JPS61291657A - 画像読取等倍センサ− - Google Patents
画像読取等倍センサ−Info
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- JPS61291657A JPS61291657A JP60131330A JP13133085A JPS61291657A JP S61291657 A JPS61291657 A JP S61291657A JP 60131330 A JP60131330 A JP 60131330A JP 13133085 A JP13133085 A JP 13133085A JP S61291657 A JPS61291657 A JP S61291657A
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
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- G03G5/0675—Azo dyes
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- G03G5/0679—Disazo dyes
- G03G5/0681—Disazo dyes containing hetero rings in the part of the molecule between the azo-groups
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- G03G5/0679—Disazo dyes
- G03G5/0683—Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技東分夏
本発明は光電変換素子（等倍センサー）に関するもので
あり、さらに詳しくはアゾ系顔料及びα−置換スチルベ
ンゼン化合物を主成分とした光導電膜を備えた光電変換
素子を有する画像読取等倍センサーに関するものである
。
あり、さらに詳しくはアゾ系顔料及びα−置換スチルベ
ンゼン化合物を主成分とした光導電膜を備えた光電変換
素子を有する画像読取等倍センサーに関するものである
。
災末技権
従来技術としてはＣｄＳ、アモルファス−３ｉを用いた
光電変換素子として特開昭５９−５４３７３（電々公社
）、特開昭５９−１１２６５１（富士通）、特開昭５９
−１１０１７７（東芝）等が有り、Ｐ−Ｃ−８Ｌを使用
した光電変換素子としては特開昭５８−１１８１６１（
キャノン）が上げられる。又「日経エレクトロニクスＪ
（１９８２年４月２６日）では上記ＣｄＳ、アモルフ
ァス−８ｉの他にＣｄＳｅ、５ｓ−Ａｓ−Ｔｅ等を用い
た光電変換素子を紹介している。しかしながらこれ等は
いずれも成膜方法の点で制約を受ける為長尺（メートル
サイズ）の等倍センサーとしての利用には不適当である
。
光電変換素子として特開昭５９−５４３７３（電々公社
）、特開昭５９−１１２６５１（富士通）、特開昭５９
−１１０１７７（東芝）等が有り、Ｐ−Ｃ−８Ｌを使用
した光電変換素子としては特開昭５８−１１８１６１（
キャノン）が上げられる。又「日経エレクトロニクスＪ
（１９８２年４月２６日）では上記ＣｄＳ、アモルフ
ァス−８ｉの他にＣｄＳｅ、５ｓ−Ａｓ−Ｔｅ等を用い
た光電変換素子を紹介している。しかしながらこれ等は
いずれも成膜方法の点で制約を受ける為長尺（メートル
サイズ）の等倍センサーとしての利用には不適当である
。
長尺等倍センサーに有利な晃電変換素子材料として我々
はアゾ顔料／結着樹脂分散系の光電変換素子を検討して
来た（特許出願済）。しかしながらこの系ではキャリア
ーの移動度に難点が有り、所望する応答速度は得られな
かった。
はアゾ顔料／結着樹脂分散系の光電変換素子を検討して
来た（特許出願済）。しかしながらこの系ではキャリア
ーの移動度に難点が有り、所望する応答速度は得られな
かった。
本発明は上記分散系光電変換素子応答速度の改善を計っ
たものである。
たものである。
■−−灯
本発明は従来の欠点を克服したアゾ顔料及びα−置換ス
チルベンゼン化合物を主成分とした光導電膜を備えた光
電変換素子を有する画像読取等倍センサーを提供するこ
とを目的とする。
チルベンゼン化合物を主成分とした光導電膜を備えた光
電変換素子を有する画像読取等倍センサーを提供するこ
とを目的とする。
１−一双
本発明者は前記目的を達成するために鋭意研究した結果
、 絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を設置
して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導電体
が下記一般式 （式中Ｒ１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の
アラルキル基を、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子、置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表
わし、Ａｒ１は置換又は無置換のアリール基を、Ａｒ”
は置換又は無置換のアリーレン基を表わし、 Ａｒ１
とＲ１は共同で環を形成してもよ＜、ｎは０又は１の整
数である） で表わされるα−置換スチルベンゼン化合物の少なくと
も１つと、下記一般式 ％式％） 〔但し、前記一般式が（１）〜（１０）において、ｆ。
、 絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を設置
して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導電体
が下記一般式 （式中Ｒ１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の
アラルキル基を、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子、置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表
わし、Ａｒ１は置換又は無置換のアリール基を、Ａｒ”
は置換又は無置換のアリーレン基を表わし、 Ａｒ１
とＲ１は共同で環を形成してもよ＜、ｎは０又は１の整
数である） で表わされるα−置換スチルベンゼン化合物の少なくと
も１つと、下記一般式 ％式％） 〔但し、前記一般式が（１）〜（１０）において、ｆ。
ここで又はベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族もし
くは、インドール環、カルバゾール環。
くは、インドール環、カルバゾール環。
