JPS6244420B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6244420B2 JPS6244420B2 JP9071282A JP9071282A JPS6244420B2 JP S6244420 B2 JPS6244420 B2 JP S6244420B2 JP 9071282 A JP9071282 A JP 9071282A JP 9071282 A JP9071282 A JP 9071282A JP S6244420 B2 JPS6244420 B2 JP S6244420B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- copper
- lead part
- lead
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 27
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241001311547 Patina Species 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
本発明は銀被覆線をリード部とした半導体にお
いて該リード部の外観、耐熱性及び耐食性を改善
した処理方法に関するものである。 一般に銀又は銀合金を被覆した銀被覆線は、芯
線の特性に加えて銀特有の優れた耐食性並に半田
付け性を有するため広い範囲の用途に使用されて
いる。例えば銅を芯線とし、その外周に厚さ0.5
〜10μの銀層を形成した銀被覆銅線は芯線の機械
的強度と導電性に加えて銀の優れた耐食性並に半
田付け性を有する経済的な高性能導体として知ら
れており、電子部品のリード部や電子機器内導体
として好適なものである。 このような銀被覆線はクラツド法又はメツキ法
により作製されているが、銀価格の高騰やVA志
向により銀は薄肉化の方向へと進んでおり、薄肉
化に伴い半導体完成時におけるリード部の銅露出
もかなり顕在化してきている。この銅の露出は銀
被覆銅線をヘツダ加工したときのガイドによるキ
ズ或はダイオード製造工程における加熱工程によ
り発生するもの又は洗浄時におけるキズによるも
のが主因になつている。このようにして露出した
銅は外観を著しく損ない、耐食性並に半田付け性
を低下せしめるため薄肉銀被覆化にも限界を生ず
るものであつた。 本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行つた結
果、銅の露出部分を生ずるとしても、後処理によ
り外観を美麗にし且つ特性を損うことのない処理
方法を見出したものである。即ち本発明方法は少
くとも表面に銅又は銅合金層を設けた芯線の外側
に銀又は銀合金の被覆層を施した線材をリード部
とし、これに素子を接合して半導体となした後、
リード部に露出した銅部分を銀置換メツキ液中に
該リード部を置換メツキすることを特徴とするも
のである。 本発明方法において露出した銅部分のみに銀メ
ツキを施しうるのは、イオン化傾向の差異により
銅は銀に対して卑なために銀が銅と置換するため
である。その置換メツキ液としては、シアン浴、
硝酸浴、中性浴等がある。又処理方法はリード部
を活性化せしめた後、置換メツキ液中に10秒〜１
分間浸漬して行うものである。 なお電気メツキによる方法もあるが次の如き点
から十分な方法とはいえない。 (1) 健全な銀表面にもメツキされるため外観に凹
凸を生じ商品価値を損う。 (2) 銀の消費量が多く不経済である。 (3) 電気メツキのための特殊な設備を必要とし不
経済である。 又本発明方法において線材に予め銀の被覆層を
設ける理由は、銅は半田付性が悪く素子との接合
性が良くないためである。 次に本発明の実施例について説明する。 実施例 (1) 厚さ0.3μの銀メツキ層が銅の露出による黒味
又は赤味を帯びて変色したリード部を有するダイ
オードに下記の如き処理を行つて銅露出部分に厚
さ0.1μの銀メツキを施した本発明方法によるリ
ード部をえた。 第１工程 活性化：KCN 100ｇ／室温 10秒
浸漬 第２工程 水洗 第３工程 Al置換メツキ：KCN100ｇ／、
AgCN25ｇ／室温 30秒浸漬 第４工程 水洗 実施例 (2) 実施例(1)における第３工程をAgNO320ｇ／
室温30秒浸漬に替えた以外すべて実施例(1)と同様
にして本発明リード部をえた。 実施例 (3) リード部の銀層の厚みが0.5μのものを使用し
た以外はすべて実施例(1)と同様にして本発明リー
ド部をえた。 なお本発明方法と比較するために実施例(1)にお
ける第３工程及び第４工程を省略したもの（実施
例(1)）及び実施例(3)における第３工程及び第４工
程を省略したもの（比較例(2)）により比較例ダイ
オードをえた。 これらのダイオードについて夫々塩水噴霧試験
を４時間行つて、その外観を測定した。又150℃
の大気中に16時間暴露した後の外観及び270℃の
