JPS6244602Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、AM−FM受信機のDX−Local切換
回路の構成において、DX−Local切換えスイツチ
を１つの１回路２接点のスイツチで共用し、且つ
相互のバンド間が干渉しないようにすることを目
的とする。

以下、図面に従い本考案の詳細な説明を行な
う。

第１図に本考案による回路の一例を示す。

図中、点線部ＹはFM受信機のフロントエンド
を、点線部ＺはAM受信機のフロントエンドを示
し、ＡはFM用可変容量ダイオードD₁，D₂への供
給電圧、Ｂは電圧Vcc、ＣはAM用可変容量ダイ
オードD₅への供給電圧が夫々加えられる端子を
示す。C₁〜C₁₄はコンデンサ、R₁〜R₉は抵抗、L₁
〜L₅はコイル、D₁，D₂，D₅は可変容量ダイオー
ド、D₃，D₄はダイオード、Tr₁，Tr₂はFMバンド
及びAMバンドの高周波増幅用FET、Tr₃はトラ
ンジスタ、SW₁はDX−Local切換え用スイツチ、
SW₂はFM／AMバンド切換用スイツチ、１はア
ンテナ、２はFMミキサー段を示し、３はAMRF
段を示す。４はAM検波回路よりDCアンプされ
るAGCAMPであり、AGC出力の電界強度対電圧
の特性は第２図に示す通りである。

FMバンド受信時には、アンテナ１より入つた
信号はC₁，C₂を通り、RFAmpのTr₁に導かれ
る。いま、DX状態の場合、SW₁により抵抗R₂と
アース間はオープン状態となつている為、Tr₁の
ゲートと、ソースの電位は同一であり、その為
Tr₁の利得は高くなつている。しかしSW₁をLocal
側にした場合、抵抗R₂がアースに接地され、そ
の為ゲート電位がR₁とR₂の比で下がり、ゲー
ト・ソース間電圧がカツトオフ電圧以下となつ
て、Tr₁の利得が低下し、Local受信状態とな
る。

一方、AMバンドの場合は、アンテナ１より入
つた信号はL₄とC₁₂を通り、1st.RFAmpのTr₂に
導かれる。いま、スイツチSW₁がDX側で受信状
態の場合、SW₁により抵抗R₅がアースに接地さ
れる様にし、かつ点における電界強度対電圧の
特性を第２図のごとくなる様に設定しておく。更
に弱電界強度の信号を受信した場合R₆，R₅の値
により点よりも点の電位を低く設定しておく
と、ダイオードD₃，D₄には逆バイアスがかかり
弱電界強度ではD₃，D₄はともにカツトオフとな
り、アンテナ１より入つた信号は減衰することは
ない。そして電界強度が強くなるに従い、点の
電位が降下（負電位が増加）しだしてスイツチン
グトランジスタTr₃はOFF状態となつて徐々にダ
イオードD₃，D₄が導通状態になり、アンテナ１
より入つた信号を減衰させていく。つまりダイオ
ードD₃とD₄によつてRFのAGC作用が行なわれ
る。

SW₁をLocalに切り換えた場合には、点の電
位は点電圧よりも高くなり、D₃とD₄はほヾ導
通状態となり、アンテナ１より入つた信号が
D₃，D₄及びC₁₁を通り減衰されLocal状態とな
る。

以上のごとく、本考案はAM−FM受信機に於
けるDX−Local感度切換えを単一の１回路２接点
のスイツチで共用して行えるようにし、しかも回
路上各バンド間がDX−Localスイツチを介して干
渉する事がない理想的なDX−Local切換えが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係るAM−FM受信機のDX−
Local切換回路を示す回路図、第２図は電界強度
対AGC電圧特性を示す図である。 D₃，D₄……ダイオード、SW₁……スイツチ、
Tr₁，Tr₂……高周波増幅用FET。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 一端がAM用高周波増幅回路のAGC用ダイオー
   ドのバイアス回路に、他端がFM用高周波増幅素
   子のバイアス回路に夫々接続された単一のDX−
   Local切換用スイツチを設け、AM受信時には前
   記DX−Local切換用スイツチにて前記AGC用ダ
   イオードのバイアス回路のバイアス状態を切換
   え、FM受信時には前記DX−Local切換用スイツ
   チにて前記FM用高周波増幅素子のバイアス回路
   のバイアス状態を切換えるようにしたことを特徴
   とするAM−FM受信機のDX−Local切換回路。