JPS6247848A - 光磁気デイスク - Google Patents

光磁気デイスク

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JPS6247848A
JPS6247848A JP18890785A JP18890785A JPS6247848A JP S6247848 A JPS6247848 A JP S6247848A JP 18890785 A JP18890785 A JP 18890785A JP 18890785 A JP18890785 A JP 18890785A JP S6247848 A JPS6247848 A JP S6247848A
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Katsuhiko Yorozu
雄彦 萬
Mikihiko Ito
幹彦 伊藤
Junya Tada
多田 準也
Takehiko Sato
佐藤 威彦
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、光磁気ディスク、特に光磁気記録媒体層を
保護する保護膜を有する光磁気ディスクに関するもので
ある。
「従来の技術」 レーザ光を使用して情報の記録、再生及び消去を行なう
光磁気ディスクは、高密度の情報の記録が可能であシ、
且つ情報の消去や追加記録が出来るので、各方向に広く
使用されている。
この種の光磁気ディスクの光磁気記録媒体としては、T
b−Fe系、Tb−Fe−Co系、 Gd−Tb−Fe
系のものなどが使用されているが、いずれのものも、酸
化などのITrt蝕件の面で充分ではない。
このために、光磁気ディスクにおいて光磁気記録媒体層
を保護するための各種の手段が提案されている。
例えば光磁気記録媒体を不活性ガスを充填した膜間に挾
持させ、光磁気記録媒体の作成時における酸素の混入を
防止し、さらに最上層に容易に酸化し易い金属膜を形成
し、外部からの酸素はこの金属膜を酸化させることに費
して酸素の混入を防止する方法が提案されている(特開
昭59−110052号)。さらには、光磁気記録媒体
と基板間:CK 素を取り込んで安定化する還元性の誘
電体膜を形1成し、この誘電体膜の存在で、光磁気記録
媒体J)酸化を防止しようとする方法も提案されている
(特開昭59−110056号)。又、光磁気記録媒体
をA7 、 Bi’ 、 Pbなどの非通気性で防湿効
果の高い保護膜で保護する方式のものが提案されている
(特開昭58−80142号)。
しかし提案されているいずれの方法によっても、空気中
の湿気や油分及び水分の存在する雰囲気での、光磁気記
録媒体の酸化や腐蝕からの防止は不充分である。このた
めに実用面では、このような雰囲気での光磁気記録媒体
の長時間にわたる使用に際しては、光磁気記録媒体が劣
化して、記録条件が変化し、記録情報のドロップアウト
の問題や、C7’lq比の低下などの問題が完全には解
決されていなかった。
「発明の解決すべき問題点」 この発明は、従来提案されている光磁気ディスクにおけ
る光磁気記録媒体の保護上の欠点を解決し、非通気性及
び非透湿性の保護膜で光磁気記録媒体を保護し、全体の
膜構造が簡単で作成上の成膜工程数が少なく製造技術も
複雑化せず、優れた光磁気記録再生特性を有する光磁気
ディスクを提供するものである。
光磁気記録媒体層としては、TbFe 、 GdCo 
TbCo 、 DyCo 、 TbFeCo 、 Gd
TbFe 、 GdFeCo 。
TbDyFe 、 GdTbDyFe 、 TbDyF
