JPS6245081A

JPS6245081A - 画像読取等倍センサ−

Info

Publication number: JPS6245081A
Application number: JP60184965A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Seto; 瀬戸　満; Koichi Osaki; 大崎　孝一; Setsu Rokutanzono; 節六反園; Masaomi Sasaki; 正臣佐々木; Mitsuru Hashimoto; 充橋本; Masabumi Oota; 正文太田; Kyoji Tsutsui; 恭治筒井; Kiyoshi Sakai; 清酒井
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1985-08-22
Filing date: 1985-08-22
Publication date: 1987-02-27

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明は画像読取用等倍センサーに関するものである。

さらに詳しくは、アゾ系顔料を主成分としだ光導を膜を
備えた光電変換素子を有する画像読取等倍センサーに関
するものである。

従来技術本願発明に関連する従来技術としてはＣｄＳ　。

アモルファスＳ１の使用を開示している％開昭５９−５
４３７３号、特開昭５９−１１２６５１号及び特開昭５
９−１１０１７７号、ｐ−ｃ−Ｂｌの使用を開示してい
る特開昭５８−１１８１６１号並びにＣｄ’ｓ。

ＣａＳ、アモルファスＳｌ　、　Ｓｓ　−Ａａ−Ｔｅの
使用を開示している「日経エレクトロニクスＪ　（１９
８２年４月２６日）などがあるが、これらｌまいずれも
成膜の条件面で長尺（メートルサイズ〕の等倍センサー
に利用することは不可能である。

目　　　　　　　的本発明は、絶縁基板上に個別電極、共通電極、及びアゾ
系顔料を主成分とする光導電膜を設けることにより構成
される光電変換素子を備えた１ｌＩＩＩ像読取用等倍セ
ンサーを提供することを目的とする。

構成本発明者は前記目的を達成するために鋭意研死した結果
、絶縁性基板上に個別電極、共通電極及び光導電体を平
面的に多数設置してなる画像読取等倍センサーにおいて
、前記光導電体が下記の一般式、Ｎ＝Ｎ−Ａ〔但踵前記一般式（υ〜（１０）において、Ａは゛・Ｘ
、：　　　　　　　　　　　　Ａｒ２（ここでＸはベン
ゼン塩、ナフタレン環などの芳香環もしくはインドール
環、カルバゾール環、ベンゾフラン環などのへテロ環ま
たはそれらの置換体を表わし、Ａｒｌはベンゼン環、ナ
フタレン環などの芳香環もしくはジベンゾフラン環なと
のへテロ環またはそれらの置換体を表わし、Ａｒｌはベ
ンゼン環、ナフタレン環などの芳香Ａｌｌまたはそれら
の置換体を表わし、Ｒ１は水素、低級アルキル基、フェ
ニル基またはその置換体−を表わし、また、Ｒ１は低級
アルキル基、フェニル基、カル−キシル基またはそのエ
ステルを表わす）を表わす〕Ｎ＝Ｎ−Ａ〔ただし前記一般式（１１）〜（２４）において、Ａは
（ここでＸはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香環、
インドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環などの
へテロ環またはそれらの置換体、Ａｒｌはベンゼン城、
ナフタレン環などの芳香環、ジベンゾフランなどのへテ
ロ環またはそれらの置換体、ＡｒｃおよびＡｒ３はベン
ゼン環、ナフタレン環などの芳香環またはそれらの置換
体、Ｒ１およびＲ５は水素、低級アルキル基、フェニル
基またはその置換体、Ｒ，は低級アルキル基、カルボキ
シル基またはそのエステル）を表わす〕Ｃ，Ｈｓ（但し前記一般式（２５）〜（２７）において、式中Ａ
ｒは置換又は非置換のフェニル基、置換又は非置換のナ
フチル基、アントリル基、ピーレニル基、ピリジル基、
チェニル基、フリル基、及びカルバゾリル基′ｔ−ｆｉ
わす）（ここで、前記一般式（ｚ８）〜（２９）において、Ｘ
はベンゼン環、ナフタレン環などの芳香環。

