JPS625672A - 画像読取等倍センサ− - Google Patents

画像読取等倍センサ−

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JPS625672A
JPS625672A JP60146062A JP14606285A JPS625672A JP S625672 A JPS625672 A JP S625672A JP 60146062 A JP60146062 A JP 60146062A JP 14606285 A JP14606285 A JP 14606285A JP S625672 A JPS625672 A JP S625672A
Authority
JP
Japan
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group
substituted
compound
general formula
formula
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Pending
Application number
JP60146062A
Other languages
English (en)
Inventor
Setsu Rokutanzono
節 六反園
Hirota Sakon
洋太 左近
Mitsuru Seto
瀬戸 満
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP60146062A priority Critical patent/JPS625672A/ja
Publication of JPS625672A publication Critical patent/JPS625672A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 するものであり、さらに詳しくはフルオレノン化合物、
α−置換スチルベン化合物、ジアリールメタン化合物、
アン1〜ラセン化合物、ヒドラゾン化合物、ジビニルベ
ンゼン化合物及びピラゾリン化合物のうちの少なくとも
1種([)と、ペリレン顔料のう℃の少なくとも1種(
■)とを主成分とした光導電膜を備えた光電変換素子を
有する画像読取等倍センサーに関するものである。
従】Uえ帆 従来技術としてはCdS、アモルファス−81を用いた
光電変換素子として特開昭59−54373(電々公社
)、特開昭59−11.2651(富士通)、特開昭5
9−110177 (来夏)等が有り、P−C−5iを
使用した光電変換素子としては特開昭58−11816
1 (キャノン)が上げられる。又「日経エレクトロニ
クスJ  (19B2年4月26日)では上記CdS、
アモルファス−3iの他にCdSe、5sAs  Te
等を用いた光電変換素子を紹介している。しかしながら
これ等はいずれも成膜方法の点で制約を受ける為長尺(
メートルサイズ)の等倍センサーとしての利用には不適
当である。
長尺等倍センサーに有利な光電変換素子材料として我々
はアゾ顔料/結着樹脂分散系の光電変換素子を検討して
来た(特許出願法)。しかしながらこの系ではキャリア
ーの移動度に難点が有り、所望する応答速度は得られな
かった。
本発明は上記分散系光電変換素子応答速度の改善を計っ
たものである。
目     的 本発明は従来の欠点を克服したフルオレノン化合物、α
−置換スチルベン化合物、ジアリールメタン化合物、ア
ントラセン化合物、ヒドラゾン化合物、ジビニルベンゼ
ン化合物及びピラゾリン化合物のうちの少なくとも1種
(1)と、ペリレン顔料のうちの少なくとも1種(Iり
とを主成分とした光導電膜を備えた光電変換素子を有す
る画像読取等倍センサーを提供することを目的とする。
構   成 本発明者は前記目的を達成するために鋭意研究した結果
、 絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を設置
して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導電体
が、下記 一般式(1) 〔式中R工は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数1〜4
のアルコキシ基、又は炭素数1〜4のアルキル基を表わ
し、Arは (但しR,、R3,R,は水素、炭素数1〜4の置換又
は無置換のアルキル基、或いは置換又は無置換のベンジ
ル基を表わし、R4,R,は水素、ハロゲン、炭素数1
〜4のアルキル基、或いは炭素数1〜4のアルコキシ基
又はジアルキルアミノ基を表わす)を表わす〕 で表わされるフルオレノン化合物、 一般式(2) (式中R1は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の
アラルキル基を、R2、R3及びR4は水素原子、置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表
わし、Ar1は置換又は無置換のアリール基を、Ar”
は置換又は無置換のアリーレン基を表わし、 Ar1と
R1は共同で環を形成してもよく、nはO又はlの整数
である) で表わされるα−置換スチルベン化合物、一般式(3) 〔式中R1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は非
置換のフェニル基、或いは複素環式基を表わし、 R2
,R3はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、
炭素数1〜4のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ク
ロルアルキル基、或いは置換又は非置換のアラルキル基
を表わし、またR2. R,は互いに結合し窒素を含む
複素環を形成していてもよく、R4゜R6はそれぞれ同
一でも異なっていてもよく、水素、炭素数1〜4のアル
