JPS61271868A - 画像読取等倍センサ− - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 茨夏立夏 本発明は光電変換素子（等倍センサー）に関するもので
あり、さらに詳しくはアゾ系顔料及びフルオレノン化合
物を主成分とした光導電膜を備えた光電変換素子を有す
る画像読取等倍センサーに関するものである。

従ｎｕ 従来技術としてはＣｄＳ、アモルファス−８ｉを用いた
光電変換素子として特開昭５９−５４３７３（電々公社
）、特開昭５９−１１２６５１（富士通）、特開昭５９
−１１０１７７　（東芝）等が有り、Ｐ−Ｃ−５Ｌを使
用した光電変換素子としては特開昭５８−１１８１６１
　＜キャノン）が上′げられる。又［日経エレクトロニ
クスＪ　　（１９８２年４月２６日）では上記ＣｄＳ、
アモルファス−８ｉの他にＣｄＳｅ、５ｓ−Ａｓ−Ｔｅ
等を用いた光電変換素子を紹介している。しかしながら
これ等はいずれも成膜方法の点で制約を受ける為長尺（
メートルサイズ）の等倍センサーとしての利用には不適
当である。

長尺等倍センサーに有利な光電変換素子材料として我々
はアゾ顔料／結着樹脂分散系の光電変換素子を検討して
来た（特許出願済）、シかしながらこの系ではキャリア
ーの移動度に難点が有り、所望する応答速度は得られな
かった。

本発明は上記分散系光電変換素子応答速度の改善を計っ
たものである。

且−一五 本発明は従来の欠点を克服したアゾ顔料及びフルオレノ
ン化合物を主成分とした光導電膜を備えた光電変換素子
を有する画像読取等倍センサーを提供することを目的と
する。

■−−處 本発明者は前記目的を達成するために鋭意研究した結果
。

絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を設置
して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導電体
が下記一般式 〔式中Ｒ□は水素、ハロゲン、シアノ基、炭１４　　　
　（３）数１〜４のフルコキシ基、又は炭素数１〜４の
アルキル基を表わし、Ａｒは （但しＲ，、Ｒ３，Ｒ，は水素、炭素数１〜４の置換又
は無置換のアルキル基、或いは置換又は無置換のベンジ
ル基を表わし、Ｒ４，（５）Ｒ１は水素、ハロゲン、炭
素数１〜４のフルキル基、或いは炭素数１〜４のアルコ
キ　　（６）シ基又はジアルキルアミノ基を表すす）を
表わす〕（７） で表わされるフルオレノン化合物の少なくとも１つと、
下記一般式　　　　　　　　　　　　　　（８）〔但し
、前記一般式が（１）〜（ｌＯ）において、　　　　（
１２）ここで又はベンゼン環、ナフタレン環などの芳香
族もしくは、インドール環、カルバゾール環、ベンジフ
ラン環なとのへテロ環または、それら　　（１４）の置
換体を表わし、Ａｒ、はベンゼン環、ナフタレン環など
の芳香族、もしくは、ジベンゾフラン環などのへテロ環
またはそれらの置換体を表　　（１５）わし、Ａｒ、は
ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族またはそれらの
置換体を表わし、Ｒ□は水素、低級アルキル基、フェニ
ル基またはその　　（１７）置換体を表わし、　またＲ
８は低級アルキル基、チルを表わす〕 中 Ｎ＝Ｎ−Ａ ＾一部１寧ニ岨儲州−＾ Ａ−Ｎ″Ｎ−◎憫、Ｃ１（（１１Ａ Ａ−Ｎ堵−◎二環■＝Ｎ−Ａ へ 〔但し、前記一般式（１１）〜（２４）において、ここ
で又はベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、インド
ール環、カルバゾール環、ベンジフラン環なとのへテロ
環または、それらの置換体、Ａｒ、はベンゼン環、ナフ
タレン環などの芳香族、ジベンゾフラン環などのへテロ
環または、それらの置換体、Ａｒ、およびＡｒ、は、ベ
ンゼン環、ナフタレン環などの芳香族またはそれらの置
換体、Ｒ工およびＲ１は水素、低級アルキル基、フェニ
ル基またはその置換体、　Ｒ□は低級アルキル基、カル
ボキシル基京たはそのエステルを表わす〕 −ａＨｓ 〔但し、前記一般式（２５）〜（２７）において１式中
Ａｒは置換又は、非置換のフェニル基、　置換又は非置
換のナフチル基、アントリル基、ピレニル基、ピリジル
基、チェニル基、フリル基及びカルバゾリル基を表わす
〕 ”ｘ−’ 〔但し、前記一般式（２８）〜（２９）において、又は
ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、インドール環
、カルバゾール環、ベンジフラン環なとのへテロ環又は
、それらの置換体。