ベンジフラン環などのへテロ環または、それらの置換体
を表わし、Ａｒ工はベンゼン環、ナフタレン環などの芳
香族、もしくは、ジベンゾフラン環などのへテロ環また
はそれらの置換体を表わし、Ａｒ、はベンゼン環、ナフ
タレン環などの芳香族またはそれらの置換体を表わし、
Ｒ１は水素、低級アルキル基、フェニル基またはその置
換体を表わし、 またＲ２は低級アルキル基。
を表わし、Ａｒ工はベンゼン環、ナフタレン環などの芳
香族、もしくは、ジベンゾフラン環などのへテロ環また
はそれらの置換体を表わし、Ａｒ、はベンゼン環、ナフ
タレン環などの芳香族またはそれらの置換体を表わし、
Ｒ１は水素、低級アルキル基、フェニル基またはその置
換体を表わし、 またＲ２は低級アルキル基。
フェニル基、カルボキシル基または、そのエステルを表
わす〕 中 Ｎ＝Ｎ−Ａ Ａ−Ｎ＝Ｎ−＠−ＩＬρ昏Ｎ＝Ｎ−Ａ 〔但し、前記一般式（１１）〜（２４）において。
わす〕 中 Ｎ＝Ｎ−Ａ Ａ−Ｎ＝Ｎ−＠−ＩＬρ昏Ｎ＝Ｎ−Ａ 〔但し、前記一般式（１１）〜（２４）において。
ここで又はベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、イ
ンドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環などのへ
テロ環または、それらの置換体、Ａｒ工はベンゼン環、
ナフタレン環などの芳香族、ジベンゾフラン環などのへ
テロ環または、それらの置換体、ＡｒｚおよびＡｒ３は
、ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族またはそれら
の置換体、Ｒ工およびＲ５は水素、低級アルキル基、フ
ェニル基またはその置換体、 Ｒ２は低級アルキル基、
カルボキシル基またはそのエステルを表わす〕 とＲ５ 〔但し、前記一般式（２５）〜（２７）において１式中
Ａｒは置換又は、非置換のフェニル基、置換又は非置換
のナフチル基、アントリル基、ピレニル基、ピリジル基
、チェニル基、フリル基及びカルバゾリル基を表わす〕 〔但し、前記一般式（２８）〜（２９）において、又は
ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、インドール環
、カルバゾール環、ベンジフラン環なとのへテロ環又は
、それらの置換体、Ｒユは、 ベンゼン環、ナフタレン
環などの芳香環、ジベンゾフラン環カルバゾール環など
のへテロ環又はそれらの置換体、Ｒ２は水素、低級アル
キル基、フェニル基又はその置換体を表わす〕 〔但し、前記一般式（３０〜３１）において、又は置換
もしくは無置換の芳香環、または、ヘテロ環を表わし、
Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環または、ヘテロ環を
表わす〕 で表わされるアゾ顔料の少なくとも１つを有効成分とし
て含有する事を特徴とする画像読取等倍センサーを提供
することによって前記目的が達成できることを見出した
。
ンドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環などのへ
テロ環または、それらの置換体、Ａｒ工はベンゼン環、
ナフタレン環などの芳香族、ジベンゾフラン環などのへ
テロ環または、それらの置換体、ＡｒｚおよびＡｒ３は
、ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族またはそれら
の置換体、Ｒ工およびＲ５は水素、低級アルキル基、フ
ェニル基またはその置換体、 Ｒ２は低級アルキル基、
カルボキシル基またはそのエステルを表わす〕 とＲ５ 〔但し、前記一般式（２５）〜（２７）において１式中
Ａｒは置換又は、非置換のフェニル基、置換又は非置換
のナフチル基、アントリル基、ピレニル基、ピリジル基
、チェニル基、フリル基及びカルバゾリル基を表わす〕 〔但し、前記一般式（２８）〜（２９）において、又は
ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、インドール環
、カルバゾール環、ベンジフラン環なとのへテロ環又は
、それらの置換体、Ｒユは、 ベンゼン環、ナフタレン
環などの芳香環、ジベンゾフラン環カルバゾール環など
のへテロ環又はそれらの置換体、Ｒ２は水素、低級アル
キル基、フェニル基又はその置換体を表わす〕 〔但し、前記一般式（３０〜３１）において、又は置換
もしくは無置換の芳香環、または、ヘテロ環を表わし、
Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環または、ヘテロ環を
表わす〕 で表わされるアゾ顔料の少なくとも１つを有効成分とし
て含有する事を特徴とする画像読取等倍センサーを提供
することによって前記目的が達成できることを見出した
。
すなわち本発明は絶縁性基板上に個別電極、共通電極及
びアゾ顔料とα−置換スチルベンゼン化合物を主成分と
する光導電膜を設ける事に依り構成される光電変換素子
を備えた画像読取用等倍センサーに関するものである。
びアゾ顔料とα−置換スチルベンゼン化合物を主成分と
する光導電膜を設ける事に依り構成される光電変換素子
を備えた画像読取用等倍センサーに関するものである。
まず等倍センサーの全体構成例、回路構成例、光電変換
素子部構造例を第１図、第２−ａ図、第２−ｂ図、第３
−ａ図及び第３−ｂ図に示す。
素子部構造例を第１図、第２−ａ図、第２−ｂ図、第３
−ａ図及び第３−ｂ図に示す。
第１１！ｌは画像読取用等倍センサーの１構成例を示し
たものである。このイメージセンサ−は照明光源、導光
系としてロッドレンズアレイ、光電変換膜から成るフォ
トセンサーアレイから構成されて居り、その他に読出し
回路、及び走査回路がセンサー駆動には必要となる。
たものである。このイメージセンサ−は照明光源、導光
系としてロッドレンズアレイ、光電変換膜から成るフォ
トセンサーアレイから構成されて居り、その他に読出し
回路、及び走査回路がセンサー駆動には必要となる。
読出し方式にはリアルタイム方式と電荷蓄積方式の２方
式がある。
式がある。
第２−ａ図にリアルタイム方式読出し回路の１例を図示
した。リアルタイム方式は各素子に直列にブロッキング
ダイオードを設け１個別電極を順次スイッチングして各
素子の抵抗変化を外部電流変化とし光電変換出力信号と
して取り出す方式である。第２−ｂ図は電荷蓄積方式読
出し回路の１例である。本方式は信号光でフォトダイオ
ード内に蓄積された電荷を放電させ、蓄積時間（走査時
間）毎にフォトダイオードに流れ込む充電々流を検出し
光信号を電気信号に変換する方式である。
した。リアルタイム方式は各素子に直列にブロッキング
ダイオードを設け１個別電極を順次スイッチングして各
素子の抵抗変化を外部電流変化とし光電変換出力信号と
