JPS625672A - 画像読取等倍センサ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 するものであり、さらに詳しくはフルオレノン化合物、
α−置換スチルベン化合物、ジアリールメタン化合物、
アン１〜ラセン化合物、ヒドラゾン化合物、ジビニルベ
ンゼン化合物及びピラゾリン化合物のうちの少なくとも
１種（［）と、ペリレン顔料のう℃の少なくとも１種（
■）とを主成分とした光導電膜を備えた光電変換素子を
有する画像読取等倍センサーに関するものである。

従】Ｕえ帆 従来技術としてはＣｄＳ、アモルファス−８１を用いた
光電変換素子として特開昭５９−５４３７３（電々公社
）、特開昭５９−１１．２６５１（富士通）、特開昭５
９−１１０１７７　（来夏）等が有り、Ｐ−Ｃ−５ｉを
使用した光電変換素子としては特開昭５８−１１８１６
１　（キャノン）が上げられる。又「日経エレクトロニ
クスＪ　　（１９Ｂ２年４月２６日）では上記ＣｄＳ、
アモルファス−３ｉの他にＣｄＳｅ、５ｓＡｓ　　Ｔｅ
等を用いた光電変換素子を紹介している。しかしながら
これ等はいずれも成膜方法の点で制約を受ける為長尺（
メートルサイズ）の等倍センサーとしての利用には不適
当である。

長尺等倍センサーに有利な光電変換素子材料として我々
はアゾ顔料／結着樹脂分散系の光電変換素子を検討して
来た（特許出願法）。しかしながらこの系ではキャリア
ーの移動度に難点が有り、所望する応答速度は得られな
かった。

本発明は上記分散系光電変換素子応答速度の改善を計っ
たものである。

目　　　　　的 本発明は従来の欠点を克服したフルオレノン化合物、α
−置換スチルベン化合物、ジアリールメタン化合物、ア
ントラセン化合物、ヒドラゾン化合物、ジビニルベンゼ
ン化合物及びピラゾリン化合物のうちの少なくとも１種
（１）と、ペリレン顔料のうちの少なくとも１種（Ｉり
とを主成分とした光導電膜を備えた光電変換素子を有す
る画像読取等倍センサーを提供することを目的とする。

構　　　成 本発明者は前記目的を達成するために鋭意研究した結果
、 絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を設置
して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導電体
が、下記 一般式（１） 〔式中Ｒ工は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数１〜４
のアルコキシ基、又は炭素数１〜４のアルキル基を表わ
し、Ａｒは （但しＲ，、Ｒ３，Ｒ，は水素、炭素数１〜４の置換又
は無置換のアルキル基、或いは置換又は無置換のベンジ
ル基を表わし、Ｒ４，Ｒ，は水素、ハロゲン、炭素数１
〜４のアルキル基、或いは炭素数１〜４のアルコキシ基
又はジアルキルアミノ基を表わす）を表わす〕 で表わされるフルオレノン化合物、 一般式（２） （式中Ｒ１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の
アラルキル基を、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子、置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表
わし、Ａｒ１は置換又は無置換のアリール基を、Ａｒ”
は置換又は無置換のアリーレン基を表わし、　Ａｒ１と
Ｒ１は共同で環を形成してもよく、ｎはＯ又はｌの整数
である） で表わされるα−置換スチルベン化合物、一般式（３） 〔式中Ｒ１は炭素数１〜１１のアルキル基、置換又は非
置換のフェニル基、或いは複素環式基を表わし、　Ｒ２
，Ｒ３はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、
炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ク
ロルアルキル基、或いは置換又は非置換のアラルキル基
を表わし、またＲ２．　Ｒ，は互いに結合し窒素を含む
複素環を形成していてもよく、Ｒ４゜Ｒ６はそれぞれ同
一でも異なっていてもよく、水素、炭素数１〜４のアル
キル基、アルコキシ基、又はハロゲンを表わす〕 で表わされるジアリールメタン化合物、一般式（４） 〔式中、　Ｒ１は水素又はハロゲン原子を表わし、Ｒ２
は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のア
ルコキシ基、ジアルキルアミノ基、或いは置換又は非置
換のジアラルキルアミノ基を表わし、　Ｒ１は水素、ア
ルキル基又はハロゲン原子を表わす〕 で表わされるアントラセン化合物、 一般式（５） ％式％ 〔式中、　Ａｒはナフタリン環、アントラセン環、スチ
リル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フラ
ン環、チオフェン環を表わし、Ｒはアルキル基又はベン
ジル基を表わす〕で表わされるヒドラゾン化合物。

一般式（６） ％式％ 〔式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル基、チェニル基
、インドリル基又はフリル基、或いはそれぞれ置換また
は非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基又はア
ントリル基（但し前記置換基はジアルキルアミノ基、ア
　　　　　□ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
アラルキルアミノ基又はアミノ基からなる群から選ばれ
る）を表わす〕 で表わされるジビニルベンゼン化合物、一般式（７） 〔式中Ｒ１，Ｒ２，Ｒ，、Ｒ４は水素、炭素数１〜３の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、置換又は非
置換のジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基又はハ
ロゲン原子を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、 一般式（８） 〔式中Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は水素、炭素数１〜３の
アルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアルキル
アミノ基又はジベンジルアミノ基を表わし、　Ｒ６はア
ルキル基又はベンジル基を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、 一般式（９） 〔式中、　Ｒ工はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシ
エチル基、又は２−クロルエチル基を表わし、　Ｒ２は
メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表わ
し、　Ｒ３は水素、塩素、臭素、炭素数１〜４のアルキ
ル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ジアルキルアミノ
基又はニトロ基を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、及び 一般式（１０） 〔式中Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は水素、　アルキル基、アルコ
キシ基、ジアルキルアミノ基、あるいはハロゲン原子を
表わし、ｎはＯ又は１を表わす〕 で表わされるピラゾリン化合物のうちの少なくとも１種
（Ｉ）と、下記一般式。

（但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、置換アルキル基
を含むアルキル基及び、アルコキシ基又は置換もしくは
無置換のアリール基を示す） で示されるペリレン顔料の少なくとも１種（ｎ）とを有
効成分として含有する事を特徴とする画像読取等倍セン
サーを提供することによって前記目的が達成できること
を見出した。

すなわち本発明は絶縁性基板上に個別電極。

共通電極及びフルオレノン化合物、α−置換スチルベン
化合物、ジアリールメタン化合物、アントラセン化合物
、ヒドラゾン化合物、ジビニルベンゼン化合物及びピラ
ゾリン化合物のうちの少なくとも１Ｍ　（１）と、ペリ
レン顔料のうちの少なくとも１種（ｎ）とを主成分とす
る光導電膜を設ける事に依り構成される光電変換素子を
備えた画像読取用等倍センサーに関するものである。

まず等倍センサーの全体構成例、回路構成例、光電変換
素子部構造例を第１図、第２−ａ図、第２−ｂ図、第３
−ａ図及び第３−ｂ図に示す。

第１図は画像読取用等倍センサーの１構成例を示したも
のである。このイメージセンサ−は照明光源、導光系と
してロッドレンズアレイ、光電変換膜から成るフ第１ヘ
センサーアレイから構成されて居り、その他に読出し回
路、及び走査回路がセンサー駆動には必要となる。

読出し方式にはリアルタイム方式と電荷蓄積方式の２方
式がある。

第２−ａ図にリアルタイム方式読出し回路の１例を図示
した。リアルタイム方式は各素子に直列にブロッキング
ダイオードを設け、個別電極を順次スイッチングして各
素子の抵抗変化を外部電流変化とし光電変換出力信号と
して取り出す方式である。第２−ｂ図は電荷蓄積方式読
出し回路の１例である。本方式は信号光でフォトダイオ
ード内にＷＭされた電荷を放電させ、蓄積時間（走査時
間）毎にフォトダイオードに流れ込む充電電流を検出し
光信号を電気信号に変換する方式である。