eCoなどの希土類遷移金属合金薄膜や、これらにSn
 、 Zn 、 Ge 、 Pb 。
Si+ Bl + B r Crなどを添加含有させた
希土類遷移金属合金薄膜が用いられ、これらの薄膜が例
えば1000Åの膜厚に真空蒸着やス・ぐツタリングの
手段によシ形成される。
この発明の保護膜ではXが0.6以下であると、均質で
透明な保護膜が形成されない。又Xが1.3よシも大き
な値をとると酸素が過剰となり、この過剰な酸素が光磁
気記録媒体層の形成時に光磁気記録媒体層内に混入して
得られる光磁気ディスクの光磁気記録再生特性を劣化さ
せる。
又この過剰な酸素の存在によって、光磁気記録媒体層の
成膜工程において所望の真空度への到達時間が延長し、
光磁気ディスクの生産性が低下する。
保護膜の膜厚が1000Å以下であると、長時間使用状
態での非通気性及び非透湿性を維持することが出来なく
なり、得られる光磁気ディスクの光磁気記録再生特性が
長時間の使用状態で劣化する。
一方、保護膜の膜厚が500OX以上になると、保護膜
内における熱拡散が増大し、光磁気記録時におけるレー
ザ光の出力を増大させる必要が生じる。
この発明の光磁気ディスクでは、二種の膜構成のものが
提示される。第一の膜構成は第1図に示すように、透明
基板1上に直接光磁気記録媒体層2が形成され、この光
磁気記録媒体層2上に保護膜3が形成された構成である
第2の膜構成は第2図に示すように透明基板1上に第1
の保護膜3−1が形成され、この第1の保護膜3−1上
に光磁気記録媒体層2が形成され、この光磁気記録媒体
層2上に第2の保護膜3−2が形成された構成である。
この第2図に示すような二重保護膜構成にすると、第1
の保護膜3−1は情報の読み出し光の内、光磁気記録媒
体層2を通過した光を反射し、この光を光磁気記録媒体
層2内で多重反射させるのでファラデ効果によって読み
出し用反射光のカー回転角度が増大し、再生C/′N比
を向上させる効果も得られる。
「実施例」 以下、この発明の光磁気ディスクを、その実施例に基づ
き製造法に沿って詳細に説明する。
第1表に実施例1乃至実施例5及び比較例1乃至比較例
20として、それぞれ保護膜の組成、膜厚、初期C/N
比及び経時Cハ比を示したのは、第1図に示すような一
層膜構成の保護膜を有する構成の光磁気ディスクである
各実施例は、組成上及び膜厚上でこの発明の条件を満足
している光磁気ディスクであり、それぞれの実施例に対
応して示される比較例は、組成上もしくは膜厚上でこの
発明の条件を満足していない光磁気デスクである。
第1表に示す各実施例及び比較例では第1区に示すよう
に、厚さ1.2閣のソーダガラスの透明基板1上に高周
波スパフタリングの手段により、直第  1  表 第1表 接Tb021FeO,55co0.24なる組成の光磁
気記録媒体層2を膜厚1000Xに形成し、この光磁気
記録媒体層2上に高純度酸素ガスを導入しながら高周波
ス・ぐツタリングの手段により、保護膜を形成した。
またいずれの実施例もしくは比較例の光磁気ディスクに
おいても、記録周波数2MHz (RBW 30kHz
 )レーザパワー6mWで記録が行なわれ、再生レーザ
パワー1mWで再生が行なわれた。記録直後に再生した
場合のCハ比が第1表中の初期C/N比(dB)であシ
、光磁気ディスクを温度60℃、90%RH雰囲気中に
1000時間放置した後に再生を行なって得られたC/
’N比が経時C/’N比である。
実施例1乃至実施例5はいずれも第1図に示す膜構成の
保護膜を膜厚2000Xに形成した場合であるが、実施
例1乃至実施例5はそれぞれ組成がGd01.。、Tb
01o、Dy01.。、HoO及びYb01oの保1.
