JPS61285263A - 画像読取等倍センサ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ユ亙立夏 本発明は光電変換素子（等倍センサー）に関するもので
あり、さらに詳しくはアゾ系顔料及びヒドラゾン化合物
を主成分とした光導電膜を備えた光電変換素子を有する
画像読取等倍センサーに関するものである。

翌米艮夏 従来技術としてはＣｄＳ、アモルファス−Ｓｉを用いた
光電変換素子として特開昭５９−５４３７３（電々公社
）、特開昭５９−１１２６５１（富士通）、特開昭５９
−１１０１７７　（東芝）等が有り、Ｐ−Ｃ−Ｓｉを使
用した光電変換素子としては特開昭５８−１１８１６１
　（キャノン）が上げられる。又「日経エレクトロニク
スＪ　　（１９８２年４月２６日）では上記ＣｄＳ、ア
モルファス−８ｉの他にＣｄ’ｓ、５ｓ−Ａｓ−Ｔａ等
を用いた光電変換素子を紹介している。しかしながらこ
れ等はいずれも成膜方法の点で制約を受ける為長尺（メ
ートルサイズ）の等倍センサーとしての利用には不適当
である。

長尺等倍センサーに有利な光電変換素子材料として我々
はアゾ顔料／結着樹脂分散系の光電変換素子を検討して
来た（特許出願済）。しかしながらこの系ではキャリア
ーの移動度に霞点が有り、所望する応答速度は得られな
かった。

本発明は上記分散系光電変換素子応答速度の改善を計っ
たものである。

■−−五 本発明は従来の欠点を克服したアゾ顔料及びヒドラゾン
化合物を主成分とした光導電膜を備えた光電変換素子を
有する画像読取等倍センサーを提供することを目的とす
る。

盈−一双 本発明者は前記目的を達成するために鋭意研究した結果
、 絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を設置
して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導電体
が下記一般式 〔式中Ｒ１，Ｒ，、Ｒ３，Ｒ，は水素、炭素数１〜３の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキル
アミノ基又はジベンジルアミノ基を表わし、　Ｒ６はア
ルキル基又はペンジル基を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物の少なくとも１つと、下
記一般式 〔但し、前記一般式が（１）〜（１０）において。

ここで又はベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族もし
くは、インドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環
なとのへテロ環または、それらの置換体を表わし、Ａｒ
ｔはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、もしくは
、ジベンゾフラン環なとのへテロ環またはそれらの置換
１体を表わし、Ａｒ、はベンゼン環、ナフタレン環など
の芳香族またはそれらの置換体を表わし、Ｒ１は水素、
低級アルキル基、フェニル基またはその置換体を表わし
、　またＲ２は低級アルキル基。

フェニル基、カルボキシル基または、そのエステルを表
わす〕 （１１）　　　　　　　　　。

中 Ｎ＝Ｎ−Ａ Ａ−Ｎ七９価＝ＣＨ噌刊１く雁キＡ 〔但し、前記一般式（１１）〜（２４）におｔ）て。

ユニでＸはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、イ
ンドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環なとのへ
テロ環または、それらの置換体、Ａｒｌはベンゼン環、
ナフタレン環などの芳香族、ジベンゾフラン環などのへ
テロ環または。

それらの置換体、Ａｒ、およびＡｒ、は、ベンゼン環、
ナフタレン環などの芳香族またはそれらの置換体、Ｒ１
およびＲ３は水素、低級アルキル基、フェニル基または
その置換体、Ｒ２は低級アルキル基、カルボキシル基ま
たはそのエステルを表わす〕 ａＨ１ 〔但し、前記一般式（２５）〜（２７）において、式中
Ａｒは置換又は、非置換のフェニル基、置換又は非置換
のナフチル基、アントリル基、ピレニル基、ピリジル基
、チェニル基、フリル基及びカルバゾリル基を表わす〕 ”ｘ−’ 〔但し、前記一般式（２８）〜（２９）において、Ｘは
ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、インドール環
、カルバゾール環、ベンジフラン環などのへテロ環又は
、それらの置換体。

