JPS6253445B2 - - Google Patents
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- JPS6253445B2 JPS6253445B2 JP54162321A JP16232179A JPS6253445B2 JP S6253445 B2 JPS6253445 B2 JP S6253445B2 JP 54162321 A JP54162321 A JP 54162321A JP 16232179 A JP16232179 A JP 16232179A JP S6253445 B2 JPS6253445 B2 JP S6253445B2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
Description
本発明は酸化物磁性材料に関し、特に磁気ヘツ
ド用に適したMnZnフエライト材料に関するもの
である。 磁気ヘツド用磁性材料としては金属からフエラ
イトまで種々の材料が使用されている。これらの
うち、フエライト材料は特に電気抵抗率σが大き
いため高い周波数まで透磁率μが大きいこと、耐
摩耗性がきわめて優れているため磁気テープ摺動
による損耗量が小さいことおよび化学的に安定な
物質であること等の長所を有するため今日広く実
用化されている。特に使用周波数が４〜5MHzで
あるコンピユーターあるいはVTR等の磁気ヘツ
ドではほとんどフエライト材料が用いられている
状況にある。 しかしながら、フエライト材料を用いた磁気ヘ
ツドは磁気テープを摺動した場合にノイズが大き
いという欠点がある。 本発明は上記従来材の欠点を解消し、磁気テー
プ摺動ノイズが小さな新規な酸化物磁性材料を提
供することを目的とするものである。 上記目的を達成するために本発明はMnZnのフ
エライトにY2O3を添加したことを特徴とするも
のである。 本発明において、上記MnZnフエライト母体の
組成はMnO 21〜36モル％、ZnO 13〜25モル
％、およびFe2O3 50〜56モル％からなるもので
ある。また、本発明においてY2O3の添加量は0.1
〜５％であることが望ましいが、その理由は母体
にY2O3を添加しない場合はヘツド性能の改善は
望めないこと、またその添加量が7.5％以上を越
えるとμおよびノイズ特性とも著しく低下し、磁
性材料としての性能を発揮し得ないためである。 以下、本発明を実施例に基づき詳述する。 実施例 １ MnO 29モル％、ZnO 18モル％、Fe2O3 53モ
ル％なる組成のものにY2O3を０、0.1、0.5、
1.0、3.0、5.0および7.5wt％の割合で添加し、ボ
ールミルで混合し乾燥した後900℃で３時間仮焼
し、再びボールミルで粉砕した。粉砕粉の一部は
さらにバインダーを加え造粒し、成形したのち
1380℃で６時間焼成し、多結晶フエライト材料を
得た。また、上記、粉砕粉の一部を白金ルツボに
入れ溶融したのちルツボを下降させルツボ先端か
ら徐々に冷却し単結晶フエライトを育成した。 このようにして得られた多結晶および単結晶フ
エライト材料を用いて磁気ヘツドを作りそのヘツ
ド特性を測定した。その結果を第１表および第２
表に示す。第１表は単結晶フエライトによるトラ
ツク巾60μのVTR用磁気ヘツドの出力およびノ
イズを4MHzで測定した結果である。
ド用に適したMnZnフエライト材料に関するもの
である。 磁気ヘツド用磁性材料としては金属からフエラ
イトまで種々の材料が使用されている。これらの
うち、フエライト材料は特に電気抵抗率σが大き
いため高い周波数まで透磁率μが大きいこと、耐
摩耗性がきわめて優れているため磁気テープ摺動
による損耗量が小さいことおよび化学的に安定な
物質であること等の長所を有するため今日広く実
用化されている。特に使用周波数が４〜5MHzで
あるコンピユーターあるいはVTR等の磁気ヘツ
ドではほとんどフエライト材料が用いられている
状況にある。 しかしながら、フエライト材料を用いた磁気ヘ
ツドは磁気テープを摺動した場合にノイズが大き
いという欠点がある。 本発明は上記従来材の欠点を解消し、磁気テー
プ摺動ノイズが小さな新規な酸化物磁性材料を提
供することを目的とするものである。 上記目的を達成するために本発明はMnZnのフ
エライトにY2O3を添加したことを特徴とするも
のである。 本発明において、上記MnZnフエライト母体の
組成はMnO 21〜36モル％、ZnO 13〜25モル
％、およびFe2O3 50〜56モル％からなるもので
ある。また、本発明においてY2O3の添加量は0.1
〜５％であることが望ましいが、その理由は母体
にY2O3を添加しない場合はヘツド性能の改善は
望めないこと、またその添加量が7.5％以上を越
えるとμおよびノイズ特性とも著しく低下し、磁
性材料としての性能を発揮し得ないためである。 以下、本発明を実施例に基づき詳述する。 実施例 １ MnO 29モル％、ZnO 18モル％、Fe2O3 53モ
ル％なる組成のものにY2O3を０、0.1、0.5、
1.0、3.0、5.0および7.5wt％の割合で添加し、ボ
ールミルで混合し乾燥した後900℃で３時間仮焼
し、再びボールミルで粉砕した。粉砕粉の一部は
さらにバインダーを加え造粒し、成形したのち
1380℃で６時間焼成し、多結晶フエライト材料を
得た。また、上記、粉砕粉の一部を白金ルツボに
入れ溶融したのちルツボを下降させルツボ先端か
ら徐々に冷却し単結晶フエライトを育成した。 このようにして得られた多結晶および単結晶フ
エライト材料を用いて磁気ヘツドを作りそのヘツ
ド特性を測定した。その結果を第１表および第２