0 護膜を形成した場合である。
それぞれの実施例における発明者等が実測して得た初期
C/N比及び経時C/’N比は、実施例1では49 (
dB)及び48(dB)、実施例2ではいずれも50(
dB)、実施例3ではいずれも48 (dB) 、実施
例4ではいずれも47(dB)、実施例5では49(d
B)及び48 (dB)である。
いずれの実施例のものでも保護膜3の存在によシ長期の
耐久性に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有する光
磁気ディスクが得られていることが確認される。
比較例1,5,9,13及び17は、それぞれ実施例1
.2,3,4及び5に対応する組成成分の保護膜におい
て、この発明の組成条件に対して酸素が不足している場
合である。即ち、比較例1゜5.9,13及び17は、
保護膜の組成がそれぞれGd006.Tb0o3.Dy
0cL3.HOO及びYb0o3であり、いずれもx 
= 0.3でちって、この発明の0.6≦x<1.3の
条件を満足していない。いず九の比較例においても保護
膜の膜厚は2000Xであり、膜厚の面ではこの発明の
条件は満足されているう発明者等の実測した初期Cハ比
、及び経時C/N比は、比較例1では、47 (dB)
及び31 (dB) 、、比較例5でば48(dB)及
び30(dB)、比較例9でば47 (aB)及び25
(dB)、比較例13では48 (dB)及び25(d
B)、比較例17では48 (dB)及び30 (dB
)である。
いずれの比較例でも長期の耐久性に優れ安定した光磁気
記録再生特性を有する光磁気ディスクが得られていない
。これは、これらの比較例では酸素がこの発明の条件に
対して不足しているために均質で透明な保護膜3が得ら
れていないためである。
比較例2,6,10.14及び18は、それぞれ実施例
1,2,3.4及び5に対応する組成成分の保護膜にお
いて、この発明の組成条件に対して酸素が過剰に存在す
る場合である。即ち、比較例2,6,10.14及び1
8における保護膜の膜厚はいずれも2000Xで、この
発明の膜厚条件を満足している。しかしいずれの比較例
も保護膜の組成は、それぞれGdO,,5,Tb0,5
. Dy0,5 +Hoe、、5及びYb015であり
、x = 1.5であってこの発明の組成条件0.6 
<x <1.3を満足していない。
これらの比較例においては、この過剰な酸素が光磁気記
録媒体層の形成時に、光磁気記録媒体層内に混入するた
めに、光磁気ディスクの光磁気記録再生特性が劣化して
いる。
発明者等が実測した初期C/N比及び経時C席比は、比
較例2に対して41 (dB)及び22(dB)、比較
例6に対して41 (dB)及び20 (dB) 、比
較例10に対して42 (dB)及び22 (dB) 
、比較例14に対して42てdB)及び21 (dB)
 、比較例18に対して4](dB)及び22 (dB
)でちる。
いずれの比較例においても長期の耐久性に劣り9蝋した
光磁気記録再生特性を有する光磁気ディスクが得られて
いない。これは、過剰な酸素が光磁気記録媒体層の形成
時に光磁気記録媒体層内に混入するため、光磁気ディス
クの光磁気記録再生特性が劣化しているためである。ま
たこれらの比較例においては、過剰な酸素の存在によっ
て光磁気記録媒体層の成膜工程において所望の真空度へ
の到達時間が延長し、光磁気ディスクの生産性が低下す
るという難点もある。
比較例3,7,11,15及び19は、保護膜の組成が
それぞれGd01o、 Tb○i、o l Dy01.
011(oOt。、及びYbO,、。であシ、この発明
の組成条件を満足しているが、保護膜の膜厚がいずれも
500Xであって、この発明の膜厚条件を満足せずに膜
厚が薄い場合である。
これらの各実施例に対して発明者等の実測した初期C,
IN比及び経時C席比は、比較例3については48 (
aB)及び33 (dB) 、比較例7については49
 (dB)及び32 (dB) 、比較例11について
は51 (dB)及び34 (dB) 、比較例15に
ついては50(dB)及び32(dB)、比較例19に
ついては51 (dB)及び31 (dB)であり、い