キル基、アルコキシ基、又はハロゲンを表わす〕 で表わされるジアリールメタン化合物、一般式(4) 〔式中、 R1は水素又はハロゲン原子を表わし、R2
は水素、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のア
ルコキシ基、ジアルキルアミノ基、或いは置換又は非置
換のジアラルキルアミノ基を表わし、 R1は水素、ア
ルキル基又はハロゲン原子を表わす〕 で表わされるアントラセン化合物、 一般式(5) %式% 〔式中、 Arはナフタリン環、アントラセン環、スチ
リル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フラ
ン環、チオフェン環を表わし、Rはアルキル基又はベン
ジル基を表わす〕で表わされるヒドラゾン化合物。
一般式(6) %式% 〔式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チェニル基
、インドリル基又はフリル基、或いはそれぞれ置換また
は非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル基又はア
ントリル基(但し前記置換基はジアルキルアミノ基、ア
     □ルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、
アラルキルアミノ基又はアミノ基からなる群から選ばれ
る)を表わす〕 で表わされるジビニルベンゼン化合物、一般式(7) 〔式中R1,R2,R,、R4は水素、炭素数1〜3の
アルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、置換又は非
置換のジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基又はハ
ロゲン原子を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、 一般式(8) 〔式中R1,R2,R3,R4は水素、炭素数1〜3の
アルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジアルキル
アミノ基又はジベンジルアミノ基を表わし、 R6はア
ルキル基又はベンジル基を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、 一般式(9) 〔式中、 R工はメチル基、エチル基、2−ヒドロキシ
エチル基、又は2−クロルエチル基を表わし、 R2は
メチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表わ
し、 R3は水素、塩素、臭素、炭素数1〜4のアルキ
ル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ジアルキルアミノ
基又はニトロ基を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、及び 一般式(10) 〔式中R1,R2,R3は水素、 アルキル基、アルコ
キシ基、ジアルキルアミノ基、あるいはハロゲン原子を
表わし、nはO又は1を表わす〕 で表わされるピラゾリン化合物のうちの少なくとも1種
(I)と、下記一般式。
(但し、Rは水素原子、ハロゲン原子、置換アルキル基
を含むアルキル基及び、アルコキシ基又は置換もしくは
無置換のアリール基を示す) で示されるペリレン顔料の少なくとも1種(n)とを有
効成分として含有する事を特徴とする画像読取等倍セン
サーを提供することによって前記目的が達成できること
を見出した。
すなわち本発明は絶縁性基板上に個別電極。
共通電極及びフルオレノン化合物、α−置換スチルベン
化合物、ジアリールメタン化合物、アントラセン化合物
、ヒドラゾン化合物、ジビニルベンゼン化合物及びピラ
ゾリン化合物のうちの少なくとも1M (1)と、ペリ
レン顔料のうちの少なくとも1種(n)とを主成分とす
る光導電膜を設ける事に依り構成される光電変換素子を
備えた画像読取用等倍センサーに関するものである。
まず等倍センサーの全体構成例、回路構成例、光電変換
素子部構造例を第1図、第2−a図、第2−b図、第3
−a図及び第3−b図に示す。
第1図は画像読取用等倍センサーの1構成例を示したも
のである。このイメージセンサ−は照明光源、導光系と
してロッドレンズアレイ、光電変換膜から成るフ第1ヘ
センサーアレイから構成されて居り、その他に読出し回
路、及び走査回路がセンサー駆動には必要となる。
読出し方式にはリアルタイム方式と電荷蓄積方式の2方
式がある。
第2−a図にリアルタイム方式読出し回路の1例を図示
した。リアルタイム方式は各素子に直列にブロッキング
ダイオードを設け、個別電極を順次スイッチングして各
素子の抵抗変化を外部電流変化とし光電変換出力信号と
して取り出す方式である。第2−b図は電荷蓄積方式読
出し回路の1例である。本方式は信号光でフォトダイオ
ード内にWMされた電荷を放電させ、蓄積時間(走査時
間)毎にフォトダイオードに流れ込む充電電流を検出し
光信号を電気信号に変換する方式である。
第3−a図及び第3−b図に光電変換素子の構成を示し
た。素子構造は電極の配置によりプレーナー型(第3−
 a図)、とサンドインチ型(第3’−b図)に大別さ
れる。サンドイッチ型は感光層膜厚が電極間隔となる為
電極間隔を高精度且つ容易に制御出来る反面、透明電極
が必要であり又感光層のピンホールが致命傷となる欠点
がある。
処方プレーナー型はサンドインチ型に比し耐ピンホール
特性に秀れ、電極を1回の工程で作成出来る反面、電極
間隔制御に難点が有る。
次に本発明の主眼である光電変換部を構成する材料及び
処方に関して述べる。
本発明に於ける絶縁基板としては例えば基板側から受光
する場合には透光性のセラミック、ガラス、プラスチッ
ク又はこれ等を組み合せたものを用いる。一方基板上に
形成された感光層側から光照射する場合は、非透光性の
絶縁基板であっても良いし、又金属等非絶縁性の基板上