Ｒ１は、　ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香環、ジ
ベンゾフラン環カルバゾール環などのへテロ環又はそれ
らの置換体、Ｒ２は水素、低級アルキル基、フェニル基
又はその置換体を表わす〕 〔但し、前記一般式（３０〜３１）において、又は置換
もしくは無置換の芳香環、または、ヘテロ環を表わし、
Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環または、ヘテロ環を
表わす〕 で表わされるアゾ顔料の少なくとも１つを有効成分とし
て含有する事を特徴とする画像読取等倍センサーを提供
することによって前記目的が達成できることを見出した
。

すなわち本発明は絶縁性基板上に個別電極。

共通電極及びアゾ顔料とヒドラゾン化合物を主成分とす
る光導電膜を設ける事に依り構成される光電変換素子を
備えた画像読取用等倍センサーに関するものである。

ます等倍センサーの全体構成例１回路構成例、光電変換
素子部構造例を第１図、第２−ａ図、第２−ｂ図、第３
−ａ図及び第３−ｂ図に示す。

第１図は画像読取用等倍センサーの１構成例を示したも
のである。このイメージセンサ−は照明光源、導光系と
してロッドレンズアレイ、光電変換膜から成るフォトセ
ンサーアレイから構成されて居り、その他に読出し回路
、及び走査回路がセンサー駆動には必要となる。

読出し方式にはリアルタイム方式と電荷蓄積方式の２方
式がある。

第２−　ａ図にリアルタイム方式読出し回路の１例を図
示した。リアルタイム方式は各素子に直列にブロッキン
グダイオードを設け１個別電極を順次スイッチングして
各素子の抵抗変化を外部電流変化とし光電変換出力信号
として取り出す方式である。第２−ｂ図は電荷蓄積方式
読出し回路の１例である。本方式は信号光でフォトダイ
オード内に蓄積された電荷を放電させ、蓄積時間（走査
時間）毎にフォトダイオードに流れ込む充電々流を検出
し光信号を電気信号に変換する方式である。

第３−ａ図及び第３−ｂ図に晃電変換素子の構成を示し
た。素子構造は電極の配置によりプレーナー型（第３−
ａ図）、とサンドイッチ型（第３−ｂ図）に大別される
。サンドインチ型は感光層膜厚が電極間隔となる為電極
間隔を高精度且つ容易に制御出来る反面、透明電極が必
要であり又感光層のピンホールが致命傷となる欠点があ
る。

処方プレーナー型はサンドインチ型に比し耐ピンホール
特性に秀れ、電極を１回の工程で作成出来る反面、電極
間隔制御に難点が有る。

次に本発明の主眼である光電変換部を構成する材料及び
処方に関して述べる。

本発明に於ける絶縁基板としては例えば基板側から受光
する場合には透光性のセラミック、ガラス、プラスチッ
ク又はこれ等を組み合せたものを用いる。一方基板上に
形成された感光層側から光照射する場合は、非透光性の
絶縁基板であっても良いし、又金属等非絶縁性の基板上
に絶縁処理された基板であっても良い。

絶縁性基板上に設置されるセンサー駆動電極としては例
えばＡ１、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆａ、Ｇｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ等及び
これ等金属の合金及びこれ等金属及び合金２種以上の多
層膜であっても良い。

あるいは必要に応じてＮＥＳＡ、ＩＴＯｌＩｎ、０．等
の透光性電極であっても良い。

これ等の導電材料はスパッター法、蒸着法。

又はＣＶＤ法により成膜する事が可能であり、しかる後
これ等金属膜をフォ°トエッチング法により所望の形状
を有する電極を得る事が出来る。

又工業的に良く知られているマスク蒸着法、スクリーン
印刷法、リフトオフ法等により電極を形成する事も可能
である。

電極膜の膜厚は０．０５μｍ〜５．０μ膿、好ましくは
１〜４μｍである。

個別電極と共通電極が基板上に平面的に設置されるいわ
ゆるプレーナー型（第３−　ａ図）の場合絶縁基板上に
電極形成後光導電層を設置し等倍センサーは完成する。

一方基板上に上部電極、光導電層、下部電極と積層する
いわゆるサンドインチ型（第３−ｂ図）の場合下部電極
を形成し次に光導電層を形成した後、上部電極を前出の
材料及び方法で設置する。上部電極及び下部電極の材料
は同一である必要はなく、光導電層の特性を妨げないも
のが望ましい。