ずれの比較例でも光磁気ディスクが充分な光磁気記録再
生特性を有していない。これは保護膜が500Xと10
00Å以下であるために、長時間使用状態での非通気性
及び非透湿性を維持することが出来ず、長時間の使用状
態で光磁気ディスクの光磁気記録再生特性が劣化してい
るためである。
比較例4,8,12.16及び20は、保護膜の組成は
この発明の組成条件を満足しているが、保護膜の膜厚が
いずれも7000Xであって、この発明の膜厚条件を満
足せず厚過ぎる場合である。
即ち、それぞれの比較例4,8,12.16及び20に
おける保護膜の組成は、それぞれGd01o。
’rbo、、。l Dye、、。l Hoelo及びY
bO,。であり、いずれもこの発明の組成条件0.6<
x<1.3を満足している。
これらの各比較例に対して発明者等の実測した初期C,
’N比及び経時C外孔は、それぞれ比較例4でば42 
(dB)及び23(aB)、比較例8では46(dB)
及び22(dB)、比較例12でば43 (dB)及び
28(aB)、比較例16では42 (dB)及び26
 (dB)、比較例20でば40(dB)及び26 (
dB)であり、いずれの比較例も保護膜の膜厚が700
0Xと厚過ぎるために、い比が全般的に低下し、光磁気
ディスクの光磁気記録再生特性が劣化している。
またこれらの比較例では、保護膜の膜厚が7000Xと
厚い保護膜内における熱拡散が増大し、光磁気記録時に
おけるレーザ光の出力を増大させる必要が生じる場合も
ある。
第2表において、実施例6乃至10及び比較例21乃至
40とし、その保護膜の組成、膜厚、初期C/N比及び
経時い比をそれぞれ示したのは、この発明の光磁気ディ
スクの実施例及びそれぞれの実施例に対応して組成上も
しくは膜厚上でこの発明の条件を満足しない比較例とし
ての光磁気ディスクである。
第2表に示すそれぞれの光磁気ディスクは、いずれも第
2図に示すような膜構成を有するものであり、透明基板
1上に、第1の保護膜3−1を形成し、この第1の保護
膜3−1上に光磁気記録媒体層2を形成し、この光磁気
記録媒体層2上に第2の保護膜3−2を形成した膜構成
のものである。
第2表に示す実施例6乃至10は、いずれも保護膜の膜
厚が2000Xであり、保護膜の組成はそれぞれ、Gd
01.。、 Tb01.。、 Dye、、。、 Hoe
、、。及びYb01.。であって、膜厚の面でも組成の
面でもこの発明の条件を満足している。
発明者等が実測したこれらの実施例に対する初期CA比
及び経時Cハは、実施例6ではいずれも第  2  表 第2表 、−・・−・ 50 (dB) 、実施例7では51 (dB)及び5
o(dB)、実施例8ではいずれも48 (dB) 、
実施例9ではいずれも49(dB、) 、実施例10で
ば50 (dB)及び49 (dB)であり、保護膜3
−1.3−2の存在によって長期の耐久性に優れ且つ安
定した光磁気記録再生特性を有する光磁気ディスクが得
られていることが確認される。
第2表の比較例21.25,29.33及び37は、保
護膜の膜厚は2000Xで発明の膜厚条件を満足してい
るが、それぞれの実施例に対応する組成がそれぞれGd
0113.Tb00.3.Dyoo3.Hooo3゜y
boo、3であり、X=03であってこの発明の組成条
件を満足せず、酸素が発明の組成条件に対して不足して
いる場合である。
発明者等の実測したこれらの比較例に対する初期C/′
N比及び経時C/N比は、比較例21では49(dB)
及び32 (dB) 、比較例25では49 (dB)
及び31 (dB) 、比較例29では48 (dB)
及び31(dB)、比較例33では47 (dB)及び
31 (dB)、比較例37でば48 (dB)及び2
5 (dB)であり、いずれも長期の耐久性の面で劣シ
安定した光磁気記録再生特性を有する光磁気ディスクが
得られていない。
これらの比較例では、酸素がこの発明の組成条件に対し
て不足しているみ、−従、づて均質で透明な保護膜3−
1.3−2が得られていないために、長期の耐久性に優
れ安定した光磁気記録再生特性が得られない。
第2表中の比較例22,26,30.34及び38ば、
保護膜の膜厚はいずれも2000^であってこの発明の
