JPH0244099A - 単結晶フェライト、それを用いた磁気ヘッド及び単結晶フェライトの製造方法 - Google Patents
単結晶フェライト、それを用いた磁気ヘッド及び単結晶フェライトの製造方法Info
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- JPH0244099A JPH0244099A JP63261731A JP26173188A JPH0244099A JP H0244099 A JPH0244099 A JP H0244099A JP 63261731 A JP63261731 A JP 63261731A JP 26173188 A JP26173188 A JP 26173188A JP H0244099 A JPH0244099 A JP H0244099A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、ＶＴＲ等の磁気ヘット用材料として好適なＭ
ｎ −Ｚｎ単結晶フェライト材料及びその製造方法に関
するものである。また、それを用いた磁気ヘッドに関す
るものである。
ｎ −Ｚｎ単結晶フェライト材料及びその製造方法に関
するものである。また、それを用いた磁気ヘッドに関す
るものである。
〔従来の技術］
磁気ヘッド用材料の中のフェライト材料は、電気抵抗率
が大きく、高周波域まで透磁率μが大きいこと、耐摩耗
性が極めて良いため磁気テープ摺動による損耗量が小さ
いこと、及び化学的に安定な物質であること等の長所を
有するために広く実用化されている。特に使用周波数が
４〜５ＭＩＩｚであるＶＴ［１等の磁気ヘッドではほと
んどフエライト材料が用いられている状況にある。そし
てＶＴＲの磁気ヘッド材料としては１例えば特公昭５７
−６１７１８号公報などに提案されているような、Ｓｎ
ｕｇを添加析出させ、テープ摺動ノイズを低減させた単
結晶フェライトが示されている。
が大きく、高周波域まで透磁率μが大きいこと、耐摩耗
性が極めて良いため磁気テープ摺動による損耗量が小さ
いこと、及び化学的に安定な物質であること等の長所を
有するために広く実用化されている。特に使用周波数が
４〜５ＭＩＩｚであるＶＴ［１等の磁気ヘッドではほと
んどフエライト材料が用いられている状況にある。そし
てＶＴＲの磁気ヘッド材料としては１例えば特公昭５７
−６１７１８号公報などに提案されているような、Ｓｎ
ｕｇを添加析出させ、テープ摺動ノイズを低減させた単
結晶フェライトが示されている。
また、特開昭５６−８３００８号公報には、Ｆｅ、０３
を５０〜６５モル％、ＭｎＯを２５〜３５モル％、Ｚｎ
Ｏを５〜２５モル％を含むＭｎＺｎフェライト中にＳｎ
Ｏ□を重量比で０．１〜５％添加固溶させたものは５Ｍ
ＩＩｚにおける初透磁率が高くなることが示されている
。
を５０〜６５モル％、ＭｎＯを２５〜３５モル％、Ｚｎ
Ｏを５〜２５モル％を含むＭｎＺｎフェライト中にＳｎ
Ｏ□を重量比で０．１〜５％添加固溶させたものは５Ｍ
ＩＩｚにおける初透磁率が高くなることが示されている
。
これら従来の単結晶フェライトはブリッジマン法によっ
て単結晶を育成した後、そのまま磁気ヘッドコアに加工
されるか、熱処理を行う場合α−Ｆｅ２Ｏ．の析出を防
くために、１０００″Ｃ以上の温度で行うのが普通であ
った。
て単結晶を育成した後、そのまま磁気ヘッドコアに加工
されるか、熱処理を行う場合α−Ｆｅ２Ｏ．の析出を防
くために、１０００″Ｃ以上の温度で行うのが普通であ
った。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、最近、従来に増し高画質、高解像度を得
るために媒体であるテープの高ｔｉｃ化が図られてきて
いる。このようなテープの高Ｈｃ化においては、それに
対向する磁気ヘッドに用いる単結晶フェライトは特にビ
デオ帯域のハイバンド化により高周波（７〜８ＭＨｚ）
