JPS62163353A - 銅酸化皮膜のピ−リング防止力の強いリ−ドフレ−ム - Google Patents
銅酸化皮膜のピ−リング防止力の強いリ−ドフレ−ムInfo
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- JPS62163353A JPS62163353A JP561586A JP561586A JPS62163353A JP S62163353 A JPS62163353 A JP S62163353A JP 561586 A JP561586 A JP 561586A JP 561586 A JP561586 A JP 561586A JP S62163353 A JPS62163353 A JP S62163353A
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- JP
- Japan
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- plating
- copper
- lead frame
- mask
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、銅または銅合金系のリードフレームに関し、
特に、銅酸化皮膜のピーリング防止力の強いリードフレ
ームに関する。
特に、銅酸化皮膜のピーリング防止力の強いリードフレ
ームに関する。
〈従来の技術〉
銅または銅合金のＩＣ用リードフレームは、現在バイポ
ーラ用を中心として、％ ｉ＋ｔに流通している。
ーラ用を中心として、％ ｉ＋ｔに流通している。
ところが樹脂モールＦ ｔＤのリードフレームの荷造り
は、第２図に示すように、モールド樹脂部２の厚みがあ
るため、１つのリードフレーム１のモールド樹脂部２に
他のリードフレーム１のモールド樹脂部２以外の部分、
ずなわち外部リート部３を屯ね合わせ、この上にさらに
別のリードフレーム１のモールド樹脂部を重ね合わせ、
このようなモールド樹脂部２−外部リード部３−モール
ド樹脂部２等の多段の重ね合わせて荷造りされる。
は、第２図に示すように、モールド樹脂部２の厚みがあ
るため、１つのリードフレーム１のモールド樹脂部２に
他のリードフレーム１のモールド樹脂部２以外の部分、
ずなわち外部リート部３を屯ね合わせ、この上にさらに
別のリードフレーム１のモールド樹脂部を重ね合わせ、
このようなモールド樹脂部２−外部リード部３−モール
ド樹脂部２等の多段の重ね合わせて荷造りされる。
このためモールド樹脂部２が外部リード部３に接触１−
る部分で、銅または銅合金よりなる外部リード部３の銅
の酸化皮膜が剥わ、いわゆるビーリングがおこりモール
ド樹脂部２に付着することになる。この酸化度ｌｌＩ２
のモールド樹脂部２への付着は、ＩＣの外観を落し品質
を低下させるために酸化皮膜の剥れを防止する技術の開
発が望まれている。
る部分で、銅または銅合金よりなる外部リード部３の銅
の酸化皮膜が剥わ、いわゆるビーリングがおこりモール
ド樹脂部２に付着することになる。この酸化度ｌｌＩ２
のモールド樹脂部２への付着は、ＩＣの外観を落し品質
を低下させるために酸化皮膜の剥れを防止する技術の開
発が望まれている。
〈発明か解決しようとする問題点〉
本発明の１−１的は、１１ｔ「記した従来技術の欠点を
解消し、銅または銅合金の酸化皮膜のピーリングの防１
１ニカの高いリードフレームを提供することにある。
解消し、銅または銅合金の酸化皮膜のピーリングの防１
１ニカの高いリードフレームを提供することにある。
〈問題点を解決するための手段〉
−１−なわち本発明は、銅または銅合金系リードフレー
ムの少なくとも銀スポットめっき部以外のリードフレー
ム表面全面に、０．０１〜０．２μｍの銀めっき層を設
けてなることを特徴とする銅酸化皮膜のピーリンク防止
力の強いリードフレームを提供１−るものである。
ムの少なくとも銀スポットめっき部以外のリードフレー
ム表面全面に、０．０１〜０．２μｍの銀めっき層を設
けてなることを特徴とする銅酸化皮膜のピーリンク防止
力の強いリードフレームを提供１−るものである。
〈発明の構成〉
以下にｂ−ｒ適な実施例を用いて発明の構成を詳述する
。
。
第１図に示−１−ように、銅または銅合金系基板１０に
、マスク４を用いてめっき不要部分をマスクし、銀めっ
き液５を図示しないノズル等から噴出して銀スポットめ
っきを行いＩＣ用リードフレーム１を製造する場合に行
われる銀スポットめっきは、本来マスクざｈていないマ
スク開［−１部８に対応する」１Ｌ板１０１−にのみ銀
めっきされ、他の部分はマスクさねて、めっきされない
はすである。
、マスク４を用いてめっき不要部分をマスクし、銀めっ
き液５を図示しないノズル等から噴出して銀スポットめ
っきを行いＩＣ用リードフレーム１を製造する場合に行
われる銀スポットめっきは、本来マスクざｈていないマ
スク開［−１部８に対応する」１Ｌ板１０１−にのみ銀
めっきされ、他の部分はマスクさねて、めっきされない
はすである。
ところか実際は、マスク材質、マスクの押付は圧力、笠
によってはマスク４か１■シめっき液５て混：れるため
、マスク開［１部８以外のところにも銀めっき液５が浸