第３−ａ図及び第３−ｂ図に光電変換素子の構成を示し
た。素子構造は電極の配置によりプレーナー型（第３−
　ａ図）、とサンドインチ型（第３’−ｂ図）に大別さ
れる。サンドイッチ型は感光層膜厚が電極間隔となる為
電極間隔を高精度且つ容易に制御出来る反面、透明電極
が必要であり又感光層のピンホールが致命傷となる欠点
がある。

処方プレーナー型はサンドインチ型に比し耐ピンホール
特性に秀れ、電極を１回の工程で作成出来る反面、電極
間隔制御に難点が有る。

次に本発明の主眼である光電変換部を構成する材料及び
処方に関して述べる。

本発明に於ける絶縁基板としては例えば基板側から受光
する場合には透光性のセラミック、ガラス、プラスチッ
ク又はこれ等を組み合せたものを用いる。一方基板上に
形成された感光層側から光照射する場合は、非透光性の
絶縁基板であっても良いし、又金属等非絶縁性の基板上
に絶縁処理された基板であっても良い。

絶縁性基板上に設置されるセンサー駆動電極としては例
えばＡｌ、Ｔｉ、　Ｖ、Ｃｒ、　Ｍｎ、　Ｆｅ、Ｇｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ
等及びこれ等金属の合金及びこれ等金属及び合金２種以
上の多層膜であっても良い。

あるいは必要に応じてＮＥＳＡ、ＩＴＯ１Ｉｎｚ０３等
の透光性電極であっても良い。

これ等の導電材料はスパッター法、蒸着法、又はＣＶＤ
法により成膜する事が可能であり、しかる後これ等金属
膜をフォトエツチング法により所望の形状を有する電極
を得る事が出来る。

又工業的に良く知られているマスク蒸着法、スクリーン
印刷法、リフトオフ法等により電極を形成する事も可能
である。

電極膜の膜厚は０．０５μｍ〜５．０μｍ、好ましくは
１〜４μｍである。

個別電極と共通電極が基板上に平面的に設置されるいわ
ゆるプレーナー型（第３−ａ図）の場合絶縁基板上に電
極形成後光導電層を設置し等倍センサーは完成する。一
方基板上に上部電極、光導電層、下部電極と積層するい
わゆるサンドイッチ型（第３−ｂ図）の場合下部電極を
形成し次に光導電層を形成した後、上部電極を前出の材
料及び方法で設置する。上部電極及び下部電極の材料は
同一である必要はなく、光導電層の特性を妨げないもの
が望ましい。

光導電膜は絶縁性樹脂及び特許請求範囲に記載された一
般式を有するフルオレノン化合物、α−置換スチルベン
化合物、ジアリールメタン化合物、アントラセン化合物
、ヒドラゾン化合物、ジビニルベンゼン化合物及びピラ
ゾリン化合物のうちの少なくとも１種（以下、化合物Ｉ
と称する）と、ぺりルン顔料のうちの少なくとも１種（
以下、化合物■と称する）とを主成分として構成される
。絶縁性樹脂としては例えばエポキシ樹脂、アクリル樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ブチロール樹脂
、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げら
れ、光導電層の成膜性、電気特性等から選択される。

又これ等樹脂固有の特性を補う目的で２種以上の絶縁性
樹脂を用いる事も可能である。

本発明に使用される化合物■及び化合物■と絶縁性樹脂
との混合重量比は下記の様である。

化合物Ｉ／絶縁性樹脂＝ｌ／３〜１／１化合物■／絶縁
性樹脂＝１７３〜３／】化合物■及び化合物Ｈの絶縁性
樹脂に対する混合比率が多過ぎると光導電膜と電極及び
絶縁性基板との接着性が低下し信頼性が損われる。

又少な過ぎると光導電率σρが小さくなりＳＮ比（σｐ
／σｄ）を上げる事が出来ない。光導電膜の膜厚は一般
的に０．１〜５μｍで好ましくは０．２〜２μｍである
。光導電層は例えばディッピング法、ドクターブレード
法、スプレー法、ロールコート法等の塗布方法に依り容
易に形成する事が出来る。

尚本発明の光導電膜には上記アゾ顔料及びフルオレノン
化合物を複数混合し相互の特性を補う事も可能である。

又、各種特性の向上及び安定化を計る為に他の添加物を
加えても良い。又、光導電層を環境及び外力から守る為
の保護層及びビット間分離の機能を有する光遮断層等を
光導電層上に設置する事も出来る。又絶縁性基板及び電
極との密着性改善及び光導電層と電極間の電気的改質の
為に電極及び絶縁性基板と光導電層との間に新たな層を
設置する事も可能である。

本発明で使用される化合物Ｉ及び化合物１１の具体例を
下記に例示する。

化合物；■ （１）　　フルオレノン化合物の例示 ２−２　−Ｈ−Ｃ１１２−ｏ−ｃｏ３−Ｈ−Ｉｆ　　　
　−Ｈ２−５−０ＣＩ＋３　−Ｃ２Ｈｓ　　　　　−ａ
ｌ１２−ｏ−Ｃ１１，、−ＩＩ　　　　＝Ｈ２−４−０
ＣＩ＋、　　−Ｃ２＋１．　　　　−ＣＩ＋□−＠　　
　−０Ｃ１１，−Ｈ２−３−ＩＩ−ｒ＋＝Ｃ，Ｉｔ□−
ｃ＋＋□噂−０ＣＨ，−Ｈ２−６−Ｈ−Ｃ２＋１．−Ｃ
Ｉ＋□−＠　　　−ＩＩ　　　　−ＨＣＨｌ ２−７　　−１ｌｒ　　　　−ＣＩら　　　　　　　　
　−ｃ＋＋□−ｑ　　　　　　　−）１　　　　　　　
−１ｌＣＩ＋。

