JPH0259170B2 - - Google Patents

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JPH0259170B2
JPH0259170B2 JP59127554A JP12755484A JPH0259170B2 JP H0259170 B2 JPH0259170 B2 JP H0259170B2 JP 59127554 A JP59127554 A JP 59127554A JP 12755484 A JP12755484 A JP 12755484A JP H0259170 B2 JPH0259170 B2 JP H0259170B2
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JP
Japan
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photosensitive
polyamide
aromatic diamine
group
dicarboxylic acids
Prior art date
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Application number
JP59127554A
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JPS617328A (ja
Inventor
Tsunetomo Nakano
Hiroshi Yasuno
Itsusho Nishio
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Ube Industries Ltd filed Critical Ube Industries Ltd
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Publication of JPS617328A publication Critical patent/JPS617328A/ja
Publication of JPH0259170B2 publication Critical patent/JPH0259170B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0387Polyamides or polyimides

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Polyamides (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
〔本発明の技術分野〕 この発明は、有機溶媒に対する溶解性が、極め
て優れていて、しかもポリアミド主鎖中に感光基
が直接結合していて光硬化性能が優れている新規
な感光性ポリアミドに係るものであり、特に、有
機溶媒への溶解性と光硬化性とが優れていると共
に、光硬化した後の光硬化物が、耐熱性、電気的
及び機械的な性質にも優れているので、高精度の
ソルダーレジストとして好適に使用できるもので
あり、また、半導体工業における固体素子への絶
縁膜(層)や、パツシベーシヨン膜の形成材料、
及び半導体の集積回路や多層プリント配線板など
の層間絶縁材料等に、光の照射によつて容易にな
りうる好適な感光性ポリアミドに関する。 〔従来技術〕 半導体工業における固体素子への絶縁膜やパツ
シベーシヨン膜の形成材料、及び半導体集積回路
や多層プリント配線板などの層間絶縁材料は、耐
熱性及び絶縁性に富むことが求められており、ま
た、高密度化、高集積化の要求から感光性のある
耐熱材料が求められて来た。 従来より、感光性ポリアミドの報告は、多数知
られているが、その多くは、感光基を有していな
いポリアミドと光重合性不飽和化合物(感光性モ