共晶ハンダ浴中に５秒間浸漬した後、半田付着面
積を測定した。その結果は第１表に示す通りであ
る。
いて該リード部の外観、耐熱性及び耐食性を改善
した処理方法に関するものである。 一般に銀又は銀合金を被覆した銀被覆線は、芯
線の特性に加えて銀特有の優れた耐食性並に半田
付け性を有するため広い範囲の用途に使用されて
いる。例えば銅を芯線とし、その外周に厚さ0.5
〜10μの銀層を形成した銀被覆銅線は芯線の機械
的強度と導電性に加えて銀の優れた耐食性並に半
田付け性を有する経済的な高性能導体として知ら
れており、電子部品のリード部や電子機器内導体
として好適なものである。 このような銀被覆線はクラツド法又はメツキ法
により作製されているが、銀価格の高騰やVA志
向により銀は薄肉化の方向へと進んでおり、薄肉
化に伴い半導体完成時におけるリード部の銅露出
もかなり顕在化してきている。この銅の露出は銀
被覆銅線をヘツダ加工したときのガイドによるキ
ズ或はダイオード製造工程における加熱工程によ
り発生するもの又は洗浄時におけるキズによるも
のが主因になつている。このようにして露出した
銅は外観を著しく損ない、耐食性並に半田付け性
を低下せしめるため薄肉銀被覆化にも限界を生ず
るものであつた。 本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行つた結
果、銅の露出部分を生ずるとしても、後処理によ
り外観を美麗にし且つ特性を損うことのない処理
方法を見出したものである。即ち本発明方法は少
くとも表面に銅又は銅合金層を設けた芯線の外側
に銀又は銀合金の被覆層を施した線材をリード部
とし、これに素子を接合して半導体となした後、
リード部に露出した銅部分を銀置換メツキ液中に
該リード部を置換メツキすることを特徴とするも
のである。 本発明方法において露出した銅部分のみに銀メ
ツキを施しうるのは、イオン化傾向の差異により
銅は銀に対して卑なために銀が銅と置換するため
である。その置換メツキ液としては、シアン浴、
硝酸浴、中性浴等がある。又処理方法はリード部
を活性化せしめた後、置換メツキ液中に10秒〜１
分間浸漬して行うものである。 なお電気メツキによる方法もあるが次の如き点
から十分な方法とはいえない。 (1) 健全な銀表面にもメツキされるため外観に凹
凸を生じ商品価値を損う。 (2) 銀の消費量が多く不経済である。 (3) 電気メツキのための特殊な設備を必要とし不
経済である。 又本発明方法において線材に予め銀の被覆層を
設ける理由は、銅は半田付性が悪く素子との接合
性が良くないためである。 次に本発明の実施例について説明する。 実施例 (1) 厚さ0.3μの銀メツキ層が銅の露出による黒味
又は赤味を帯びて変色したリード部を有するダイ
オードに下記の如き処理を行つて銅露出部分に厚
さ0.1μの銀メツキを施した本発明方法によるリ
ード部をえた。 第１工程 活性化：KCN 100ｇ／室温 10秒
浸漬 第２工程 水洗 第３工程 Al置換メツキ：KCN100ｇ／、
AgCN25ｇ／室温 30秒浸漬 第４工程 水洗 実施例 (2) 実施例(1)における第３工程をAgNO320ｇ／
室温30秒浸漬に替えた以外すべて実施例(1)と同様
にして本発明リード部をえた。 実施例 (3) リード部の銀層の厚みが0.5μのものを使用し
た以外はすべて実施例(1)と同様にして本発明リー
ド部をえた。 なお本発明方法と比較するために実施例(1)にお
ける第３工程及び第４工程を省略したもの（実施
例(1)）及び実施例(3)における第３工程及び第４工
程を省略したもの（比較例(2)）により比較例ダイ
オードをえた。 これらのダイオードについて夫々塩水噴霧試験
を４時間行つて、その外観を測定した。又150℃
の大気中に16時間暴露した後の外観及び270℃の
共晶ハンダ浴中に５秒間浸漬した後、半田付着面
積を測定した。その結果は第１表に示す通りであ
る。
【表】
第１表から明らかな如く、本発明処理法を施し
たダイオードのリード部（実施例１〜３）には緑
青の発生がみられず、大気加熱後の外観に変色が
なく、半田接着面積も95％以上が得られているの
に対し、本発明処理を行わないリード部（比較例
１〜２）には緑青が発生し大気加熱後の外観も悪
く、半田付性も劣つている。 以上詳述した如く本発明方法によれば半導体リ
ード部に銅露出部分があつても銀の薄膜にて被覆
することにより良好な外観並に優れた耐食性、半
田付け性を有するリード部をうることができるた
め商品価値を著しく向上しリード線の銀被覆の薄
肉化に顕著な効果を有する。
たダイオードのリード部（実施例１〜３）には緑
青の発生がみられず、大気加熱後の外観に変色が
なく、半田接着面積も95％以上が得られているの
に対し、本発明処理を行わないリード部（比較例
１〜２）には緑青が発生し大気加熱後の外観も悪
く、半田付性も劣つている。 以上詳述した如く本発明方法によれば半導体リ
ード部に銅露出部分があつても銀の薄膜にて被覆
