JPH04193797A - 単結晶フェライト - Google Patents
単結晶フェライトInfo
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- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 15
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 14
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
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- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、VTR,特に8順ビデオ、5−VH8,ED
−βまたはビデオフロッピー等の磁気ヘッドの素材とし
て用いられる単結晶フェライトに関する。
−βまたはビデオフロッピー等の磁気ヘッドの素材とし
て用いられる単結晶フェライトに関する。
従来、VTR映像用の記録、再生用ヘッドの素材として
は、主としてM n −Z n系単結晶フェライト、M
n−Zn−8n単結晶フエライトが用いられている。と
ころが、5−VH8XED−β仕様のVTR用磁気ヘッ
ド材料としてM n −Z n系単結晶フェライト、M
n−Zn−8n単結晶フエライトを採用した場合、この
単結晶フェライトは飽和磁束密度Bsが小さく透磁率μ
も小さいため、高保磁力の媒体に対応できない等の難点
がある。
は、主としてM n −Z n系単結晶フェライト、M
n−Zn−8n単結晶フエライトが用いられている。と
ころが、5−VH8XED−β仕様のVTR用磁気ヘッ
ド材料としてM n −Z n系単結晶フェライト、M
n−Zn−8n単結晶フエライトを採用した場合、この
単結晶フェライトは飽和磁束密度Bsが小さく透磁率μ
も小さいため、高保磁力の媒体に対応できない等の難点
がある。
この点を改善するためにFe2O3の量を増加させて飽
和磁束密度Bsを向上させた単結晶フェライトが知られ
ている。
和磁束密度Bsを向上させた単結晶フェライトが知られ
ている。
しかしながら、上述のようにFe2O3の量を増加した
単結晶フェライトの場合、飽和磁束密度Bsを向上させ
ることができるが、高周波領域までの透磁率μが大幅に
低下してしまい、5−VH3,ED−β仕様のVTR用
磁気ヘッド材料に要求される飽和磁束密度5000Ga
uss以上、透磁率μ 900以上、μ 500以
上といIML 5111)+2う磁気特
性を得ることが難しいという問題点があった。
単結晶フェライトの場合、飽和磁束密度Bsを向上させ
ることができるが、高周波領域までの透磁率μが大幅に
低下してしまい、5−VH3,ED−β仕様のVTR用
磁気ヘッド材料に要求される飽和磁束密度5000Ga
uss以上、透磁率μ 900以上、μ 500以
上といIML 5111)+2う磁気特
性を得ることが難しいという問題点があった。
本発明の目的は、高周派の透磁率μを向上させ、さらに
高い飽和磁束密度Bsを有する単結晶フェライトを提供
することにある。
高い飽和磁束密度Bsを有する単結晶フェライトを提供
することにある。
前記の目的を達成するために、本発明による単結晶フェ
ライトは、50〜57mol%のF e 203に18
〜45mol%のM n Oおよび5〜25mol%の
ZnOを含んでなる単結晶フェライトに、La2O3の
式で示されるランタンイド族元素の酸化物を0.01〜
5.0重量%の割合で含有せしめたことを特徴とする。
ライトは、50〜57mol%のF e 203に18
〜45mol%のM n Oおよび5〜25mol%の
ZnOを含んでなる単結晶フェライトに、La2O3の
式で示されるランタンイド族元素の酸化物を0.01〜
5.0重量%の割合で含有せしめたことを特徴とする。
前記組成を有する本発明の単結晶フェライトは高透磁率
で、高飽和磁束密度を有するものとなる。
で、高飽和磁束密度を有するものとなる。
以下、本発明の詳細な説明する。
本実施例においては、単結晶フェライトをブリッジマン
法により製している。
法により製している。
すなわち、先ずMnO、ZnOおよびF e 203を
それぞれ28.75mol%、18.50mol%およ
び52.75mol%となるように秤量し、これらの総
和に対して1.3重量%のL a 203で示されるラ
ンタノイド族元素の酸化物を添加して、単結晶フェライ
トを製した。本実施例におけるLa Oとしては、L
a O、Nd0 、Sm O、Gd ○ 、D
y2O3およびEr2O3の6種類を用いた。
それぞれ28.75mol%、18.50mol%およ
び52.75mol%となるように秤量し、これらの総
和に対して1.3重量%のL a 203で示されるラ
ンタノイド族元素の酸化物を添加して、単結晶フェライ
トを製した。本実施例におけるLa Oとしては、L
a O、Nd0 、Sm O、Gd ○ 、D
y2O3およびEr2O3の6種類を用いた。
前記6種類の本実施例の単結晶フェライトとLa2O3
を添加していない従来の単結晶フェライトに対して、I