インドール環、カルバゾール環、ぺ／シフラン環なとの
へテロ環又はそれらの置換体、Ｒ１は、ベンゼン環、ナ
フタレン環などの芳香環ジベンゾフラン環、カルバゾー
ル環などのへテロ環又はそれらの置換体、Ｒ１は水素、
低級アルキル基、フェニル基又はその置換体を表、及び（前記一般式（３０）〜（３１）において、Ｘは置換も
しくは無置換の芳香Ｍまたはへテロ環を表わし、Ａｒは
置換もしくは無置換の芳香環またはへテロ環を表わす）から成る群から選択されるアゾ系有機顔料を使用するこ
とによって秀れた特性を有する画像読取等倍センサーが
得られることを見出した。

本発明は絶縁性基板上に個別電極、共通電極及びアゾ顔
料を主成分とする光等５１膜を設げることにより構成さ
れる等倍センサー用光電変換素子に関する。

等倍センサーの全体構成例１回路構成例、光電変換部構
造例を第１図、第２１図、第２ｂ図、第３ａ図及び第３
ｂ図に示す。

第１図は密着型イメージセンサの栴成例を示す。このイ
メージセンナは照明光源、導光系としてロッドレンズア
レイ、光′α変換膜から成るフォトセンサアレイから構
成されておりその他に読み出し回路及び７１！査回路を
必要とする。

読み出し方式は、リアルタイム方式と電荷蓄積方式の２
つの方式がある。第２ａ図はリアルタイム方式による読
み出し回路を示す。各素子に直列にブロッキングダイオ
ードを形成してあり、光電変換出力信号は、共通側電極
、個別′！工極と順次スイッチングしたときに、各素子
の抵抗変化を外部電流の変化として取り出せる。

第２ｂ図は電荷蓄積方式による読み出し回路を示す。ロ
ンドレンズブレイによって導光された信号光はフォトダ
イオード内に蓄積された電荷を放電させる。蓄積時間（
走査時間）ごとに走査ＩＣ内のモスフエットスイッチを
動作させることによってフォトダイオードに流れ込む充
電電流を検出し光４Ｗ号は電気信号に変換される。

第３＆図及び第３ｂ図は光導電膜の素子構造を示す。開
口部の素子構造は電極の配置によりプレーナー型（第３
ａ図）とサンドイッチ凰（第３ｂ図）に大別できる。サ
ンドインチ型は高感度であるが透明電極を必要とする。

一方プレーナー凰は構造が簡易で瘍Ｖ造も容易である。

本発明における絶縁基板としては、例えば基板側から光
照射する場合は透光性のセラミック、ガラス、プラスチ
ック又はこれらを組合わせたものを用いる。

一方、基板上に形成された感光層側から光照射する場合
は、非透光性の絶縁基板であってもよいし、又金属等非
絶縁性の基板上に絶縁処理された基板であってもよい。

絶縁性基板上に設置されるセンサー駆動電極としては例
えばｄ　ｇ　Ｔｌ　ｔ　Ｖ　ｔ　Ｃｒ　ｔ　Ｍｎ　Ｉ　
Ｆ＠　ｔ　Ｃｏ　２Ｎｉ　、　Ｃｕ　、　Ｚｎ　、　Ｐ
ｂ　、　Ｓｎ　、　Ａｇ　、　Ａｕ　、　Ｍｏ　、　Ｗ
等及びＮｉＣｒ等、これらの合金、及びこれら金属２種
以上の多層膜であってもよい。

あるいは必要に応じてネサ電極、　ＩＴＯ，Ｉｎ１０３
等の透光性電極としてもよい。

これらの導電材料はス、ｅツター法、蒸着法、又はＣＶ
Ｄ法により成膜することが可能であり、しかる後、これ
ら金属膜をフォトエツチング法により所望の形状を有す
る電極を得ることができる。又、１条的に良く知られて
いるマスク蒸着法、スクリーン印綱法、す７トオ７法等
により電極を形成することも可能である。を極膜の厚さ
は、５〜０．０５μか好ましくは４〜１μｍである。

個別電極と共通電極が基板上に子細的に設置されるいわ
ゆるプレーナー型（ｉ３１図）の場合、以下に示す光導
［＃の形成工程を経て等倍センサーは完成する。一方、
基板上に上部電極、光導を層、下部電極と槙層するいわ
ゆるサンドインチ型（第３ｂ図）の場合、下部電極を形
成し、次に光導１！Ｍを形成した後、上部電極を前出の
材料及び方法で設置する。