ノマー)との配合によるものであり、感光性が不
均一で、充分に高いものではなかつた(特開昭48
−89004号公報、特開昭49−74739号公報及び特開
昭56−93704号公報など参照)。また、感光基を直
接ポリマー主鎖に有するポリアミドも提案されて
いる(特公昭46−32431号公報、特開昭50−8605
号公報及び特開昭56−122833号公報など参照)け
れども、脂肪族ポリアミドに関するものであり、
耐熱性が充分ではなかつたり、あるいは、感光基
の量が不充分で感光性能が低いものであつたりし
て、実用的に充分に満足できるものではなかつ
た。 〔本発明の要件と作用効果〕 この発明者らは、上述の状況において、耐熱
性、電気的及び機械的特性が優れているレリーフ
パターンを容易に形成しうる、溶解性の優れた感
光性樹脂を提供することを目的として、種々研究
した結果、芳香族ジカルボン酸類と脂環族または
脂肪族ジカルボン酸類との混合物を成分とする特
定の実質的に感光基を有していないジカルボン酸
成分と感光基を有する芳香族ジアミン化合物、ま
たは前記の感光基を有する芳香族ジアミン化合物
と感光基を有していないその他の芳香族ジアミン
化合物との混合物からなる特定の芳香族ジアミン
成分との、共重合体からなるポリアミドが、有機
溶媒に対する優れた溶解性を有していると共に、
優れた感光性を有しており、しかもその光硬化物
が優れた耐熱性などを保持していることを見いだ
し、この発明を完成した。 すなわち、この発明は、芳香族ジカルボン酸類
と、脂環族または脂肪族ジカルボン酸類とのモル
比が2:8〜9:1の範囲内である、感光基を有
していないジカルボン酸類の混合物を、全カルボ
ン酸成分の90モル%以上含有するジカルボン酸成
分と、光重合性炭素−炭素不飽和基を含む感光基
を有する芳香族ジアミン化合物、または、光重合
性炭素−炭素不飽和基を含む感光基を有する芳香
族ジアミン化合物と感光基を有していない他の芳
香族ジアミン化合物とのモル比が3:7以上であ
る芳香族ジアミン化合物の混合物からなる芳香族
ジアミン成分との共重合体からなる有機溶媒可溶
性である感光性ポリアミドに関する。 この発明の感光性ポリアミドは、感光基を有す
る芳香族ジアミン化合物を含有する芳香族ジアミ
ン成分を特定のジカルボン酸成分と重合して得ら
れるものであり、酸成分との重合反応の際に感光
基がポリマー主鎖中に多数導入されるために、極
めて高い感光性をポリマー自体が有しており、よ
つて光透過性および光硬化性(光架橋性)に優れ
ているので、従来の非感光性ポリマーのように画
像形成用の別の光硬化性物質(光重合性不飽和化
合物)を特に必須とすることがないと共に、ま
た、有機溶媒に対する溶解性に優れているため
に、レリーフパターンの形成に極めて好適であ
る。 さらに、この発明の感光性ポリアミドは、ジカ
ルボン酸成分として、芳香族ジカルボン酸類のほ
かに、脂環族ジカルボン酸類または脂肪族ジカル
ボン酸類を含有しているモノマーから重合によつ
て得られ、そのポリマー主鎖中に前記脂環族また
は脂肪族ジカルボン酸類によるアミド結合単位を
含有するので、光硬化した後の光硬化物(膜)
が、柔軟性に富み、その光硬化膜で被覆された配
線基板などに「そり」とか「ねじれ」などが生ず
るのを防止する効果がある。 また、この発明の感光性ポリアミドは、芳香族
系モノマーを主成分とするモノマーから重合によ
つて得られたポリアミドであるので、その光硬化
物(膜)の熱的な性質が実用的な水準を維持して
おり、溶融半田(約260℃)中に浸漬しても、光
硬化膜が縮み上がつたり、めくれたりすることが
なく、しかもそのような高温での熱履歴の後で
も、基板上の被覆面(樹脂面または配線された銅
線など)に対して優れた接着性を保持しているの
である。 〔本発明の各要件の詳述〕 この発明の感光性ポリアミドを形成するために
使用されるジカルボン酸成分は、芳香族ジカルボ
ン酸類と、脂環族または脂肪族ジカルボン酸類と
のモル比が、2:8〜9:1の範囲内、好ましく