MHzと5 M Hzの透磁率μと、飽和磁束密度Bs
を測定して、第1表に示しである。
を添加していない従来の単結晶フェライトに対して、I
MHzと5 M Hzの透磁率μと、飽和磁束密度Bs
を測定して、第1表に示しである。
第1表かられかるように、6種類の本実施例はそれぞれ
、透磁率μIMI(z、μ5MHzおよび飽和磁束密度
Bsの少なくとも1つが従来例より優れており、磁気ヘ
ッド材料として有効である。特にSm O5Dy203
およびEr2O3を添加した3種類の本実施例の単結晶
フェライトは、両透磁率および飽和磁束密度とも従来例
よりはるかにすぐれており、効果が顕著である。これら
の3種は、5−VH8,ED−β仕様のVTR用磁気−
\ラド材料として極めて高い特性を示すものである。ま
た、Gd2O3を添加したものはμ5MH2の透磁率お
よび飽和磁束密度の点において従来例より優れており、
N d 20 aを添加したものは両透磁率の点におい
て優れており、La2O3を添加したものはμ の透
磁率の点において優れていIMHz る。
、透磁率μIMI(z、μ5MHzおよび飽和磁束密度
Bsの少なくとも1つが従来例より優れており、磁気ヘ
ッド材料として有効である。特にSm O5Dy203
およびEr2O3を添加した3種類の本実施例の単結晶
フェライトは、両透磁率および飽和磁束密度とも従来例
よりはるかにすぐれており、効果が顕著である。これら
の3種は、5−VH8,ED−β仕様のVTR用磁気−
\ラド材料として極めて高い特性を示すものである。ま
た、Gd2O3を添加したものはμ5MH2の透磁率お
よび飽和磁束密度の点において従来例より優れており、
N d 20 aを添加したものは両透磁率の点におい
て優れており、La2O3を添加したものはμ の透
磁率の点において優れていIMHz る。
なお、本発明の単結晶フェライトは前記6種類の実施例
に限定されるものではなく、好ましくは、第1図に示す
ような50〜57mol%のFe2O3の中に18〜4
5mol%のMnOおよび5〜25mol%のZnOを
含ませたM n −Z nフェライトに適用するとよく
、しかも添加するL a 203からなるランタノイド
族元素の酸化物を前記フェライトに対して0.01〜5
,0重量%とするとよい。
に限定されるものではなく、好ましくは、第1図に示す
ような50〜57mol%のFe2O3の中に18〜4
5mol%のMnOおよび5〜25mol%のZnOを
含ませたM n −Z nフェライトに適用するとよく
、しかも添加するL a 203からなるランタノイド
族元素の酸化物を前記フェライトに対して0.01〜5
,0重量%とするとよい。
本発明において、ランタノイド族元素酸化物の添加量を
0.01〜5.0重量%に限定した理由は、所定の磁気
特性を得るためである。すなわち、添加量が0.01重
量%以下であると透磁率μ、飽和磁束密度Bsの向上の
効果が現われず、添加量が5.0重量%以上であるとラ
ンタノイド族元素のイオン半径が0.861〜1.04
5八と大きいために、Fe(イオン半径0.67人)を
置換できずに結晶内に析出する現象が発生するために特
性が大幅に低下するからである。
0.01〜5.0重量%に限定した理由は、所定の磁気
特性を得るためである。すなわち、添加量が0.01重
量%以下であると透磁率μ、飽和磁束密度Bsの向上の
効果が現われず、添加量が5.0重量%以上であるとラ
ンタノイド族元素のイオン半径が0.861〜1.04
5八と大きいために、Fe(イオン半径0.67人)を
置換できずに結晶内に析出する現象が発生するために特
性が大幅に低下するからである。
なお、前記6種類以外の他のランタノイド族元素の酸化
物についても同様の磁気特性を向上させる効果がみられ
た。
物についても同様の磁気特性を向上させる効果がみられ
た。
以上述べたように本発明による単結晶フェライトは、5
0〜57+no1%のFe2O3に18〜45mol%
のMnOおよび5〜25mol%のZnOを含んでなる
単結晶フェライトに、La2O3の式で示されるランタ
ノイド族元素の酸化物を0.01〜5.0重量%の割合
で含有せしめたことにより、透磁率および飽和磁束密度
の少なくとも1つを大きく向上させることができ、高性
能のヘッド特性を有する高記録密度磁気記録用ヘッド材
として用いることができる等のきわめて優れた効果を奏
する。
0〜57+no1%のFe2O3に18〜45mol%
のMnOおよび5〜25mol%のZnOを含んでなる
単結晶フェライトに、La2O3の式で示されるランタ
ノイド族元素の酸化物を0.01〜5.0重量%の割合
で含有せしめたことにより、透磁率および飽和磁束密度
の少なくとも1つを大きく向上させることができ、高性
能のヘッド特性を有する高記録密度磁気記録用ヘッド材
として用いることができる等のきわめて優れた効果を奏
する。
以下この頁余白
第1表
添加剤 透磁率 飽和磁束密度
μIMH2μ5MH2B s (G a u s 8)
1、 な し 857
495 50242、La O1050
48450143、Nd O9976155020 4、Sm O136760952655、Gd O
7825695259 6、Dy O132554352887、Er O
14606145565