２−８　　−ＩＩ　　　　　−Ｃ１ｌ、−ＣＨ３−Ｃｌ
ｌ、　　　　　　　−Ｈ２−９−Ｈ−Ｃｌ１３−ＣＩ（
、−Ｃ４−ＩＩ２−１．０　−１１　　−Ｃ，ｔＬｃＱ
　　　　−Ｃ１１２−＠−１−Ｈ−Ｈ２−ｌｌ　　−Ｈ
−Ｃ２＋１４ｃＱ　　　　−ＣＨ２−＠　　　−ｔｌ　
　　　−Ｈ２（５−ＣＮ　　　−Ｃ２１１，，０１１−
Ｃｔｌ□−＠−Ｃ１ｌ、　　　−ＩＩ　　　　　−８２
−１４−ＣＩら　　　−ＣＩｌ□Ｒｉ＠　　　　　　　
　−ＣＩｌ□う　　　　　　−Ｈ−１１２−１５−Ｃｊ
ｉ、　　　　−ＣＩ＋□−＠−ＣＩ＋、　　　　−Ｃｊ
ｉ、’−＠−Ｃ１ｌ、　　　　−ＩＩ　　　　　　　　
−ＩＩ２−１６　−ＩＩ　　　−Ｃｊｉ、−◎　　　　
−ａｌ□−＠　　　　−（Ｘｌｌ：Ｈ，−ｔ（２−１７
−ＣＮ　　　−ｃ＋＋□−＠　　　　　−ａｌ□−＠−
０ＣＩＩ３−Ｉｆ２−１８　−ＩＩ　　　−ａｌ□−＠
−ｃｌ！、　　　−Ｃｌｌ、−＠−Ｃ）Ｉ、　　　−１
１−Ｃ１１３２−１９−ＩＩ　　−ＣＩｌ□う　　−Ｃ
Ｈ□Ｊ　　　−ｊｔｌｔ、、；、　　−１１２−２０−
Ｉｆ　　　　−ＣＨ，−＠　　　　　−ＣＨ，−◎　　
　−ＣＩｌｊ　　　　　−Ｃ１＋３２−２１　−Ｂｒ　
　　−ＣＨ□−＠　　　　　−Ｃｊｉ、−◎　　　−Ｃ
ｊｉ、　　　　−Ｈ２−２２−Ｈ−Ｃｊｉ、−＠−０Ｃ
１１，−Ｃ１ｌ□−＠（）Ｃｊｉ、　　　−ＣＱ　　　
　　　　−ＩＩ２−２３　−ＩＩ−ＣＨ□樽−Ｃｌｌ、
−◎　　　−ＣＱ−ＣｃＩＩ３２−２４　−Ｈ−Ｃｌ１
□−＠−Ｎｏ２−Ｃ１ｌ□−＠−Ｎｏ２−Ｉｔ　　　　
　　−３２−２５−ＯＣ１１３−Ｃｌ１２−＠（Ｑ−Ｃ
ｌｌ、−◎−ＣＱ　　　−Ｈ−１１２−２８−Ｂｒ　　
　−ＣＨ２−＠−０ＣＨ，−Ｃｌ１２−＠−０ＣＩ（３
−Ｈ−Ｈ２−５０−Ｉｔ　　−Ｃ１ｌ、−＠　　　−Ｃ
Ｈ□−＠　　　−Ｎ＜８ｊｉ：　　−ＩＩ２−３１　−
Ｈ−ＣＨ２−＠−ＣＩ、　　　−Ｃｔ（、−◎−ＣＩ、
　　　−Ｃｕ　　　　　−０Ｃ１１３し＋１．　　　　
　　　　　　　　　Ｌ；ｌら２−３８　−Ｈ−ａ１２−
＠　　　　　−ｃｌ！、−■　　　−Ｈ−１ｌ２−３９
　　−Ｉｔ　　　　　−Ｃｊｉ２−＠−Ｃ１ｌ、　　　
　　−ＣＩ＋□−＠−Ｃ１ｌ、　　　　−ＩＩ　　　　
　　　　−ＩＩ２−４０　　Ｃ２Ｈ９−Ｃｌｌ□−ｏ−
Ｎｏ２−ＣＨ２−＠−ＮＯ□−Ｈ−ＩＩ２−４１　−Ｉ
Ｉ　　　−Ｃｊｉ、−◎＜Ｑ−Ｃ１１□−＠−ＣＱ−Ｉ
Ｉ　　　　　−１１２−／１３　　　　　−Ｈ−Ｃ２＋
１゜２−４４　　　　　−ＩＩ　　　　　　　　　−Ｃ
２＋＋４（４２）　α−換スチルベンヒ金物の例示 （３ジアリールメタン化へ　の　示 ２−１　−◎　　　−も１１５−（、ＩＩ、　　　　−
１（−Ｈ２−２−〇　　　　　　　　−Ｃ２馬　　　　
　　　−Ｃ，、！＋、　　　　　　　−ＣＩら　　　　
−１１２−３−〇　　　−６１１，−へ１１．　　　−
１１　　−０１゜２−４　−◎　　　−（４Ｈ９〜Ｃ２
１＋、　　　　−〇　　　−Ｃ２１１゜２−５　−◎　
　　−ｎ−Ｃ４Ｈ，−ｎ−Ｃ４ｔ１９−Ｉｔ　　　−Ｉ
Ｉ２−６−＠　　　　−らＩＬ、Ｃｆ１−Ｃ２Ｈ３−Ｉ
Ｉ　　　’　−ＩＩ２−７　−〇　　　−（、、＋１４
０Ｈ−〇２１１．　　　−ＩＩ　　　−ＩＩ２〜８−〇
　　　−Ｃｌｌ２−＠　　　−Ｃ１＋、　　　　−Ｈ−
ＩＩ２−９　−＠−Ｃ１１，−ｃｌＩＩ、−Ｃ２＋１５
−ＩＩ　　　−１１２−１０−＠−ＣＩ＋、　　　−Ｃ
２１１，−Ｃ２１１，−Ｃｌｌ、　　　−１１２−１１
−＠−ＣＩ、　　　　　　−Ｃ２１１，−（、Ｈ，−１
１−Ｃｌｌ。

２−１２　−◎−ＣＩ＋、　　　−Ｃ，、＋１５−ｃ２
ＩＩＳ−Ｈ−Ｃ，ＩＩ。

２−１．３　−＠−ＣＨ，−ｎ−Ｃ４１１９−ｎ−Ｃ４
１ｔ、　　　−Ｈ−ｔｌ２−１４　−＠−Ｃ１，−Ｃ２
１＋４ＣＱ−Ｃ２Ｈ９−ＩＩ　　　−８２−１５−＠−
Ｃ１１，−（１，、Ｉｔ、０１１−Ｃｚｌ＋、−Ｈ−Ｉ
Ｉ２−１６　　−＠−Ｃｌｌ、　　　　　　−Ｃ１１２
−＠　　　　　　−Ｃｌｌ、　　　　　　　　−Ｈ−Ｉ
Ｉ２−１７−＠−０ＣＩＩ３−Ｃ２１ｔ、−Ｃ２Ｈ，−
１−１−ＩＩ２−１８−＠−ＣＣＨｊ−Ｃ２１１，−ｃ
２１＋５−Ｃｌ１．　　　−ＩＩ２−１９−＠−０ｃｌ
１３−ラｌｌ５−Ｃｚｌ１５−Ｈ−Ｃｌｌ。