Ｒ□は、ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香環、ジベ
ンゾフラン環カルバゾール環などのへテロ環又はそれら
の置換体、Ｒ２は水素、低級アルキル基、フェニル基又
はその置換体を表わす〕 （但し、前記一般式（３０〜３１）において、又は置換
もしくは無置換の芳香環、または、ヘテロ環を表わし、
Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環または、ヘテロ環を
表わす〕 で表わされるアゾ顔料の少なくとも１つを有効成分とし
て含有する事を特徴とする画像読取等倍センサーを提供
することによって前記目的が達成できることを見出した
。

すなわち本発明は絶縁性基板上に個別電極。

共通電極及びアゾ顔料とフルオレノン化合物を主成分と
する光導電膜を設ける事に依り構成される光電変換素子
を備えた画像読取用等倍センサーに関するものである。

まず等倍センサーの全体構成例、回路構成例、光電変換
素子部構造例を第１図、第２−ａ図、第２−ｂ図、第３
−ａ図及び第３−ｂ図に示す。

第１図は画像読取用等倍センサーの１構成例を示したも
のである。このイメージセンサ−は照明光源、導光系と
してロッドレンズアレイ、光電変換膜から成るフォトセ
ンサーアレイから構成されて居り、その他に読出し回路
、及び走査回路がセンサー駆動には必要となる。

読出し方式にはリアルタイム方式と電荷蓄積方式の２方
式がある。

第２−ａ図にリアルタイム方式読出し回路の１例を図示
した。リアルタイム方式は各素子に直列にブロッキング
ダイオードを設け、個別電極を順次スイッチングして各
素子の抵抗変化を外部電流変化とし光電変換出力信号と
して取り出す方式である。第２−ｂ図は電荷蓄積方式読
出し回路の１例である０本方式は信号光でフォトダイオ
ード内に蓄積された電荷を放電させ、蓄積時間（走査時
間）毎にフォトダイオードに流れ込む充電々流を検出し
光信号を電気信号に変換する方式である。

第３−ａ図及び第３−ｂ図に光電変換素子の構成を示し
た。ｉ４子構造は電極の配置によりプレーナー型（第３
−ａ図）、とサンドインチ型（第３−ｂ図）に大別され
る。サンドインチ型は感光層膜厚が電極間隔となる為電
池間隔を高精度且つ容易に制御出来る反面、透明電極が
必要であり又感光層のピンホールが致命傷となる欠点が
ある。

電力プレーナー型はサンドインチ型に比し耐ピンホール
特性に秀れ、電極を１回の工程で作成出来る反面、電極
間隔制御に難点が有る。

次に本発明の主眼である光電変換部を構成する材料及び
処方に関して述べる。

本発明に於ける絶縁基板としては例えば基板側から受光
する場合には透光性のセラミック、ガラス、プラスチッ
ク又はこれ等を組み合せたものを用いる。一方基板上に
形成された感光層側から光照射する場合は、非透光性の
絶縁基板であっても良いし、又金属等非絶縁性の基板上
に絶縁処理された基板であっても良い。

絶縁性基板上に設置されるセンサー駆動電極としては例
えばＡｔ、　Ｔｉ、■、Ｃｒ、　Ｍｎ、　Ｆｅ。

Ｇｏ、　Ｎｉ、Ｃｕ、　　Ｚｎ、　　Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ
、Ａｕ。

Ｍｏ、Ｗ等及びこれ等金属の合金及びこれ等金属及び合
金２種以上の多層膜であっても良い。

あるいは必要に応じてＮＥ　ＳＡ、　Ｉ　Ｔｏ。

Ｉｎ、Ｏ，等の透光性電極であっても良い。

これ等の導電材料はスパッター法、蒸着法、又はＣＶ［
）法により成膜する事が可能であり、しかる後これ等金
属膜をフォトエツチング法により所望の形状を有する電
極を得る事が出来る。