光導電膜は絶縁性樹脂及び特許請求範囲に記載された一
般式を有するアゾ顔料を主成分として構成される。絶縁
性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂
、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ブチラール樹脂、
ポリエステル樹脂があげられる。中でもポリエステル樹
脂及びブチラール樹脂は、特に良好な結果を与える。又
、これら樹脂固有の特性を袖５目的で２種以上の絶縁性
樹脂を用いることも可能である。

本発明で使用されるアゾ糸原料の具体例としては下記の
ものが挙げられる。

（以下余白）顔料屋　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料／Ｌ　　　　　　　　　　Ａ顔料屋　　　　　　　　　Ａ顔料＆　　　　　　　　　Ａ顔料ノフ挺１　　　　　　　　　　　　　Ａ顔料扁　　
　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　　Ａ顔料＆　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ｊｒａ　　　　　　　　　　Ａ顔料ＡＡ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　＾顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料ム　　　　　　　　　Ａ顔料点　　　　　　　　　人顔料屋　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料屋−Ａ顔料＆　　　　　　　　　Ａ顔料ム　　　　　　　　　　Ａ顔料屋　　　　　　　　　Ａ顔料應　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ（９）一般式％式％顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料轟　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　　Ａ顔料應　　　　　　　　　Ａｌ顔料屋　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　ＡＣ／顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料＆　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ　　　　　　　　　　ｆ
ｉ顔料ム　　　　　　　　−」１−　　　　　　　　−
１−顔料應　　　　　　　　　Ａ　　　　　　　　　　
　　　Ｒ顔料屋　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料＆　　　　　　　　　　Ａ顔料轟　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　ｉ顔料屋　　　　　　　　　Ａ顔料／Ｌ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　ＡＣＯＣＲ。

顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料蔦　　　　　　　　　Ａ顔料ＡＡ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料＆　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料屋　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料屋　　　　　　　　−」エ一（２０）　　一般式顔料扁　　　　　　　　−り一顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　　Ａ顔料＆　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料点　　　　　　　　　Ａ顔料ＡＡ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料屋　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａｌ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料１６　　　　　　　　　　　Ａ（２５）　　一般式％式％（２６）　　一般式Ｃ，Ｈ。

顔料Ａ　　　　Ａｒ　　　　　　　顔料Ａ　　　　　Ａ
ｒ５６５（瀘ＣＨ，５７２舎Ｃ，Ｈ。

顔料屋　　　　Ａｒ　　　　　　　　顔料ム　　　−Δ
Ｌ−５８４擢（２７）　　一般式％式％（２８）一般式顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料屋　　　　　　　　−瓦− 顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料＆　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料ム　　　　　　　　　　え ■ 顔料煮　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料ム　　　　　　　　　Ａ（３リ　一般式　　　　。

顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料屋　　　　　　　　　Ａ　　　　　　　　　　　・
＋　　　　　　　　　　　　　　　　　　’　　”””
’ｌ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料厘　　　　　　　　　Ａｐ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ顔料１６　　　　　　　　　　Ａ顔料Ａ　　　　　　　　　　Ａ前記アゾ顔料＆１〜應２６は、公知の方法、例えば特開
昭５６−８７５４５号記載の方法に従って容易に製造す
ることができる。

前記アゾ顔料＆２７〜人５２は、例えば特開昭５４−７
４２８号記載の方法に従って容易に製造することができ
る。

前記アゾ顔料煮５３〜Ａ７１は、たとえば（Ｘ　、　Ａ
ｒ１　、　Ａｒｃ　、　Ｒ１およびＲ１は前述と同一）
との反応により容易に製造することができる。

前記アゾ顔料瓜７２〜Ａ９６は、例えば゛・Ｘ・′ Ａｒ鵞前述と同一）との反応により容易に製造することができ
る。

前記アゾ顔料Ａ　９７〜Ａ　１２２は、公知の方法、例
えば特開昭５６−８６１４３号に記載の方法に従って容
易に製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ１２３〜Ａ１４８は、公知の方法、例え
ば特開昭５６−８６１４５号に記載の方法に従って容易
に製造することができる。