２−２０　−＠−０Ｃｔｌ、　　　　−Ｃ２１ｆ、−ら
１１５−Ｈ−らＨ９２−２１−＠−ｏｃ１１．　　　−
ｎ−Ｃ４１！、−ｎ−Ｃ４１ｆｇ−ｉ（−ＩＩ２−２２
　−＠−０ＣＨ，−Ｃｚ’ｄ、、ＣＱ　　　　−Ｃ４Ｉ
Ｉ、　　　　　−ＩＩ　　　　−Ｈ２−２５−ｏ−ＯＣ
ＩＩ３−（、、Ｉｆ４０１１　　　−Ｃ，ｌＩ、　　　
　　−）１　　　　−ＩＩ２−２４　　−＠−ｏｃｎ、
　　　　　　−ａｌ、−＠　　　　　　−ｃＨ，−ＩＩ
　　　　　　　−ＩＩ２−２５　　−Ｃ１ら　　　　　
　　　−ＣＩｌ□Ｒ０−Ｃ１ｌ□セ　　　　−１１　　
　　　−Ｈ２−２６−Ｃ２Ｈ，−Ｃ１＋、−◎　　　−
Ｃｔ（、−＠　　　−ｔｌ　　　　−ＩＩ２−２７　　
−ｎ−ｃｌＩＩ、　　　　　　−ａｌ、−＠　　　　　
　−Ｃ１ｆ２−＠　　　　　−ｆｌ　　　　　　　−Ｉ
Ｉ２−２８−Ｃｌｌ＜８ｊｊ’、　　−ＣＨ２−＠　　
−ｃｌ＋２−＠　　−ｔｌ　　　−ＩＩ２−２９　−Ｃ
，ＩＩ１□　　　　−ｃ＋４．−◎　　　−ＣＩ＋□−
＠　　　−Ｉｆ　　　　　−ｔｌ９１１゜ ２−３０　７ＣＩＩ（Ｃｔｌ□）２Ｃｔｌ、　　−Ｃ１
１２−＠　　　　−ｃｌ＋２−＠　　　−Ｉｔ　　　　
−ＩＩ２−３１　　−ｎ−Ｃ１□１１□、　　　　　　
−Ｃ１！□−＠　　　　　　　−Ｃ１ｌ□−＠　　　　
　　−ＩＩ　　　　　　　　　−Ｈ２−５２−Ｃ１１，
−ＣＩＬ−＠−ＣＱ　　−Ｃ１ｌ□−ｏ−ｃＱ　　−Ｉ
Ｉ　　　　　−ＩＩ２−３４−ｎ−（、ＩＩ７−Ｃｌ１
２−＠−Ｂｒ　　−Ｃ１ｌ□−＠−Ｂｒ　　−１１−１
１２−３５−Ｃ，、ＩＩ、、　　　　　−Ｃ１１，−＠
−ＣＩ＋３−ＣＩ＋、−◎−ＣＨ５−ＩＩ　　　　−Ｉ
Ｉ９１１゜ ２−３６−Ｃ１１（Ｃ１１□）２Ｃ１１３−ＣＩ＋□−
＠−Ｎｏ２−Ｃ１１□−＠−Ｎｏ□−ＩＩ　　　　　−
１１２−４１９−６１１，−ら１１．　　−Ｈ−１１２
−４２響　　−へ１１５−６Ｉｔ、−Ｈ−Ｉ＋２−４４
響　　−Ｃ２１＋、−Ｃ，、ＩＩ５−ＩＩ　　　−Ｉ＋
２−４７層　　−ら１１．−（、ＩＩ、−ＣＩ＋３−Ｉ
Ｉ２−４８４つ−Ｃ，１１５−（、、ＩＩ、−Ｃ１１，
−１１２−５０９−へＩＩ、−Ｃ，１１，−ＩＩ　　　
−ＣＩ＋。

２−５１９　　−Ｃ１１，−Ｃ１＋、　　　−ＩＩ　　
　−Ｃ，Ｈ，。

２−５６　　％Ｊ　　　−ｃｌｎ４ｃｎ−Ｃ２ｏ、−ｕ
　　　−。

■ ２−５８　　睡　　−Ｇ２＋！４０１１−Ｃ２Ｉ＋、−
ＩＩ　　　−１１２−５９堅　　−ＣＩｌ□う−ＣＩ＋
３−ＩＩ　　　−１１２−６５嘱７Ｊ、−ＣＩ＋３−Ｃ
Ｉ＋、　　　　　　　　−０ＣＩら　　　　−ＩＩ＋１ ２−６７　−　−Ｃ１ｌ、−ＣＩ＋］−ＩＩ　　　−Ｃ
Ｑと１１゜ ２−６９　　へ貧鳴１１５−らｌｌ５−ＣＩ＋、　　−
１１とＩ（５ （４）　　アントラセンイ頃合１１月札示−２−３−Ｂ
ｒ　　　　　　　　　　−ＣＣＩら　　　　　　　　　
　　　　　　−１１２−５−ＩＩ　　　　　　　　　−
ＩＩ　　　　　　　　　　　　　　　−Ｈ２−６−ＩＩ
　　　　　　　　　　　　　−ＣＩら　　　　　　　　
　　　　　　　　　　−１１２−１．０　　−ＩＩ　　
　　−Ｎ　７　”’Ｃｌ１゜ （以下余白） 人」−ζ−ドラースンーイ圀介物の倍、示−Ａｒ−ＣＩ
Ｉ＝Ｎ　−Ｎ−＠ ［（ ２−１＆　　　　　　−０５ ２−２与　　　　−０１１３ ２−３１１３ＧＯ−ｆ　　　　　　−ＣＩ＋３２−６　
　　　　　　　　◎−ＣＨ＝ＣＩ＋−−ＣＨ５＋１．Ｃ ２−７Ｊ−＠−ＣＩｌ−ＣＩ−−Ｃ１ｌ。

＋１ｊＣ ＣＨ３ ２−８蔽Ｈ−Ｃ１１−−Ｃ１１゜ Ｃ）ｌ。

２−０９　　　　　　　　◎（Ｉ（ミー　　　　　　　
　−ＣＩ。

２−１０　　　　８−　　　　　−Ｃ１ｌ□→２−１２
　　　ＩＩ、ｃｏ−８−−Ｑｌ□樽２−１５　　　　　
　　　◎−ＣＩ　ｌ−Ｃｌ　１−　　　　　　　−ＣＨ
，−０１３Ｃ ２−１６Ｊ−＠−ａｌｌミド　　　　　　　　−ＣＩ＋
２号１３Ｃ ＣＨ。

２−１８　　　　　　　　◎−Ｃ１＋和−−０１１□→
（以下余白） （６ジビニルベンゼン化合物の例示 Ｒ−１１いＩＩｃ　　Ｃ１１−ＣＩｌ−ＲＣＩｌ３ ２−４　−ＣΩ　　　　−Ｈ、−Ｎで　　　　　−Ｉ（
ＣＨ。

２−６　−Ｈ−ＩＩ−ＣＨ３−Ｈ ２−７−ＣＨ，−Ｈ−Ｈ−Ｈ ２−３−Ｈ−Ｈ−ＱＣ２Ｈ，−ＩＩ ２−９　　　−Ｉｆ　　　　　　　　　−ｔｌ　　　　
　　　　−Ｂｒ　　　　　　　　　　　−１１２−１０
−ｉｔ　　　　　　　　　−１５ｒ　　　　　　　−Ｉ
ｔ　　　　　　　　　　　−ＩＩ２−１１　　−Ｎｉ！
□　　　　　　−１１−Ｉｔ　　　　　　　　　　−Ｉ
Ｉ２−１２　　−ＩＩ　　　　　　　−Ｎｉｌ□　　　
　　−ＩＩ　　　　　　　　　　−ＩＩ２−１３　　−
ＩＩ　　　　　　　−Ｈ−Ｎｉ＋、　　　　　　　　−
ＩＩ２−１４　　−１１　　　　　　−Ｈ−ＣｚＨ，−
１１２−１５−（ＸＩ：ＩＩ、　　　　　　−１１−Ｈ
−１（２−２５−Ｈ−ＩＩ　　　　　　　　−ＩＩ　　
　　　　　　　　−ＩＩ２−２４　　　−ＩＩ　　　　
　　　　　　−０ＣＩ＋、　　　　　　　　−ＩＩ　　
　　　　　　　　　　　　−０ＣＩ＋。

２−２５　　　　−０Ｃ１１３−００ら一〇Ｃ１１３−
８２−２６−ＯＣ１１３−ＩＩ　　　　　　−ＩＩ　　
　　　　　　　−０ＣＲ。

２−２９　−Ｈ−１ｉ　　　　−Ｎご０１（・−Ｉ（ ＣＨ３ 表−１（社）（Ｒが下記基の場合） ２−３１　　　　玄７ とＨ。

２−４０−ＣＨ−ＣＨ−６−Ｎご０１（・：’４１　　
　　　　−ｃｌｌ−ｃｌｌ−＠（以下余白） （７）　　ヒドラゾン化合物の例示 ２−１　−Ｈ−ＩＩ　　　　　　−１１−８２−２−Ｈ
−Ｈ−Ｃ１ｌ、　　　　　−Ｈ２−５−Ｈ−Ｃ１，３−
Ｈ−Ｈ ２−４−Ｃｌ＋３−ＩＩ−Ｈ−１１ ２−５−４１−ＩＩ−Ｃ２＋１５−８ ２−６−Ｃ１３−ＩＩ　　　　　　　　　　　−ＣＩら
　　　　　　　　　−１１２−７−Ｃ１＋、　　　　　
　　　　　−１４−ＩＩ　　　　　　　　　　　　−Ｃ
ｌ＋３２−８　−Ｈ−Ｈ−０ＣＩ＋３−８ ２−９　−Ｈ−０ＣＨ，−Ｈ−Ｈ ２−ｌｏ　　　　　−０ＣＩら　　　　　　　　　−〇
　　　　　　　　　　　　−Ｉｆ　　　　　　　　　　
　　−ＩＩ２−１１　　　　−０ＣＩら　　　　　　　
　　−０ＣＲ，−〇　　　　　　　　　　　　−Ｈ２−
＋２　　−０ＣＩ＋、　　　　　　−ＩＩ　　　　　　
　　−ｆ）ＣＩ＋、　　　　　　−１１２−１３−０Ｃ
Ｒ，−Ｈ−１１−（ＸＩ、ＩＩ。