は3:7〜8:2の範囲内、さらに好ましくは
3:7〜7:3の範囲内である感光基を有してい
ないジカルボン酸類の混合物を、全カルボン酸成
分の少なくとも90モル%以上、好ましくは95%以
上含有するジカルボン酸成分である。 前記のジカルボン酸成分において、脂環族また
は脂肪族ジカルボン酸類の配合割合が、あまりに
少なくなり過ぎると、そのようなモノマーから得
られたポリアミドを光硬化した後の光硬化膜の柔
軟性が悪化し、光硬化膜がめくれたり、または有
機溶媒に対する溶解性が悪化したりすることがあ
るので適当ではなく、また、脂環族または脂肪族
ジカルボン酸類の配合割合が、あまりに多くなり
過ぎると、得られたポリアミドの光硬化膜の熱分
解温度が低下し、耐熱性が失われるので、適当で
はない。 前記芳香族ジカルボン酸類としては、芳香族ジ
アミン成分との重合反応によつて、ポリアミドを
製造することができれば、どのような公知の感光
基を有していない芳香族ジカルボン酸、またはそ
の酸誘導体であつてもよく、特に芳香族ジカルボ
ン酸、あるいはその酸のハロゲン化物などを好適
に挙げることができる。 前記の芳香族ジカルボン酸類としては、例え
ば、テレフタル酸、イソフタル酸、4,4′−ジカ
ルボキシ−ビフエニル、4,4′−ジカルボキシ−
ジフエニルメタン、4,4′−ジカルボキシ−ジフ
エニルエーテルなどの芳香族ジカルボン酸と、そ
れらの酸のハロゲン化物を好適に挙げることがで
きる。 これらの芳香族ジカルボン酸類の中でも、前記
の各芳香族ジカルボン酸の酸ハロゲン化物、特に
酸塩化物が最適である。 また、前記の脂環族または脂肪族ジカルボン酸
類としては、芳香族ジアミン成分との重合反応に
よつてポリアミドを形成することができれば、ど
のような公知の感光基を有していない脂環族また
は脂肪族ジカルボン酸、またはその酸誘導体であ
つてもよく、特に脂環族または脂肪族ジカルボン
酸、あるいはその酸のハロゲン化物などを好適に
挙げることができる。 前記の脂環族または脂肪族ジカルボン酸類とし
ては、例えば、1,4−ジカルボキシ−シクロヘ
キサン、1,2−ジカルボキシ−シクロペンタ
ン、1,5−ジカルボキシ−シクロオクタンなど
の脂環族ジカルボン酸化合物、または、 一般式HOOC(−CH2)−oCOOH(ただし、nは2
〜8の整数である)で示される脂肪族ジカルボン
酸、あるいはそれらの酸のハロゲン化物(特に塩
化物)などを好適に挙げることができる。 前記の一般式で示される脂肪族ジカルボン酸化
合物としては、例えば、コハク酸、プロパンジカ
ルボン酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン
酸などを挙げることができる。 この発明の感光性ポリアミドを形成するために
使用される芳香族ジアミン成分は、光重合性炭素
−炭素不飽和基を含む感光基を有する芳香族ジア
ミン化合物、または光重合性炭素−炭素不飽和基
を含む感光基を有する芳香族ジアミンと感光基を
有していない他の芳香族ジアミン化合物とのモル
比が、3:7以上、好ましくは4:6以上である
芳香族ジアミン化合物の混合物からなる芳香族ジ
アミン成分である。 前記の芳香族ジアミン成分において、光重合性
炭素−炭素不飽和基を含む感光基を有する芳香族
ジアミンの含有割合があまりに少なくなり過ぎる
と、そのようなモノマーから得られたポリアミド
が光硬化性において充分でなくなるので適当では
ない。 また、この発明では、芳香族ジアミン成分とし
て、前記の感光基を有する芳香族ポリアミド化合
物の他に、感光基を有さない他の芳香族ジアミン
化合物が配合されているモノマーから得られるポ
リアミドは、その光硬化物(膜)の耐熱性が安定
化または向上するので好ましく、さらに、感光基
を有さない他の芳香族ジアミン化合物として、ケ
トン基を有する芳香族ジアミン化合物が配合され
ているモノマーから得られたポリアミドは、光硬
化膜を形成する際の光に対する感度が向上するの