前記アゾ顔料煮１４９〜轟１７４は、公知の方法、例え
ば特開昭５６−９７５２号に記載の方法に従って容易に
製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ　ｌ　７５〜Ａ２００は、公知の方法、
例えば特開昭５５−６９６５４号に記載の方法に従って
容易に製造することができる。

前記アゾ顔料＆　２０１−　Ａ　２２６は、公知の方法
、例えば特開昭５６−９７５３号に記載の方法に従って
容易に製造することができる。

前記アゾ顔料罵２２７〜Ａ２４５は、公知の方法に従っ
て、例えばＡｒ鵞及びＲ，は前記と同一）との反応により容易に製造する
ことができる。

前記アゾ顔料Ａ２４６〜Ａ２５８は、公知の方法に従っ
て、例えば２，７−ジアミツー９−アクリ　トン　（Ａ
、Ｇｏｌｄｂ＠ｒｇ　　ａｎｄ　　Ｗ、Ｋｅｌｌｙ、Ｊ
、ＣＩａｍ、Ｓｏａ−１９４６．１０２（１９４６）］
を常法によりテトラゾ化して得られるテトラゾニウム塩
と対応するカップラーとを適当な有機溶媒、例えばＮ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ　）中でカップリン
グすることにより製造することができる。例えば前記Ａ
２４６のジスアゾ顔料の製造法は下記の通りである。な
お他のジスアゾ顔料も原料を変える他はこの製造例と同
様にして製造することができる。

製造例２．７−ジアミツー９−アクリドン１３０ｇに６Ｎ塩酸
３００ゴを加え、呈温で２時間攪拌した。次にこの混合
物を０℃まで冷却し、これに亜硝酸ナトリウム＆８９を
水３ａｔｎｌに溶解した溶液を一２〜０℃の温度で約４
０分間に亘って滴下した。崗下終了後、この温度で３０
分間攪拌した後、得られた結晶を汗取し、これを水７０
０属に溶解した。次にこの浴敷に４２％硼弗化水素酸３
０１ｄをｍえ、析出した結晶をｆ取し、冷水で洗浄した
後減圧下に乾燥して９−アクリドン−２，７−ピスジア
ゾニクムビステトラフルオロ２レートの淡褐色の粉末１
１Ｌ８１！（収率７７％）を得た。赤外線吸収スペクト
ルのＮ＆　　による吸収は２２２０ｃＩＬ（ＫＢｒ錠剤
法）であった。

前記アゾ顔料＆２５９〜Ａ２７９は、公知の方法、例え
ば４？−開昭５６−２１１２８号に記載の方法に従って
容易に製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ　２８０　＝　Ａ　２９３は、公知の方
法に従って、例えば３，６−ジアミツー９−（４−アミ
ノフェニル）カルバゾールを’Ｉｆ［−によりジアゾ化
して得られるヘキサゾニウム塩と、この塩に対応するカ
ップラーとを適当な有機溶媒、例えばＮ、Ｎ−ジメチル
ホルムアミド（ＤＭＦ　）中でカップリングすることに
より製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ２９４〜Ａ　３１５は、公知の方法、た
とえば特開昭５３−９５０３３号に記載の方法に従って
容易に製造することができる。

前記アゾ顔料１ａ　３１６〜屋３３０は、公知の方法、
たとえば特開昭５４−２１７２８号に記載の方法に従っ
て容易に製造することができる・前記アゾ顔料Ａ　３３
１　”　＆　３６１は、公知の方法、たとえば特開昭５
３−１３３２２９号に記載の方法に従って容易に製造す
ることができる。

前記アゾ顔料＆３６２〜應３８８は、公知の方法、たと
えば特開昭４７−３７５４３号に記載の方法に従って容
易に製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ３８９〜Ａ　４０５は、公知の方法、た
とえば特開昭５４−２２８３４号に記載の方法に従って
容易に製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ４０６〜＆４３３は、公知の方法、たと
えは特開昭５４−２０７３７号に記載の方法に従って容
易に製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ４３４〜Ａ４５３は、公知の方法、たと
えば特開昭５４−２０７３６号に記載の方法に従って容
易に製造することができる。