又工業的に良く知られているマスク蒸着法、スクリーン
印刷法、リフトオフ法等により電極を形成する事も可能
である。

電極膜の膜厚は０．０５μ１１〜５．０μ膳、好ましく
は１〜４μ−である。

個別電極と共通電極が基板上に平面的に設置されるいわ
ゆるプレーナー型（第３−ａ図）の場合絶縁基板上に電
極形成後光導電層を設置し等倍センサーは完成する。一
方基板上に上部電極、光導電層、下部電極と積層するい
わゆるサンドインチ型（第３−ｂ図）の場合下部電極を
形成し次に光導電層を形成した後、上部電極を前出の材
料及び方法で設置する。上部電極及び下部電極の材料は
同一である必要はなく、光導電層の特性を妨げないもの
が望ましい。

光導電膜は絶縁性樹脂及び特許請求範囲に記載された一
般式を有するアゾ顔料とフルオレノン化合物を主成分と
して構成される。絶縁性樹脂としては例えばエポキシ樹
脂、アクリル樹脂。

ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ブチロール樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられ、
光導電層の成膜性、電気特性等から選択される。又これ
等樹脂固有の特性を補う目的で２種以上の絶縁性樹脂を
用いる事も可能である。

本発明に使用されるアゾ顔料及びフルオレノン化合物と
絶縁性樹脂との混合重量比は下記の様である。

アゾ顔料／絶縁性樹脂＝１／３〜３／１フルオレノン化
合物／絶縁性樹脂：１／３〜ｌ／１アゾ顔料、フルオレ
ノン化合物の絶縁性樹脂に対する混合比率が多過ぎると
光導電膜と電極及び絶縁性基板との接着性が低下し信頼
性が損われる。又少な過ぎると光導電率σρが小さくな
りＳＮ比（σｐ／σｄ）を上げる事が出来ない。

光導電膜の膜厚は一般的に０．１〜５μ−で好ましくは
０．２〜２μ腸である。光導電層は例えばディッピング
法、ドクターブレード法、スプレー法、ロールコート法
等の塗布方法に依り容易に形成する事が出来る。

尚本発明の光導電膜には上記アゾ顔料及びフルオレノン
化合物を複数混合し相互の特性を補う事も可能である。

又、各種特性の向上及び安定化を計る為に他の添加物を
加えても良い、又。

光導電層を環境及び外力から守る為の保護層及びビット
間分離の機能を有する光遮断層等を光導電層上に設置す
る事も出来る。又絶縁性基板及び電極との密着性改善及
び光導電層と電極間の電気的改質の為に電極及び絶縁性
基板と光導電層との間に新たな層を設置する事も可能で
ある。