することにより良好な外観並に優れた耐食性、半
田付け性を有するリード部をうることができるた
め商品価値を著しく向上しリード線の銀被覆の薄
肉化に顕著な効果を有する。
Claims (1)
- １ 少くとも表面に銅又は銅合金層を設けた芯線
の外側に銀又は銀合金の被覆層を施した線材をリ
ード部とし、これに素子を接合して半導体となし
た後、リード部に露出した銅部分をAg置換メツ
キ液中に浸漬して該リード部を置換メツキするこ
とを特徴とする半導体リード部の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9071282A JPS58207661A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体リ−ド部の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9071282A JPS58207661A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体リ−ド部の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58207661A JPS58207661A (ja) | 1983-12-03 |
| JPS6244420B2 true JPS6244420B2 (ja) | 1987-09-21 |
Family
ID=14006140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9071282A Granted JPS58207661A (ja) | 1982-05-28 | 1982-05-28 | 半導体リ−ド部の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58207661A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62163353A (ja) * | 1986-01-14 | 1987-07-20 | Hitachi Cable Ltd | 銅酸化皮膜のピ−リング防止力の強いリ−ドフレ−ム |
-
1982
- 1982-05-28 JP JP9071282A patent/JPS58207661A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58207661A (ja) | 1983-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59145553A (ja) | 複合構造体及びその形成方法 | |
| JPH10287994A (ja) | ボンディング部のメッキ構造 | |
| JPS6244420B2 (ja) | ||
| JPS60258492A (ja) | 錫メツキ線の製造方法 | |
| JPH0621625A (ja) | 印刷配線板及びその製造方法 | |
| JP3402228B2 (ja) | 鉛を含まない錫ベース半田皮膜を有する半導体装置 | |
| JPH0122685B2 (ja) | ||
| JP4014739B2 (ja) | リフローＳｎめっき材及び前記リフローＳｎめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリード部材 | |
| JPS5882406A (ja) | 銀又は銀合金被覆ダイオ−ドリ−ド線とその製造方法 | |
| JPH1084065A (ja) | 電子部品用導電材料 | |
| JPH09291375A (ja) | 鉄基材に被膜を備えた物品 | |
| JPH046101B2 (ja) | ||
| JPS6138187Y2 (ja) | ||
| JPH0373962B2 (ja) | ||
| JP2749773B2 (ja) | リフロー半田めっき角線及びその製造方法 | |
| JPH01104796A (ja) | 多元合金被膜の形成方法 | |
| JPS63168043A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
| JPH0689478B2 (ja) | 樹脂封止半導体装置の製造方法 | |
| JPH02301546A (ja) | 耐熱性に優れた電子・電機部品用ＳｎまたはＳｎ合金被覆材料 | |
| JPS621898A (ja) | プリント基板用鋼材およびその製造方法 | |
| JPH07192529A (ja) | 耐メッキ性導電性被膜形成用厚膜銅組成物 | |
| JPS58108761A (ja) | 電子部品 | |
| JPH0238594A (ja) | リード線の製造方法 | |
| JPS6153434B2 (ja) | ||
| JPH0227816B2 (ja) |