前記アゾ顔料＆４５４〜ム４７４は、公知の方法、たと
えば特開昭５６−１４３４３７号に記載の方法に従って
容易に製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ４７５〜Ａ４８８は、公知の方法、たと
えば特開昭５４−１２７４２号に記載の方法に従って容
易に製造することができる。

前記アゾ顛料扁４８９〜Ａ３１６は、公知の方法、たと
えば特開昭４７−３７５４３号に記載の方法に従って容
易に製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ３１７〜Ａ３３７は、公知の方（式中の
Ｘ　、　Ａｒ１　、　Ａｒ１　、　Ｒ１及びＲ１は前記
と同一）との反応により容易に製造することができる。

前記アゾ顔料５５３８〜Ａ３６２は、公知の方法、たと
えば特開昭５６−９４３６０号に記載の方法に従って容
易に製造することができる。

前記アゾ顔料＆５６３〜Ａ３８７は、公知の方法、たと
えば特開昭５６−９４３５９号に記載の万法に従って容
易に製造することができる。

前記アゾ顔料屋５８８〜扁６１２は、公知の方法、たと
えば特開昭５６−９４３５８号に記載の方法に従って容
易に製造することができる。

前記アゾ顔料墓６１３〜Ａ６３３は、公知の方法、たと
えば特開昭４８−７０５３８号に記載の方法に従って容
易に製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ６３４〜Ａ６５４は、公知の方法、たと
えば特開昭５２−４２４１号に記載の方法に従って容易
に製造することができる。

前記アゾ顔料Ａ６５５〜Ａ　７１９は、市販の２゜６−
ジアミツアントラキノン（Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈ拳ｍ１
ｅｉｌＣｏ、、　Ｍｉｌｖｒａｎｋ＠ｅ　）を常法によ
りジアゾ化して得られるテトラゾニウム塩と、対応する
カップラー（ナフトールＡｓ類）とを適当な有機溶媒、
たとえばＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ　）中
で塩基を作用させてカップリング反応を行なうことによ
って容易に製造することができる。

その例として、以下に前記、　Ａ６５５ジスアゾ化合物
の製造例を示すが、他のジスアゾ化合物もカップラーを
変える他はこの製造例にしたがって容易に製造すること
ができる。

製造例２．６−ジアミツアントラキノン１４３９にａｓ％Ｈｃ
１１５５１１１ｉ加えコノ混合物を一５℃まで冷却し、
これに、９７％亜硝酸ナトリウム９、　ＯＩＩを水３０
−に溶解した溶液を約２０分間で滴下した。滴下終了後
−５〜０℃でさらに２時間攪拌して反応混合物を３Ｉｌ
の冷水中に注入し、若干の不溶物をＰ別し、これに４２
％ホウフッ化水素酸４０ゴを加え、析出した沈澱をＰ取
し、メタノールで洗浄し、ついで減圧下に乾燥して、淡
褐色の結晶としてアントラキノン−２，６−ピスジアゾ
ニクム　ビステトラフルオロダレ−）；９Ｌ６１１（８
ａ３％）を得た。

Φ ｙＮ、　　　　　　　　　　２３１０ｍ°１ｙｃ＝ｏ　
　　　ｌ　６９５　ａｍ−’上記のようにして得たテト
ラゾニウム塩′Ｌ１８１ｍ！びｚ−ヒドロキシ−３−フ
ェニルカルバモイルナフタレン（ナフトールＡｓ）２．
６３．１９ｔＤＭＦ３０（１１Ｌｌに溶解し、これに酢
酸ナトリウム！、　６４　、ｐを水１４ｒｄに溶解した
溶液を室温（約２０℃）にて約５分間滴下した。滴下終
了後同温度でさらに２時間攪拌してから析出している結
晶を１取した。次に、この結晶に３００１１１１のＤＭ
Ｆを加え８０℃で２時間攪拌した後、再び結晶ｆ：Ｐ取
し、さらにこの操作を２回繰り返した。