入し、基板ＩＯが薄く全（ａ１銀めっきされてしまう場
合がある。従来このような全面銀めっきかされるとマイ
グレーシミ１ン等の欠点かあり、これを防止するため、
マスク構造や材質を改みしたり、めっき前に基板１０に
置換防ＩＦ用薬品を散布するなどの置換防止処理を施し
ていた。
によってはマスク４か１■シめっき液５て混：れるため
、マスク開［１部８以外のところにも銀めっき液５が浸
入し、基板ＩＯが薄く全（ａ１銀めっきされてしまう場
合がある。従来このような全面銀めっきかされるとマイ
グレーシミ１ン等の欠点かあり、これを防止するため、
マスク構造や材質を改みしたり、めっき前に基板１０に
置換防ＩＦ用薬品を散布するなどの置換防止処理を施し
ていた。
本発明者は、従来の考え方とは逆に、少なくとも銀スポ
ットめっきされるめっき部以外のリードフレーム仝面に
０．Ｏ１〜０．２μｍの銀めっき層７を積極的に設ける
ことにより、銅または銅合金よりなる基板１０の銅酸化
皮膜のはがれが効果的に防止でき、しかもマイグレーシ
ョン等の心配がないことを知見し本発明に至ったもので
ある。
ットめっきされるめっき部以外のリードフレーム仝面に
０．Ｏ１〜０．２μｍの銀めっき層７を積極的に設ける
ことにより、銅または銅合金よりなる基板１０の銅酸化
皮膜のはがれが効果的に防止でき、しかもマイグレーシ
ョン等の心配がないことを知見し本発明に至ったもので
ある。
本発明においては、特に、銀めっき層７の厚さを０．０
Ｉ〜０．２μｍの範囲とすることが重要である。
Ｉ〜０．２μｍの範囲とすることが重要である。
銀めっき層７の厚さは０．Ｏｌ−以上でないと酸化膜の
密着性を向上させるのに充分な効果が得られない。また
、０．２−起ては外部リード部３の半田付は性か悪化し
てしまう。
密着性を向上させるのに充分な効果が得られない。また
、０．２−起ては外部リード部３の半田付は性か悪化し
てしまう。
基板１０としては、低スズリン青銅、アロイ１９４と称
する銅または銅合金等を用いる。
する銅または銅合金等を用いる。
０．０１〜０２μｍの銀めっき層７を設ける方法は、１
例をあげれば、基板１０に銅ストライクめっきを行った
後、あるいは銅ストライクめっきを行わない場合は直接
〕、（板１０に、置換防止処理を行わず、第１図に示１
−ように、マスク開口部８以外の」、Ｌ板１０の表面全
体か、り１シスポツトめっき時に、適切な：ｉ七の銀め
っき液５で儒ねるようにし、薄い、全面銀めっきを行う
。ここで、マスク４の材質と押圧力、フレーム押え６の
材質と押圧力とを適切に選択′１−ることか１Ｆ要であ
る。これらの材質や押圧力は基板１０のＪｒ、（さやめ
っき条件で異なるか、マスク４をシリコンゴム製とし、
フレーム押え６をスポンジゴム製とすることが好ましい
。
例をあげれば、基板１０に銅ストライクめっきを行った
後、あるいは銅ストライクめっきを行わない場合は直接
〕、（板１０に、置換防止処理を行わず、第１図に示１
−ように、マスク開口部８以外の」、Ｌ板１０の表面全
体か、り１シスポツトめっき時に、適切な：ｉ七の銀め
っき液５で儒ねるようにし、薄い、全面銀めっきを行う
。ここで、マスク４の材質と押圧力、フレーム押え６の
材質と押圧力とを適切に選択′１−ることか１Ｆ要であ
る。これらの材質や押圧力は基板１０のＪｒ、（さやめ
っき条件で異なるか、マスク４をシリコンゴム製とし、
フレーム押え６をスポンジゴム製とすることが好ましい
。
０．０１〜０．２μｍの銀めっき層７を設けるには、」
一部以外のいかなる方法でもよく、銀スポットめっきの
１ｉｎあるいは後に、Ｊ、ｃ板１０の表面全体に銀スト
ライクめっきを行って０．０１〜０．２μｍの銀めっき
層７を設けることもよい。
一部以外のいかなる方法でもよく、銀スポットめっきの
１ｉｎあるいは後に、Ｊ、ｃ板１０の表面全体に銀スト
ライクめっきを行って０．０１〜０．２μｍの銀めっき
層７を設けることもよい。
また、別の方法として、第３図に平面図で示し、第４図
に断面図で示すように、銀スポットめっきを行う際に、
用いるマスク４のマスク開口部８以外の適切な部分に、
凸部９、必要な場合には凸部９と四部１１を設け、この
少なくとも凸部９を打するマスク４を用いて、銀スポッ
トめっきする。
に断面図で示すように、銀スポットめっきを行う際に、
用いるマスク４のマスク開口部８以外の適切な部分に、
凸部９、必要な場合には凸部９と四部１１を設け、この
少なくとも凸部９を打するマスク４を用いて、銀スポッ
トめっきする。
凸部９を（Ｊするマスク４の形状は、第３図に１例を８
Ｖ−面図で示すと、大きさ１〜５ｍｍφで、高さ０．２
〜１．Ｏｍｍの凸部９と、深さ０．１〜０、：１ｍｍで
、長さ３〜６ｍｍの四部１１を第３図に示す配置で設け
る。
Ｖ−面図で示すと、大きさ１〜５ｍｍφで、高さ０．２
〜１．Ｏｍｍの凸部９と、深さ０．１〜０、：１ｍｍで
、長さ３〜６ｍｍの四部１１を第３図に示す配置で設け
る。
好ましくは四部１１は、カッターナイフでマスク４に傷
をつけ、凸部９はシリコンゴムを付は凝固させて設ける
。
をつけ、凸部９はシリコンゴムを付は凝固させて設ける
。
第４図に第３図のＩＶ−ｒＶ線断面図を示し、あわせて
リードフレーム１へのマスク４のセッティンクのようす
を示す。
リードフレーム１へのマスク４のセッティンクのようす