に絶縁処理された基板であっても良い。
絶縁性基板上に設置されるセンサー駆動電極としては例
えばAl、Ti、 V、Cr、 Mn、 Fe、Go、
Ni、Cu、Zn、Pb、Sn、Ag、Au、Mo、W
等及びこれ等金属の合金及びこれ等金属及び合金2種以
上の多層膜であっても良い。
あるいは必要に応じてNESA、ITO1Inz03等
の透光性電極であっても良い。
これ等の導電材料はスパッター法、蒸着法、又はCVD
法により成膜する事が可能であり、しかる後これ等金属
膜をフォトエツチング法により所望の形状を有する電極
を得る事が出来る。
又工業的に良く知られているマスク蒸着法、スクリーン
印刷法、リフトオフ法等により電極を形成する事も可能
である。
電極膜の膜厚は0.05μm〜5.0μm、好ましくは
1〜4μmである。
個別電極と共通電極が基板上に平面的に設置されるいわ
ゆるプレーナー型(第3−a図)の場合絶縁基板上に電
極形成後光導電層を設置し等倍センサーは完成する。一
方基板上に上部電極、光導電層、下部電極と積層するい
わゆるサンドイッチ型(第3−b図)の場合下部電極を
形成し次に光導電層を形成した後、上部電極を前出の材
料及び方法で設置する。上部電極及び下部電極の材料は
同一である必要はなく、光導電層の特性を妨げないもの
が望ましい。
光導電膜は絶縁性樹脂及び特許請求範囲に記載された一
般式を有するフルオレノン化合物、α−置換スチルベン
化合物、ジアリールメタン化合物、アントラセン化合物
、ヒドラゾン化合物、ジビニルベンゼン化合物及びピラ
ゾリン化合物のうちの少なくとも1種(以下、化合物I
と称する)と、ぺりルン顔料のうちの少なくとも1種(
以下、化合物■と称する)とを主成分として構成される
。絶縁性樹脂としては例えばエポキシ樹脂、アクリル樹
脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ブチロール樹脂
、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げら
れ、光導電層の成膜性、電気特性等から選択される。
又これ等樹脂固有の特性を補う目的で2種以上の絶縁性
樹脂を用いる事も可能である。
本発明に使用される化合物■及び化合物■と絶縁性樹脂
との混合重量比は下記の様である。
化合物I/絶縁性樹脂=l/3〜1/1化合物■/絶縁
性樹脂=173〜3/】化合物■及び化合物Hの絶縁性
樹脂に対する混合比率が多過ぎると光導電膜と電極及び
絶縁性基板との接着性が低下し信頼性が損われる。
又少な過ぎると光導電率σρが小さくなりSN比(σp
/σd)を上げる事が出来ない。光導電膜の膜厚は一般
的に0.1〜5μmで好ましくは0.2〜2μmである
。光導電層は例えばディッピング法、ドクターブレード
法、スプレー法、ロールコート法等の塗布方法に依り容
易に形成する事が出来る。
尚本発明の光導電膜には上記アゾ顔料及びフルオレノン
化合物を複数混合し相互の特性を補う事も可能である。
又、各種特性の向上及び安定化を計る為に他の添加物を
加えても良い。又、光導電層を環境及び外力から守る為
の保護層及びビット間分離の機能を有する光遮断層等を
光導電層上に設置する事も出来る。又絶縁性基板及び電
極との密着性改善及び光導電層と電極間の電気的改質の
為に電極及び絶縁性基板と光導電層との間に新たな層を
設置する事も可能である。
本発明で使用される化合物I及び化合物11の具体例を
下記に例示する。
化合物;■ (1)  フルオレノン化合物の例示 2−2 −H−C112−o−co3−H−If   
 −H2−5−0CI+3 −C2Hs     −a
l12−o−C11,、−II    =H2−4−0
CI+、  −C2+1.    −CI+□−@  
 −0C11,−H2−3−II−r+=C,It□−
c++□噂−0CH,−H2−6−H−C2+1.−C
I+□−@   −II    −HCHl 2−7  −1lr    −CIら        
 −c++□−q       −)1       
−1lCI+。
2−8  −II     −C1l、−CH3−Cl
l、       −H2−9−H−Cl13−CI(
、−C4−II2−1.0 −11  −C,tLcQ
    −C112−@−1−H−H2−ll  −H
−C2+14cQ    −CH2−@   −tl 
   −H2(5−CN   −C211,,011−
Ctl□−@−C1l、   −II     −82
−14−CIら   −CIl□Ri@       
 −CIl□う      −H−112−15−Cj
i、    −CI+□−@−CI+、    −Cj
i、’−@−C1l、    −II        
−II2−16 −II   −Cji、−◎    
−al□−@    −(Xll:H,−t(2−17
−CN   −c++□−@     −al□−@−
0CII3−If2−18 −II   −al□−@
−cl!、   −Cll、−@−C)I、   −1
1−C1132−19−II  −CIl□う  −C
H□J   −jtlt、、;、  −112−20−
If    −CH,−@     −CH,−◎  
 −CIlj     −C1+32−21 −Br 
  −CH□−@     −Cji、−◎   −C
ji、    −H2−22−H−Cji、−@−0C
11,−C1l□−@()Cji、   −CQ   
    −II2−23 −II−CH□樽−Cll、
−◎   −CQ−CcII32−24 −H−Cl1
□−@−No2−C1l□−@−No2−It    
  −32−25−OC113−Cl12−@(Q−C
ll、−◎−CQ   −H−112−28−Br  
 −CH2−@−0CH,−Cl12−@−0CI(3
−H−H2−50−It  −C1l、−@   −C
H□−@   −N<8ji:  −II2−31 −
H−CH2−@−CI、   −Ct(、−◎−CI、
   −Cu     −0C113し+1.    