その後、結晶を水洗し、減圧下に８０℃で乾燥した。紫
赤色の粉末として２．８２Ｎ（７１，８％）のジスアゾ
化合物Ａ６５５を得た。

融　点；３００℃以上元素分析結果：実測値　計算値Ｃ（＠７３．１４　７３．２７Ｈ（（６）　　３．６６　　　３．８５Ｎ（９１１１０
，４３１０，６８赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）：ｙＮＨ（３ｇ
２７　ミ）’　）　３２５０　ａｎ−”ｙｃｏ　　　　
　　　１６７０ｃｍ−’前記アゾ顔料Ａ７２０〜Ａ７８
４は、文献（小田良平ら：工業化学雑誌■第８９５〜９
０３頁（１９３９）日本化学会発行）に記載の方法に準
じて合成することのできる２、７−ジアミツアントラキ
ノンを常法によりジアゾ化して得られるテトラゾニウム
塩と、対応するカップラー（す７トールＡｓ類）とを適
当な有機溶媒、たとえばＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ　）中で塩基を作用させてカップリング反応を
行なうことによって容易に製造することができる。その
例として、以下に前記鳥７３２のジスアゾ化合物の製造
例を示すが、他のジスアゾ化合物もカップラーを変える
他はこの製造例にしたがって容易に裂、造することがで
きる。

製造例２．７−ジアミツアントラキノン４７６１１に３６チＨ
Ｃｌ３４ｍを加え、この混合物を一５℃まで冷却し、こ
れに、９７％亜硝酸ナトリウム３、ＯＩを水１０１７に
溶解した溶液を約１５分間かけて滴下した。滴下終了後
、約θ℃でさらに２０分間攪拌したのち、反応混合物を
２０〇−の冷水中に注入し不溶部をｒ別した。続いて、
Ｐ液に４２％ホクフツ化水素酸１０ｄを加え、析出して
来る沈澱をｒ取し、メタノールで洗浄したのち減圧下に
乾燥して、淡褐色の結晶としてアントラキノン−２，７
−ピスジアゾニクムビステトラフルオ０〆レー）４５６
ＩＩ（５Ｌ３％）を得た。このものの赤外線吸収スペク
トル（ＫＢｒ錠剤法）はのとおりであった。

上記のようにして得たテトラゾニウム塩２．．１８１１
およびｚ−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイルナフ
タレン（ナフトールＡｓ）ｌａｓｐをＤＭＦ　３００−
に溶解し、これに酢酸ナトリウムＬ６４ＩＩを水１４−
に溶解した溶液を室温（約２０℃）にて約５分間で滴下
した。滴下終了後同温度でさらに２時間攪拌してから析
出している結晶をｆ取した。次に、この結晶に３０ＯＮ
のＤＭＦを加え８０℃で２時間攪拌した後、再び結晶を
ｒ取し、さらにこの操作を２回繰り返した。その結晶を
水洗し、減圧下に８０℃で乾燥した。紫赤色の粉末とし
てＺ　７５１　（ｒｏ、ｏ％）のジスアゾ化合物属７２
０〜７３２を得た。

このジスアゾ化合物Ａ　７２０〜７３２の物性等は下記
のとおりであった。

（イ）融　点；３００℃以上（ロ）　元素分析結果；（／ウ　　赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）；Ｖ
皿（第２アミド）　　　３２５０ｃｍ−’ＶＣＯ１６７
５ＣＩＬ−’ こうして得られたアゾ顔料と絶縁性樹脂の分散比は１　
／ｌ〜５／１が適当である。分散比が前記範囲より多過
ぎると、光導！ＩＩＫと電極及び絶縁性基板との接着性
が低下し、信頼性が狽なわれる。

又、少な過ぎると、光導電率δｐが小さくなり、８Ｎ比
（δｐ／δｄ）を上げることができない。光導電膜の膜
厚は一般に０．１〜５μｍで、好ましくはα２〜２μ溝
である。

光導電層は例えばディッピング法、ドクターブレード法
、スプレー法、ロールコート法等の塗布方法により容易
に形成することができる。

尚、本発明の光導電膜には以上の２成分の他、各種特性
の向上及び安定化をはかるため、他の分散質を添加する
ことができる。又、保護層及びビット間分離の機能を有
する光遮断等を光導電層上に設置することもできる。