で好ましい。 なお、この発明では、芳香族ジアミン化合物以
外のジアミン化合物、例えば、脂肪族ジアミンな
どを使用されていると、そのようなモノマー組成
から、この発明の目的に合うポリアミドが得られ
なかつたり、あるいは重合でポリマーが得られた
としても、そのポリアミドが有機溶媒に不溶性で
ゲル化しやすいので好ましくなく、実質的に脂肪
族ジアミン化合物が、芳香族ジアミン成分中に配
合されていないモノマーから得られたポリアミド
であることが最適である。 前記の感光基を有する芳香族ジアミン化合物と
しては、光などの照射によつて架橋することがで
きる感光基、例えば、エチレン基、アクリロイル
基などの炭素−炭素不飽和基を有する芳香族ジア
ミン化合物などであればよく、具体的には、3,
5−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸エステ
ル、2,4−ジアミノ安息香酸エチルアクリル酸
エステル、3,5−ジアミノ安息香酸エチルメタ
クリル酸エステル、2,4−ジアミノ安息香酸エ
チルメタクリル酸エステル、3,5−ジアミノ安
息香酸グリシジルアクリレートエステル、2,4
−ジアミノ安息香酸グリシジルアクリレートエス
テル、3,5−ジアミノ安息香酸グリシジルメタ
クリレートエステル、2,4−ジアミノ安息香酸
グリシジルメタアクリレートエステル、3,5−
ジアミノ安息香酸ケイ皮エステル、2,4−ジア
ミノ安息香酸ケイ皮エステルなどの安息香酸エス
テル類、3,5−ジアミノベンジルアクリレー
ト、3,5−ジアミノベンジルメタクリレートな
どのベンジルアクリレート類、4−アクリルアミ
ド−3,4′−ジアミノジフエニルエーテル、2−
アクリルアミド−3,4′−ジアミノジフエニルエ
ーテル、4−シンナムアミド−3,4′−ジアミノ
ジフエニルエーテル、3,4′−ジアクリルアミド
−3′,4′−ジアミノジフエニルエーテル、3,
4′−シンナムアミド−3′,4−ジアミノジフエニ
ルエーテル、4−メチル−2′−カルボキシエチル
メタクリル酸エステル−3,4′−ジアミノジフエ
ニルエーテル〔「カルボキシエチルメタクリル酸
エステル」、CH2=C(CH3)COO・CH2CH2
OOC−を示す。〕などのジフエニルエーテル類な
どの「2個のアミノがベンゼン環に直接結合して
いると共に、光重合性炭素−炭素不飽和基を有す
る感光基が前記のアミノ基との結合個所とは異な
る位置でベンゼン環に直接結合している芳香族ジ
アミン」を好適に挙げることができ、さらに4,
4′−ジアミノカルコン、3,3′−ジアミノカルコ
ン、3,4′−ジアミノカルコン、3′,4−ジアミ
ノカルコン、4′−メチル−3′,4−ジアミノカル
コン、4′−メトキシ−3′,4−ジアミノカルコ
ン、3′−メチル−3,5−ジアミノカルコンなど
のカルコン類を挙げるとができる。 また、芳香族ジアミン成分として使用される感
光基を有さない他の芳香族ジアミン化合物として
は、例えば、パラフエニレンジアミン、メタフエ
ニレンジアミン、2,4−ジアミノトルエン、
4,4′−ジアミノフエニルエーテル、4,4′−ジ
アミノシフエニルメタン、o−トリジン、1,4
−ビス(4−アミノフエノキシ)ベンゼン、2,
2−ビス(4−アミノフエノキシフエニル)プロ
パン、o−トルジンスルホンなどを挙げることが
できる。 さらに、芳香族ジアミン成分として使用される
感光基を有さない他の芳香族ジアミン化合物は、
前述の他の芳香族ジアミン化合物に加えて、ある
いは代わりに、ケトン基を有する増感性能を有す
る芳香族ジアミン化合物が配合されていてもよ
く、そのようなケトン基を有する芳香族ジアミン
化合物としては、例えば、9,9−ビス(4−ア
ミノフエニル)−10−アンスロン、1,5−ジア
ミノアントラキノン、1,4−ジアミノアントラ
キノン、3,3′−ジアミノベンゾフエノン、4′−
N,N−ジメチルアミノ−3,5−ジアミノベン
ゾフエノン、1−ジメチルアミノ−4−(3,5