を示す。
以トの構成とすることにより、リードフレーム１は、鉗
スポットめっき時に、マスク開Ｌ１部８に該当＝ｒる銀
スポットめっき部以外の表面全面に、０．０１〜０．２
μｍの銀めっき層を得ることができる。
スポットめっき時に、マスク開Ｌ１部８に該当＝ｒる銀
スポットめっき部以外の表面全面に、０．０１〜０．２
μｍの銀めっき層を得ることができる。
マスク４の凸部９と四部１１の大きざおよび分布は、リ
ードフレームの表面全面への銀めっき層が０．０１〜０
．２−となるように適切に選択する。
ードフレームの表面全面への銀めっき層が０．０１〜０
．２−となるように適切に選択する。
凸部９と凹部１１はマスク４に設けてもよいし、フレー
ム押え６の側に設けてもよい。
ム押え６の側に設けてもよい。
銀スポットめっき時以外のリードフレーム製造工程は、
いかなる工程を用いてもよい。
いかなる工程を用いてもよい。
〈実施例〉
以下に実施例を用いてさらに具体的に説明する。
実施例１
２５ ｍｍ１ｌｌ Ｘ ０．２５ｍｍノ′−コイル状の
Ｊ、Ｌ板を用いて、銅ストライクめっき後、シリコンゴ
ム製マスクとシリコンスポンジゴム製フレーム押えを用
いて銀スポットめっきを行った。この時、置換防＋１−
処理は行わず、」、ｔ、体表面全面に０．０４声の薄い
銀めっき層を設けたリードフレームを製造した。このリ
ードフレームにＩＣチップをマウントし、樹脂でモール
ドして【Ｃ製品とした。
Ｊ、Ｌ板を用いて、銅ストライクめっき後、シリコンゴ
ム製マスクとシリコンスポンジゴム製フレーム押えを用
いて銀スポットめっきを行った。この時、置換防＋１−
処理は行わず、」、ｔ、体表面全面に０．０４声の薄い
銀めっき層を設けたリードフレームを製造した。このリ
ードフレームにＩＣチップをマウントし、樹脂でモール
ドして【Ｃ製品とした。
製品のｔＣを第２図に示すように、多数重ね合わせて荷
造りし、２４時間保存したか、酸化皮膜の剥れや、樹脂
への付着がなく、良品質のリードフレームであった。
造りし、２４時間保存したか、酸化皮膜の剥れや、樹脂
への付着がなく、良品質のリードフレームであった。
実施例２
べつに第３図に示したマスクを用いて、同様の条件で銀
スポットめっきを行ったところ、実施例１と同様の好結
果か得られた。
スポットめっきを行ったところ、実施例１と同様の好結
果か得られた。
〈発明の効果〉
本発明は、鋼または鋼合金系リードフレームの少なくと
も銀スポットめっき部以外のリードフレーム表面全面に
０．Ｏ１〜０．２μｍの銀めっき層を有するので、リー
ドフレームの表面に形成される銅または銅合金の加熱酸
化膜の剥れが効果的に防止できる。
も銀スポットめっき部以外のリードフレーム表面全面に
０．Ｏ１〜０．２μｍの銀めっき層を有するので、リー
ドフレームの表面に形成される銅または銅合金の加熱酸
化膜の剥れが効果的に防止できる。
このため以下の効果を存する。
１、酸化膜の別れが防止され、モ〜ルト樹脂への付着が
なくなるため品質が向上する。
なくなるため品質が向上する。
２、置換防止剤等を使用しないため、製造ラインを簡略
化できる。
化できる。
３、置換防止剤等に必要な経費を削減できる。
第１図は、本発明のリードフレームを製造する銀スポッ
トめっき装置の一部の断面図である。 第２図は、製品のリードフレームの荷造りの様ｒを説明
する線図である。 第３図は、本発明の１実施例のリードフレームの製造に
用いるマスクの形状を示す平面図である。 第４図は、第３図のＴＶ−ｒＶ線断面図である。 符号の説明 １・・・リードフレーム、２・・・モールド樹脂部、３
・・・外部リード部、４・・・マスク、５・・・銀めっ
き液、６・・・フレーム押え、７・・・Ｓｉ４めっき層
、８・・・マスク開口部、９・・・凸部、１０・−・Ｊ
、ｔ、板、１１・・・四部代理人 弁理上 渡 辺 望
稔 り、・−ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、４
トめっき装置の一部の断面図である。 第２図は、製品のリードフレームの荷造りの様ｒを説明
する線図である。 第３図は、本発明の１実施例のリードフレームの製造に
用いるマスクの形状を示す平面図である。 第４図は、第３図のＴＶ−ｒＶ線断面図である。 符号の説明 １・・・リードフレーム、２・・・モールド樹脂部、３
・・・外部リード部、４・・・マスク、５・・・銀めっ
き液、６・・・フレーム押え、７・・・Ｓｉ４めっき層
、８・・・マスク開口部、９・・・凸部、１０・−・Ｊ
、ｔ、板、１１・・・四部代理人 弁理上 渡 辺 望
稔 り、・−ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、４
Claims (1)
- （１）銅または銅合金系リードフレームの少なくとも銀
スポットめっき部以外のリードフレーム表面全面に、０
．０１〜０．２μｍの銀めっき層を設けてなることを特