         L;lら2−38 −H−a12−
@     −cl!、−■   −H−1l2−39
  −It     −Cji2−@−C1l、   
  −CI+□−@−C1l、    −II    
    −II2−40  C2H9−Cll□−o−
No2−CH2−@−NO□−H−II2−41 −I
I   −Cji、−◎<Q−C11□−@−CQ−I
I     −112−/13     −H−C2+
1゜2−44     −II         −C
2++4(42) α−換スチルベンヒ金物の例示 (3ジアリールメタン化へ の 示 2−1 −◎   −も115−(、II、    −
1(−H2−2−〇        −C2馬    
   −C,、!+、       −CIら    
−112−3−〇   −611,−へ11.   −
11  −01゜2−4 −◎   −(4H9〜C2
1+、    −〇   −C211゜2−5 −◎ 
  −n−C4H,−n−C4t19−It   −I
I2−6−@    −らIL、Cf1−C2H3−I
I   ’ −II2−7 −〇   −(、、+14
0H−〇211.   −II   −II2〜8−〇
   −Cll2−@   −C1+、    −H−
II2−9 −@−C11,−clII、−C2+15
−II   −112−10−@−CI+、   −C
211,−C211,−Cll、   −112−11
−@−CI、      −C211,−(、H,−1
1−Cll。
2−12 −◎−CI+、   −C,、+15−c2
IIS−H−C,II。
2−1.3 −@−CH,−n−C4119−n−C4
1t、   −H−tl2−14 −@−C1,−C2
1+4CQ−C2H9−II   −82−15−@−
C11,−(1,、It、011−Czl+、−H−I
I2−16  −@−Cll、      −C112
−@      −Cll、        −H−I
I2−17−@−0CII3−C21t、−C2H,−
1−1−II2−18−@−CCHj−C211,−c
21+5−Cl1.   −II2−19−@−0cl
13−ラll5−Czl15−H−Cll。
2−20 −@−0Ctl、    −C21f、−ら
115−H−らH92−21−@−oc11.   −
n−C41!、−n−C41fg−i(−II2−22
 −@−0CH,−Cz’d、、CQ    −C4I
I、     −II    −H2−25−o−OC
II3−(、、If4011   −C,lI、   
  −)1    −II2−24  −@−ocn、
      −al、−@      −cH,−II
       −II2−25  −C1ら     
   −CIl□R0−C1l□セ    −11  
   −H2−26−C2H,−C1+、−◎   −
Ct(、−@   −tl    −II2−27  
−n−clII、      −al、−@     
 −C1f2−@     −fl       −I
I2−28−Cll<8jj’、  −CH2−@  
−cl+2−@  −tl   −II2−29 −C
,II1□    −c+4.−◎   −CI+□−
@   −If     −tl911゜ 2−30 7CII(Ctl□)2Ctl、  −C1
12−@    −cl+2−@   −It    
−II2−31  −n−C1□11□、      
−C1!□−@       −C1l□−@    
  −II         −H2−52−C11,
−CIL−@−CQ  −C1l□−o−cQ  −I
I     −II2−34−n−(、II7−Cl1
2−@−Br  −C1l□−@−Br  −11−1
12−35−C,、II、、     −C11,−@
−CI+3−CI+、−◎−CH5−II    −I
I911゜ 2−36−C11(C11□)2C113−CI+□−
@−No2−C11□−@−No□−II     −
112−419−611,−ら11.  −H−112
−42響  −へ115−6It、−H−I+2−44
響  −C21+、−C,、II5−II   −I+
2−47層  −ら11.−(、II、−CI+3−I
I2−484つ−C,115−(、、II、−C11,
−112−509−へII、−C,11,−II   
−CI+。
2−519  −C11,−C1+、   −II  
 −C,H,。
2−56  %J   −cln4cn−C2o、−u
   −。
■ 2−58  睡  −G2+!4011−C2I+、−
II   −112−59堅  −CIl□う−CI+
3−II   −112−65嘱7J、−CI+3−C
I+、        −0CIら    −II+1 2−67 − −C1l、−CI+]−II   −C
Qと11゜ 2−69  へ貧鳴115−らll5−CI+、  −
11とI(5 (4)  アントラセンイ頃合11月札示−2−3−B
r          −CCIら         
      −112−5−II         −
II               −H2−6−II
             −CIら        
          −112−1.0  −II  
  −N 7 ”’Cl1゜ (以下余白) 人」−ζ−ドラースンーイ圀介物の倍、示−Ar−CI
I=N −N−@ [( 2−1&      −05 2−2与    −0113 2−3113GO−f      −CI+32−6 
        ◎−CH=CI+−−CH5+1.C 2−7J−@−CIl−CI−−C1l。
+1jC CH3 2−8蔽H−C11−−C11゜ C)l。
2−09        ◎(I(ミー       
 −CI。
2−10    8−     −C1l□→2−12
   II、co−8−−Ql□樽2−15     
   ◎−CI l−Cl 1−       −CH
,−013C 2−16J−@−allミド        −CI+
2号13C CH。
2−18        ◎−C1+和−−011□→
(以下余白) (6ジビニルベンゼン化合物の例示 R−11いIIc  C11−CIl−RCIl3 2−4 −CΩ    −H、−Nで     −I(
CH。
2−6 −H−II−CH3−H 2−7−CH,−H−H−H 2−3−H−H−QC2H,−II 2−9   −If         −tl    
    −Br           −112−10
−it         −15r       −I
t           −II2−11  −Ni!
□      −11−It          −I
I2−12  −II       −Nil□   
  −II          −II2−13  −
II       −H−Ni+、        −
II2−14  −11      −H−CzH,−
112−15−(XI:II、      −11−H
−1(2−25−H−II        −II  
        −II2−24   −II    
      −0CI+、        −II  
            −0CI+。
2−25    −0C113−00ら一〇C113−
82−26−OC113−II      −II  
       −0CR。
2−29 −H−1i    −Nご01(・−I( CH3 表−1(社)(Rが下記基の場合) 2−31    玄7 とH。
2−40−CH−CH−6−Nご01(・:’41  
    −cll−cll−@(以下余白) (7)  ヒドラゾン化合物の例示 2−1 −H−II      −11−82−2−H
−H−C1l、     −H2−5−H−C1,3−
H−H 2−4−Cl+3−II−H−11 2−5−41−II−C2+15−8 2−6−C13−II           −CIら
         −112−7−C1+、     
     −14−II            −C
l+32−8 −H−H−0CI+3−8 2−9 −H−0CH,−H−H 2−lo     −0CIら         −〇
            −If          
  −II2−11    −0CIら       
  −0CR,−〇            −H2−
+2  −0CI+、      −II      
  −f)CI+、      −112−13−0C
R,−H−11−(XI、II。
2−14  −H−0CI+3−0CH3−H2−15
−II        −〇C++、      −I
I        −0CI+。
2−16    −0CIら         −0C
I+、          −0CI+、      
    −82−17−11−0CH,−(XI:H3
−OCI+。
2−18  −H−11−島H,−1+2−19−Cf
4.l+5−11       −11       
−82−20  −II       −%11.  