膜厚条件を満足しているが、保護膜3−1.3−2の組
成がそれぞれ、GdO,,5,Tb0,51Dy015
.Ho01.5及びYb01,5であり、x=1.5で
あってこの発明の組成条件に対して酸素が過剰に存在す
る。
発明者等の実測によると、それぞれの比較例に対して得
られる初期C/IN比及び経時C/N比は、比較例22
では、42 (dB)及び23(dB)、比較例26で
は42 (dB)及び23 (dB) 、比較例30で
は42(aB)及び23 (dB) 、比較例34では
42 (dB)及び21 (dB) 、比較例38では
4 i (dB)及び20 (dB)である。いずれの
比較例でも長期の耐久性の面で劣シ安定した光磁気記録
再生特性を有する光磁気ディスクは得られない。
これらの比較例では過剰な酸素が光磁気記録媒体層の形
成時に、光磁気記録媒体層内に混入するため、光磁気デ
ィスクの光磁気記録再生特性が劣化しているためである
。これらの比較例においては、過剰な酸素の存在によっ
て光磁気記録媒体層の成膜工程において、所望の真空度
への到達時間が延長し光磁気ディスクの生産性が低下す
るという難□点もある。
第2表の比較例23.27.31.35及び39は、保
護膜の組成がそれぞれ、Gd01.。、 Tb01.。
。 D’!01.。* Ha O1,0及びYbO,、。で
あり、x=1.0であって組成上は、この発明の条件を
満足している。しかし、いずれの比較例も膜厚が500
Xで、この発明の膜厚条件の下限値1000X以下であ
るために、膜厚の面で、この発明の条件を満足していな
い。
発明者によシ測定された、これらの比較例に対する初期
い比及び経時C岸比は、比較例23に対しては、49 
(dB)及び33 (dB) 、比較例27に対しては
、51 (dB)及び33 (dB) 、比較例31に
対しては49 (dB)及び32(dB)、比較例35
に対しては50(dB)及び33 (dB) 、比較例
39に対しては50 (dB)及び31 (dB)であ
り、いずれの比較例の光磁気ディスクも充分な光磁気記
録再生特性を有していない。
これは、保護膜が500Xと発明の膜厚条件の下限値1
000X以下であるために、長時間使用状態での非通気
性及び非透過性を維持することは出来ず、長時間の使用
状態では光磁気ディスクの光磁気記録再生特性が劣化し
ているためである。
比較例24,28.32’、36及び40は、それぞれ
保護膜3−1.3−2の組成が、Gdolo。
Tb01o、Dy01o、Ho01o及びYbO4゜で
あシ、X=1.0であってこの発明の組成条件を満足し
ている。
しかしいずれの比較例も保護膜の膜厚が7000Xであ
り、この発明の膜厚条件の上限値5000Xを越えてい
る。
これらの比較例に対して発明者等が実測して得た初期C
/′N比及び経時C/IV比は、それぞれ比較例24に
対しては43 (dB)及び25 (dB) 、比較例
28に対しては41 (dB)及び22(dB)、比較
例32に対しては43 (dB)及び21 (aB) 
、比較例36に対しては42 (dB)及び20 (d
B) 、比較例40に対しては40 (dB)及び21
 (dB)である。いずれの比較例でも、保護膜3−1
.3−2が厚過ぎるために、C/N比が全般的に低下し
、光磁気ディスクの光磁気記録再生特性が劣化している
。一方、これらの実施例では、保護膜の膜厚が7000
Xと厚いために、保護膜内における熱拡散が増大し、光
磁気記録時におけるレーザ光の出力を増大させる必要が
生じる。
第3表に実施例11及び12とこれらの実施例にそれぞ
れ対応する比較例41乃至52として、それぞれ保護膜
の組成、膜厚、初期C/’N比、及び経時い比を示した
のは、それぞれ第1図及び第2図に示すような膜構成の
光磁気ディスクでちる。
各実施例は、組成上及び膜厚上で、この発明の条件を満
足している光磁気ディスクであり、それ第  3  表 ぞれの比較例は、組成上もしくは膜厚上でこの発明の条
件を満足していない光磁気ディスクである。
実施例11と比較例41乃至44の光磁気ディスクは、
第1図に示すように厚さ1.2 ramのソーダガラス
の透明基板1上に、高周波スパツタリングの手段によ)