２−１４　　−Ｈ−０ＣＩ＋３−０ＣＨ３−Ｈ２−１５
−ＩＩ　　　　　　　　−〇Ｃ＋＋、　　　　　　−Ｉ
Ｉ　　　　　　　　−０ＣＩ＋。

２−１６　　　　−０ＣＩら　　　　　　　　　−０Ｃ
Ｉ＋、　　　　　　　　　　−０ＣＩ＋、　　　　　　
　　　　−８２−１７−１１−０ＣＨ，−（ＸＩ：Ｈ３
−ＯＣＩ＋。

２−１８　　−Ｈ−１１−島Ｈ，−１＋２−１９−Ｃｆ
４．ｌ＋５−１１　　　　　　　−１１　　　　　　　
−８２−２０　　−ＩＩ　　　　　　　−％１１．　　
　　　−ＱＣ２Ｉ＋、　　　　　　−１ｌＣ１＋。

２−２１　　−ＩＩ　　　　　　　　−１１−Ｎて　　
　　　　−ＩＩＣ［（３ ２−２６−ＩＩ　　　　　　　　−１−ＣＱ　　　　　
　　−０２−２７−Ｈ−ＣＱ、−ＩＩ　　　　　　　　
−ＩＩ２−２８　　−ＣＭ　　　　　　　−Ｈ−Ｈ−Ｉ
Ｉ２−２９　　−ＩＩ　　　　　　　　−Ｉｆ　　　　
　　　　−Ｂｒ　　　　　　　−＋１２−３０　　−Ｈ
−Ｏｒ　　　　　　　−Ｉｔ　　　　　　　　−ＩＩ２
−３１　　−Ｂｒ　　　　　　　−ＩＩ　　　　　　　
−Ｉｆ　　　　　　　　−ＩＩ（以下余白） （８）　　ヒ芥ｊ」Ｃへ伺介−物１すに示−２−１−Ｉ
Ｉ　　　　　　−Ｉｔ　　　　　　−ＩＩ　　　　　　
−ＩＩ　　　　　　−ＣＩ＋。

２−２　　−Ｈ−Ｈ−Ｃ１，、−Ｈ−ＣＩ。

２−３−１１　　　　　−１＋　　　　　　−６Ｉ＋、
　　　　　−ＩＩ　　　　　　−ＣＩ＋。

２−４−ＣＨ３−ＩＩ−Ｃ１１３−１イーＣＩ＋。

２−５−Ｃ１１３−Ｈ−ＩＩ　　　　　　　　−Ｃ１ら
　　　　　　−Ｃ１ら２−６　　−ＩＩ　　　　　　　
　−ＩＩ　　　　　　　　−０ＣＩ＋、　　　　　　−
Ｈ−ＣＩら２−７　　−ＩＩ　　　　　　−０ＣＨ３−
ＩＩ　　　　　　−ＩＩ　　　　　　−ＣＩｌＪ２−８
　　　−０ＣＩ＋、　　　　　　−ＩＩ　　　　　　　
　−Ｈ−ＩＩ　　　　　　　　−ＣＩら２−９　　　−
０ＣＨ３−０ＣＩら　　　　　−ＩＩ　　　　　　　　
−Ｈ−Ｃ１１２−１０−０ＣＩ＋、　　　　−ＩＩ　　
　　　　−０ＣＩ＋３−１！　　　　　　−ＣＩ。

２−１１　　　−ＱＣＩら　　　　　−＋＋　　　　　
　　　　−１１−αコ１□　　　　　−０１ら２−１２
　　−Ｈ−ＱＣ）Ｉ、　　　　　−０ＣＩ＋、　　　　
　−ＩＩ　　　　　　−ＣＩ１３２−１３　　−１１　
　　　　−０Ｃ１１，−１１−０ＣＩ＋３−ＣＨ。

２−１４　　　−（＞Ｃ１ら　　　　　−〇Ｃ１１，−
（ＸＩ、＋１３’　　−Ｉｔ　　　　　　　　　−ＣＩ
。

２−１５　　　−１１　　　　　　　−０ＣＩら　　　
　　−〇ＣＨ，−０ＣＩら　　　　　−Ｃ１１３２−１
６−Ｉｔ　　　　　　−＋＋　　　　　　−曵ｌｌ５−
＋ｌ　　　　　　−Ｃ１１３２−１７舶Ｃ，＋１．　　
　−）１　　　　　−Ｈ−１１−ＣＨ。