本発明で使用されるアゾ顔料及びフルオレノン化合物の
具体例を下記に例示する。

（以下余白） 一 （１）一般式 ％式％ 顔料抛 （２）一般式 ％式％）） （３）一般式 顔料＆　　　　　　　　　　　　　顔料抛（４）一般式 ％式％ 顔料施−−−−−五−一□ （５）一般式 ％式％ （６）一般式 ＷＩ４ｈ　　　　　　　　　１−一」し−−ＩＩｍｈＩ
ＩＩｍｋＡ−−−コシーーー顔料血 ・ １４８　７”’”・ （′７）一般式 顔料穐　　　　　　　　　　　　顔料抱顔料逸 １７４　７−” （８）一般式 ％式％ 顔料抱 （９）一般式 ％式％ （１０）一般式 顔魁嵐　　　　　　　　　　　　顔料施υ ◎ ２４□　Ｔワー１ 直 （１１）一般式 （１２）一般式 顔料嵐□−ｆ−顔料抱 中 Ｎ＝Ｎ−Ａ （１４）一般式 ％式％ １！Ｒｈ−一」し−−１ｒ　　［ｍ−−コしｍ−」シ顔
料血−−−へ−−−−＆−顔料血−一−Δ−ＪＬ（１５
）一般式 顔料施 （１６）一般式 ％式％ 顔料血　　　　　　　　　　　　　顔料＆・ ３５７　　　）１０”更−一“ （１７）一般式 ％式％ （１８）一般式 ％式％ （１９−Ｃ） （１９−Ｄ） 顔料胆 （２０）一般式 ％式％ （２１）一般式 顔料池　　　　　　　　　　　　顔料抛Ｉｍｋ　　　　
　　　　　　　ｍ （２２）一般式 （ム）一般式 顔料嵐　　　　　　　　　　　　　顔料抛顔料施 （２４）一般式 顔料施　　　　　　　　　　　　顔料血（２５）一般式 （２６）一般式 品１゜ ５６４　　＋ｃ′＋、　　　５７３　　Ｍ　　　５３１
　　℃Ｎｃ）１３ （２８）一般式 顔料血　　　　　　　　　　　顔料血 顔料＆　　　　　　　　　　　顔料凰 （３０）一般式 ％式％ 顔料施　　　　　　　　　　　顔料＆ 顔料血 （３１）一般式 ％式％） 顔料ｈ　　　　　　　　　　　　　顔料＆ａ　　　　　
　　　　　　　　顔料血 顔魁凰　　　　　　　　　　　　　顔料血顔料血 フルオレノンヒ”　の　− ２−２−Ｈへ噂−ＣＨ，−Ｈ−Ｈ−８ ２−３−０ＣＩ１．　−Ｃ，）！、　　　　　−ＣＨ，
−＠−Ｏｆ、　　−Ｈ−Ｈ２−４上孔　鳴ｎ、　　　　
　−ａｔ、−＠　　　　旬、　　　−１（２−５−）１
　　−ｎ−Ｃ，Ｈ，−ｃ）ｈ−＠−０ＣＨ３−Ｈ２−６
−Ｈ鳴■５　　　　−偽樽　　　−Ｈ−Ｈａ４゜ ２−７−Ｂｒ　　　　　→】−−ｘ−＄　　　　　　　
　−Ｈ−）１ｃ）＋３ ２−８−）１−Ｃ）＋３−ＣＪ（３−Ｃ）＋３　　　−
Ｈ２−９−Ｈ−ＣＨ３癩、　　　　（Ω　　　−■２−
１０　−Ｈ−ＣｓＨ４ＣＭ　　　　−ＣＢ、−＠−ＣＱ
　　−Ｈ−Ｈ２−１１−Ｈ−（４Ｈ４ＣＭ　　　　−Ｃ
Ｈ２−＠　　　　−Ｈ−８２−１２−Ｈ−ｃ！Ｈ，ＣＱ
−ＣＨ，噂−Ｈ−Ｈ２−１３−ＣＮ　　−Ｃ，Ｌαｌ　
　　　−０１１８０１３−Ｈ−Ｈ２−１４へ　−四号　
　　（い＠　　　　−Ｈ−８２−１５−Ｃ）１．　−Ｃ
）ｌ、＋Ｇｔ、　　　−ＣＨ，−ｅｅｌ、　　−Ｈ−８
２−１６−Ｈ−Ｃ）ｌ、−◎　　　へ樽　　　旬、　　
　−８２−１７−ＯＮ　　　　　−ＣＪ（、−＠　　　
　　　　−Ｃ１１，−＠　　　　　　　−０ＣＩＩ、　
　　　　　−Ｈ２−１９−）１　　へ号　　へ七　　−
一横　−Ｈ２−２Ｏ−１１−ＣＩ（、−＠　　　　−Ｃ
Ｈ！−＠　　　　−０％　　　　−０１゜２−２１　−
Ｏｒ　　　−ａ−６−＠　　　　−ａい＠−Ｃ，入−Ｈ
２−２２−）＋　　　４−ｏ−Ｏａ（、−ＧＬａ＋０Ｃ
）ｌａ　　−ＣＱ　　　　−８２−２３−Ｈ−ＣＨ，号
−Ｇｌ、−◎　　　−ｃａ　　　　−００１゜２−２４
−）１−Ｃ八（Ｐへ　　へ（Ｈへ　−〇　　　　　−Ｈ
２−２５−０ＣＩ（、へ（にΩ　　（い＠（怠　　−Ｈ
−Ｈ２−２８−Ｂｒ　　　−ｏｌ、−ｏ−ＣＤ４．　−
ＣＲ，（ハｕ２−Ｈ−８２−３０−１（倶う　　へ（−
Ｎ全　−Ｈ２−３１−）１　　−ＣＨ，−（パ凡　　へ
（パ凡　イ１　　　七為２−３７−Ｈ−ｅｌｌ、−＠−
ＣＨ５−ＣＩ（、−＠−０１，−Ｈ４’−８２−３８　
−Ｈ−ｃｔｌ、−＠　　　　　−ＣＨ，−◎　　　−〇
　　　　　−）１２−３９−Ｈ（ｌ＆＋偽　　看、（ト
α、−Ｈ−１（２−４０Ｃ，Ｉｔ、　　　−Ｃ１（、−
＠−Ｎｏ、　　　−ＣＩ（、−＠−Ｎｏ、　　　−Ｈ−
１（２−４１−Ｉｔ　　　−ＣＪｉ、−＠−Ｃｊｌ−ｃ
ｏ、−◎−Ｃｆｌ−）１−８２−４３　　　　−）１　
　　　　　　−（４Ｈ。