、直接TbQ、21FeO,55co0.24なる組成
の光磁気記録媒体層2を膜厚1000Xに形成し、この
光磁気記録媒体層2上に高純度酸素ガスを導入しながら
、高周波スパツタリングの手段によシ保護膜3を歪形成
した構成を有する。
また実施例12と比較例45乃至52の光磁気ディスク
は、同様にして第2図に示すような膜構成を有し、光磁
気記録媒体層を挾むようにして保護膜3−1.3−2が
形成された構成を有する。
第3表中のいずれの実施例もしくは比較例においても、
記録周波数2 MHz (RBW 30 kHz )、
レーザパワー6 mWで記録が行なわれ、再生レーザパ
ワー1 mWで再生が行なわれた。記録直後に再生した
場合のC/N比が第3表中の初期CA比(dB)であシ
、光磁気ディスクを温度60℃、90%R)(雰囲気中
に1000時間放置した後に再生を行なって得られたC
/N比が経時C州北である。
実施例11及び12は、いずれも組成がYO,、。
の保護膜を膜厚2000Xに形成した場合であり、x=
1.0であってこの発明の組成及び膜厚上の条件を満足
している。実施例11は第1図に示すような単一保護膜
構成を有し、実施例12は第2図に示すような二層保護
膜構成を有するものである。
またこれらの実施例にそれぞれ対応して、比較例41乃
至44は、第1図に示す一層保護膜構成を有し、比較例
45乃至52は、第2図に示す二層保護膜構成を有する
、 発明者等の実測の結果得られた初期C/N比及び経時C
/N比は、実施例11ではいずれも48 (dB)であ
り、実施例12ではいずれも50 (dB)である。
いずれの実施例においても保護膜の存在により長期の耐
久性に優れ、安定した光磁気記録再生特性を有する光磁
気ディスクが得られていることが確認される。
比較例41及び45は、いずれも組成がYOo3の保護
膜を膜厚2000Xに形成した場合であり、発明者等の
実測の結果得られたこれらの比較例に対する初期C/N
比及び経時C//N比は、比較例4Iでば47 (dB
)及び35 (dB) 、比較例45では、47 (d
B)及び32 (dB)である。
これらの比較例はいずれも、x = 0.3であって、
この発明の組成条件を満足せず、酸素が不足しているた
め、均質で透明な保護膜3で得られず、長期の耐久性の
面で劣シ、安定した光磁気記録再生特性が得られない。
比較例42及び46は、いずれも組成がYol、5の保
護膜を膜厚2000Xに形成した場合であり、発明者等
の実測の結果得られたこれらの比較例に対する初期C/
/′N比及び経時C州北は、比較例42でば41 (d
B)及び28 (dB)であり、比較例46では42 
(dB)及び25 (dB)である。
これらの比較例は、いずれもx = 1.5 であって
この発明の組成条件に比して酸素が過剰に存在するため
、光磁気記録媒体層の形成時の過剰なF5 Mが光磁気
記録媒体層内に混入していて、光磁気ディスクの光磁気
記録再生特性が劣化している。またこれらの比較例にお
いては、過剰な酸素の存在によって光磁気記録媒体層の
成膜工程において所望の真空度への到達時間が延長し、
光磁気ディスクの生産性が低下するという難点もある。
比較例43及び47は、いずれも組成がYOt 。
の保護膜を膜厚500Xに形成した場合であシ、x=1
.0であって組成上はこの発明の条件を満足しているが
、膜厚が500Xとこの発明の膜厚条件の下限値の10
00X以下で、発明の膜厚条件を満足していない。発明
者等が実測して得られたこれらの比較例に対する初期い
比及び経時い比は、比較例43については、47 (d
B)及び31 (dB)であシ、比較例47については
49 (dB)及び32(dB)である。
これらの比較例では、保護膜の膜厚が発明の膜厚条件の
下限値以下で薄いために、長時間使用状態での非通気性
及び非透湿性を維持することは出来ず、長時間の使用状
態で光磁気ディスクの光磁気記録再生特性が劣化してい
る。
比較例44及び48は、いずれも組成がYO1,。
の保護膜を膜厚7000Xに形成した場合であり、x 
= 1.0であって組成上ではこの発明の条件を満足し
ているが、膜厚がこの発明の膜厚条件の上限値を越えて