μIMH2μ5MH2B s (G a u s 8)
1、 な し 857
495 50242、La O1050
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7825695259 6、Dy O132554352887、Er O
14606145565
第1図は、本発明におけるF e 203M n 0−
ZnOのフェライト組成を示すグラフである。 出願人代理人 中 尾 俊 輔第1図 e203
ZnOのフェライト組成を示すグラフである。 出願人代理人 中 尾 俊 輔第1図 e203
Claims (1)
- 50〜57mol%のFe_2O_3に18〜45mo
l%のMnOおよび5〜25mol%のZnOを含んで
なる単結晶フェライトに、La_2O_3(式中Laは
ランタノイド族元素を表わす)の式で示されるランタノ
イド族元素の酸化物を0.01〜5.0重量%の割合で
含有せしめたことを特徴とする単結晶フェライト。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2320456A JPH04193797A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 単結晶フェライト |
KR1019910020661A KR950007165B1 (ko) | 1990-11-22 | 1991-11-20 | 단결정 페라이트 |
DE4138466A DE4138466C2 (de) | 1990-11-22 | 1991-11-22 | Einkristallferrit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2320456A JPH04193797A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 単結晶フェライト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04193797A true JPH04193797A (ja) | 1992-07-13 |
Family
ID=18121653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2320456A Pending JPH04193797A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 単結晶フェライト |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04193797A (ja) |
KR (1) | KR950007165B1 (ja) |
DE (1) | DE4138466C2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11945753B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-04-02 | Rogers Corporation | Low loss power ferrites and method of manufacture |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100458677B1 (ko) * | 2002-09-09 | 2004-12-03 | 학교법인단국대학 | 유도 브릴루앙 산란 및 내부 공진기형 2차 조화파 발생을이용한 라만 레이저 발진 장치 및 방법 |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP2320456A patent/JPH04193797A/ja active Pending
-
1991
- 1991-11-20 KR KR1019910020661A patent/KR950007165B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-11-22 DE DE4138466A patent/DE4138466C2/de not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11945753B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-04-02 | Rogers Corporation | Low loss power ferrites and method of manufacture |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4138466A1 (de) | 1992-05-27 |
KR950007165B1 (ko) | 1995-06-30 |
KR920009707A (ko) | 1992-06-25 |
DE4138466C2 (de) | 1994-06-09 |
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