して取り出す方式である。第２−ｂ図は電荷蓄積方式読
出し回路の１例である。本方式は信号光でフォトダイオ
ード内に蓄積された電荷を放電させ、蓄積時間（走査時
間）毎にフォトダイオードに流れ込む充電々流を検出し
光信号を電気信号に変換する方式である。
第３−ａ図及び第３−ｂ図に光電変換素子の構成を示し
た。素子構造は電極の配置によりプレーナー型（第３−
ａ図）、 とサンドイッチ型（第３−ｂ図）に大別され
る。 サンドインチ型は感光層膜厚が電極間隔となる為
電極間隔を高精度且つ容易に制御出来る反面、透明電極
が必要であり又感光層のピンホールが致命傷となる欠点
がある。
た。素子構造は電極の配置によりプレーナー型（第３−
ａ図）、 とサンドイッチ型（第３−ｂ図）に大別され
る。 サンドインチ型は感光層膜厚が電極間隔となる為
電極間隔を高精度且つ容易に制御出来る反面、透明電極
が必要であり又感光層のピンホールが致命傷となる欠点
がある。
処方プレーナー型はサンドインチ型に比し耐ピンホール
特性に秀れ、電極を１回の工程で作成出来る反面、電極
間隔制御に芝点が有る。
特性に秀れ、電極を１回の工程で作成出来る反面、電極
間隔制御に芝点が有る。
次に本発明の主眼である光電変換部を構成する材料及び
処方に関して述べる。
処方に関して述べる。
本発明に於ける絶縁基板としては例えば基板側から受光
する場合には透光性のセラミック、ガラス、プラスチッ
ク又はこれ等を組み合せたものを用いる。一方基板上に
形成された感光層側から光照射する場合は、非透光性の
絶縁基板であっても良いし、又金属等非絶縁性の基板上
に絶縁処理された基板であっても良い。
する場合には透光性のセラミック、ガラス、プラスチッ
ク又はこれ等を組み合せたものを用いる。一方基板上に
形成された感光層側から光照射する場合は、非透光性の
絶縁基板であっても良いし、又金属等非絶縁性の基板上
に絶縁処理された基板であっても良い。
絶縁性基板上に設置されるセンサー駆動電極としては例
えばＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ０１Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ。
えばＡｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ０１Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ。
Ｍｏ、Ｗ等及びこれ等金属の合金及びこれ等金属及び合
金２種以上の多層膜であ・っても良い。
金２種以上の多層膜であ・っても良い。
あるいは必要に応じてＮＥＳＡ、ＩＴＯ１Ｉｎ２０３等
の透光性電極であっても良い。
の透光性電極であっても良い。
これ等の導電材料はスパッター法、蒸着法。
又はＣＶＤ法により成膜する事が可能であり、しかる後
これ等金属膜をフォトエツチング法により所望の形状を
有する電極を得る事が出来る。
これ等金属膜をフォトエツチング法により所望の形状を
有する電極を得る事が出来る。
又工業的に良く知られているマスク蒸着法、スクリーン
印刷法、リフトオフ法等により電極を形成する事も可能
である。
印刷法、リフトオフ法等により電極を形成する事も可能
である。
電極膜の膜厚は０．０５μｍ〜５．０μ臆、好ましくは
１〜４μｍである。
１〜４μｍである。
個別電極と共通電極が基板上に平面的に設置されるいわ
ゆるプレーナー型（第３−ａ図）の場合絶縁基板上に電
極形成後光導電層を設置し等倍センサーは完成する。一
方基板上に上部電極、光導電層、下部電極と積層するい
わゆるサンドイッチ型（第３−ｂ図）の場合下部電極を
形成し次に光導電層を形成した後、上部電極を前出の材
料及び方法で設置する。上部電極及び下部電極の材料は
同一である必要はなく、光導電層の特性を妨げないもの
が望ましい。
ゆるプレーナー型（第３−ａ図）の場合絶縁基板上に電
極形成後光導電層を設置し等倍センサーは完成する。一
方基板上に上部電極、光導電層、下部電極と積層するい
わゆるサンドイッチ型（第３−ｂ図）の場合下部電極を
形成し次に光導電層を形成した後、上部電極を前出の材
料及び方法で設置する。上部電極及び下部電極の材料は
同一である必要はなく、光導電層の特性を妨げないもの
が望ましい。
光導電膜は絶縁性樹脂及び特許請求範囲に記載された一
般式を有するアゾ顔料とα−置換スチルベンゼン化合物
を主成分として構成される。
般式を有するアゾ顔料とα−置換スチルベンゼン化合物
を主成分として構成される。
絶縁性樹脂としては例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂
、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂。
、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂。
ブチロール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート
樹脂等が挙げられ、光導電層の成膜性、電気特性等から
選択される。又これ等樹脂固有の特性を補う目的で２種
以上の絶縁性樹脂を用いる事も可能である。
樹脂等が挙げられ、光導電層の成膜性、電気特性等から
選択される。又これ等樹脂固有の特性を補う目的で２種
以上の絶縁性樹脂を用いる事も可能である。
本発明に使用されるアゾ顔料及びα−置換スチルベンゼ
ン化合物と絶縁性樹脂との混合重量比は下記の様である
。
ン化合物と絶縁性樹脂との混合重量比は下記の様である
。
アゾ顔料／絶縁性樹脂：１７３〜３／１α−置換スチル
ベンゼン化合物／絶縁性樹脂＝１／３〜１／１アゾ顔料
、α−置換スチルベンゼン化合物の絶縁性樹脂に対する
混合比率が多過ぎると光導電膜と電極及び絶縁性基板と
の接着性が低下し信頼性が損われる。又少な過ぎると光
導電率σＰが小さくなりＳＮ比（σＰ／σｄ）を上げる
事が出来ない。光導電膜の膜厚は一般的に０．１〜５μ
ｍで好ましくは０．２〜２μ重である。光導電層は例え
ばディッピング法、ドクターブレード法、スプレー法、
ロールコート法等の塗布方法に依り容易に形成する事が
出来る。
ベンゼン化合物／絶縁性樹脂＝１／３〜１／１アゾ顔料
、α−置換スチルベンゼン化合物の絶縁性樹脂に対する
混合比率が多過ぎると光導電膜と電極及び絶縁性基板と
の接着性が低下し信頼性が損われる。又少な過ぎると光
導電率σＰが小さくなりＳＮ比（σＰ／σｄ）を上げる
事が出来ない。光導電膜の膜厚は一般的に０．１〜５μ
ｍで好ましくは０．２〜２μ重である。光導電層は例え
ばディッピング法、ドクターブレード法、スプレー法、
ロールコート法等の塗布方法に依り容易に形成する事が
出来る。
尚本発明の光導電膜には上記アゾ顔料及びα−置換スチ