での透磁率μが高いこと、テープ摺動ノイズが小さいこ
とが要求される。
るために媒体であるテープの高ｔｉｃ化が図られてきて
いる。このようなテープの高Ｈｃ化においては、それに
対向する磁気ヘッドに用いる単結晶フェライトは特にビ
デオ帯域のハイバンド化により高周波（７〜８ＭＨｚ）
での透磁率μが高いこと、テープ摺動ノイズが小さいこ
とが要求される。
これらの要求に対し、従来用いられてきた前記単結晶フ
ェライトでは、５ＭＨｚ程度の周波数域まで比較的高い
透磁率を持つものの、７〜８ＭＩＩｚのように高い周波
数においては透磁率の低下が大きい。
ェライトでは、５ＭＨｚ程度の周波数域まで比較的高い
透磁率を持つものの、７〜８ＭＩＩｚのように高い周波
数においては透磁率の低下が大きい。
本発明は、上記従来材では上記技術動向に対応が難しい
ため、ヘッドの高周波帯域での出力の向上とテープ摺動
ノイズの低減を図る為高周波での透磁率が高く、またテ
ープ摺動ノイズの小さい画期的な新規の単結晶フェライ
ト材料及びその製造方法を提供することを目的とするも
のである。
ため、ヘッドの高周波帯域での出力の向上とテープ摺動
ノイズの低減を図る為高周波での透磁率が高く、またテ
ープ摺動ノイズの小さい画期的な新規の単結晶フェライ
ト材料及びその製造方法を提供することを目的とするも
のである。
また、本発明においては、かかる単結晶フェライトを用
いた磁気ヘッドを提供するものである。
いた磁気ヘッドを提供するものである。
一般に透磁率μの高い材料を得るには、結晶磁気異方性
定数Ｋ ＋ ＝ ０ 、磁歪定数λ −％−０近傍組成
を選ぶことで可能であるが、もう一つの手段として育成
されたＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトを熱処理することで
μの２次ピーク温度を移動させる方法がある。デバイス
に使用される温度範囲において温度変化に伴なうμの変
化が大きい場合、例えばＶＴＩＩではヘッド出力の低下
または摺動ノイズの増大となる。したがって、温度に伴
なうμの変化を小さくし、かつμの高い材料を得ること
が重要である。
定数Ｋ ＋ ＝ ０ 、磁歪定数λ −％−０近傍組成
を選ぶことで可能であるが、もう一つの手段として育成
されたＭｎ−Ｚｎ単結晶フェライトを熱処理することで
μの２次ピーク温度を移動させる方法がある。デバイス
に使用される温度範囲において温度変化に伴なうμの変
化が大きい場合、例えばＶＴＩＩではヘッド出力の低下
または摺動ノイズの増大となる。したがって、温度に伴
なうμの変化を小さくし、かつμの高い材料を得ること
が重要である。
そこで本発明者らは、上記μの温度特性に着目し酸化錫
を添加固溶せしめた単結晶フェライトの熱処理について
詳細に検討した結果、酸化錫を析出せしめることなく高
周波でのμが高く、μの２次ピーク温度が０度未満とμ
の温度特性が良好でかつテープ摺動ノイズの小さな熱処
理条件を新規に見い出したものである。
を添加固溶せしめた単結晶フェライトの熱処理について
詳細に検討した結果、酸化錫を析出せしめることなく高
周波でのμが高く、μの２次ピーク温度が０度未満とμ
の温度特性が良好でかつテープ摺動ノイズの小さな熱処
理条件を新規に見い出したものである。
すなわち本発明においてＭｎ −Ｚｎ単結晶フェライト
母体の組成（ＭｎＯ，ＺｎＯ，ＦｅｚＯｔ）がモル％で
Ａ（２６，２４，５０）、Ｂ （２２，２４，５４）。
母体の組成（ＭｎＯ，ＺｎＯ，ＦｅｚＯｔ）がモル％で
Ａ（２６，２４，５０）、Ｂ （２２，２４，５４）。
Ｃ（２２，２２，５６）、Ｄ （３３，１１，５６）。
Ｅ（３９，１１，５０）の各点を直線で結んだＡＢ、Ｂ
Ｃ，ＣＤ、ＤＥ及びＥＡで囲まれた範囲内からなるもの
に酸化錫を０１５〜４ｗｔ％添加固溶せしめたもので、
高周波（８ＭＩＩｚ）の透磁率μが３００以上で、かつ
μの第２次ピーク温度が０度未満でありテープ摺動ノイ
ズが５ｄＢ以下と小さい特性を有することを特徴とする
ものである。