光導電膜は絶縁性樹脂及び特許請求範囲に記載された一
般式を有するアゾ顔料とヒドラゾン化合物を主成分とし
て構成される。絶縁性樹脂としては例えばエポキシ樹脂
、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ブ
チロール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹
脂等が挙げられ、光導電層の成膜性、電気特性等から選
択される。又これ等樹脂固有の特性を補う目的で２種以
上の絶縁性樹脂を用いる事も可能である。

本発明に使用されるアゾ顔料及びヒドラゾン化合物と絶
縁性樹脂との混合重量比は下記の様である。

アゾ顔料／絶縁性樹脂＝１７３〜３／１ヒドラゾン化合
物／絶縁性樹脂：１７３〜１／１アゾ顔料、ヒドラゾン
化合物の絶縁性樹脂に対する混合比率が多過ぎると光導
電膜と電極及び絶縁性基板との接着性が低下し信頼性が
損われる。又少な過ぎると光導電率σｐが小さくなりＳ
Ｎ比（σｐ／σｄ）を上げる事が出来ない。

光導電膜の膜厚は一般的に０．１〜５μｍで好ましくは
０．２〜２μ腸である。光導電層は例えばディッピング
法、ドクターブレード法、スプレー法。

ロールコート法等の塗布方法に依り容易に形成する事が
出来る。

尚本発明の光導電膜には上記アゾ顔料及びヒドラシン化
合物を複数混合し相互の特性を補う事も可能である。又
、各種特性の向上及び安定化を計る為に他の添加物を加
えても良い。又、光導電層を環境及び外力から守る為の
保護層及びビット間分離の機能を有する光遮断層等を光
導電層上に設置する事も出来る。又絶縁性基板及び電極
との密着性改善及び光導電層と電極間の電気的改質の為
に電極及び絶縁性基板と光導電層との間に新たな層を設
置する事も可能である。

本発明で使用されるアゾ顔料及びヒドラゾン化合物の具
体例を下記に例示する。

（以下余白） 一 顔料血　　　　　　　　　　　１−一一一人一一一一顔
料血 （２）一般式 （−＠−ＣＨ＝ＣＨ−＠−Ｎ＝Ｎ−Ａ　）。

顔料＆　　　　　　　　　　　　顔料飄厘料ａ ５□　７′。０″−１・ （３）一般式 顔料＆　　　　　　　　　　　顔料血 （４）一般式 ％式％ （５）一般式 顔料＆　　　　　　　　　　　　　顔料＆顔料歯 （の一般式 ％式％ 顔料血　　　　　　　　　　　　顔料＆顔料血 （′７）一般式 Ａ−將昏診框穀椛（唖キＡ 顔料＆　　　　　　　　　　　　顔料＆顔料＆ ＾ １．４７更−１”′ （８）一般式 ％式％ （９）一般式 顔料＆　　　　　　　　　　　　顔料＆厘料血 （１の一般式 顔料翫□ｎ−顔料＆ （１１）一般式 （１２）一般式 顔料＆　　　　　　　　　　　　　　顔料血中 Ｎ−Ｎ−Ａ （１４）一般式 ％式％ 顔料血−一」Ｌ−一一只一　顔料嵐−−」シーー一旦−
（旧一般式 顔料＆ （１の一般式 ％式％ （１７）一般式 顔料と　　　　　　　　　　　　顔料胆顔料血　　　　
　　　　　　　　　顔料＆顔料＆ （１８）一般式 Ａ−訓整款フａ非）Ａ 顔料胆　　　　　　　　　　　　　顔赴胆ａ 顔料嵐　　　　　　　　　　　　　顔料＆（１９）一般
式　　””−１，Ｃ）１．０Ｉ４ｒ”−’（１９−Ｃ） （１９−Ｄ） 顔赴胆 （２０）一般式 ％式％ （２１）一般式 ｗａＡＩＩ！）＆ 顔料＆　　　　　　　　　　　　顔料施（２２）一般式 （２３）一般式 顔料血 （２４）一般式 ％式％ （２５）一般式 （（２）一般式 Ｈｉ 島 ５６４　　壱へ　　５７３　　虫　　５８１　　℃Ｎ偽 （２８）一般式 顔料＆　　　　　　　　　　　　　顔料施顔料＆　　　
　　　　　　　　　顔料＆（３ｏ）一般式 顔料嵐　　　　　　　　　　　　顔料嵐顔料＆　　　　
　　　　　　　　　顔料＆顔料抱　　　　　　　　　　
　　顔料血−−−−五−−−−顔料血　　　　　　　　
　　　　　顔料嵐顔料＆ （３１）一般式 ％式％ 顔料風　　　　　　　　　　　　顔料血顔料血　　　　
　　　　　　　　顔料＆細料虱 ヒドラゾン　ム　の　六 ２−１−Ｈ−Ｈ−Ｈ−Ｈ−偽 ２−２−Ｈ−Ｈ−０１３−Ｈ−ＣＨ。