ルベンゼン化合物を複数混合し相互の特性を補う事も可
能である。又、各種特性の向上及び安定化を計る為に他
の添加物を加えても良い、又、光導電層を環境及び外力
から守る為の保護層及びビット間分離の機能を有する光
遮断層等を光導電層上に設置する事も出来る。
ルベンゼン化合物を複数混合し相互の特性を補う事も可
能である。又、各種特性の向上及び安定化を計る為に他
の添加物を加えても良い、又、光導電層を環境及び外力
から守る為の保護層及びビット間分離の機能を有する光
遮断層等を光導電層上に設置する事も出来る。
又絶縁性基板及び電極との密着性改善及び光導電層と電
極間の電気的改質の為に電極及び絶縁性基板と光導電層
との間に新たな層を設置する事も可能である。
極間の電気的改質の為に電極及び絶縁性基板と光導電層
との間に新たな層を設置する事も可能である。
本発明で使用されるアゾ顔料及びα−置換スチルベンゼ
ン化合物の具体例を下記に例示する。
ン化合物の具体例を下記に例示する。
一
顔料血 顔料凰顔料也
（２）一般式
（−ｏ（Ｊ（＝ｃＩ（−＠−Ｎ＝Ｎ−Ａ ）２顔料歯
顔料血顔料血 ・ ５、τ更−１”・ 心 （３）一般式 顔料嵐 顔料施（４）一般式 ％式％ （５）一般式 顔料歯 顔料歯顔料＆ （６）一般式 ％式％ 顔料施 顔料施顔料歯 １４８７に−１” （７）一般式 ％式％ 顔料施 （８）一般式 ％式％ （９）一般式 顔料＆ 顔料歯顔料＆ （１の一般式 紐猥 顔料＆ ２４２ ■ワー１・ （１１）一般式 （１２）一般式 顔料＆ 顔料嵐中 Ｎ＝Ｎ−Ａ （１４）一般式 顔料施−一」し−−１！、−顔料血−一」Ｌ−一一旦−
顔料＆ｎ−尺一 顔料血−一」Ｌ−一一尺−（ｌω一般
式 顔料施 （１６）一般式 ％式％ ［］ （１７）一般式 顔料胆 顔料血 顔料血 顔料地顔料血 （１８）一般式 Ａ−置【ぐプ距−Ｎ−Ａ 顔料胆 顔料＆ｒ、Ｏ 顔料歯 顔料歯 （１Ｇ−Ｃ） （１９−Ｄ） 顔料胆 （２の一般式 ％式％ （２１）一般式 顔料歯 顔料嵐顔料歯
顔料＆（２２） −一般式 （２３）一般式 顔料＆ 顔料逸顔料施 （２４）一般式 ％式％ （２５）一般式 （２６）一般式 ｘＨｓ （２８）一般式 顔料地 顔料嵐顔料＆
顔料嵐（３０）一般式 顔料歯 顔料＆顔料歯
顔料血顔料歯
顔料血 顔料施 顔料＆顔料血 （３１）一般式 ％式％ 顔料歯 −顔魁嵐 顔料施 顔料＆顔料歯 α−置 スチルベンゼンヒへ物の 六 次に本発明をさらに詳しく説明するために下記に実施例
及び比較例を示すが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
顔料血顔料血 ・ ５、τ更−１”・ 心 （３）一般式 顔料嵐 顔料施（４）一般式 ％式％ （５）一般式 顔料歯 顔料歯顔料＆ （６）一般式 ％式％ 顔料施 顔料施顔料歯 １４８７に−１” （７）一般式 ％式％ 顔料施 （８）一般式 ％式％ （９）一般式 顔料＆ 顔料歯顔料＆ （１の一般式 紐猥 顔料＆ ２４２ ■ワー１・ （１１）一般式 （１２）一般式 顔料＆ 顔料嵐中 Ｎ＝Ｎ−Ａ （１４）一般式 顔料施−一」し−−１！、−顔料血−一」Ｌ−一一旦−
顔料＆ｎ−尺一 顔料血−一」Ｌ−一一尺−（ｌω一般
式 顔料施 （１６）一般式 ％式％ ［］ （１７）一般式 顔料胆 顔料血 顔料血 顔料地顔料血 （１８）一般式 Ａ−置【ぐプ距−Ｎ−Ａ 顔料胆 顔料＆ｒ、Ｏ 顔料歯 顔料歯 （１Ｇ−Ｃ） （１９−Ｄ） 顔料胆 （２の一般式 ％式％ （２１）一般式 顔料歯 顔料嵐顔料歯
顔料＆（２２） −一般式 （２３）一般式 顔料＆ 顔料逸顔料施 （２４）一般式 ％式％ （２５）一般式 （２６）一般式 ｘＨｓ （２８）一般式 顔料地 顔料嵐顔料＆
顔料嵐（３０）一般式 顔料歯 顔料＆顔料歯
顔料血顔料歯
顔料血 顔料施 顔料＆顔料血 （３１）一般式 ％式％ 顔料歯 −顔魁嵐 顔料施 顔料＆顔料歯 α−置 スチルベンゼンヒへ物の 六 次に本発明をさらに詳しく説明するために下記に実施例
及び比較例を示すが、本発明はこれらに限定されるもの
ではない。
実施例１
ポリアミド（ＣＭ−８０００；東し株式会社ＩＩ）０．
４重量部、 メタノール７重量部、ブチルアルコール３
重量部の溶液を調製し、次いでこの液をガラス基板上に
第４図に示したＡ１電極パターンを有する基板上に乾燥
時の膜厚が０．３μｍに成る様ディッピング法で塗布し
た。しがる後１００℃の恒温槽中で３０分乾燥した。
４重量部、 メタノール７重量部、ブチルアルコール３
重量部の溶液を調製し、次いでこの液をガラス基板上に
第４図に示したＡ１電極パターンを有する基板上に乾燥
時の膜厚が０．３μｍに成る様ディッピング法で塗布し
た。しがる後１００℃の恒温槽中で３０分乾燥した。
次に構造式（化合物４２−１）で示されるα−置換スチ
ルベンゼン化合物２．７重量部、ポリカーボネート樹脂
（パンライトに−１３００；帝人化成株式会社製）３重
量部テトラヒドロフラン７７重量部溶液及び構造式（ア
ゾ顔料＆２）で示されるアゾ顔料２重量部をボールミル
にて充分に粉砕した。次いでこの粉砕混合物を取り出し
、ゆっくり攪拌しながらテトラヒドロフランを加え固型
分濃度２重量パーセントの光電変換層形成液（１）を調
製した。しかる後０．３μｍ膜厚のポリアミド層が形成
された基板上にディッピング法にて乾燥時１μｍの膜厚
が得られる様光電変換層形成液（Ｉ）を塗布し、 しか
る後１００℃で３０分乾燥し、本発明の光電変換素子（
１）を得た。
ルベンゼン化合物２．７重量部、ポリカーボネート樹脂
（パンライトに−１３００；帝人化成株式会社製）３重
量部テトラヒドロフラン７７重量部溶液及び構造式（ア
ゾ顔料＆２）で示されるアゾ顔料２重量部をボールミル
にて充分に粉砕した。次いでこの粉砕混合物を取り出し
、ゆっくり攪拌しながらテトラヒドロフランを加え固型
分濃度２重量パーセントの光電変換層形成液（１）を調
製した。しかる後０．３μｍ膜厚のポリアミド層が形成
された基板上にディッピング法にて乾燥時１μｍの膜厚
が得られる様光電変換層形成液（Ｉ）を塗布し、 しか
る後１００℃で３０分乾燥し、本発明の光電変換素子（
１）を得た。
実施例２
構造式（化合物Ｎα２−７）で示されるα−置換スチル
ベンゼン化合物、及び構造式（アゾ顔料Ｎα８２）示さ
れるアゾ顔料を用い他は実施例１と同様な方法で本発明
の光電変換素子（ＩＩ）を得た。
ベンゼン化合物、及び構造式（アゾ顔料Ｎα８２）示さ
れるアゾ顔料を用い他は実施例１と同様な方法で本発明
の光電変換素子（ＩＩ）を得た。
比較例１
実施例１と同様にＡ１電極の形成された基板上に０．３
μ■膜厚のポリアミド層を形成した。次いで実施例１で
使用した構造式（アゾ顔料Ｎα２）で示されるアゾ顔料
２重量部、ポリカーボネート樹脂（パンライト、Ｋ−１
３００；帝人化成株式会社製）３重量部、テトラヒドロ
