001-11-20 2003-10-28 Fci Americas Technology, Inc. Pin-grid-array electrical connector
US6666693B2 (en) 2001-11-20 2003-12-23 Fci Americas Technology, Inc. Surface-mounted right-angle electrical connector
US7022412B2 (en) 1999-11-26 2006-04-04 Hitachi, Ltd. Member having metallic layer, its manufacturing method and its application

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