   −QC2I+、      −1lC1+。
2−21  −II        −11−Nて  
    −IIC[(3 2−26−II        −1−CQ     
  −02−27−H−CQ、−II        
−II2−28  −CM       −H−H−I
I2−29  −II        −If    
    −Br       −+12−30  −H
−Or       −It        −II2
−31  −Br       −II       
−If        −II(以下余白) (8)  ヒ芥j」Cへ伺介−物1すに示−2−1−I
I      −It      −II      
−II      −CI+。
2−2  −H−H−C1,、−H−CI。
2−3−11     −1+      −6I+、
     −II      −CI+。
2−4−CH3−II−C113−1イーCI+。
2−5−C113−H−II        −C1ら
      −C1ら2−6  −II       
 −II        −0CI+、      −
H−CIら2−7  −II      −0CH3−
II      −II      −CIlJ2−8
   −0CI+、      −II       
 −H−II        −CIら2−9   −
0CH3−0CIら     −II        
−H−C112−10−0CI+、    −II  
    −0CI+3−1!      −CI。
2−11   −QCIら     −++     
    −11−αコ1□     −01ら2−12
  −H−QC)I、     −0CI+、    
 −II      −CI132−13  −11 
    −0C11,−11−0CI+3−CH。
2−14   −(>C1ら     −〇C11,−
(XI、+13’  −It         −CI
2−15   −11       −0CIら   
  −〇CH,−0CIら     −C1132−1
6−It      −++      −曵ll5−
+l      −C1132−17舶C,+1.  
 −)1     −H−11−CH。
2−18  −II      −QC2+1.   
 イ)C,H,−II      −C1l。
2−19  −H−II      −Nこ    −
II      −C113C11゜ 2−22 〜II   −II   −H−II   
−C1l□く2−23  −II      −++ 
     −CH,−H−CH□べ◇2−24  −H
−II      −C,It、    −11−CI
+2−@2−25  −CI1.    −1(−CH
5−II     −CI(、−◎2−26 −CH,
−11’−It     −C1l、     −CI
、−◎2−27 −H−H−0CI+、    −11
−CI+、−◎2−28 −It     −0CI+
1−II     −II     −CI+、−◎2
−29−OCII3−It      −11−If 
     −C112−@2−30   −0CIら 
    −〇CI+、      −11−It   
      −CH□セ2−31  −0CI+、  
  −II     −0C11,−H−C11,−◎
2−:32 −0CI+、    −fl     −
H−0CH,−CI2−@2−33 −II     
−0C11,−0CI+3−H−CI12−@2−34
   −It        −0CII、     
 −II        −0CII、      −
CH2−@2−35   −0CII、      −
0CH,−0CI1.     −tl       
 −CI+、−@2−36 −H−0CI+、−0C1
13−OCI+、    −C1+、−◎2−37  
−11    −H−0C2+15−II      
−CI12−@2−38−OC21t5−II    
 −H−11−CH2−@2−39 −1!     
−へ++5   −へII、    −II     
−C11,−◎2−40  −H−II      −
N3    −II      −CI12−@(以下
余白) (9)  ヒドラゾ乞進イ11佑J勧L2−]    
    −CIら           −01ら  
           −112−2−CI+3−C2
++、       −H2−3−C11J−cl+2
−@      −II2−4−C11,−@    
    −II2−5−C,+15−CI+3−II 2−6   −(、、H,、−C2H5−82−7−C
2115−a12−@      −112−8−(、
II、      −@        −II2−9
   −C,+1.、Oll     −C1+、  
     −H2−lo    −C2+14011 
   −C2tl、       −II2−11  
 −C2+14011    −C11,−◎    
 −1(2−l、2    −C2If40i1   
  −@         −H2−+3    −−
1t、CQ      −C1+、         
 −II2−14−Czl14CQ−0□11.、  
      −II2−15    −C2114C1
li      −all−@       −II2
−1.6    −C2H4CQ      −@  
       −II2−17    −C11,−C
11,−CO2−18−CI、        −C2
++、         −Br2−19−C113−
C21+、         −0CI+。
2−20    −CI、−らII5−NO22−21
−C113−C82号      −CQCI+3 2−22      −CIら          −
CH2−@           −Nて2−24−C
2+l5−CH,−CO 2−25−C2+1.−CH3−0CII32−26−
C2++5−CI+、         −No22−
27−C71(5−C11,−◎       −CO
2−28−clII、−CI、−◎      −民!
1゜2−29    −C2If、       −C
H2−@       −CH32−50−C,II、
、       −C11,−◎      −Br2
−32    −CzH,011−CI+、     
     −0C2H62−33−C211,OH−C
11,−C2I+。
2−35    −(、、t14oH−Czlls  
       −Br2−36    −C2+1..