−ジアミノベンゾイル)ナフタレンなどを挙げる
ことができる。 なお、前述の感光基をする芳香族ジアミンにお
いて、ジアミノジフエニルエーテル類、ジアミノ
安息香酸エステル類、及びジアミノベンジルアク
リレート類は、新規化合物であり、その合成法と
しては、例えば、次に示すような方法を挙げるこ
とができる。 (1) ジアミノジフエニルエーテル類の合成法 (モノ又はジ)アセチルアミド−ジニトロフ
エニルエーテルを加水分解して得られる(モノ
又はジ)アミノ−ジニトロフエニルエーテル
と、アクリル酸クロリドなどとを反応させ、次
いで反応物を還元することによつて、目的とす
る芳香族ジアミン化合物を合成する方法を挙げ
ることができる。 (2) ジアミノ安息香酸エステル類の合成法 ジニトロ安息香酸クロリドと、ヒドロキシエ
チルメタクリレートなどとを反応させ、次いで
反応物を還元することによつて、目的とする芳
香族ジアミン化合物を合成する方法を挙げるこ
とができる。 (3) ジアミノベンジルアクリレート類の合成法 ジニトロベンジルアルコールと、アクリ酸ク
ロリドなどとを反応させ、次いで反応物を還元
することによつて、目的とする芳香族ジアミン
化合物を合成する方法を挙げることができる。 この発明の感光性ポリアミドは、前述のジカル
ボン酸成分と、感光基を有する芳香族ジアミン化
合物を含有する芳香族ジアミン成分とを、大略等
モル使用して、公知の重合方法と同様の重合条件
(例えば、有機極性溶媒中、約100℃以下、特に好
ましくは0〜80℃、さらに好ましくは5〜60℃の
重合温度、0.1〜48時間の重合時間など)で、共
重合して得られる高分子量の共重合体からなる有
機溶媒に対して可溶性である感光性ポリアミドで
ある。 この発明の感光性ポリアミドは、ポリアミドの
濃度が、0.5g/100ml(N−メチル−2−ピロリ
ドン)である希薄溶液を使用して、30℃の温度で
測定し、算出された対数粘度が、0.1〜2.0、特に
0.2〜1.5程度の範囲内にあるものが好ましい。 この発明の感光性ポリアミドは、レリーフパタ
ーンの形成材料として使用する場合は、有機溶媒
に溶解された溶液として、使用される。 その有機溶媒としては、この明の感光性ポリア
ミドの製造に使用された重合溶媒と同様の有機極
性溶媒を使用することができ、例えば、N,N−
ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセト
アミド、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチル
スルホキシド、ヘキサメチレンホスホルアミド、
ジグライムなどを挙げることができる。 前記の感光性ポリアミドの溶液としては、好ま
しいポリマー濃度が、約5〜30重量%、特に8〜
25重量%である。 また、上記の感光性ポリアミドの溶液は、必要
に応じて、増感剤および光重合開始剤、エチレン
性不飽和基を有する光重合(架橋)可能な化合
物、無機充填剤(例えば、雲母、タルク、沈降性
硫酸バリウム、アルミナ、シリカゲル、炭酸カル
シウムなど)、および着色願料・染(フタロシア
ニングリーン、ブリリアントグリーン、ビクトリ
アブルーなど)を含有していてもよい。 前記の光重合開始剤としては、例えば、ミヒラ
ーズケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエー
テル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイ
ソプロピルエーテル、2−ターシヤリ−ブチルア
ントラキノン、1,2−ベンゾ−9,10−アント
ラキノン、4,4′−ビス(ジエチルアミノ)ベン
ゾフエノン、アセトフエノン、ベンゾフエノン、
チオキサントン、1,5−アセナフテンなどを挙
げることができ、その添加量は、感光性ポリアミ
ド100重量部に対して、約0.1〜10重量部程度であ
ることが好ましい。また、前記の増感剤として
は、N,N−ジメチルアントラニル酸メチル、オ