２−３　−Ｈ−Ｈ鳴Ｈ，−Ｈ心。

２−４−Ｑ（、−Ｈ−ＣＨ３−Ｈ−ＣＩ（。

２−５　　へ　　　−〇　　　　−１（−汎　　　−汎
２−６　−Ｈ−Ｈセ為　　−Ｈへ ２−７　−Ｈセ凡　　−Ｈ−Ｈ心。

２−８−０ＣＨ３−Ｈ−Ｈ−Ｈ−ＣＨ３２−９−００１
３−ＯＣＲ，−Ｈ−Ｈ−ＣＭ。

２−１０４　　−Ｈ−ＯＣＨ，−Ｈ−ＣＨ。

２−１１　−蟻　　−Ｈ−Ｈセ為　　−偽２−１２　−
Ｈ−ＯＣＨ，−喝　　−Ｈへ２−１３−Ｈ−０ＣＲ，−
１（−０ＣＲ，−ＣＩ。

２−１４　−几　　　イ℃九　　　−国鳥　　　−Ｈ−
ＣＩ。

２−１５　−Ｈ−ＯＣＨ，−０ＣＨ３−００１３心。

２−１６−Ｈ−）１　　　　　　鵡Ｈ，−Ｈ−汎２−１
７−ＯＣ２Ｈ，−Ｈ−Ｈ−Ｈ−Ｃ馬２−１８　　−Ｈ（
）Ｃ２Ｈ５鳩Ｈ，−Ｈ−Ｃ４汎 ２−１９−）１　　　　−Ｈ−Ｅ　　　　　−ｏ　　　
　　−ＣＨ。

汎 ２−２２−Ｈ−Ｈ−Ｈ−Ｈ−ＣＨ，−＠２−２３−Ｈ−
Ｈ−Ｃ馬　　　　−Ｈイ鳥べ◇２−２４−Ｈ−Ｈ鳴Ｈ，
−Ｈ−Ｃ電層 ２−２５　−偽　　　　−Ｈイ馬　　　　−Ｈ心１◎２
−２６−ＣＨａ−Ｈ−Ｈ４４樽 ２−２７−Ｈ−）１　　　　−０ＣＨ３−Ｈ−Ｃ１い・
２−２８−ＨＱ　　　　−Ｈ−Ｈ禮ｔ＠２−２９　　セ
為　　　−Ｈ−Ｈ−Ｈ−Ｑ（、−＠２−３Ｏ−ＯＣＲ３
−００１，−Ｈ−Ｈ−ＣＨ，−＠２−３ｌ−ｃｃ＆−Ｈ
（）ＣＨＩ　　　　−Ｈ−ＣＨ，−＠２−３２　　偽　
　　−Ｈ−Ｈ→α３　　　憫「◎２−３３　−Ｈ→為　
　　セ為　　　−Ｈ−α「◎２−３４−Ｈ−００１３−
Ｈ−０ＣＨ３−ＣＨ，−◎２−３５　−ＱＣ九　　　セ
凡　　　−焉　　　−Ｈ引「◎２−３６　−Ｈ−（）Ｃ
Ｈ３［−０ＣＨ，−Ｃ）１．−◎２−３７−Ｈ−Ｈ−＜
１Ｘ４Ｈ，−Ｈ心１◎２−３８　　鵡Ｈ，−Ｈ−Ｈ−Ｈ
−Ｃ４樽２−３９　　−Ｈ−ＱＣ２）１．　　　−０ｃ
２Ｈ，−Ｈ−Ｃ）！！−＠偽 ２−４０−Ｈ−Ｈ−Ｋ　　　　　−Ｈ−Ｃ鳥噂／’Ｅｌ （以下余白） 次に本発明をさらに詳しく説明するために下記に実施例
及び比較例を示すが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。