011     −C2+1.        −No
□2−37    −C2tl、OH−CH2−◎  
    −ラ!1゜2−38    −C2+1.01
1     −CIlf◎       −ヘ11゜2
−41    −C,114CIll      −C
1+、         −CO2−42−C2114
Cfl−C,H5−I3r2−43    −C2Lc
Q、−C2I+5−No22−45       −C
2LCQ        −〇           
  −0CIら(以下余白) D速用−ぐラゾリンイ畦m物の例示 し1量。
2−3   0−OCHj−II          
  −112−40−%ll5−II        
  −112−50−C1l、       −H−I
I2−7  1    −QC?H,−0C2+1.−
H2−31−0CH,−0CH,−11 2−91−CIら          −CH3−1(
(以下余白) 化合物■: ペリレン顔料の例示 次に本発明をさらに詳しく説明するために下記に実施例
及び比較例を示すが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
実施例1 ポリアミド(CM−aooo;東し株式会社製)0.4
重量部、メタノール7重量部、ブチルアルコール3重量
部の溶液を調製し、次いでこの液をガラス基板上に第4
図に示したAl電極パターンを有する基板上に乾燥時の
膜厚が0.3μmに成る様ディッピング法で塗布した。
 しかる後t o o ’cの恒温槽中で30分乾燥し
た。
次に前記(1)フルオレノン化合物の例示中に構造式(
化合物N(12−43)で示されるフルオレノン化合物
2.7重量部、ポリカーボネート樹脂(パンライトに−
1300;帝人化成株式会社製)3重量部、テトラヒド
ロフラン77重量部溶液及び前記ペリレン顔料の例示中
に構造式(化合物Nα1)で示されるペリレン顔料2重
量部をボールミルにて充分に粉砕した。次いでこの粉砕
混合物を取り出し、ゆっくり攪拌しながらテトラヒドロ
フランを加え、固型分濃度2重量パーセン1−の光電変
換層形成液(A)を調製した。しかる後0゜3μm膜厚
のポリアミド層が形成された基板−とにディッピング法
にて乾燥時1μmの膜厚が得られる様光電変換層形成液
(A)を塗布し、 しかる後100℃で30分乾燥し、
本発明の光電変換素子(A)を得た。
実施例2 前記(1)フルオレノン化合物の例示中に構造式(2−
40)で示されるフルオレノン化合物、及び前記ペリレ
ン顔料の例示中に構造式(化合物Na 8 )で示され
るペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方法で本
発明の光電変換素子CB)を得た。
実施例3 前記(2)α−置換スチルベン化合物の例示中に構造式
(化合物Nα64)で示されるα−置換スチルベン化合
物、及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物N
α13)で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例1
と同様な方法で本発明の光電変換素子(C)を得た。
実施例4 前記(2)α−置換スチルベン化合物の例示中に構造式
(化合物Nα16)で示されるα−置換スチルベン化合
物、及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物N
n7)で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と
同様な方法で本発明の光電変換素子(D)を得た。
実施例5 前記(3)ジアリールメタン化合物の例示中に構造式(
化合物Nα2−60)で示されるジアリールメタン化合
物、及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物N
o16 )で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例
1と同様な方法で本発明の光電変換素子(E)を得た。
実施例6 前記(3)ジアリールメタン化合物の例示中に構造式(
化合物Nα2−63)で示されるジアリールメタン化合
物、及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物N
α9)で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と
同様な方法で本発明の光電変換素子(F)を得た。
実施例7 前記(4)アントラセン化合物の例示中に構造式(化合
物Nα2−2)で示されるアントラセン化合物、及び前
記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα5)で示
されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方法
で本発明の光電変換素子(G)を得た。
実施例8 前記(4)アントラセン化合物の例示中に構造式(化合
物Nα2−8)で示されるアントラセン化合物、及び前
記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα16)で
示されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方
法で本発明の光電変換素子(H)を得た。
実施例9 前記(5)ヒドラゾン化合物の例示中に構造式(化合物
Nα2−4)で示されるヒドラゾン化合物、及び前記ペ
リレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα6)で示され
るペリレン酊料を用い、他は実施例1と同様な方法で本
発明の光電変換素子(I)を得た。
実施例10 前記(5)ヒドラゾン化合物の例示中に構造式(化合物
Nα2−6)で示されるヒドラゾン化合物、及び前記ペ
リレン顔料の例示中に構造式(化合物Na 7 )で示
されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方法
で本発明の光電変換素子(J)を得た。
実施例11 前記(6)ジビニルベンゼン化合物の例示中に構造式(
化合物NG28)で示されるジビニルベンゼン化合物、
及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα3
)で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様
な方法で本発明の光電変換素子(K)を得た。
実施例12 前記(6)ジビニルベンゼン化合物の例示中に構造式(
化合物Nα2−29)で示されるジビニルベンゼン化合
物、及び前記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物N
α9)で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と
同様な方法で本発明の光電変換素子(L)を得た。
実施例13 前記(7)ヒドラゾン化合物の例示中に構造式(化合物
Nα2−18)で示されるヒドラゾン化合物、及び前記
ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物Na 9 )で
示されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方
法で本発明の光電変換素子(M)を得た。
実施例14 前記(7)ヒドラゾン化合物の例示中に構造式(化合物
Na 2−4. )で示されるヒドラゾン化合物、及び
前記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα11)
で示されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な
方法で本発明の光電変換素子(N)を得た。
実施例15 前記(8)ヒドラゾン化合物の例示中に構造式(化合物
Nα2−9)で示されるヒドラゾン化合物、及び前記ペ
リレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα8)で示され
るペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方法で本
発明の光電変換素子(○)を得た。
実施例16 前記(8)ヒドラゾン化合物の例示中に構造式(化合物
Na 2−7 )で示されるヒドラゾン化合物、及び前