フラン５０重量部をボールミルにて充分に粉砕した。得
られた分散液を取り出し、ゆっくり攪拌しながらテトラ
ヒドロフランを加え固型分濃度２重量パーセントの光電
変換層形成液（ＩＩＩ）を調製し、実施例と同様な方法
で乾燥時膜厚１μｍの光電変換層を設け、比較光電変換
素子（ｍ）を得た。
μ■膜厚のポリアミド層を形成した。次いで実施例１で
使用した構造式（アゾ顔料Ｎα２）で示されるアゾ顔料
２重量部、ポリカーボネート樹脂（パンライト、Ｋ−１
３００；帝人化成株式会社製）３重量部、テトラヒドロ
フラン５０重量部をボールミルにて充分に粉砕した。得
られた分散液を取り出し、ゆっくり攪拌しながらテトラ
ヒドロフランを加え固型分濃度２重量パーセントの光電
変換層形成液（ＩＩＩ）を調製し、実施例と同様な方法
で乾燥時膜厚１μｍの光電変換層を設け、比較光電変換
素子（ｍ）を得た。
比較例２
実施例２で使用した構造式（アゾ顔料＆８２）で示され
るアゾ顔料を用いた他は比較例１と全く同様な方法で比
較光電変換素子（ＩＶ）を得たにの様にして得られた光
電変換素子（Ｉ）、（Ｉｆ）、（ｍ）、（ＩＶ）のＳＮ
比（光電流／暗電流）及び光応答速度（立上り時間；Ｔ
ｒ、立下り時間；Ｔｄ）を表１．２、に示す。但し実施
例、比較例で採用した素子構造はプレーナー型であり、
Ａ１電極の電極間距離は５μｍ、電極膜厚は１μｍで−
ある（第４図）、又ビット間分離の目的で第４．５図に
示す如く光遮断層を設は素子特性の評価を実施した。
るアゾ顔料を用いた他は比較例１と全く同様な方法で比
較光電変換素子（ＩＶ）を得たにの様にして得られた光
電変換素子（Ｉ）、（Ｉｆ）、（ｍ）、（ＩＶ）のＳＮ
比（光電流／暗電流）及び光応答速度（立上り時間；Ｔ
ｒ、立下り時間；Ｔｄ）を表１．２、に示す。但し実施
例、比較例で採用した素子構造はプレーナー型であり、
Ａ１電極の電極間距離は５μｍ、電極膜厚は１μｍで−
ある（第４図）、又ビット間分離の目的で第４．５図に
示す如く光遮断層を設は素子特性の評価を実施した。
ＳＮ比は素子に直流電圧を印加し各電界強度に対する光
電流（σｒ）／暗電料（σｄ）比で表わした。又光応答
速度はｌＸ１０’Ｖ／ａｍの電界下に於ける光電流源形
（第６図参照）よりＴｒ、Ｔｄを求めた。Ｔｒ、Ｔｄの
定義は第６図に示した。
電流（σｒ）／暗電料（σｄ）比で表わした。又光応答
速度はｌＸ１０’Ｖ／ａｍの電界下に於ける光電流源形
（第６図参照）よりＴｒ、Ｔｄを求めた。Ｔｒ、Ｔｄの
定義は第６図に示した。
ＳＮ比、光応答速度共に測定時の照射光量はタングステ
ンランプで１７０１ｕｘ （色濃度：２８５０’ Ｋ）
である。
ンランプで１７０１ｕｘ （色濃度：２８５０’ Ｋ）
である。
表−１
表−２
表１．２、より電界強度ｌＸ１０ＳＶ／ｅ１ｍの時に本
発明に依る光電変換素子（１）、（ＩＩ）は同一のアゾ
顔料を用いたがα−置換スチルベンゼン化合物を含まな
い比較品である光電変換素子（■）。
発明に依る光電変換素子（１）、（ＩＩ）は同一のアゾ
顔料を用いたがα−置換スチルベンゼン化合物を含まな
い比較品である光電変換素子（■）。
（ｒＶ）より優り、１０３台のＳＮ比が得られる事が判
った。又応答速度Ｔｒ、Ｔｄに於ける本発明の比較品と
比較した場合の改善効果は歴然として居り、アゾ顔料、
結着樹脂にα−置換スチルベンゼン化合物を添加する事
で光導電層中に於けるキャリアー移動度改善を狙った本
発明の効果であると判断出来る。又各ビットに於けるＳ
Ｎ比、Ｔｒ、Ｔｄの特性はほぼ同一の値を示しビット間
分離に何等問題なくビット間バラツキの少い安定な光電
変換素子の提供が可能であると判断出来る。
った。又応答速度Ｔｒ、Ｔｄに於ける本発明の比較品と
比較した場合の改善効果は歴然として居り、アゾ顔料、
結着樹脂にα−置換スチルベンゼン化合物を添加する事
で光導電層中に於けるキャリアー移動度改善を狙った本
発明の効果であると判断出来る。又各ビットに於けるＳ
Ｎ比、Ｔｒ、Ｔｄの特性はほぼ同一の値を示しビット間
分離に何等問題なくビット間バラツキの少い安定な光電
変換素子の提供が可能であると判断出来る。
効 果
以上述べたように、本発明によれば大規模な成膜が可能
な事がら長尺（メートルサイズ）の等倍センサーが可能
であり、さらにまたアゾ顔料にドナーα−置換スチルベ
ンゼン化合物を添加した事により応答速度及びＳＮ比（
光電流／暗電流）特性に秀れた有機光電変換素子が得ら
れる。
な事がら長尺（メートルサイズ）の等倍センサーが可能
であり、さらにまたアゾ顔料にドナーα−置換スチルベ
ンゼン化合物を添加した事により応答速度及びＳＮ比（
光電流／暗電流）特性に秀れた有機光電変換素子が得ら
れる。
第１図は密着型画像読取等倍センサーの全体の構成例を
示す概略図である。 第２ａ図及び第２ｂ図は回路構成例を示す読出し回路図
である。 第３ａ図及び第３ｂ図は光導電膜の素子構造を示す概略
図である。 第４図は本発明で使用する光電変換素子の概略平面図で
あり、第５図は前記光電変換素子の箔３Ｑ又
懲３ｂ又 帛４図 納５図 手続補正帯 昭和６０年８月６日 昭和６０年特許願第１３１３３０号 ２、発明の名称 画像読取等倍センサー ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社リコー 代表者 浜 １） 広 ４、代理人 東京都千代田区麹町４丁目５番地（〒１０２）５、補正
の対象 明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
の各個 、−〜「６、補正の内容 （１）特許請求の範囲の記載を別紙のように訂正する。 （２）明細書簡１１頁第１〜７行： 「式中Ｒ１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の
アラルキル基を、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４は水素原子、置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表
わし、」を 「式中Ｒ１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基を、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、
水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もし
くは無置換のアリール基を表わし、Ｊに訂正する。 （３） 同、第２１頁第１４〜１５行：「一方基板上
に上部電極、光導電層、下部電極を積層する」を「一方
、基板上に下部電極、光導電層、上部電極を積層する」
に訂正する。 （４） 同、第１１１頁第１９行： 「暗電料」を「
暗電流」に訂正する。 ７、添付書類の目録 別 紙 １選