２−１８　　−ＩＩ　　　　　　−ＱＣ２＋１．　　　
　イ）Ｃ，Ｈ，−ＩＩ　　　　　　−Ｃ１ｌ。

２−１９　　−Ｈ−ＩＩ　　　　　　−Ｎこ　　　　−
ＩＩ　　　　　　−Ｃ１１３Ｃ１１゜ ２−２２　〜ＩＩ　　　−ＩＩ　　　−Ｈ−ＩＩ　　　
−Ｃ１ｌ□く２−２３　　−ＩＩ　　　　　　−＋＋　
　　　　　−ＣＨ，−Ｈ−ＣＨ□べ◇２−２４　　−Ｈ
−ＩＩ　　　　　　−Ｃ，Ｉｔ、　　　　−１１−ＣＩ
＋２−＠２−２５　　−ＣＩ１．　　　　−１（−ＣＨ
５−ＩＩ　　　　　−ＣＩ（、−◎２−２６　−ＣＨ，
−１１’−Ｉｔ　　　　　−Ｃ１ｌ、　　　　　−ＣＩ
、−◎２−２７　−Ｈ−Ｈ−０ＣＩ＋、　　　　−１１
−ＣＩ＋、−◎２−２８　−Ｉｔ　　　　　−０ＣＩ＋
１−ＩＩ　　　　　−ＩＩ　　　　　−ＣＩ＋、−◎２
−２９−ＯＣＩＩ３−Ｉｔ　　　　　　−１１−Ｉｆ　
　　　　　−Ｃ１１２−＠２−３０　　　−０ＣＩら　
　　　　−〇ＣＩ＋、　　　　　　−１１−Ｉｔ　　　
　　　　　　−ＣＨ□セ２−３１　　−０ＣＩ＋、　　
　　−ＩＩ　　　　　−０Ｃ１１，−Ｈ−Ｃ１１，−◎
２−：３２　−０ＣＩ＋、　　　　−ｆｌ　　　　　−
Ｈ−０ＣＨ，−ＣＩ２−＠２−３３　−ＩＩ　　　　　
−０Ｃ１１，−０ＣＩ＋３−Ｈ−ＣＩ１２−＠２−３４
　　　−Ｉｔ　　　　　　　　−０ＣＩＩ、　　　　　
　−ＩＩ　　　　　　　　−０ＣＩＩ、　　　　　　−
ＣＨ２−＠２−３５　　　−０ＣＩＩ、　　　　　　−
０ＣＨ，−０ＣＩ１．　　　　　−ｔｌ　　　　　　　
　−ＣＩ＋、−＠２−３６　−Ｈ−０ＣＩ＋、−０Ｃ１
１３−ＯＣＩ＋、　　　　−Ｃ１＋、−◎２−３７　　
−１１　　　　−Ｈ−０Ｃ２＋１５−ＩＩ　　　　　　
−ＣＩ１２−＠２−３８−ＯＣ２１ｔ５−ＩＩ　　　　
　−Ｈ−１１−ＣＨ２−＠２−３９　−１！　　　　　
−へ＋＋５　　　−へＩＩ、　　　　−ＩＩ　　　　　
−Ｃ１１，−◎２−４０　　−Ｈ−ＩＩ　　　　　　−
Ｎ３　　　　−ＩＩ　　　　　　−ＣＩ１２−＠（以下
余白） （９）　　ヒドラゾ乞進イ１１佑Ｊ勧Ｌ２−］　　　　
　　　　−ＣＩら　　　　　　　　　　　−０１ら　　
　　　　　　　　　　　−１１２−２−ＣＩ＋３−Ｃ２
＋＋、　　　　　　　−Ｈ２−３−Ｃ１１Ｊ−ｃｌ＋２
−＠　　　　　　−ＩＩ２−４−Ｃ１１，−＠　　　　
　　　　−ＩＩ２−５−Ｃ，＋１５−ＣＩ＋３−ＩＩ ２−６　　　−（、、Ｈ，、−Ｃ２Ｈ５−８２−７−Ｃ
２１１５−ａ１２−＠　　　　　　−１１２−８−（、
ＩＩ、　　　　　　−＠　　　　　　　　−ＩＩ２−９
　　　−Ｃ，＋１．、Ｏｌｌ　　　　　−Ｃ１＋、　　
　　　　　−Ｈ２−ｌｏ　　　　−Ｃ２＋１４０１１　
　　　−Ｃ２ｔｌ、　　　　　　　−ＩＩ２−１１　　
　−Ｃ２＋１４０１１　　　　−Ｃ１１，−◎　　　　
　−１（２−ｌ、２　　　　−Ｃ２Ｉｆ４０ｉ１　　　
　　−＠　　　　　　　　　−Ｈ２−＋３　　　　−−
１ｔ、ＣＱ　　　　　　−Ｃ１＋、　　　　　　　　　
　−ＩＩ２−１４−Ｃｚｌ１４ＣＱ−０□１１．、　　
　　　　　　−ＩＩ２−１５　　　　−Ｃ２１１４Ｃ１
ｌｉ　　　　　　−ａｌｌ−＠　　　　　　　−ＩＩ２
−１．６　　　　−Ｃ２Ｈ４ＣＱ　　　　　　−＠　　
　　　　　　　−ＩＩ２−１７　　　　−Ｃ１１，−Ｃ
１１，−ＣＯ２−１８−ＣＩ、　　　　　　　　−Ｃ２
＋＋、　　　　　　　　　−Ｂｒ２−１９−Ｃ１１３−
Ｃ２１＋、　　　　　　　　　−０ＣＩ＋。

２−２０　　　　−ＣＩ、−らＩＩ５−ＮＯ２２−２１
−Ｃ１１３−Ｃ８２号　　　　　　−ＣＱＣＩ＋３ ２−２２　　　　　　−ＣＩら　　　　　　　　　　−
ＣＨ２−＠　　　　　　　　　　　−Ｎて２−２４−Ｃ
２＋ｌ５−ＣＨ，−ＣＯ ２−２５−Ｃ２＋１．−ＣＨ３−０ＣＩＩ３２−２６−
Ｃ２＋＋５−ＣＩ＋、　　　　　　　　　−Ｎｏ２２−
２７−Ｃ７１（５−Ｃ１１，−◎　　　　　　　−ＣＯ
２−２８−ｃｌＩＩ、−ＣＩ、−◎　　　　　　−民！
１゜２−２９　　　　−Ｃ２Ｉｆ、　　　　　　　−Ｃ
Ｈ２−＠　　　　　　　−ＣＨ３２−５０−Ｃ，ＩＩ、
、　　　　　　　−Ｃ１１，−◎　　　　　　−Ｂｒ２
−３２　　　　−ＣｚＨ，０１１−ＣＩ＋、　　　　　
　　　　　−０Ｃ２Ｈ６２−３３−Ｃ２１１，ＯＨ−Ｃ
１１，−Ｃ２Ｉ＋。

２−３５　　　　−（、、ｔ１４ｏＨ−Ｃｚｌｌｓ　　
　　　　　　　−Ｂｒ２−３６　　　　−Ｃ２＋１．．
０１１　　　　　−Ｃ２＋１．　　　　　　　　−Ｎｏ
□２−３７　　　　−Ｃ２ｔｌ、ＯＨ−ＣＨ２−◎　　
　　　　−ラ！１゜２−３８　　　　−Ｃ２＋１．０１
１　　　　　−ＣＩｌｆ◎　　　　　　　−ヘ１１゜２
−４１　　　　−Ｃ，１１４ＣＩｌｌ　　　　　　−Ｃ
１＋、　　　　　　　　　−ＣＯ２−４２−Ｃ２１１４
Ｃｆｌ−Ｃ，Ｈ５−Ｉ３ｒ２−４３　　　　−Ｃ２Ｌｃ
Ｑ、−Ｃ２Ｉ＋５−Ｎｏ２２−４５　　　　　　　−Ｃ
２ＬＣＱ　　　　　　　　−〇　　　　　　　　　　　
　　−０ＣＩら（以下余白） Ｄ速用−ぐラゾリンイ畦ｍ物の例示 し１量。

２−３　　　０−ＯＣＨｊ−ＩＩ　　　　　　　　　　
　　−１１２−４０−％ｌｌ５−ＩＩ　　　　　　　　
　　−１１２−５０−Ｃ１ｌ、　　　　　　　−Ｈ−Ｉ
Ｉ２−７　　１　　　　−ＱＣ？Ｈ，−０Ｃ２＋１．−
Ｈ２−３１−０ＣＨ，−０ＣＨ，−１１ ２−９１−ＣＩら　　　　　　　　　　−ＣＨ３−１（
（以下余白） 化合物■： ペリレン顔料の例示 次に本発明をさらに詳しく説明するために下記に実施例
及び比較例を示すが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。

実施例１ ポリアミド（ＣＭ−ａｏｏｏ；東し株式会社製）０．４
重量部、メタノール７重量部、ブチルアルコール３重量
部の溶液を調製し、次いでこの液をガラス基板上に第４
図に示したＡｌ電極パターンを有する基板上に乾燥時の
膜厚が０．３μｍに成る様ディッピング法で塗布した。

　しかる後ｔ　ｏ　ｏ　’ｃの恒温槽中で３０分乾燥し
た。

次に前記（１）フルオレノン化合物の例示中に構造式（
化合物Ｎ（１２−４３）で示されるフルオレノン化合物
２．７重量部、ポリカーボネート樹脂（パンライトに−
１３００；帝人化成株式会社製）３重量部、テトラヒド
ロフラン７７重量部溶液及び前記ペリレン顔料の例示中
に構造式（化合物Ｎα１）で示されるペリレン顔料２重
量部をボールミルにて充分に粉砕した。次いでこの粉砕
混合物を取り出し、ゆっくり攪拌しながらテトラヒドロ
フランを加え、固型分濃度２重量パーセン１−の光電変
換層形成液（Ａ）を調製した。しかる後０゜３μｍ膜厚
のポリアミド層が形成された基板−とにディッピング法
にて乾燥時１μｍの膜厚が得られる様光電変換層形成液
（Ａ）を塗布し、　しかる後１００℃で３０分乾燥し、
本発明の光電変換素子（Ａ）を得た。