記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα2)で示
されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方法
で本発明の光電変換素子(P)を得た。
実施例17 前記(9)ヒドラゾン化合物の例示中に構造式(化合物
Nα2−8)で示されるヒドラゾン化合物、及び前記ペ
リレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα8)で示され
るペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方法で本
発明の光電変換素子(Q)を得た。
実施例18 前記(9)ヒドラゾン化合物の例示中に構造式(化合物
Na2−31)で示されるヒドラゾン化合物、及び前記
ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα5)で示さ
れるペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方法で
本発明の光電変換素子(R)を得た。
実施例19 前記(10)ピラゾリン化合物の例示中に構造式(化合
物Nct2−6)で示されるピラゾリン化合物、及び前
記ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα16)で
示されるペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方
法で本発明の光電変換素子(S)を得た。
実施例20 前記(10)ピラゾリン化合物の例示中に構造式(化合
物Nα2−7)で示されるピラゾリン化合物、及び前記
ペリレン顔料の例示中に構造式(化合物Nα4)で示さ
れるペリレン顔料を用い、他は実施例1と同様な方法で
本発明の光電変換素子(T)を得た。
比較例1 実施例1と同様にA1電極の形成された基板上に0.3
μm膜厚のポリアミド層を形成した。次いで実施例1で
使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物Nα1の構
造式で示されるペリレン顔料2重量部、ポリカーボネー
!−樹脂(パンライト、K −1300;帝人化成株式
会社製)3重址部、テトラヒドロフラン50重量部をボ
ールミルにて充分に粉砕した。得られた分散液を取り出
し、ゆっくり攪拌しながらテトラヒドロフランを加え、
固型分濃度2重量パーセントの光電変換層形成液(1)
を調製し、実施例1と同様な方法で乾燥時膜厚1μmの
光電変換層を設け、比較光電変換素子(1)を得た。
比較例2 実施例2で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
Nα8の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は比
較例1と全く同様な方法で比較光電変換素子(U)を得
た。
比較例3 実施例3で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
Nα13の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は
比較例1戸全く同様な方法で比較光電変換素子(I■)
を得た。
比較例4 実施例4で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
NQ 7の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は
比較例1と全く同様な方法で比較光電変換素子(rV)
を得た。
比較例5 実施例5で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
N(116の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他
は比較例1と全く同様な方法で比較光電変換素子(V)
を得た。
比較例6 実施例6で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
Nα9の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は比
較例1と全く同様な方法で比較光電変換素子(VI)を
得た。
比較例7 実施例7で使用した前記ペリレン顔料の例示Ii+ >
こ化合物Nα5の構造式で示されるペリレン顔料を用い
た他は比較例1と全く同様な方法で比較光電変換素子(
■I)を得た。
比較例8 実施例9で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合物
Nα6の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は比
較例1と全く同様な方法で比較光電変換素子(■)を得
た。
比較例9 実施例11で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合
物Nα3の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は
比較例1と全く同様な方法で比較光電変換素子(IX)
を得た。
比較例1O 実施例14で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合
物Nα11の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他
は比較例1と全く同様な方法で比較光電変換素子(X)
を得た。
比較例11 実施例16で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合
物Nα2の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は
比較例1と全く同様な方法で比較光電変換素子(X[)
を得た。
比較例12 実施例20で使用した前記ペリレン顔料の例示中に化合
物Nα4の構造式で示されるペリレン顔料を用いた他は
比較例1と全く同様な方法で比較光電変換素子(X[I
)を得た。
この様にして得られた光電変換素子A−T及び比較光電
変換素子■〜別のSN比(光電流/暗電流)及び光応答
速度(立上り時間;Tr、立下り時間;Td)を表1.
2、に示す。但し実施例、比較例で採用した素子構造は
プレーナー型であり、A1電極の電極間距離は5μm、
電極膜厚は1μmである(第4図)。又ビット間分離の
目的で第4.5図に示す如く光遮断層を設は素子特性の
評価を実施した。
SN比は素子に直流電圧を印加し各電界強度に対する光
電流(σr)/暗電流(σd)比で表わした。又光応答
速度はlX10’V/anの電界下に於ける充電流波形
(第6図参照)よりTr、Tdを求めた。Tr、Tdの
定義は第6図に示した。
SN比、光応答速度共に測定時の照射光量はタングステ
ンランプで1701ux(色濃度:2850’ K)で
ある。
(以下余白) (以下余白) 表−2 表1,2、より電界強度IX]OSV/餅の時に本発明
に依る光゛正変換素子A−Tは、ペリレン顔料だけを用
いた、フルオレノン化合物、α−置換スチルベン化合物
、ジアリールメタン化合物、アン1〜ラセン化合物、ヒ
ドラゾン化合物、ジビニルベンゼン化合物及び/又はピ
ラゾリン化合物を含まない比較品である比較光電変換素
子■〜■より優り、103台のSN比が得られる事が判
った。又応答速度Tr、Tdに於ける本発明の比較品と
比較した場合の改善効果は歴然として居り、ペリレン顔
料、及び結着樹脂にフルオレノン化合物、α−置換スチ
ルベン化合物。
ジアリールメタン化合物、アントラセン化合物、ヒドラ
ゾン化合物、ジビニルベンゼン化合物及び/又はピラゾ
リン化合物を添加する事で光導電層中に於けるキャリア
ー移動度改善を狙った本発明の効果であると判断出来る
。又各ビットに於けるSN比、Tr、Tdの特性はほぼ
同一の値を示しビット間分離に何等問題なくビット間バ
ラツキの少い安定な光電変換素子の提供が可能であると
判断出来る。
効   果 以上述べたように、本発明によれば大規模な成膜が可能
な事がら長尺(メーI−ルサイズ)の等倍センサーが可
能であり、さらにまたペリレン顔料にドナーフルオレノ
ン化合物、α−置換スチルベン化合物、ジアリールメタ
ン化合物、アントラセン化合物、ヒドラゾン化合物、ジ
ビニルベンゼン化合物及び/又はピラゾリン化合物を添
