JPS6253000A - 半導体の実装構造 - Google Patents

半導体の実装構造

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JPS6253000A JP60192663A JP19266385A JPS6253000A JP S6253000 A JPS6253000 A JP S6253000A JP 60192663 A JP60192663 A JP 60192663A JP 19266385 A JP19266385 A JP 19266385A JP S6253000 A JPS6253000 A JP S6253000A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は大形コンピュータ等の電子機器に使用される多
層配線基板に関し、特に樹脂系の多層配線基板上での半
導体の実装構造に関するものである。
従来の技術 従来、この種の多層配線基板は、これを使用する大形コ
ンピュータなどの電子機器の高性能化、高速化に伴い、
配線の高密度化が要求され、近年高い絶縁性と微細な加
工の容易さを有し、かつ比誘電率の低いポリイミド系樹
脂を使用した多層配線基板が開発された。しかしながら
、このポリイミド系樹脂は硬度および抗張力が不十分の
ため、表面のボンディングパッド上に半導体チップのリ
ードまたは接続ワイヤを熱圧着してボンディングする際
に、この熱圧着時の圧力によってポリイミド絶縁膚の表
面にへこみが生じて正常なボンディングができないばか
りでなく、更に下層の配線層にも影響を与え、配線不良
の原因にもなるという次点があった。この対策として第
２図に示すようにボンディングパッド１８と配線層１５
との間にＣｕ、Ｎｉなどのメタル層１６を介在させる構
造が考えられた。（例えば特願昭５８−２４９４８８号
）しかしながら、上述のメタル層を設けることは、多層
配線基板を形成する層数が増加して、基板全体にかかる
ストレスがふえるという欠点があり、またボンディング
パッドと配線層との間にメタルｌがあるため配線層とポ
ンディングパ、−とを結ぶ配線ルートが制限されるとい
う欠点があった。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、上記の欠点、すなわちポリイミド層が
変形しやすいとか、これを防ぐためにメタル層を用いる
と、層数が増え、ストレスが生じ、また配線ルートが制
限を受けるといり問題点を解決した半導体の実装構造を
提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明は上述の問題点を解決するためＫ、多層配線基板
の上面の少なくとも一層を硬質の無機化合物の微粉末を
混入したポリイミドによって形成し、かつ表面に半導体
チップを実装するためのボンディングパッドを設けたポ
リイミド多層配線基板に、半導体チップを熱圧着によっ
て実装する構成を採用するもので帝る。
作用 本発明は上述のように構成したので、ポリイミド多層配
線基板上のボンディングパッド上に半導体チップのリー
ドまたは接続ワイヤを熱圧着する場合、少くとも最上層
に硬度の高い無機化合物混入ｌがあるため、表面にへこ
みなどの変形が起ることがない。
実施例 次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
本発明の一実施例を断面図で示す第１図を参照すると、
本発明の半導体の実装構造は、セラミック基板１上にポ
リイミド樹脂２と薄膜選択めっき法による配線パターン
３とが多層に形成され、その最上層はシリカまたはアル
ミナなどの粉末を混入したポリイミド層４であり、更に
その表面に半導体チップ８実装のためのボンディングパ
ッド５が形成されたポリイミド多層基板１３と、このボ
ンディングパッド５上に半導体チップ８が実装された構
造になっている。また、セラミック基板１の上面には導
体パターン１２が形成されており、裏面には入出力用ピ
ン１１が形成され、導体パターン１２と入出力用ピン１
１とは電気的に接続されている。
ポリイミド多層基板１３の表面には、シリコンシート７
を介して半導体チップ８を、更にその上に冷却板１０が
実装され、半導体チップ８と冷却板１０との間隙には良
熱伝導性のコンパウンド９が充填され、半導体チップ８
で発生した熱が冷却板１０を介して放熱されるようにな
っている。また、半導体チック８はリード６を介してボ
ンディングパッド５に接続されていて、リード６とボン
ディングパッド５は熱圧着によってボンディングされて
いる。つまり半導体チップ８はリード６゜ボンディング
パッド５．配線３．導体パターン１２゜人出用ピン１１
を介して外部の装置と電気的に接続されることになる。
ここでボンディングパッド５の直下の絶縁層はシリカま
たはアルミナ粉末を混入したポリイミド４で形成されて
いるので、リード６とボンディングパッド５との熱圧着
時の圧力などに対して充分な硬度及び抗張力を持ってい
る。そのため、従来必要としていたボンディングパッド
５と配線３との間のメタル層を削除することができる。
なお本実施例では、ポリイミド多層基板と半導体チップ
との間にシリコンシートを有し、半導体チップの上方に
冷却板を有し、かつ入出力用ピンが基板の下面に出た構
造で説明したが、第２図の従来の例と同様に半導体チッ
プをポリイミド多層基−板に直接接触させ、また冷却板
をもたない構造でも、さらに入出力用端子を端部にもつ
構造でも同様に夾施できる。さらに硬質微粉末入りポリ
イミド層は一層でなく数層にしても差支えない。
発明の効果 以上に説明したように、本発明によれば、表面に導体パ
ターンが形成された基板の上層の少なくとも一層をシリ
カもしくはアルミナなどの硬質の無機化合物の微粉末を
混入したポリイミド層とし、薄膜選択めっき法による配
線パターンとポリイミドとで多層化された多層配線基板
を使用することにより、高密度化、高速化に有利なポリ
イミド多層配線基板の層数を最小限に抑えて、熱圧着に
よって表面にへこみを生ずることなく、半導体を実装す
ることができるという効果がある。１
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
技術の一例を示す断面図である。 １．１４°゛°°°゛セラミック基板、２．１７・・・
・・・ポリイミド、３．１５・・・・・・配線、４・・
・・・・硬質無機粉末入りポリイミド、５．１８・・・
・・・ボンディングパラ）”、６．１９・・・・・・リ
ード、７・・・・・・シリコンシート、８．２０・・・
・・・チップ、９・・・・・・コンパウンド、１ｏ・・
・・・・冷却板、１１・・・・・・入出力用ヒン、１２
・・・・・・導体パターン、１３・・・・・・ポリイミ
ド多層基板、１６・・・・・・メタル膚。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　多層配線基板の表面上に形成されるボンディングパッ
    ドと、前記多層配線基板上に実装される半導体チップと
    がリードもしくはワイヤを介して熱圧着によって電気的
    に接続される半導体の実装構造において、前記多層配線
    基板をポリイミド系樹脂と薄膜選択めっき法による配線
    パターンとによって多層化し、最上面の少なくとも一層
    を硬質の無機化合物の微粉末を混入したポリイミドによ
    って形成したことを特徴とする半導体の実装構造。
JP60192663A 1985-08-31 1985-08-31 半導体の実装構造 Granted JPS6253000A (ja)

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JPH0573079B2 JPH0573079B2 (ja) 1993-10-13

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