別 紙 特許請求の範囲 １、絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光 （２
〕導電体を設置して成る画像読取等倍センサーに於いて
、前記光導電体が下記一般式 （３）（式中Ｒ
１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換の７リール基を、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子、
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは装置
（５）換のアリール基を表わし、Ａｒ１は置換又は無
置換のアリール基を、 Ａｒ”は置換又は無置換のアリーレン基を表わし、
Ａｒ’とＲ１は共同で環を形成してもよく、ｎは０又は
１の整数である） で表わされるα−置換スチルベンゼン化合物の少なくと
も１つと、下記一般式 ％式％） 〔但し、前記一般式が（１）〜（１０）において、ここ
でＸはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族もしくは
、インドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環など
のへテロ環または、それらの置換体を表わし、Ａｒ１は
ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、もしくは、ジ
ベンゾフラン環などのへテロ環またはそれらの置換体を
表わし、Ａｒ２はベンゼン環、ナフタレン環などの芳香
族またはそれらの置換体を表わし、Ｒ□は水素、低級ア
ルキル基、フェニル基またはその置換体を表わし、 ま
たＲ２は低級アルキル基、フェニル基、カルボキシル基
または、そのエステルを表わす〕 （１１） 。 中 Ｎ＝Ｎ−Ａ Ａ−Ｎ−Ｎ−＠−Ｃ）ｌ＝ｃＨ−＠−ＣＨ＝ＣＨ−＠−
Ｎ＝Ｎ−Ａ〔但し、前記一般式（１１）〜（２４）にお
いて、二二でＸはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香
族、インドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環な
どのへテロ環または、それらの置換体、Ａｒ工はベンゼ
ン環、ナフタレン環などの芳香族、ジベンゾフラン環な
どのへテロ環または、 それらの置換体、Ａｒ２および
Ａｒ、は、ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族また
はそれらの置換体、Ｒ１およびＲ１は水素、低級アルキ
ル基、フェニル基またはその置換体、 Ｒ２は低級アル
キル基、カルボキシル基またはそのエステルを表わす〕 し。 〔但し、前記一般式（２５）〜（２７）において１式中
Ａｒは置換又は、非置換のフェニル基。 置換又は非置換のナフチル基、アントリル基、ピレニル
基、ピリジル基、チェニル基、フリル基及びカルバゾリ
ル基を表わす〕Ｘ゛′ 〔但し、前記一般式（２８）〜（２９）において、又は
ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、インドール環
、カルバゾール環、ベンジフラン環なとのへテロ環又は
、それらの置換体、 Ｒ□は、ベンゼン環、ナフタレン
環などの芳香環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環な
どのへテロ環又はそれらの置換体、Ｒ２は水素、低級ア
ルキル基、フェニル基又はその置換体を表わす〕 〔但し、前記一般式（３０〜３１）において、Ｘは置換
もしくは無置換の芳香環、または、ペテロ環を表わし、
Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環または、ペテロ環を
表わす〕で表わされるアゾ顔料の少なくとも１つを有効
成分として含有する事を特徴とする画像読取等倍センサ
ー。
示す概略図である。 第２ａ図及び第２ｂ図は回路構成例を示す読出し回路図
である。 第３ａ図及び第３ｂ図は光導電膜の素子構造を示す概略
図である。 第４図は本発明で使用する光電変換素子の概略平面図で
あり、第５図は前記光電変換素子の箔３Ｑ又
懲３ｂ又 帛４図 納５図 手続補正帯 昭和６０年８月６日 昭和６０年特許願第１３１３３０号 ２、発明の名称 画像読取等倍センサー ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社リコー 代表者 浜 １） 広 ４、代理人 東京都千代田区麹町４丁目５番地（〒１０２）５、補正
の対象 明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
の各個 、−〜「６、補正の内容 （１）特許請求の範囲の記載を別紙のように訂正する。 （２）明細書簡１１頁第１〜７行： 「式中Ｒ１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換の
アラルキル基を、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４は水素原子、置換
もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のア
リール基または置換もしくは無置換のアラルキル基を表
わし、」を 「式中Ｒ１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換も
しくは無置換のアリール基を、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、
水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もし
くは無置換のアリール基を表わし、Ｊに訂正する。 （３） 同、第２１頁第１４〜１５行：「一方基板上
に上部電極、光導電層、下部電極を積層する」を「一方
、基板上に下部電極、光導電層、上部電極を積層する」
に訂正する。 （４） 同、第１１１頁第１９行： 「暗電料」を「
暗電流」に訂正する。 ７、添付書類の目録 別 紙 １選
別 紙 特許請求の範囲 １、絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光 （２
〕導電体を設置して成る画像読取等倍センサーに於いて
、前記光導電体が下記一般式 （３）（式中Ｒ
１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無
置換の７リール基を、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子、
