JPH04193797A - 単結晶フェライト - Google Patents

単結晶フェライト

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JPH04193797A
JPH04193797A JP2320456A JP32045690A JPH04193797A JP H04193797 A JPH04193797 A JP H04193797A JP 2320456 A JP2320456 A JP 2320456A JP 32045690 A JP32045690 A JP 32045690A JP H04193797 A JPH04193797 A JP H04193797A
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JP
Japan
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single crystal
crystal ferrite
oxide
ferrite
flux density
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Pending
Application number
JP2320456A
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English (en)
Inventor
Takao Mizushima
隆夫 水嶋
Tomoyoshi Komura
朋美 小村
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Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/26Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
    • C04B35/2658Other ferrites containing manganese or zinc, e.g. Mn-Zn ferrites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/133Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores composed of particles, e.g. with dust cores, with ferrite cores with cores composed of isolated magnetic particles
    • HELECTRICITY
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    • H01F1/01Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、VTR,特に8順ビデオ、5−VH8,ED
−βまたはビデオフロッピー等の磁気ヘッドの素材とし
て用いられる単結晶フェライトに関する。
〔従来の技術〕
従来、VTR映像用の記録、再生用ヘッドの素材として
は、主としてM n −Z n系単結晶フェライト、M
n−Zn−8n単結晶フエライトが用いられている。と
ころが、5−VH8XED−β仕様のVTR用磁気ヘッ
ド材料としてM n −Z n系単結晶フェライト、M
n−Zn−8n単結晶フエライトを採用した場合、この
単結晶フェライトは飽和磁束密度Bsが小さく透磁率μ
も小さいため、高保磁力の媒体に対応できない等の難点
がある。
この点を改善するためにFe2O3の量を増加させて飽
和磁束密度Bsを向上させた単結晶フェライトが知られ
ている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上述のようにFe2O3の量を増加した
単結晶フェライトの場合、飽和磁束密度Bsを向上させ
ることができるが、高周波領域までの透磁率μが大幅に
低下してしまい、5−VH3,ED−β仕様のVTR用
磁気ヘッド材料に要求される飽和磁束密度5000Ga
uss以上、透磁率μ  900以上、μ  500以
上といIML        5111)+2う磁気特
性を得ることが難しいという問題点があった。
本発明の目的は、高周派の透磁率μを向上させ、さらに
高い飽和磁束密度Bsを有する単結晶フェライトを提供
することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記の目的を達成するために、本発明による単結晶フェ
ライトは、50〜57mol%のF e 203に18
〜45mol%のM n Oおよび5〜25mol%の
ZnOを含んでなる単結晶フェライトに、La2O3の
式で示されるランタンイド族元素の酸化物を0.01〜
5.0重量%の割合で含有せしめたことを特徴とする。
〔作 用〕
前記組成を有する本発明の単結晶フェライトは高透磁率
で、高飽和磁束密度を有するものとなる。
〔実施例〕
以下、本発明の詳細な説明する。
本実施例においては、単結晶フェライトをブリッジマン
法により製している。
すなわち、先ずMnO、ZnOおよびF e 203を
それぞれ28.75mol%、18.50mol%およ
び52.75mol%となるように秤量し、これらの総
和に対して1.3重量%のL a 203で示されるラ
ンタノイド族元素の酸化物を添加して、単結晶フェライ
トを製した。本実施例におけるLa  Oとしては、L
a  O、Nd0  、Sm  O、Gd  ○ 、D
y2O3およびEr2O3の6種類を用いた。
前記6種類の本実施例の単結晶フェライトとLa2O3
を添加していない従来の単結晶フェライトに対して、I
MHzと5 M Hzの透磁率μと、飽和磁束密度Bs
を測定して、第1表に示しである。
第1表かられかるように、6種類の本実施例はそれぞれ
、透磁率μIMI(z、μ5MHzおよび飽和磁束密度
Bsの少なくとも1つが従来例より優れており、磁気ヘ
ッド材料として有効である。特にSm O5Dy203
およびEr2O3を添加した3種類の本実施例の単結晶
フェライトは、両透磁率および飽和磁束密度とも従来例
よりはるかにすぐれており、効果が顕著である。これら
の3種は、5−VH8,ED−β仕様のVTR用磁気−
\ラド材料として極めて高い特性を示すものである。ま
た、Gd2O3を添加したものはμ5MH2の透磁率お
よび飽和磁束密度の点において従来例より優れており、
N d 20 aを添加したものは両透磁率の点におい
て優れており、La2O3を添加したものはμ  の透
磁率の点において優れていIMHz る。
なお、本発明の単結晶フェライトは前記6種類の実施例
に限定されるものではなく、好ましくは、第1図に示す
ような50〜57mol%のFe2O3の中に18〜4
5mol%のMnOおよび5〜25mol%のZnOを
含ませたM n −Z nフェライトに適用するとよく
、しかも添加するL a 203からなるランタノイド
族元素の酸化物を前記フェライトに対して0.01〜5
,0重量%とするとよい。
本発明において、ランタノイド族元素酸化物の添加量を
0.01〜5.0重量%に限定した理由は、所定の磁気
特性を得るためである。すなわち、添加量が0.01重
量%以下であると透磁率μ、飽和磁束密度Bsの向上の
効果が現われず、添加量が5.0重量%以上であるとラ
ンタノイド族元素のイオン半径が0.861〜1.04
5八と大きいために、Fe(イオン半径0.67人)を
置換できずに結晶内に析出する現象が発生するために特
性が大幅に低下するからである。
なお、前記6種類以外の他のランタノイド族元素の酸化
物についても同様の磁気特性を向上させる効果がみられ
た。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明による単結晶フェライトは、5
0〜57+no1%のFe2O3に18〜45mol%
のMnOおよび5〜25mol%のZnOを含んでなる
単結晶フェライトに、La2O3の式で示されるランタ
ノイド族元素の酸化物を0.01〜5.0重量%の割合
で含有せしめたことにより、透磁率および飽和磁束密度
の少なくとも1つを大きく向上させることができ、高性
能のヘッド特性を有する高記録密度磁気記録用ヘッド材
として用いることができる等のきわめて優れた効果を奏
する。
以下この頁余白 第1表 添加剤       透磁率      飽和磁束密度
μIMH2μ5MH2B s (G a u s 8)
1、 な    し       857      
495       50242、La  O1050
48450143、Nd  O9976155020 4、Sm  O136760952655、Gd  O
7825695259 6、Dy  O132554352887、Er  O
14606145565
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明におけるF e 203M n 0−
ZnOのフェライト組成を示すグラフである。 出願人代理人  中  尾  俊  輔第1図 e203

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 50〜57mol%のFe_2O_3に18〜45mo
    l%のMnOおよび5〜25mol%のZnOを含んで
    なる単結晶フェライトに、La_2O_3(式中Laは
    ランタノイド族元素を表わす)の式で示されるランタノ
    イド族元素の酸化物を0.01〜5.0重量%の割合で
    含有せしめたことを特徴とする単結晶フェライト。
JP2320456A 1990-11-22 1990-11-22 単結晶フェライト Pending JPH04193797A (ja)

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