２−４４　　　　−Ｈ−Ｃ，！（、Ｃ１次に本発明をさ
らに詳しく説明するために下記に実施例及び比較例を示
すが１本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例１ ポリアミド（ＣＭ−８０００；東し株式会社製）０．４
重量部、メタノール７重量部、ブチルアルコール３重量
部の溶液を調製し１次いでこの液をガラス基板上に第４
図に示したＡｌ電極パターンを有する基板上に乾燥時の
膜厚が０．３μ腸に成る様ディッピング法で塗布した。

　しかる後１００℃の恒温槽中で３０分乾燥した。

次に構造式（２−４）で示されるフルオレノン化合物２
．７重量部、ポリカーボネート樹脂（パンライトに−１
３００；帝人化成株式会社ｍ）３重量部テトラヒドロフ
ラン７７重量部溶液及び構造式（２）で示されるアゾ顔
料２重量部をボールミルにて充分に粉砕した１次いでこ
の粉砕混合物を取り出し、ゆっくり攪拌しながらテトラ
ヒドロフランを加え固型分濃度２重量パーセントの光電
変換層形成液（りを調製した。　しかる後０．３μ■膜
厚のポリアミド層が形成された基板上にディッピング法
にて乾燥時１μｍの膜厚が得られる様光電変換層形成液
（１）を塗布し、しかる後１００℃で３０分乾燥し１本
発明の光電変換素子（１）を得た。

実施例２ 構造式（２−３）で示されるフルオレノン化合物、及び
構造式（６）で示されるアゾ顔料を用い他は実施例１と
同様な方法で本発明の光電変換素子（ＩＩ）を得た。

比較例１ 実施例１と同様にＡ１電極の形成された基板上に０．３
μ■膜厚のポリアミド層を形成した０次いで実施例１で
使用した構造式（２）で示されるアゾ顔料２重量部、ポ
リカーボネート樹脂（パンライト、Ｋ　−１３００；帝
人化成株式会社製）３重量部、テトラヒドロフラン５０
重量部をボールミルにて充分に粉砕した。得られた分散
液を取り出し、ゆっくり攪拌しながらテトラヒドロフラ
ンを加え固型分濃度２重量パーセントの光電変換層形成
液（ＩＩＩ）を調製し、実施例と同様な方法で乾燥時膜
厚１μ曽の光電変換層を設け、比較光電変換素子（ＩＩ
Ｉ）を得た。