Ｃ，ＣＤ、ＤＥ及びＥＡで囲まれた範囲内からなるもの
に酸化錫を０１５〜４ｗｔ％添加固溶せしめたもので、
高周波（８ＭＩＩｚ）の透磁率μが３００以上で、かつ
μの第２次ピーク温度が０度未満でありテープ摺動ノイ
ズが５ｄＢ以下と小さい特性を有することを特徴とする
ものである。
本発明の単結晶フェライトは、単結晶の育成後、４００
〜９５０°Ｃの温度で、酸素量が０．５％以下の雰囲気
中で熱処理することによって、高周波における透磁率が
３００以上とすることが出来ろ。
〜９５０°Ｃの温度で、酸素量が０．５％以下の雰囲気
中で熱処理することによって、高周波における透磁率が
３００以上とすることが出来ろ。
また、結晶育成を１５％以上の酸素の雰囲気中で行い、
最終段階で０．５％以下の酸素の雰囲気にするとヘマタ
イトの析出を防止できるので望ましい。
最終段階で０．５％以下の酸素の雰囲気にするとヘマタ
イトの析出を防止できるので望ましい。
ここで上記組成範囲を限定した理由は、ＦｅｚＯ３遣が
５０モル％未満またはＺｎＯＢｉが１１モル％未満では
μの第２次ピーク温度が０度以上となりμの温度特性が
悪いためである。またＦｅｚＯ３債が５６モル％を越え
るものまたはＺｎＯ’ＰＪが２４モル％を越えるもので
は熱処理効果は充分期待できるのであるが、熱処理時の
雰囲気及び保持時間の管理等に難かしさかあるため、好
ましくは上記ＦｅｚＯ３５６モル％以下、Ｚｎ０２４モ
ル％以下が良い。
５０モル％未満またはＺｎＯＢｉが１１モル％未満では
μの第２次ピーク温度が０度以上となりμの温度特性が
悪いためである。またＦｅｚＯ３債が５６モル％を越え
るものまたはＺｎＯ’ＰＪが２４モル％を越えるもので
は熱処理効果は充分期待できるのであるが、熱処理時の
雰囲気及び保持時間の管理等に難かしさかあるため、好
ましくは上記ＦｅｚＯ３５６モル％以下、Ｚｎ０２４モ
ル％以下が良い。
また酸化錫の添加量は０．５〜４ｗｔ％が望ましいがそ
の理由は、母体に酸化錫を添加しない場合はヘッド性能
の改善が望めないこと、酸化錫が０以上０．５ｗＬ％未
満ではヘッド性能は若干向上するがμの第２次ピーク温
度が０度以上となりμの温度特性が悪くなる。さらに４
ｗｔ％を越えると飽和磁束密度及びμ特性低下が著しい
ためである。
の理由は、母体に酸化錫を添加しない場合はヘッド性能
の改善が望めないこと、酸化錫が０以上０．５ｗＬ％未
満ではヘッド性能は若干向上するがμの第２次ピーク温
度が０度以上となりμの温度特性が悪くなる。さらに４
ｗｔ％を越えると飽和磁束密度及びμ特性低下が著しい
ためである。
結晶育成後の熱処理温度は４００〜９５０°Ｃとする必
要がある。４００°Ｃ未満ではμ（８ＭＨｚ）の向上の
効果がなく、μ（８Ｍｌｌｚ）は３００未満となる。ま
た、９５０°Ｃを越えると、μ（８ＭＩＩｚ）が８００
未満となる。熱処理は通常その効果があられれるまで行
われる。１時間以上がのぞましい。
要がある。４００°Ｃ未満ではμ（８ＭＨｚ）の向上の
効果がなく、μ（８Ｍｌｌｚ）は３００未満となる。ま
た、９５０°Ｃを越えると、μ（８ＭＩＩｚ）が８００
未満となる。熱処理は通常その効果があられれるまで行
われる。１時間以上がのぞましい。
ちなみに従来提案されている例えば特公昭５２２４９９
８号公報においては、熱処理温度が１１００°Ｃ未満の
温度ではα−ＦｅｚＯ＋ （ヘマタイト）層が析出し
脆弱な単結晶フェライトとなるため１１００°Ｃ以上を
規定している。しかし本発明では単結晶育成条件につい
ても詳細に検討を加えた結果、０□またはＡｉｒ雰囲気
で育成し、はぼ凝固完了時点で酸素を０．５％以下のＮ
２雰囲気とすることで冷却時に酸素の少ない雰囲気とし
て上記α−ＦｅｚＯ＝析出の無い単結晶を得ることが出
来た。
８号公報においては、熱処理温度が１１００°Ｃ未満の
温度ではα−ＦｅｚＯ＋ （ヘマタイト）層が析出し
脆弱な単結晶フェライトとなるため１１００°Ｃ以上を
規定している。しかし本発明では単結晶育成条件につい