実施例１ ポリアミド（ＣＭ−８０００；東し株式会社製）０．４
重量部、メタノール７重量部、ブチルアルコール３重量
部の溶液を調製し１次いでこの液をガラス基板上に第４
図に示したＡ１電極パターンを有する基板上に乾燥時の
膜厚が０．３μ■に成る様ディッピング法で塗布した。

しかる後１００℃の恒温槽中で３０分乾燥した。

次に構造式（化合物Ｎａ　２−６　）で示されるヒドラ
ゾン化合物２．７重量部、ポリカーボネート樹脂（パン
ライトに−１３００；帝人化成株式会社製）３重量部テ
トラヒドロフラン７７重量部溶液及び構造式（アゾ顔料
Ｎａ５）で示されるアゾ顔料２重量部をボールミルにて
充分に粉砕した。

次いでこの粉砕混合物を取り出し、ゆ２くり攪拌しなが
らテトラヒドロフランを加え固型分濃度２重量パーセン
トの光電変換層形成液（１）を調製した。しかる後０．
３μ■膜厚のポリアミド層が形成された基板上にディッ
ピング法にて乾燥時１μ■の膜厚が得られる様光電変換
層形成液（１）を塗布し、　しかる後１００℃で３０分
乾燥し。

本発明の光電変換素子（１）を得た。

実施例２ 構造式（化合物ＮＱ２−９）で示されるヒドラ□　シン
化合物、及び構造式（アゾ顔料＆７）示されるアゾ顔料
を用い他は実施例１と同様な方法で本発明の光電変換素
子（ＩＩ）を得た。

比較例１ 実施例１と同様にＡ１電極の形成された基板上に０．３
μ重膜厚のポリアミド層を形成した０次いで実施例１で
使用した構造式（アゾ顔料覧３）で示されるアゾ顔料２
重量部、ポリカーボネート樹脂（パンライト、に−１３
００；帝人化成株式会社製）３重量部、テトラヒドロフ
ラン５０重量部をボールミルにて充分に粉砕した。得ら
れた分散液を取り出し、ゆっくり攪拌しながらテトラヒ
ドロフランを加え固型分濃度２重量パーセントの光電変
換層形成液ＣＩＩＩ）を調製し、実施例と同様な方法で
乾燥時膜厚１μｍの光電変換層を設け、比較光電変換素
子（ＩＩＩ）を得た。

比較例２ 実施例２で使用した構造式（アゾ顔料＆７）で示される
アゾ顔料を用いた他は比較例１と全く同様な方法で比較
光電変換素子（ＴＶ）を得た。

この様にして得られた光電変換素子口→。

（Ｉｆ）、　（ｍ）、（■）のＳＮ比（光電流／暗電流
）及び光応答速度（立上り時間；Ｔｒ、立下り時間；Ｔ
ｄ）を表１．２、に示す。但し実施例、比較例で採用し
た素子構造はプレーナー型であり、Ａｌ電極の電極間距
離は５μｍ、電極膜厚は１μｍである（第４図）、又ビ
ット間分離の目的で第４．５図に示す如く光遮断層を設
は素子特性の評価を実施した。

ＳＮ比は素子に直流電圧を印加し各電界強度に対する光
電流（σｒ）／暗電料（σｄ）比で表わした。又光応答
速度はｌＸ１０’Ｖ／（１ｍの電界下に於ける充電流波
形（第６図参照）よりＴｒ、Ｔｄを求めた。Ｔｒ、Ｔｄ
の定義は第６図に示した。

ＳＮ比、光応答速度共に測定時の照射光量はタングステ
ンランプで１７０１ｕｘ（色濃度：２８５０’　Ｋ）で
ある。

表−１ 表　　−２ 表１．２、より電界強度ｌＸ１０’Ｖ／口の時に本発明
に依る光電変換素子（Ｉ）、（ＩＩ）は同一のアゾ顔料
を用いたがヒドラゾン化合物を含まない比較品である光
電変換素子（ｍ）、（ＩＶ）より優り、１０”台のＳＮ
比が得られる事が判った。又応答速度Ｔｒ、Ｔｄに於け
る本発明の比較品と比較した場合の改善効果は歴然とし
て居り、アゾ顔料、結着樹脂にヒドラゾン化合物を添加
する事で光導電層中に於けるキャリアー移動度改善を狙
った本発明の効果であると判断出来る。又各ビットに於
けるＳＮ比、Ｔｒ、Ｔｄの特性はほぼ同一の値を示しビ
ット間分離に何等問題なくビット間バラツキの少い安定
な光電変換素子の提供が可能であると判断出来る。