比較例２ 実施例２で使用した構造式（６）で示されるアゾ顔料を
用いた他は比較例１と全く同様な方法で比較光電変換素
子（ＩＶ）を得た。

この様にして得られた光電変換素子（■）。

（ｎ）、　（ＩＩＩ）、（ＩＶ）のＳＮ比（光電流／暗
電流）及び光応答速度（立上り時間；　Ｔｒ、立下り時
間１Ｔｄ）を表１．２、に示す、但し実施例、比較例で
採用した素子構造はプレーナー型であり、　Ａｌ電極の
電極間距離は５μ腸、電極膜厚は１μ■である（第４図
）、又ビット間分離の目的で第４．５図に示す如く光遮
断層を設は素子特性の評価を実施した。

ＳＮ比は素子に直流電圧を印加し各電界強度に対する光
電流（σｒ）／暗電料（σｄ）比で表わした。又光応答
速度は１Ｘ１０”Ｖｌｏｌｌの電界下に於ける光電流波
形（第６図参照）よりＴｒ、Ｔｄを求めた。Ｔｒ、Ｔｄ
の定義は第６図に示した。

ＳＮ比、光応答速度共に測定時の照射光量はタングステ
ンランプで１７０１ｕｘ（色濃度：　２８５０″Ｋ）で
ある。

表−１ 表−２ 表１，２、より電界強度Ｉ　Ｘ　１０’Ｖ／　ｔｙａ　
（７１時に本発明に依る光電変換素子（１）、（ＩＩ）
は同一のアゾ顔料を用いたがフルオレノン化合物を含ま
ない比較品である光電変換素子（ＩＩＩ）、（ＩＶ）よ
り優り、１０３台のＳＮ比が得られる事が判った。

又応答速度Ｔｒ、Ｔｄに於ける本発明の比較品と比較し
た場合の改善効果は歴然として居り、アゾ顔料、結着樹
脂にフルオレノン化合物を添加する事で光導電層中に於
けるキャリアー移動度改善を狙った本発明の効果である
と判断出来る。

又各ビットに於けるＳＮ比、Ｔｒ、Ｔｄの特性はほぼ同
一の値を示しビット間分離に何隻問題なくビット間バラ
ツキの少い安定な光電変換素子の提供が可能であると判
断出来る。