次に本発明の実施例を下記に示すが、本発明はこれらに
限定されるべきでないことを理解すべきである・実施例１ブチラール樹Ｍ（ユニオンカーバイト社製ＸＹＨＬ　）
　４３ｉ量部をガラスポット中でテトラヒドロフラン１
１重量部に溶解し、ついでこの中に前記アゾ顔料Ａｌ　
１ｋｌ亜量都及びステンレススチールノールを加え、７
２時間ミリングしだ。

得られた液にテトラヒドロフラン３４ｉ量部を加え、感
光膚形成液を調製した。

次にこの液を第４図に示す様にガラス板上にＡｌクシ減
電極を形成した基板上にディッピング法にて乾燥時１μ
の膜厚になる様に慮布し、１００℃で１時間乾燥した。

使用した電極の電極間距離は５μｍ電極膚の厚さは１μ
瓜であった。更にビット間の分離の目的で第４図及び第
５図に示す位置に光速断層を設げ、素子にＤＣ電圧を印
加し、各電界強度に対して光電流、暗電流を微小電流計
で測定した。

測定結果を９１に示す。又、この時照射した光量は１７
０　ｌｕｘ　（タングステンランプ、色温度；　２Ｂ５
０°Ｋ）とした。

第１９より電界強度１０ｖ／ｍの時１０台のＳＮ比（光
電流／暗電流）が得られることが判る。

又、第１のビット、第２のビットともほぼ同一のＳＮ比
を示し、ビット間の分離も充分なされていることが明ら
かになった。

実施例２〜３０下記の表１に示したアゾ顔料をそれぞれ使用して実施例
１の手順を繰返した。得られた結果を下記の表１に示す
。

実施例３１ブチラール樹脂（ユニオンカーバイト社製ＸＹＨＬ　）
　４重量部をガラスポット中でテトラヒドロフラン１１
重量部に溶解し、ついでこの中に前記アゾ顔料Ａ３８９
のジスアゾ化合物１重ｉｎ及びステンレススチールメー
ルｔ−加、ｔ、７２時間ミリングした。得られた液にテ
トラヒドロフラン３４重量部を加え感光層形成液を調製
した。

次にこの液を第４図に示す様にガラス板上にＡＪタクシ
電極を形成した基板上にディッピング法にて乾燥時１μ
の膜厚になる様に盪布しＺｏ。

℃で１時間乾燥した。

使用した電極の電極間距離は５μｍｔ極層の厚さは１μ
ｍであった。更にビット間の分離の目的で第４図及び第
５図に示す位置に光遮断層を設け、素子にＤＣ電圧を印
加し、各電界強度に対して光電流、暗電流を微小電流計
で測定した。

測定結果を第１表に示す。又、この時照射した光量は１
７０　ｌｕｘ　（タングステンランプ、色温度：　２１
ｉ１５０　Ｋ）とした。

第１表より電界強度１０　Ｖ／ＣＲの時１０台の８Ｎ比
（光電流／暗電流）が得られることが判る。又、第１の
ビット、第２のビットともほぼ同一のＳＮ比を示し、リ
フト間の分離も充分なされていることが明らかになった
。

（以下余白）効　　　　果以上の結果かられかるように、大規模な成膜が可能で、
長尺（メートルサイズ）の等倍センサーに利用でき、Ｓ
Ｎ比（光電流／暗を流）特性の透れたアゾ系顔料含有有
機光電変換素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は密着型画像読取等倍センサーの全体の構成例を
示す概略図である。第２ａ図及び第２ｂ図は回路構成例を示す読出し回路図
である。第３ａ図及び第３ｂ図は光導電膜の素子構造を示す概略
図である。第４図は本発明で使用する光電変換素子の概略平面図で
あり、笑５図は前記光電変換素子の概略断面図である。第６図は実施例３１で得られた素子の動作結果を示すグ
ラフである。１・・・原　稿　　　　　２・・・光　源３・・・フォ
トセンサーアレイ　　　４・・・導　　光　　路５・・
・電　源　　　　６・・・負荷抵抗７・・・共通側電極
　　　８・・・個別側電極９・・・光ｍ＊ＪＡ子　　　
１ｏ　＋＋＋　ｆ　７　＃　／グダイオード１１・・・走査回路　　１２・・・検出回路１３・・・
％”””　ト　　　　　１４・・・フォトダイオードス
イッチ１５・・・電　極　　　１５’・・・上部電極１５′・
・・下部電極　　１６・・・光導電素子１７・・・光′
ｆｌＬ変換部　　１８・・・光遮断層１９・・・保　護
　層　　　２０・・・Ｍ対向電極２１・・・ガラス基板特許出願人　株式会社　リ　コ　− ブト１２：１１き・〜！−− −、、４ｐし１冷１図篤２ｄ図第２ｂ図　　　　　　　　　篤６図篤３α図　　　　　　　第３ｂ図第４Ｍち５図