羞−一果 以上述べたように１本発明によれば大規模な成膜が可能
な事がら長尺（メートルサイズ）の等倍センサーが可能
であり、さらにまたアゾ顔料にドナーヒドラゾン化合物
を添加した事により応答速度及びＳＮ比（光電流／暗電
流）特性に秀れた有機光電変換素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は密着型両像読取等倍センサーの全体の構成例を
示す概略図である。 第２ａ図及び第２ｂ図は回路構成例を示す読出し回路図
である。 第３ａ図及び第３ｂ図は光導電膜の素子構造を示す概略
図である。 第４図は本発明で使用する光電変換素子の概略平面図で
あり、第５図は前記光電変換素子の概略断面図である。 第６図はｌＸ１０’Ｖ／ａｍの電界下における光電流波
形であり、光応答速度は立上り時間Ｔｒ及び立下り時間
Ｔｄで示される６ １・・・原稿　　　　　　　２・・・光源３・・・フォ
トセンサーアレイ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を
   設置して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導
   電体が下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は水素、炭素数
   １〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジ
   アルキルアミノ基又はジベンジルアミノ基を表わし、Ｒ
   ＿５はアルキル基又はベンジル基を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物の少なくとも１つと、下
   記一般式 （１） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２） ▲数式、化学式、表等があります▼ （３） ▲数式、化学式、表等があります▼ （４） ▲数式、化学式、表等があります▼ （５） ▲数式、化学式、表等があります▼ （６） ▲数式、化学式、表等があります▼ （７） ▲数式、化学式、表等があります▼ （８） ▲数式、化学式、表等があります▼ （９） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１０） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式が（１）〜（１０）において、Ａは
   、▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学
   式、表等があります▼ ここでＸはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族もし
   くは、インドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環
   などのヘテロ環または、それらの置換体を表わし、Ａｒ
   ＿１はベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、 もしくは、ジベンゾフラン環などのヘテロ環またはそれ
   らの置換体を表わし、Ａｒ＿２はベンゼン環、ナフタレ
   ン環などの芳香族またはそれらの置換体を表わし、Ｒ＿
   １は水素、低級アルキル基、フェニル基またはその置換
   体を表わし、またＲ＿２は低級アルキル基、フェニル基
   、カルボキシル基または、そのエステルを表わす〕 （１１） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１２） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１３） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１４） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１５） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１６） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１７） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１８） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１９） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２０） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２１） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２２） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２３） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２４） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（１１）〜（２４）において、Ａは
   、▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学
   式、表等があります▼又は、▲数式、化学式、表等があ
   ります▼ ここでＸはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、イ
   ンドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環などのヘ
   テロ環または、それらの置換体、Ａｒ＿１はベンゼン環
   、ナフタレン環などの芳香族、ジベンゾフラン環などの
   ヘテロ環または、それらの置換体、 Ａｒ＿２およびＡｒ＿３は、ベンゼン環、ナフタレン環
   などの芳香族またはそれらの置換体、 Ｒ＿１およびＲ＿３は水素、低級アルキル基、フェニル
   基またはその置換体、Ｒ＿２は低級アルキル基、カルボ
   キシル基またはそのエステルを表わす〕 （２５） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２６） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２７） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（２５）〜（２７）において、式中
   Ａｒは置換又は、非置換のフェニル基、 置換又は非置換のナフチル基、アントリル 基、ピレニル基、ピリジル基、チェニル基、フリル基及
   びカルバゾリル基を表わす〕 （２８） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２９） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（２８）〜（２９）において、Ｘは
   ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、インドール環
   、カルバゾール環、ベンジフラン環などのヘテロ環又は
   、それらの置換体、Ｒ＿１は、ベンゼン環、ナフタレン
   環などの芳香環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環な
   どのヘテロ環又はそれらの置換体、Ｒ＿２は水素、低級
   アルキル基、フェニル基又はその置換体を表わす〕 （３０） ▲数式、化学式、表等があります▼ （３１） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（３０〜３１）において、Ｘは置換
   もしくは無置換の芳香環、または、ヘテロ環を表わし、
   Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環または、ヘテロ環を
   表わす〕 で表わされるアゾ顔料の少なくとも１つを有効成分とし
   て含有する事を特徴とする画像読取等倍センサー。