厚過ぎる場合である。これらの比較例に対して発明者等
の実測した初期C//′N比及び経時い比は、比較例4
4については42 (dB)及び40(dB)であり、
比較例48については41 (dB)及び38 (dB
)である。
これらの比較例では、保護膜が厚過ぎるためにC/′N
比が全般的に低下し、光磁気ディスクの光磁気記録再生
特性が劣化している。また、これらの実施例では保護膜
が厚いために、保護膜内における熱拡散が増大し、光磁
気記録時におけるレーザ光の出力を増大させる必要が生
じる。
比較例49及び50は、いずれも組成がSiOの保護膜
を第2図に示す膜構成で膜厚2000XK形成した場合
である。これらの比較例に対して発明者等が実測して得
た初期C/’N比及び経時C/N比は、比較例49では
、49 (dB)及び22(dB)、比較例50では5
2 (dB)及び26 (dB)である。このようにこ
の発明の保護膜の材質とは全く異なる材質のStOで保
護膜を形成すると、充分な光磁気記録再生特性が得られ
ず、この発明の材質が保護膜として優れた特性を有する
ことが明らかである。
比較例51及び52は、いずれも組成がS l 3N4
の保護膜を第2図に示す膜構成で膜厚2000Xに形成
した場合である。これらの比較例に対して発明者等が実
測して得た初期CA比及び経時C/’N比は、比較例5
1についてば49 (dB)及び21(dB)、比較例
52については53 (dB)及び26 (dB)であ
る。
このようにこの発明の保護膜の材質とは全く異なる材質
である5isNaで保護膜を形成すると、充分な光磁気
記録再生特性が得られず、この発明の材質が保護膜とし
て優れた特性を有することが明らかである。
各実施例においては、透明基板1上に直接光磁気記録媒
体層2を形成し、この光磁気記録媒体層2上に保護膜3
を設けたものと、透明基板1上に保護膜3−1を形成し
、この保護膜3−1上に光磁気記録媒体層2を形成し、
光磁気記録媒体層2上に保護膜3−2を形成した構成の
ものとを説明した。
しかし、この発明の光磁気ディスクは、各実施例の構成
のものに限るものではなく、例えば光磁気記録媒体層2
の透明基板1と反対側の面に形成される保護膜上にさら
に紫外線硬化樹脂を塗布した構成のものも実現可能であ
る。
或は、この発明で構成される光磁気ディスクを対向配設
し、スペーサによシ対向空間を形成し、この対向空間内
に不活性ガスを充填した構成のものも実現可能である。
「発明の効果」 以上詳細に説明したように、この発明によると透明基板
上に光磁気記録媒体層が形成される光磁気ディスクにお
いて、少なくとも光磁気記録媒体層の透明基板と反対側
の面に、組成がMOx(MはGd+ ’rb I Dy
+ Ho 、 yb及びYから選択された一元素)で表
わされ、膜厚が1000X乃至5000Xの保護膜を形
成し、0.6≦x≦1.3  なる条件を設定すること
により、光磁気記録媒体層を非通気性及び非透湿性を維
持した状態で保護し、長期耐久性を有し、成膜工程が簡
単で優れた光磁気記録再生特性を有する光磁気ディスク
を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図はそれぞれ、この発明の光磁気ディス
クの実施例の構成を示す断面図である。 1:透明基板、2:光磁気記録媒体層、3゜3−1.3
−2:保護膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 透明基板上に光磁気記録媒体層が形成され、この光磁気
    記録媒体層に光ビームを照射して情報の書き込み及び読
    み出しを行なう光磁気ディスクにおいて、少なくとも前
    記光磁気記録媒体層の前記透明基板と反対側の面に、組
    成がMO_x(MはGd、Tb、Dy、Ho、Yb及び
    Yから選択された一元素)で表わされ、膜厚が1000
    Å乃至5000Åで前記光磁気記録媒体層を保護する保
    護膜が形成され、前記xが0.6≦x≦1.3に選定さ
    れてなることを特徴とする光磁気ディスク。
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