実施例２ 前記（１）フルオレノン化合物の例示中に構造式（２−
４０）で示されるフルオレノン化合物、及び前記ペリレ
ン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎａ　８　）で示され
るペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方法で本
発明の光電変換素子ＣＢ）を得た。

実施例３ 前記（２）α−置換スチルベン化合物の例示中に構造式
（化合物Ｎα６４）で示されるα−置換スチルベン化合
物、及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎ
α１３）で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例１
と同様な方法で本発明の光電変換素子（Ｃ）を得た。

実施例４ 前記（２）α−置換スチルベン化合物の例示中に構造式
（化合物Ｎα１６）で示されるα−置換スチルベン化合
物、及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎ
ｎ７）で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と
同様な方法で本発明の光電変換素子（Ｄ）を得た。

実施例５ 前記（３）ジアリールメタン化合物の例示中に構造式（
化合物Ｎα２−６０）で示されるジアリールメタン化合
物、及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎ
ｏ１６　）で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例
１と同様な方法で本発明の光電変換素子（Ｅ）を得た。

実施例６ 前記（３）ジアリールメタン化合物の例示中に構造式（
化合物Ｎα２−６３）で示されるジアリールメタン化合
物、及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎ
α９）で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と
同様な方法で本発明の光電変換素子（Ｆ）を得た。

実施例７ 前記（４）アントラセン化合物の例示中に構造式（化合
物Ｎα２−２）で示されるアントラセン化合物、及び前
記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα５）で示
されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方法
で本発明の光電変換素子（Ｇ）を得た。

実施例８ 前記（４）アントラセン化合物の例示中に構造式（化合
物Ｎα２−８）で示されるアントラセン化合物、及び前
記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα１６）で
示されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方
法で本発明の光電変換素子（Ｈ）を得た。

実施例９ 前記（５）ヒドラゾン化合物の例示中に構造式（化合物
Ｎα２−４）で示されるヒドラゾン化合物、及び前記ペ
リレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα６）で示され
るペリレン酊料を用い、他は実施例１と同様な方法で本
発明の光電変換素子（Ｉ）を得た。

実施例１０ 前記（５）ヒドラゾン化合物の例示中に構造式（化合物
Ｎα２−６）で示されるヒドラゾン化合物、及び前記ペ
リレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎａ　７　）で示
されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方法
で本発明の光電変換素子（Ｊ）を得た。

実施例１１ 前記（６）ジビニルベンゼン化合物の例示中に構造式（
化合物ＮＧ２８）で示されるジビニルベンゼン化合物、
及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα３
）で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様
な方法で本発明の光電変換素子（Ｋ）を得た。

実施例１２ 前記（６）ジビニルベンゼン化合物の例示中に構造式（
化合物Ｎα２−２９）で示されるジビニルベンゼン化合
物、及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎ
α９）で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と
同様な方法で本発明の光電変換素子（Ｌ）を得た。

実施例１３ 前記（７）ヒドラゾン化合物の例示中に構造式（化合物
Ｎα２−１８）で示されるヒドラゾン化合物、及び前記
ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎａ　９　）で
示されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方
法で本発明の光電変換素子（Ｍ）を得た。

実施例１４ 前記（７）ヒドラゾン化合物の例示中に構造式（化合物
Ｎａ　２−４．　）で示されるヒドラゾン化合物、及び
前記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα１１）
で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な
方法で本発明の光電変換素子（Ｎ）を得た。

実施例１５ 前記（８）ヒドラゾン化合物の例示中に構造式（化合物
Ｎα２−９）で示されるヒドラゾン化合物、及び前記ペ
リレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα８）で示され
るペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方法で本
発明の光電変換素子（○）を得た。

実施例１６ 前記（８）ヒドラゾン化合物の例示中に構造式（化合物
Ｎａ　２−７　）で示されるヒドラゾン化合物、及び前
記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα２）で示
されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方法
で本発明の光電変換素子（Ｐ）を得た。

実施例１７ 前記（９）ヒドラゾン化合物の例示中に構造式（化合物
Ｎα２−８）で示されるヒドラゾン化合物、及び前記ペ
リレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα８）で示され
るペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方法で本
発明の光電変換素子（Ｑ）を得た。

実施例１８ 前記（９）ヒドラゾン化合物の例示中に構造式（化合物
Ｎａ２−３１）で示されるヒドラゾン化合物、及び前記
ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα５）で示さ
れるペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方法で
本発明の光電変換素子（Ｒ）を得た。

実施例１９ 前記（１０）ピラゾリン化合物の例示中に構造式（化合
物Ｎｃｔ２−６）で示されるピラゾリン化合物、及び前
記ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα１６）で
示されるペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方
法で本発明の光電変換素子（Ｓ）を得た。

実施例２０ 前記（１０）ピラゾリン化合物の例示中に構造式（化合
物Ｎα２−７）で示されるピラゾリン化合物、及び前記
ペリレン顔料の例示中に構造式（化合物Ｎα４）で示さ
れるペリレン顔料を用い、他は実施例１と同様な方法で
本発明の光電変換素子（Ｔ）を得た。

比較例１ 実施例１と同様にＡ１電極の形成された基板上に０．３
μｍ膜厚のポリアミド層を形成した。次いで実施例１で
使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物Ｎα１の構
造式で示されるペリレン顔料２重量部、ポリカーボネー
！−樹脂（パンライト、Ｋ　−１３００；帝人化成株式
会社製）３重址部、テトラヒドロフラン５０重量部をボ
ールミルにて充分に粉砕した。得られた分散液を取り出
し、ゆっくり攪拌しながらテトラヒドロフランを加え、
固型分濃度２重量パーセントの光電変換層形成液（１）
を調製し、実施例１と同様な方法で乾燥時膜厚１μｍの
光電変換層を設け、比較光電変換素子（１）を得た。

比較例２ 実施例２で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
Ｎα８の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は比
較例１と全く同様な方法で比較光電変換素子（Ｕ）を得
た。

比較例３ 実施例３で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
Ｎα１３の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は
比較例１戸全く同様な方法で比較光電変換素子（Ｉ■）
を得た。

比較例４ 実施例４で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
ＮＱ　７の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は
比較例１と全く同様な方法で比較光電変換素子（ｒＶ）
を得た。

比較例５ 実施例５で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
Ｎ（１１６の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他
は比較例１と全く同様な方法で比較光電変換素子（Ｖ）
を得た。

比較例６ 実施例６で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
Ｎα９の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は比
較例１と全く同様な方法で比較光電変換素子（ＶＩ）を
得た。

比較例７ 実施例７で使用した前記ペリレン顔料の例示Ｉｉ＋　＞
こ化合物Ｎα５の構造式で示されるペリレン顔料を用い
た他は比較例１と全く同様な方法で比較光電変換素子（
■Ｉ）を得た。

比較例８ 実施例９で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
Ｎα６の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は比
較例１と全く同様な方法で比較光電変換素子（■）を得
た。

比較例９ 実施例１１で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合
物Ｎα３の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は
比較例１と全く同様な方法で比較光電変換素子（ＩＸ）
を得た。

比較例１Ｏ 実施例１４で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合
物Ｎα１１の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他
は比較例１と全く同様な方法で比較光電変換素子（Ｘ）
を得た。

比較例１１ 実施例１６で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合
物Ｎα２の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は
比較例１と全く同様な方法で比較光電変換素子（Ｘ［）
を得た。