ても詳細に検討を加えた結果、０□またはＡｉｒ雰囲気
で育成し、はぼ凝固完了時点で酸素を０．５％以下のＮ
２雰囲気とすることで冷却時に酸素の少ない雰囲気とし
て上記α−ＦｅｚＯ＝析出の無い単結晶を得ることが出
来た。
また特公昭５７−６１７１８号公報においては、熱処理
温度が１２Ｏ０°ＣでＳｎＯ□を析出せしめない場合に
ついても開示されている。そのように、１２Ｏ０°Ｃで
熱処理をするときにｏｚ量を０．５％以下とすると低周
波（ｋｌｌｚオーダ）のμは確かに向上するが高周波（
８ＭＩＩｚ）ではμ低下が著しく最近の新しい技術動向
に対応が難しいものとなる。
温度が１２Ｏ０°ＣでＳｎＯ□を析出せしめない場合に
ついても開示されている。そのように、１２Ｏ０°Ｃで
熱処理をするときにｏｚ量を０．５％以下とすると低周
波（ｋｌｌｚオーダ）のμは確かに向上するが高周波（
８ＭＩＩｚ）ではμ低下が著しく最近の新しい技術動向
に対応が難しいものとなる。
以下本発明を実施例により詳述する。
実施例ｌ
Ｍｎ０２９モル％、Ｚｎ０１７．５％、ＦｅｚＯ：＋
５３．５モル％なる組成のものに酸化錫を２ｗｔ％添加
し、ライカイ機で乾式混合した後１２Ｏ０″Ｃで３時間
仮焼した。その後白金ルツボに入れ温度１６５０°Ｃ１
酸素雰囲気中で育成後窒素雰囲気に切替えルツボを降下
させ先端から徐々に冷却し単結晶フェライトを得た。得
られた単結晶フェライトを温度８００Ｃ１保持時間３時
間、０□量０．１％の雰囲気で熱処理した。熱処理した
単結晶フェライトにはα−Ｆｅｚ０３及び酸化錫の析出
のないことを確認した。またＦｅｚＯ３ｆｉが５０モル
％以下であるＭｎ０３８モル％、Ｚｎ０１３モル％、Ｆ
ｅ２Ｏ３４９モル％の組成に酸化錫を２ｉｖｔ％添加し
たもの、及びＺｎＯｆＪが１１モル％以下であるＭｎ０
３４モル％、ＺｎＯ１０モル％、Ｆｅ２Ｏ３５６モル％
の組成に酸化錫を２ｗｔ％添加したものを上記条件と同
様の方法で作成比較材とした。得られた単結晶フェライ
トを用いて第２図に示すようなトラック巾２７μｍ、ギ
ャップ長さ０６３５μｍの磁気ヘッドを作成した。第２
図で１゜１′は本発明の単結晶フェライトを用いたコア
である。ヘッド特性は７ＭＩＩｚの出力および０〜１０
Ｍ１ｌｚにおけるテープ摺動ノイズを測定した。媒体で
あるテープは、ｔｉｃが９０００ｅの酸化鉄系テープを
用いた。結果を第１表に示す。
５３．５モル％なる組成のものに酸化錫を２ｗｔ％添加
し、ライカイ機で乾式混合した後１２Ｏ０″Ｃで３時間
仮焼した。その後白金ルツボに入れ温度１６５０°Ｃ１
酸素雰囲気中で育成後窒素雰囲気に切替えルツボを降下
させ先端から徐々に冷却し単結晶フェライトを得た。得
られた単結晶フェライトを温度８００Ｃ１保持時間３時
間、０□量０．１％の雰囲気で熱処理した。熱処理した
単結晶フェライトにはα−Ｆｅｚ０３及び酸化錫の析出
のないことを確認した。またＦｅｚＯ３ｆｉが５０モル
％以下であるＭｎ０３８モル％、Ｚｎ０１３モル％、Ｆ
ｅ２Ｏ３４９モル％の組成に酸化錫を２ｉｖｔ％添加し
たもの、及びＺｎＯｆＪが１１モル％以下であるＭｎ０
３４モル％、ＺｎＯ１０モル％、Ｆｅ２Ｏ３５６モル％
の組成に酸化錫を２ｗｔ％添加したものを上記条件と同
様の方法で作成比較材とした。得られた単結晶フェライ
トを用いて第２図に示すようなトラック巾２７μｍ、ギ
ャップ長さ０６３５μｍの磁気ヘッドを作成した。第２
図で１゜１′は本発明の単結晶フェライトを用いたコア
である。ヘッド特性は７ＭＩＩｚの出力および０〜１０
Ｍ１ｌｚにおけるテープ摺動ノイズを測定した。媒体で
あるテープは、ｔｉｃが９０００ｅの酸化鉄系テープを
用いた。結果を第１表に示す。
表から、試料１での熱処理したものは高周波でのμが向
上し、μの第２次ピーク温度も一４５°Ｃと低温側にあ
りヘッド特性も大巾に改善されることが明らかである。
上し、μの第２次ピーク温度も一４５°Ｃと低温側にあ
りヘッド特性も大巾に改善されることが明らかである。