置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは装置
（５）換のアリール基を表わし、Ａｒ１は置換又は無
置換のアリール基を、 Ａｒ”は置換又は無置換のアリーレン基を表わし、
Ａｒ’とＲ１は共同で環を形成してもよく、ｎは０又は
１の整数である） で表わされるα−置換スチルベンゼン化合物の少なくと
も１つと、下記一般式 ％式％） 〔但し、前記一般式が（１）〜（１０）において、ここ
でＸはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族もしくは
、インドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環など
のへテロ環または、それらの置換体を表わし、Ａｒ１は
ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、もしくは、ジ
ベンゾフラン環などのへテロ環またはそれらの置換体を
表わし、Ａｒ２はベンゼン環、ナフタレン環などの芳香
族またはそれらの置換体を表わし、Ｒ□は水素、低級ア
ルキル基、フェニル基またはその置換体を表わし、 ま
たＲ２は低級アルキル基、フェニル基、カルボキシル基
または、そのエステルを表わす〕 （１１） 。 中 Ｎ＝Ｎ−Ａ Ａ−Ｎ−Ｎ−＠−Ｃ）ｌ＝ｃＨ−＠−ＣＨ＝ＣＨ−＠−
Ｎ＝Ｎ−Ａ〔但し、前記一般式（１１）〜（２４）にお
いて、二二でＸはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香
族、インドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環な
どのへテロ環または、それらの置換体、Ａｒ工はベンゼ
ン環、ナフタレン環などの芳香族、ジベンゾフラン環な
どのへテロ環または、 それらの置換体、Ａｒ２および
Ａｒ、は、ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族また
はそれらの置換体、Ｒ１およびＲ１は水素、低級アルキ
ル基、フェニル基またはその置換体、 Ｒ２は低級アル
キル基、カルボキシル基またはそのエステルを表わす〕 し。 〔但し、前記一般式（２５）〜（２７）において１式中
Ａｒは置換又は、非置換のフェニル基。 置換又は非置換のナフチル基、アントリル基、ピレニル
基、ピリジル基、チェニル基、フリル基及びカルバゾリ
ル基を表わす〕Ｘ゛′ 〔但し、前記一般式（２８）〜（２９）において、又は
ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、インドール環
、カルバゾール環、ベンジフラン環なとのへテロ環又は
、それらの置換体、 Ｒ□は、ベンゼン環、ナフタレン
環などの芳香環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環な
どのへテロ環又はそれらの置換体、Ｒ２は水素、低級ア
ルキル基、フェニル基又はその置換体を表わす〕 〔但し、前記一般式（３０〜３１）において、Ｘは置換
もしくは無置換の芳香環、または、ペテロ環を表わし、
Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環または、ペテロ環を
表わす〕で表わされるアゾ顔料の少なくとも１つを有効
成分として含有する事を特徴とする画像読取等倍センサ
ー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基体上に個別電極、共通電極及び光導電体を
設置して成る画像読取等倍センサーに於いて、前記光導
電体が下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒ＾１は置換もしくは無置換のアルキル基、置換
もしくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換
のアラルキル基を、 Ｒ＾２、Ｒ＾３及びＲ＾４は水素原子、置換もしくは無
置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基ま
たは置換もしくは無置換のアラルキル基を表わし、Ａｒ
＾１は置換又は無置換のアリール基を、 Ａｒ＾２は置換又は無置換のアリーレン基を表わし、Ａ
ｒ＾１とＲ＾１は共同で環を形成してもよく、ｎは０又
は１の整数である） で表わされるα−置換スチルベンゼン化合物の少なくと
も１つと、下記一般式 （１） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２） ▲数式、化学式、表等があります▼ （３） ▲数式、化学式、表等があります▼ （４） ▲数式、化学式、表等があります▼ （５） ▲数式、化学式、表等があります▼ （６） ▲数式、化学式、表等があります▼ （７） ▲数式、化学式、表等があります▼ （８） ▲数式、化学式、表等があります▼ （９） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１０） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式が（１）〜（１０）において、Ａは
、▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学
式、表等があります▼ ここでＸはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族もし
くは、インドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環
などのヘテロ環または、それらの置換体を表わし、Ａｒ
＿１はベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、もしく
は、ジベンゾフラン環などのヘテロ環またはそれらの置
換体を表わし、Ａｒ＿２はベンゼン環、ナフタレン環な
どの芳香族またはそれらの置換体を表わし、Ｒ＿１は水
素、低級アルキル基、フェニル基またはその置換体を表
わし、またＲ＿２は低級アルキル基、フェニル基、カル