徴とする銅酸化皮膜のピーリング防止力の強いリードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP561586A JPS62163353A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 銅酸化皮膜のピ−リング防止力の強いリ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP561586A JPS62163353A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 銅酸化皮膜のピ−リング防止力の強いリ−ドフレ−ム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62163353A true JPS62163353A (ja) | 1987-07-20 |
Family
ID=11616087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP561586A Pending JPS62163353A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 銅酸化皮膜のピ−リング防止力の強いリ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62163353A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01115151A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| DE19640256A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | Anschlußrahmen, Verfahren zur teilweisen Edelplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
| CN116280859A (zh) * | 2022-09-08 | 2023-06-23 | 崇辉半导体(深圳)有限公司 | 一种集成电路蚀刻引线框架退银工艺用引线框架传送装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122554A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Toshiba Corp | Lead frame for semiconductor device |
| JPS58207661A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体リ−ド部の処理方法 |
-
1986
- 1986-01-14 JP JP561586A patent/JPS62163353A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57122554A (en) * | 1981-01-22 | 1982-07-30 | Toshiba Corp | Lead frame for semiconductor device |
| JPS58207661A (ja) * | 1982-05-28 | 1983-12-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体リ−ド部の処理方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01115151A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| DE19640256A1 (de) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | Anschlußrahmen, Verfahren zur teilweisen Edelplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
| US6034422A (en) * | 1995-09-29 | 2000-03-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame |
| DE19640256B4 (de) * | 1995-09-29 | 2004-04-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Anschlußrahmen, Verfahren zur Edelmetallplattierung des Anschlußrahmens und Halbleitereinrichtung mit Anschlußrahmen |
| CN116280859A (zh) * | 2022-09-08 | 2023-06-23 | 崇辉半导体(深圳)有限公司 | 一种集成电路蚀刻引线框架退银工艺用引线框架传送装置 |
| CN116280859B (zh) * | 2022-09-08 | 2023-12-12 | 崇辉半导体(深圳)有限公司 | 一种集成电路蚀刻引线框架退银工艺用引线框架传送装置 |
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