加した事により応答速度及びSN比(光電流/暗電流)
特性に秀れた有機光電変換素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は密着画像読取等倍センサーの全体の構成例を示
す概略図である。 第2a図及び第2b図は回路構成例を示す読出し回路図
である。 第3a図及び第3b図は光導電膜の素子構造を示す概略
図である。 第4図は本発明で使用する光電変換素子の概略平面図で
あり、第5図は前記光電変換素子の概略断面図である。 第6図はlX10’V/anの電界下における光電法波
形であり、光応答速度は立上り時間Tr及び立下り時間
Tdで示される。 1・・・原稿       2・・・光源3・・・フォ
トセンサーアレイ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を
    設置して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導
    電体が、下記 一般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R_1は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数1〜
    4のアルコキシ基、又は炭素数1 〜4のアルキル基を表わし、Arは ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
    、表等があります▼ (但しR_2、R_3、R_6は水素、炭素数1〜4の
    置換又は無置換のアルキル基、或い は置換又は無置換のベンジル基を表わし、 R_4、R_5は水素、ハロゲン、炭素数1〜4のアル
    キル基、或いは炭素数1〜4の アルコキシ基又はジアルキルアミノ基を 表わす)を表わす〕 で表わされるフルオレノン化合物、 一般式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R^1は置換もしくは無置換のアルキル基、置換
    もしくは無置換のアリール基また は置換もしくは無置換のアラルキル基を、 R^2、R^3及びR^4は水素原子、置換もしくは無
    置換のアルキル基、置換もしくは無置 換のアリール基または置換もしくは無置換 のアラルキル基を表わし、Ar^1は置換又は無置換の
    アリール基を、Ar^2は置換又は無置換のアリーレン
    基を表わし、Ar^1とR^1は共同で環を形成しても
    よく、nは0又は 1の整数である) で表わされるα−置換スチルベン化合物、 一般式(3) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R_1は炭素数1〜11のアルキル基、置換又は
    非置換のフェニル基、或いは複素環式 基を表わし、R_2、R_3はそれぞれ同一でも異なっ
    ていてもよく、水素、炭素数1〜4 のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ク ロルアルキル基、或いは置換又は非置換の アラルキル基を表わし、またR_2、R_3は互いに結
    合し窒素を含む複素環を形成してい てもよく、R_4、R_5はそれぞれ同一でも異なって
    いてもよく、水素、炭素数1〜4の アルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン を表わす〕 で表わされるジアリールメタン化合物、 一般式(4) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1は水素又はハロゲン原子を表わし、R_
    2は水素、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4の
    アルコキシ基、ジアルキルアミノ基、成いは置換又は非
    置換のジア ラルキルアミノ基を表わし、R_3は水素、アルキル基
    又はハロゲン原子を表わす〕 で表わされるアントラセン化合物、 一般式(5) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Arはナフタリン環、アントラセン環、スチリ
    ル基及びそれらの置換体、ある いはピリジン環、フラン環、チオフェン環 を表わし、Rはアルキル基又はベンジル基 を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、 一般式(6) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基、チエニル基
    、インドリル基又はフリル基、 或いはそれぞれ置換または非置換のフェニ ル基、スチリル基、ナフチル基又はアント リル基(但し前記置換基はジアルキルアミ ノ基、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ ン原子、アラルキルアミノ基又はアミノ基 からなる群から選ばれる)を表わす〕 で表わされるジビニルベンゼン化合物。 一般式(7) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R_1、R_2、R_3、R_4は水素、炭素数
    1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコ キシ基、置換又は非置換のジアルキルアミ ノ基、ジベンジルアミノ基又はハロゲン原 子を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、 一般式(8) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R_1、R_2、R_3、R_4は水素、炭素数
    1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコ キシ基、ジアルキルアミノ基又はジベンジ ルアミノ基を表わし、R_5はアルキル基又はベンジル
    基を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、 一般式(9) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1はメチル基、エチル基、2−ヒドロキシ
    エチル基、又は2−クロルエチル 基を表わし、R_2はメチル基、エチル基、ベンジル基
    又はフェニル基を表わし、R_3は水素、塩素、臭素、
    炭素数1〜4のアル キル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ジ アルキルアミノ基又はニトロ基を表わす〕 で表わされるヒドラゾン化合物、及び 一般式(10) ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R_1、R_2、R_3は水素、アルキル基、ア
    ルコキシ基、ジアルキルアミノ基、ある いはハロゲン原子を表わし、nは0又は1 を表わす〕 で表わされるピラゾリン化合物のうちの少なくとも1種
    ( I )と、下記一般式、 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但し、Rは水素原子、ハロゲン原子、置 換アルキル基を含むアルキル基及び、アル コキシ基又は置換もしくは無置換のアリー ル基を示す) で示されるペリレン顔料の少なくとも1種 (II)とを有効成分として含有する事を特徴とする画像
    読取等倍センサー。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215070A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Canon Inc 有機太陽電池
JP2011124507A (ja) * 2009-12-14 2011-06-23 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池モジュール

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01215070A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Canon Inc 有機太陽電池
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