表に示す。第１表は単結晶フエライトによるトラ
ツク巾60μのVTR用磁気ヘツドの出力およびノ
イズを4MHzで測定した結果である。
【表】
第２表は多結晶フエライトを用いて作成したオ
ーデイオ用磁気ヘツドの特性の測定結果である。
ヘツドのトラツク巾600μ、テープスピードは47
mm／sec、測定周波数333Hzの条件で測定した。
ーデイオ用磁気ヘツドの特性の測定結果である。
ヘツドのトラツク巾600μ、テープスピードは47
mm／sec、測定周波数333Hzの条件で測定した。
【表】
第１表および第２表からY2O3を0.1〜5.0wt％
添加したMnZnフエライト材を用いた場合には
VTR用ヘツドでもオーデイオ用ヘツドでもノイ
ズが大巾に改善されることが明らかである。 実施例 ２ 組成Ａ MnO 25モル％ ZnO 25モル％
Fe2O3 50モル％ 組成Ｂ MnO 36モル％ ZnO 14モル％
Fe2O3 50モル％ 組成Ｃ MnO 21モル％ ZnO 23モル％
Fe2O3 56モル％ 組成Ｄ MnO 31モル％ ZnO 13モル％
Fe2O3 56モル％ より成るそれぞれの母体にY2O3 1wt％添加した
各組成を実施例１と同様に作成し、単結晶フエラ
イトを得た。次にこれらのフエライトをVTR用
ヘツドに加工し特性を測定した。 その結果を第３表に示す。トラツク巾は60μヘ
ツド出力およびノイズは4MHzで測定した。
添加したMnZnフエライト材を用いた場合には
VTR用ヘツドでもオーデイオ用ヘツドでもノイ
ズが大巾に改善されることが明らかである。 実施例 ２ 組成Ａ MnO 25モル％ ZnO 25モル％
Fe2O3 50モル％ 組成Ｂ MnO 36モル％ ZnO 14モル％
Fe2O3 50モル％ 組成Ｃ MnO 21モル％ ZnO 23モル％
Fe2O3 56モル％ 組成Ｄ MnO 31モル％ ZnO 13モル％
Fe2O3 56モル％ より成るそれぞれの母体にY2O3 1wt％添加した
各組成を実施例１と同様に作成し、単結晶フエラ
イトを得た。次にこれらのフエライトをVTR用
ヘツドに加工し特性を測定した。 その結果を第３表に示す。トラツク巾は60μヘ
ツド出力およびノイズは4MHzで測定した。
【表】
第３表からY2O3の添加は、ノイズ低減に効果
のあることが明らかである。 以上詳述したごとく本発明酸化物磁性材料すな
わち、組成MnO 21〜36モル％ZnO 13〜25モル
％Fe2O3 50〜56モル％からなるものにY2O3を0.1
〜5wt％添加したMnZnフエライト材料は磁気ヘ
ツドのノイズを大巾に減少させることができるた
め、工業上の効果は大である。
のあることが明らかである。 以上詳述したごとく本発明酸化物磁性材料すな
わち、組成MnO 21〜36モル％ZnO 13〜25モル
％Fe2O3 50〜56モル％からなるものにY2O3を0.1
〜5wt％添加したMnZnフエライト材料は磁気ヘ
ツドのノイズを大巾に減少させることができるた
め、工業上の効果は大である。
Claims (1)
- １ MnO 21〜36モル％、ZnO 13〜25モル％、
Fe2O3 50〜56モル％からなるものにY2O3を0.1〜
5.0wt％添加含有せしめたMnZnフエライトである
ことを特徴とする酸化物磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16232179A JPS5688830A (en) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | Oxide magnetic material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16232179A JPS5688830A (en) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | Oxide magnetic material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5688830A JPS5688830A (en) | 1981-07-18 |
| JPS6253445B2 true JPS6253445B2 (ja) | 1987-11-10 |
Family
ID=15752300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16232179A Granted JPS5688830A (en) | 1979-12-14 | 1979-12-14 | Oxide magnetic material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5688830A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01253210A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Ngk Insulators Ltd | 多結晶フェライト材料及びその製造法 |
-
1979
- 1979-12-14 JP JP16232179A patent/JPS5688830A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5688830A (en) | 1981-07-18 |
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