羞−一米 以上述べたように、本発明によれば大規模な成膜が可能
な事がら長尺（メートルサイズ）の等倍センサーが可能
であり、さらにまたアゾ顔料にドナーフルオレノン化合
物を添加した事により応答速度及びＳＮ比（光電流／暗
電流）特性に秀れた有機光電変換素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は密着画像読取等倍センサーの全体の構成例を示
す概略図である。 第２ａ図及び第２ｂ図は回路構成例を示す読出し回路図
である。 第３ａ図及び第３ｂ図は光導電膜の素子構造を示す概略
図である。 第４図は本発明で使用する光電変換素子の概略平面図で
あり、第５図は前記光電変換素子の概略断面図である。 第６図はｌＸ１０’Ｖ／ａｍの電界下における光電法波
形であり、光応答速度は立上り時間Ｔｒ及び立下り時間
Ｔｄで示される。 ｌ・・・原稿　　　　　　　２・・・光源３・・・フォ
トセンサーアレイ ４・・・導光路　　　　　　５・・・電源６・・・負荷
抵抗　　　　　７・・・共通側電極８・・・個別側電極
　　　　９・・・光導電素子１０・・・ブロッキングダ
イオード １１・・・走査回路　　　　　１２・・・検出回路１３
・・・モスフェットスイッチ １４・・・フォトダイオード　１５・・・電極１５′・
・・上部電極　　　　１５′・・・下部電極１６・・・
光導電素子　　　　１７・・・光電変換部１８・・・光
遮断層　　　　　１９・・・保護層２０・・・Ａｌ対向
電極　　　２１・・・ガラス基板箒１図 ｆｆ５２（１図 第２ｂ面　　　　　　　′ｙｐＪ６図 ７！３０図　　　　　第３ｂ図 葱４図 ｙＩｆ５５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を
   設置して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導
   電体が下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中Ｒ＿１は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数１〜
   ４のアルコキシ基、又は炭素数１ 〜４のアルキル基を表わし、Ａｒは ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼ （但しＲ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿６は水素、炭素数１〜４の
   置換又は無置換のアルキル基、或い は置換又は無置換のベンジル基を表わし、 Ｒ＿４、Ｒ＿５は水素、ハロゲン、炭素数１〜４のアル
   キル基、或いは炭素数１〜４の アルコキシ基又はジアルキルアミノ基を 表わす）を表わす〕 で表わされるフルオレノン化合物の少なくとも１つと、
   下記一般式 （１）▲数式、化学式、表等があります▼ （２）▲数式、化学式、表等があります▼ （３）▲数式、化学式、表等があります▼ （４）▲数式、化学式、表等があります▼ （５）▲数式、化学式、表等があります▼ （６）▲数式、化学式、表等があります▼ （７）▲数式、化学式、表等があります▼ （８）▲数式、化学式、表等があります▼ （９）▲数式、化学式、表等があります▼ （１０）▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式が（１）〜（１０）において、Ａは
   、▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学
   式、表等があります▼ ここでＸはベンゼン環、ナフタレン環など の芳香族もしくは、インドール環、カルバ ゾール環、ベンジフラン環などのヘテロ環 または、それらの置換体を表わし、Ａｒ＿１はベンゼン
   環、ナフタレン環などの芳香族、 もしくは、ジベンゾフラン環などのヘテロ 環またはそれらの置換体を表わし、Ａｒ＿２はベンゼン
   環、ナフタレン環などの芳香族ま たはそれらの置換体を表わし、Ｒ＿１は水素、低級アル
   キル基、フェニル基またはその置 換体を表わし、またＲ＿２は低級アルキル基、フェニル
   基、カルボキシル基または、その エステルを表わす〕 （１１）▲数式、化学式、表等があります▼ （１２）▲数式、化学式、表等があります▼ （１３）▲数式、化学式、表等があります▼ （１４）▲数式、化学式、表等があります▼ （１５）▲数式、化学式、表等があります▼ （１６）▲数式、化学式、表等があります▼ （１７）▲数式、化学式、表等があります▼ （１８）▲数式、化学式、表等があります▼ （１９）▲数式、化学式、表等があります▼ （２０）▲数式、化学式、表等があります▼ （２１）▲数式、化学式、表等があります▼ （２２）▲数式、化学式、表等があります▼ （２３）▲数式、化学式、表等があります▼ （２４）▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（１１）〜（２４）において、Ａは
   、▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学
   式、表等があります▼又は▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ ここでＸはベンゼン環、ナフタレン環など の芳香族、インドール環、カルバゾール環、ベンジフラ
   ン環などのヘテロ環または、そ れらの置換体、Ａｒ＿１はベンゼン環、ナフタレン環な
   どの芳香族、ジベンゾフラン環な どのヘテロ環または、それらの置換体、 Ａｒ＿２およびＡｒ＿３は、ベンゼン環、ナフタレン環
   などの芳香族またはそれらの置換体、 Ｒ＿１およびＲ＿３は水素、低級アルキル基、フェニル
   基またはその置換体、Ｒ＿２は低級アルキル基、カルボ
   キシル基またはそのエス テルを表わす〕 （２５）▲数式、化学式、表等があります▼ （２６）▲数式、化学式、表等があります▼ （２７）▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（２５）〜（２７）において、式中
   Ａｒは置換又は、非置換のフェニル基、 置換又は非置換のナフチル基、アントリル 基、ピレニル基、ピリジル基、チェニル基、フリル基及
   びカルバゾリル基を表わす〕 （２８）▲数式、化学式、表等があります▼ （２９）▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（２８）〜（２９）において、Ｘは
   ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、インドール環
   、カルバゾリル環、ペンジフ ラン環などのヘテロ環又は、それらの置換 体、　Ｒ＿１は、ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香
   環、ジベンゾフラン環、カルバゾ ール環などのヘテロ環又はそれらの置換体、Ｒ＿２は水
   素、低級アルキル基、フェニル基又はその置換体を表わ
   す〕 （３０）▲数式、化学式、表等があります▼ （３１）▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（３０〜３１）において、Ｘは置換
   もしくは無置換の芳香環、または、ヘ テロ環を表わし、Ａｒは置換もしくは無置 換の芳香環または、ヘテロ環を表わす〕 で表わされるアゾ顔料の少なくとも１つを有効成分とし
   て含有する事を特徴とする画像読取等倍センサー。