またＦｅ２Ｏ，が４９モル％及びＺｎＯが１０モル％の
ものは、ｕ （８ＭＩＩｚ ）は充分に高いのであるが
、μの第２次ピークが室温付近にありμの温度特性が悪
くヘッド特性も良くない。
ものは、ｕ （８ＭＩＩｚ ）は充分に高いのであるが
、μの第２次ピークが室温付近にありμの温度特性が悪
くヘッド特性も良くない。
実施例２
実施例１に用いたＭｎ０２９モル％、ＺｎＯ１７，５モ
ル％、ＦｅｚＯ３５３，５モル％なる組成のものに、酸
化錫を０．０．１，０．５，２，５，７ｗｔ％の割合で
添加し、実施例１と同様の方法で単結晶フェライトを作
成し、実施例１と同様の方法で熱処理及び磁気ヘッドを
作成しヘッド特性を測定した。
ル％、ＦｅｚＯ３５３，５モル％なる組成のものに、酸
化錫を０．０．１，０．５，２，５，７ｗｔ％の割合で
添加し、実施例１と同様の方法で単結晶フェライトを作
成し、実施例１と同様の方法で熱処理及び磁気ヘッドを
作成しヘッド特性を測定した。
第２表
表から、ヘッド特性が良好でμの第２次ピーク温度が０
度未満でありμ特性を低下させない酸化錫の添加量は、
０．５〜４ｗｔ％にする必要のあることが知れる。
度未満でありμ特性を低下させない酸化錫の添加量は、
０．５〜４ｗｔ％にする必要のあることが知れる。
実施例３
実施例１に用いたＭｎ０２９モル％、ＺｎＯ１７，５モ
ル％、ＦｅｚＯｚ ５３．５モル％なる組成のものに、
酸化錫を２ｗｔ％添加し実施例１と同様の方法で単結晶
フェライトを作成した。その後３００〜１２Ｏ０’Ｃ１
０□量０．００１〜３％の範囲で熱処理を行い実施例Ｉ
と同様の磁気ヘッドを作成しヘッド特性を測定した。得
られた試料の特性値を第３表に示す。
ル％、ＦｅｚＯｚ ５３．５モル％なる組成のものに、
酸化錫を２ｗｔ％添加し実施例１と同様の方法で単結晶
フェライトを作成した。その後３００〜１２Ｏ０’Ｃ１
０□量０．００１〜３％の範囲で熱処理を行い実施例Ｉ
と同様の磁気ヘッドを作成しヘッド特性を測定した。得
られた試料の特性値を第３表に示す。
表から、温度４００〜９５０°Ｃの範囲、０□量０．５
％以下で熱処理すると８ＭＨｚのμが向上し、ヘッド特
性も良好となることが知れる。また熱処理温度が９５０
°Ｃを越えるものは、μの第２次ピーク温度は上昇して
室温に近づくが、μの絶対値が低下してしまうことが知
れた。
％以下で熱処理すると８ＭＨｚのμが向上し、ヘッド特
性も良好となることが知れる。また熱処理温度が９５０
°Ｃを越えるものは、μの第２次ピーク温度は上昇して
室温に近づくが、μの絶対値が低下してしまうことが知
れた。
実施例４
組成ＡＭｎ０２６モル％ Ｚｎ０２４モル％ＦｅｚＯ３
５０モル％ 組成りＭｎ０２２モル％ Ｚｎ０２４モル％ＦｅｚＯ３
５４モル％ 組成ＣＭｎ０２２モル％ Ｚｎ０２２モル％ＦｅｚＯ，
、５６モル％ 組成りＭｎ０３３モル％ Ｚｎ０１１モル％ＦｅｚＯ：
＋ ５６モル％ 組成ＥＭｎ０３９モル％ ＺｎＯ１１モル％ＦｅｚＯ：
＋ ５０モル％ の組成において、酸化錫を２ｗｔ％添加し実施例１と同
様の方法で単結晶フェライトを育成し、その後温度８０
０ ’Ｃ１０□量０．５％雰囲気中で熱処理を３時間行
った。得られた単結晶フェライトを実施例１と同様の方
法で磁気ヘッドを作成した。結果を第４表に示す。
５０モル％ 組成りＭｎ０２２モル％ Ｚｎ０２４モル％ＦｅｚＯ３
５４モル％ 組成ＣＭｎ０２２モル％ Ｚｎ０２２モル％ＦｅｚＯ，
、５６モル％ 組成りＭｎ０３３モル％ Ｚｎ０１１モル％ＦｅｚＯ：
＋ ５６モル％ 組成ＥＭｎ０３９モル％ ＺｎＯ１１モル％ＦｅｚＯ：
＋ ５０モル％ の組成において、酸化錫を２ｗｔ％添加し実施例１と同
様の方法で単結晶フェライトを育成し、その後温度８０
０ ’Ｃ１０□量０．５％雰囲気中で熱処理を３時間行
った。得られた単結晶フェライトを実施例１と同様の方
法で磁気ヘッドを作成した。結果を第４表に示す。
第４表
第４表から、Ａ−Ｅの組成は高周波でのμが高く、かつ