ルソー又はパラーN,N−ジメチル安息香酸エチ
ルなどを挙げることができ、その添加量は、感光
性ポリアミド100重量部に対して、約0.05〜10重
量部、特に好ましくは0.1〜5.0重量部程度である
ことが好ましい。 この発明の感光性ポリアミドは、上記のように
感光性ポリアミドの溶液を調製することによつ
て、次のような操作で、レリーフパターンを形成
することができる。 すなわち、まず、前記の感光性ポリアミドの溶
液を、例えば、回転塗布機で、配線基板などの表
面に塗布し、溶液の塗布膜を形成し、その塗布膜
を、約150℃以下、好ましくは100℃以下で、常圧
または減圧下に乾燥して有機溶媒を除去して、感
光性ポリアミドの被膜を形成する。 前述の基板上の感光性ポリアミドの被膜に、ネ
ガ型のフオトマスクチヤートを置き、紫外線、可
視光線、電子線、X線などの活性光線を照射し
て、感光性ポリアミド被膜の一部を光硬化させ
る。 次いで、未露光で未光硬化部分を現像液で洗い
流すことによりポリアミドの光硬化膜からなるレ
リーフパターンを形成するのである。 前記の現像液としては、前述のポリアミドの重
合用、またはポリアミドの溶液用の有機極性溶媒
が、そのまま使用できることは言までもないこと
であり、特に、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2
−ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ヘキサメ
チレンホスホルアミド、ジグライムなどの溶剤ま
たは、該溶剤とメタノール、エタノールとの混合
溶媒を使用することができる。 この発明の感光性ポリアミドは、有機溶媒への
溶解性に優れており、しかも感光性も優れている
ポリアミドであり、さらに、この感光性ポリアミ
ドを光硬化した光硬化膜は、耐熱性、電気的及び
機械的特性において優れたものであり、それらの
性質によつて、半導体工業における固体素子の絶
縁体膜や、パツシベーシヨン膜として有効な光硬
化膜を形成することができ、ハイブリツト回路や
プリント回路などの多層配線構造の絶縁膜や、ソ
ルダーレジストとして用いることができる。 また、この発明の感光性ポリアミドは、光透過
性および光硬化性(感光性)に優れているので、
厚みのある硬化層を形成することができ、従つ
て、凸版印刷用のレリーフパターンの形成用にも
使用することができる。 以下に、この発明の感光性ポリアミドの製造に
用いられる芳香族ジアミン化合物の合成例、この
発明の感光性ポリアミドの製造を示す実施例、お
よびこの発明の感光性ポリアミドの光硬化性など
を示す種々の物性試験及びその結果を示す。 実施例 1〜6 第1表に示すような種類の「芳香族ジカルボン
酸類6.4mmol(ミリモル)および脂環族または脂
肪族ジカルボン酸類6.4mmolからなるジカルボン
酸成分」が、N−メチル−2−ピロリドン10mlに
溶解している溶液を、第1表に示すような種類の
「感光基を有する芳香族ジアミン化合物12.8mmol
(実施例1〜4および)」、または「感光基を有す
る芳香族ジアミン化合物10.24mmolとその他の芳
香族ジアミン化合物2.56mmol(実施例5)」から
なる「芳香族ジアミン成分」が、N−メチル−2
−ピロリドン20mlに溶解している溶液に、約5℃
に冷却した状態で、一度に加えた。その混合の直
後に、その混合溶液は、約27℃まで温度が上昇し
たが、その後約5℃に30分間、次いで25℃で1時
間維持されて、重合反応が行われた。 前述のように重合反応を1.5時間継続した後、
重合反応液に、N−メチル−2−ピロリドン30ml
を加えて希釈し、さらに、水1とメタノール1
の混合溶媒中に糸状に流し込み、再沈澱させ、
ポリマーを濾過して回収した。その後、そのポリ
マーを、撹拌ミキサー中に入れて、メタノール
250mlと水250mlとの混合溶媒で、2回洗浄して、
再度、濾過して回収し、白色粉末状のポリマーを