比較例１２ 実施例２０で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合
物Ｎα４の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は
比較例１と全く同様な方法で比較光電変換素子（Ｘ［Ｉ
）を得た。

この様にして得られた光電変換素子Ａ−Ｔ及び比較光電
変換素子■〜別のＳＮ比（光電流／暗電流）及び光応答
速度（立上り時間；Ｔｒ、立下り時間；Ｔｄ）を表１．
２、に示す。但し実施例、比較例で採用した素子構造は
プレーナー型であり、Ａ１電極の電極間距離は５μｍ、
電極膜厚は１μｍである（第４図）。又ビット間分離の
目的で第４．５図に示す如く光遮断層を設は素子特性の
評価を実施した。

ＳＮ比は素子に直流電圧を印加し各電界強度に対する光
電流（σｒ）／暗電流（σｄ）比で表わした。又光応答
速度はｌＸ１０’Ｖ／ａｎの電界下に於ける充電流波形
（第６図参照）よりＴｒ、Ｔｄを求めた。Ｔｒ、Ｔｄの
定義は第６図に示した。

ＳＮ比、光応答速度共に測定時の照射光量はタングステ
ンランプで１７０１ｕｘ（色濃度：２８５０’　Ｋ）で
ある。

（以下余白） （以下余白） 表−２ 表１，２、より電界強度ＩＸ］ＯＳＶ／餅の時に本発明
に依る光゛正変換素子Ａ−Ｔは、ペリレン顔料だけを用
いた、フルオレノン化合物、α−置換スチルベン化合物
、ジアリールメタン化合物、アン１〜ラセン化合物、ヒ
ドラゾン化合物、ジビニルベンゼン化合物及び／又はピ
ラゾリン化合物を含まない比較品である比較光電変換素
子■〜■より優り、１０３台のＳＮ比が得られる事が判
った。又応答速度Ｔｒ、Ｔｄに於ける本発明の比較品と
比較した場合の改善効果は歴然として居り、ペリレン顔
料、及び結着樹脂にフルオレノン化合物、α−置換スチ
ルベン化合物。

ジアリールメタン化合物、アントラセン化合物、ヒドラ
ゾン化合物、ジビニルベンゼン化合物及び／又はピラゾ
リン化合物を添加する事で光導電層中に於けるキャリア
ー移動度改善を狙った本発明の効果であると判断出来る
。又各ビットに於けるＳＮ比、Ｔｒ、Ｔｄの特性はほぼ
同一の値を示しビット間分離に何等問題なくビット間バ
ラツキの少い安定な光電変換素子の提供が可能であると
判断出来る。

効　　　果 以上述べたように、本発明によれば大規模な成膜が可能
な事がら長尺（メーＩ−ルサイズ）の等倍センサーが可
能であり、さらにまたペリレン顔料にドナーフルオレノ
ン化合物、α−置換スチルベン化合物、ジアリールメタ
ン化合物、アントラセン化合物、ヒドラゾン化合物、ジ
ビニルベンゼン化合物及び／又はピラゾリン化合物を添
加した事により応答速度及びＳＮ比（光電流／暗電流）
特性に秀れた有機光電変換素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は密着画像読取等倍センサーの全体の構成例を示
す概略図である。 第２ａ図及び第２ｂ図は回路構成例を示す読出し回路図
である。 第３ａ図及び第３ｂ図は光導電膜の素子構造を示す概略
図である。 第４図は本発明で使用する光電変換素子の概略平面図で
あり、第５図は前記光電変換素子の概略断面図である。 第６図はｌＸ１０’Ｖ／ａｎの電界下における光電法波
形であり、光応答速度は立上り時間Ｔｒ及び立下り時間
Ｔｄで示される。 １・・・原稿　　　　　　　２・・・光源３・・・フォ
トセンサーアレイ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を
   設置して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導
   電体が、下記 一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数１〜
   ４のアルコキシ基、又は炭素数１ 〜４のアルキル基を表わし、Ａｒは ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼ （但しＲ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿６は水素、炭素数１〜４の
   置換又は無置換のアルキル基、或い は置換又は無置換のベンジル基を表わし、 Ｒ＿４、Ｒ＿５は水素、ハロゲン、炭素数１〜４のアル
   キル基、或いは炭素数１〜４の アルコキシ基又はジアルキルアミノ基を 表わす）を表わす〕 で表わされるフルオレノン化合物、 一般式（２） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＾１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換
   もしくは無置換のアリール基また は置換もしくは無置換のアラルキル基を、 Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４は水素原子、置換もしくは無
   置換のアルキル基、置換もしくは無置 換のアリール基または置換もしくは無置換 のアラルキル基を表わし、Ａｒ＾１は置換又は無置換の
   アリール基を、Ａｒ＾２は置換又は無置換のアリーレン
   基を表わし、Ａｒ＾１とＲ＾１は共同で環を形成しても
   よく、ｎは０又は １の整数である） で表わされるα−置換スチルベン化合物、 一般式（３） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１は炭素数１〜１１のアルキル基、置換又は
   非置換のフェニル基、或いは複素環式 基を表わし、Ｒ＿２、Ｒ＿３はそれぞれ同一でも異なっ
   ていてもよく、水素、炭素数１〜４ のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ク ロルアルキル基、或いは置換又は非置換の アラルキル基を表わし、またＲ＿２、Ｒ＿３は互いに結
   合し窒素を含む複素環を形成してい てもよく、Ｒ＿４、Ｒ＿５はそれぞれ同一でも異なって
   いてもよく、水素、炭素数１〜４の アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン を表わす〕 で表わされるジアリールメタン化合物、 一般式（４） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿１は水素又はハロゲン原子を表わし、Ｒ＿
   ２は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４の
   アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、成いは置換又は非
   置換のジア ラルキルアミノ基を表わし、Ｒ＿３は水素、アルキル基
   又はハロゲン原子を表わす〕 で表わされるアントラセン化合物、 一般式（５） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ａｒはナフタリン環、アントラセン環、スチリ
   ル基及びそれらの置換体、ある いはピリジン環、フラン環、チオフェン環 を表わし、Ｒはアルキル基又はベンジル基 を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、 一般式（６） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基
   、インドリル基又はフリル基、 或いはそれぞれ置換または非置換のフェニ ル基、スチリル基、ナフチル基又はアント リル基（但し前記置換基はジアルキルアミ ノ基、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ ン原子、アラルキルアミノ基又はアミノ基 からなる群から選ばれる）を表わす〕 で表わされるジビニルベンゼン化合物。 一般式（７） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は水素、炭素数
   １〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコ キシ基、置換又は非置換のジアルキルアミ ノ基、ジベンジルアミノ基又はハロゲン原 子を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、 一般式（８） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は水素、炭素数
   １〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコ キシ基、ジアルキルアミノ基又はジベンジ ルアミノ基を表わし、Ｒ＿５はアルキル基又はベンジル
   基を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、 一般式（９） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＿１はメチル基、エチル基、２−ヒドロキシ
   エチル基、又は２−クロルエチル 基を表わし、Ｒ＿２はメチル基、エチル基、ベンジル基
   又はフェニル基を表わし、Ｒ＿３は水素、塩素、臭素、
   炭素数１〜４のアル キル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ジ アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、及び 一般式（１０） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３は水素、アルキル基、ア
   ルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ある いはハロゲン原子を表わし、ｎは０又は１ を表わす〕 で表わされるピラゾリン化合物のうちの少なくとも１種
   （ I ）と、下記一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、置 換アルキル基を含むアルキル基及び、アル コキシ基又は置換もしくは無置換のアリー ル基を示す） で示されるペリレン顔料の少なくとも１種 （II）とを有効成分として含有する事を特徴とする画像
   読取等倍センサー。