μの第２次ピーク温度も０度未満となりμの温度特性が
良いことが知れ、ヘット特性も良好であることが知れる
。
μの第２次ピーク温度も０度未満となりμの温度特性が
良いことが知れ、ヘット特性も良好であることが知れる
。
以上詳述したごとく本発明の単結晶フェライト、すなわ
ち組成（ＭｎＯ，ＺｎＯ，ＦｅｚＯ：＋）がモル％でＡ
（２６，２４，５０）、Ｂ （２２，２４，５４）。
ち組成（ＭｎＯ，ＺｎＯ，ＦｅｚＯ：＋）がモル％でＡ
（２６，２４，５０）、Ｂ （２２，２４，５４）。
Ｃ（２２，２２，５６）、Ｄ （３３，１１，５６）
。
。
Ｅ（３９，１１，５０）の各点を直線で結んだＡＢ、Ｂ
Ｃ，ＣＤ、ＤＥおよびＥＡで囲まれた範囲内からなるも
のに、酸化錫を０．５〜４ｗｔ％添加固溶させ、更に温
度４００〜９５０°Ｃで０□量０．５％の雰囲気中で熱
処理することにより酸化錫を析出せしめることなく高周
波のμが高く、かつμの温度特性が良好でヘッド特性を
大巾に改善できることから、ＶＴＲ等のヘッドとして有
効な材料である。
Ｃ，ＣＤ、ＤＥおよびＥＡで囲まれた範囲内からなるも
のに、酸化錫を０．５〜４ｗｔ％添加固溶させ、更に温
度４００〜９５０°Ｃで０□量０．５％の雰囲気中で熱
処理することにより酸化錫を析出せしめることなく高周
波のμが高く、かつμの温度特性が良好でヘッド特性を
大巾に改善できることから、ＶＴＲ等のヘッドとして有
効な材料である。
第１図は本発明の詳細な説明するための組成マツプ図、
第２図は本発明の磁気ヘッドの斜視図である。 第２図
第２図は本発明の磁気ヘッドの斜視図である。 第２図
Claims (4)
- （１）主たる組成（ＭｎＯ，ＺｎＯ，Ｆｅ＿２Ｏ＿３）
がモル％でＡ（２６，２４，５０）Ｂ（２２，２４，５
４）Ｃ（２２，２２，５６）Ｄ（３３，１１，５６）Ｅ
（３９，１１，５０）の各点を直線で結んだＡＢ，ＢＣ
，ＣＤ，ＤＥ及びＥＡで囲まれた範囲内からなるものに
酸化錫を０．５〜４ｗｔ％添加固溶せしめた単結晶フェ
ライトにおいて、透磁率の第２次ピーク温度が０度未満
で、高周波領域である８ＭＨｚの透磁率が３００以上で
、テープ摺動ノイズが５ｄＢ以下と少ないことを特徴と
する単結晶フェライト。 - （２）請求項（１）記載の単結晶フェライトを磁気コア
として用いたことを特徴とする磁気ヘッド。 - （３）ＭｎＺｎフェライト単結晶の育成後、熱処理を温
度４００〜９５０℃、Ｏ＿２量０．５％以下の雰囲気中
で行うことを特徴とする請求項（１）記載の単結晶フェ
ライトの製造方法。 - （４）結晶育成雰囲気を１５％以上のＯ＿２から最終段
階で０．５％以下のＯ＿２含有量にすることでヘマタイ
トの析出を防止することを特徴とする請求項（３）記載
の単結晶フェライトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63261731A JPH0244099A (ja) | 1988-04-14 | 1988-10-18 | 単結晶フェライト、それを用いた磁気ヘッド及び単結晶フェライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-91922 | 1988-04-14 | ||
| JP9192288 | 1988-04-14 | ||
| JP63261731A JPH0244099A (ja) | 1988-04-14 | 1988-10-18 | 単結晶フェライト、それを用いた磁気ヘッド及び単結晶フェライトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244099A true JPH0244099A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=26433355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63261731A Pending