得た。 上記の実施例1〜6で得られたポリアミドにつ
いて、下記の(i)〜(vi)に示す物性試験を行つた。そ
の結をそれぞれ第2表に示す。 (i) ポリアミドの対数粘度 ポリアミドの濃度が、0.5g/100ml(N−メ
チル−2−ピロリドン)である希薄溶液を使用
して、30℃の温度で測定した。 (ii) ポリアミドの成膜性 この発明の感光性ポリアミドの溶液をガラス
板上に流延して塗膜を形成し、その塗膜を乾燥
して、厚約10μのポリアミドフイルムをガラス
板上に作成し、このフイルムを水に浸してガラ
ス板から剥離し、180゜に折り曲げても、クラツ
クのない場合を○とし、クラツクのできる場合
を△とし、製膜時にクラツクを生じてしまうも
のを×とした。 (iii) ポリアミドの溶解性 この発明の感光性ポリアミドが、常温におい
て、N−メチル−2−ピロリドンに対してどの
程度溶解するかという溶解性を測定し、その結
果を重量%で示した。 (iv) ポリアミドの光硬化膜の熱分解温度 理学電気(株)社製の差動熱天秤TG−DSCによ
り、この発明のポリアミドを加熱した際の重量
の減量の開始温度を測定した。 (v) ポリアミドの光硬化性 ポリアミド100重量部のN−メチル−2−ピ
ロリドン溶液(ポリマー濃度;15重量%)にミ
ヒラーズケトン4重量部を添加した溶液を調製
し、ガラスエポキシ銅張積層板にバーコーター
により塗布し、80℃で1時間乾燥し、ポリアミ
ド被膜を形成した。 このポリアミド被膜について、下記の光感度
及び解像力、半田耐熱性の試験を行つた。 光感度 上記のポリアミド被膜を超高圧水銀灯(オー
ク社製、ジエツトライト 2kw)を用いて、
照度10.5mw/cm2(350nm)で照射し、その
被膜を光硬化させ、光硬化によつて被膜が固
化するまでの光照射量(J/cm2)を測定し
た。 解像力 上記の被膜について、最小線幅が0.075mmの
テストチヤートを用いて、レリーフパターン
を形成し、そのパターンの良否を判定した。 (vi) 半田耐熱性 この発明のポリアミドの溶液をガラスエポキ
シ銅張板に塗布して乾燥して形成されたポリア
ミド被膜を、超高圧水銀灯(オーク社製、ジエ
ツトライト 2kw)を用いて、3J/cm2の露光を
して、光硬化した後、その光硬化膜の形成され
たガラスエポキシ銅張板を260℃の溶融半田浴
中に30秒間浸漬し、その後、その光硬化膜の状
況を観察し、さらに、クロスカツト100×100の
碁盤目による接着性のテストを行つて、その結
果を%で示した。
【表】
【表】
【表】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 芳香族ジカルボン酸類と、脂環族または脂肪
    族ジカルボン酸類とのモル比が2:8〜9:1の
    範囲内である、感光基を有していないジカルボン
    酸類の混合物を、全カルボン酸成分の90モル%以
    上含有するジカルボン酸成分と、光重合性炭素−
    炭素不飽和基を含む感光基を有する芳香族ジアミ
    ン化合物、または、光重合性炭素−炭素不飽和基
    を含む感光基を有する芳香族ジアミン化合物と感
    光基を有していない他の芳香族ジアミン化合物と
    のモル比が3:7以上である芳香族ジアミン化合
    物の混合物からなる芳香族ジアミン成分との共重
    合体からなる有機溶媒可溶性である感光性ポリア
    ミド。
JP12755484A 1984-06-22 1984-06-22 感光性ポリアミド Granted JPS617328A (ja)

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JPH0680155A (ja) * 1992-08-27 1994-03-22 Nec Yamagata Ltd 半導体装置用エンボスキャリアテープ

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