ボキシル基または、そのエステルを表わす〕 （１１） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１２） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１３） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１４） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１５） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１６） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１７） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１８） ▲数式、化学式、表等があります▼ （１９） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２０） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２１） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２２） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２３） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２４） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（１１）〜（２４）において、Ａは
、▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学
式、表等があります▼又は、▲数式、化学式、表等があ
ります▼ ここでＸはベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、イ
ンドール環、カルバゾール環、ベンジフラン環などのヘ
テロ環または、それらの置換体、Ａｒ＿１はベンゼン環
、ナフタレン環などの芳香族、ジベンゾフラン環などの
ヘテロ環または、それらの置換体、 Ａｒ＿２およびＡｒ＿３は、ベンゼン環、ナフタレン環
などの芳香族またはそれらの置換体、 Ｒ＿１およびＲ＿３、は水素、低級アルキル基、フェニ
ル基またはその置換体、Ｒ＿２は低級アルキル基、カル
ボキシル基またはそのエステルを表わす〕 （２５） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２６） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２７） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（２５）〜（２７）において、式中
Ａｒは置換又は、非置換のフェニル基、置換又は非置換
のナフチル基、アントリル基、ピレニル基、ピリジル基
、チェニル基、フリル基及びカルバゾリル基を表わす〕 （２８） ▲数式、化学式、表等があります▼ （２９） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（２８）〜（２９）において、Ｘは
ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族、インドール環
、カルバゾール環、ベンジフラン環などのヘテロ環又は
、それらの置換体、Ｒ＿１は、ベンゼン環、ナフタレン
環などの芳香環、ジベンゾフラン環、カルバゾール環な
どのヘテロ環又はそれらの置換体、Ｒ＿２は水素、低級
アルキル基、フェニル基又はその置換体を表わす〕 （３０） ▲数式、化学式、表等があります▼ （３１） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、前記一般式（３０〜３１）において、Ｘは置換
もしくは無置換の芳香環、または、ヘテロ環を表わし、
Ａｒは置換もしくは無置換の芳香環または、ヘテロ環を
表わす〕 で表わされるアゾ顔料の少なくとも１つを有効成分とし
て含有する事を特徴とする画像読取等倍センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131330A JPS61291657A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 画像読取等倍センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60131330A JPS61291657A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 画像読取等倍センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61291657A true JPS61291657A (ja) | 1986-12-22 |
Family
ID=15055422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60131330A Pending JPS61291657A (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | 画像読取等倍センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61291657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334856A (en) * | 1990-07-03 | 1994-08-02 | Mitsubishi Kasei Corporation | Image readout element with oxytitanium phthalocyanine |
| US5350915A (en) * | 1992-06-18 | 1994-09-27 | Mitsubishi Kasei Corporation | Image sensor using organic photoconductor |
-
1985
- 1985-06-17 JP JP60131330A patent/JPS61291657A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5334856A (en) * | 1990-07-03 | 1994-08-02 | Mitsubishi Kasei Corporation | Image readout element with oxytitanium phthalocyanine |
| US5350915A (en) * | 1992-06-18 | 1994-09-27 | Mitsubishi Kasei Corporation | Image sensor using organic photoconductor |
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