JPH0244099A (ja) | 1988-04-14 | 1988-10-18 | 単結晶フェライト、それを用いた磁気ヘッド及び単結晶フェライトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244099A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425002A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｍｎ―Ｚｎ単結晶フェライトおよび磁気ヘッド |
| JPH0461102A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｍｎ―Ｚｎフェライト単結晶および磁気ヘッド |
| EP0540264A2 (en) * | 1991-10-28 | 1993-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording apparatus |
| US5241692A (en) * | 1991-02-19 | 1993-08-31 | Motorola, Inc. | Interference reduction system for a speech recognition device |
| US5629100A (en) * | 1992-11-20 | 1997-05-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Non-magnetic single crystal Mn--Zn ferrite for floating type magnetic heads |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP63261731A patent/JPH0244099A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425002A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｍｎ―Ｚｎ単結晶フェライトおよび磁気ヘッド |
| JPH0461102A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｍｎ―Ｚｎフェライト単結晶および磁気ヘッド |
| US5241692A (en) * | 1991-02-19 | 1993-08-31 | Motorola, Inc. | Interference reduction system for a speech recognition device |
| EP0540264A2 (en) * | 1991-10-28 | 1993-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording apparatus |
| US5627804A (en) * | 1991-10-28 | 1997-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording apparartus including a magnetic head having a core composed of a single crystal ferrite material |
| US5629100A (en) * | 1992-11-20 | 1997-05-13 | Ngk Insulators, Ltd. | Non-magnetic single crystal Mn--Zn ferrite for floating type magnetic heads |
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