Claims

【特許請求の範囲】１、絶縁性基板上に個別電極、共通電極及び光導電体を
設置してなる画像読取等倍センサーにおいて、前記光導
電体が下記の一般式、（１）▲数式、化学式、表等があります▼ （２）▲数式、化学式、表等があります▼ （３）▲数式、化学式、表等があります▼ （４）▲数式、化学式、表等があります▼ （５）▲数式、化学式、表等があります▼ （６）▲数式、化学式、表等があります▼ （７）▲数式、化学式、表等があります▼ （８）▲数式、化学式、表等があります▼ （９）▲数式、化学式、表等があります▼ （１０）▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（１）〜（１０）において、Ａは▲
数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式、
表等があります▼ （ここでＸは芳香族環もしくはヘテロ環またはそれらの置換体を表わし、Ａｒ＿１は芳香族環もし
くはヘテロ環またはそれらの置換体を表わし、Ａｒ＿２は芳香族環またはそれらの置換体
を表わし、Ｒ＿１は水素、低級アルキル基、フェニル基
またはその置換体を表わし、また、Ｒ＿２は低級アルキル基、フエニル基、カル
ボキシル基またはそのエステルを表わす）を表わす〕（１１）▲数式、化学式、表等があります▼ （１２）▲数式、化学式、表等があります▼ （１３）▲数式、化学式、表等があります▼ （１４）▲数式、化学式、表等があります▼ （１５）▲数式、化学式、表等があります▼ （１６）▲数式、化学式、表等があります▼ （１７）▲数式、化学式、表等があります▼ （１８）▲数式、化学式、表等があります▼ （１９）▲数式、化学式、表等があります▼ （２０）▲数式、化学式、表等があります▼ （２１）▲数式、化学式、表等があります▼ （２２）▲数式、化学式、表等があります▼ （２３）▲数式、化学式、表等があります▼ （２４）▲数式、化学式、表等があります▼ 〔ただし前記一般式（１１）〜（２４）において、Ａは
▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
等があります▼ または▲数式、化学式、表等があります▼　（ここでＸは芳香族環、ヘテロ環またはそれらの置換体、Ａｒ＿１は芳香族環、ヘテロ環またはそ
れらの置換体、Ａｒ＿２およびＡｒ＿３は芳香族環また
はそれらの置換体、Ｒ＿１、およびＲ＿３は水素、低級
アルキル基、フェニル基またはその置換体、Ｒ＿２は低
級アルキル基、カルボキシル基またはそのエステル）を
表わす〕（２５）▲数式、化学式、表等があります▼ （２６）▲数式、化学式、表等があります▼ （２７）▲数式、化学式、表等があります▼ （但し前記一般式（２５）〜（２７）において、式中Ａ
ｒは置換又は非置換のフェニル基、置換又は非置換のナ
フチル基、アントリル基、ピレニル基、ピリジル基、チエニル基、フリル基及びカルバゾリル基を表わす）（２８）▲数式、化学式、表等があります▼ （２９）▲数式、化学式、表等があります▼ （ここで、前記一般式（２８）〜（２９）において、Ｘ
は芳香族環、ヘテロ環又はそれらの置換体、Ｒ＿１は、芳香族環、ヘテロ環又はそれらの置換体
、Ｒ＿２は、水素、低級アルキル基、フェニル基又はそ
の置換体を表わす）（３０）▲数式、化学式、表等があります▼、及び（３１）▲数式、化学式、表等があります▼ （前記一般式（３０）〜（３１）において、Ｘは置換も
しくは無置換の芳香族環またはヘテロ環を表わし、Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族環または
ヘテロ環を表わす）から成る群から選択されるアゾ系有機顔料であることを
特徴とする画像読取等倍センサー。