JPS6155949A - めつき物の部分剥離法 - Google Patents

めつき物の部分剥離法

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JPS6155949A
JPS6155949A JP17796084A JP17796084A JPS6155949A JP S6155949 A JPS6155949 A JP S6155949A JP 17796084 A JP17796084 A JP 17796084A JP 17796084 A JP17796084 A JP 17796084A JP S6155949 A JPS6155949 A JP S6155949A
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JP
Japan
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plating
mask
plated
peeling
plated object
Prior art date
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Pending
Application number
JP17796084A
Other languages
English (en)
Inventor
Kimio Kakizaki
柿崎 公男
Hiromichi Yoshida
博通 吉田
Takashi Suzumura
隆志 鈴村
Tatsuya Otaka
達也 大高
Ryozo Yamagishi
山岸 良三
Norio Okabe
則夫 岡部
Sadao Nagayama
長山 定夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Cable Ltd
Original Assignee
Hitachi Cable Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4835Cleaning, e.g. removing of solder

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えばめっきが部分的に施された集積回路(
IC)用リードフレーム等のように間隙を有するめっき
物における不要部分へのめっきの付着を剥離除去するめ
つき物の部分剥離法に関するものである。
〔従来の技術とその問題点〕
従来、IC用リすト°フレーム等の部分めっきを行う際
には、めっきを施す部分に開口が設けられた軟質体マス
クをめっき物に押し当て、めっき液の噴流を吹き付ける
等してめっきしていた。この場合、打抜き等によって形
成されたリードフレーム・の間隙にめっき液が容易に侵
入し、従ってリードフレームの表面のみならず側面にも
めっきが付着する。この側面へのめつきは、マスクの開
口により囲繞された本来必要なめっき領域を越えて外部
にまでにじみ出すのがむしろ一般的である。しかし、金
、銀のような高価な貴金属をめっきする場合には、費源
的な無駄を生じ、特に銀めっきでは上述のKじみ出しが
いわゆるマイグレーションによる短絡事故を誘発し、I
Cの信頼性を著しく低下させる。
この対策として、例えば特開昭52−74535号公報
および特開昭55−31168号公報に開示されたよう
に、空気の圧力を利用してめっき液のにじみ出しを防ぎ
、リードフレーム側面へのめっきの付着を阻止しようと
の試みがある。しかし、これらの手法では、めっき液の
にじみ出しを防ぐための空気がめつき面近傍を巻き込む
ことにより、めっき面へのめつき液の正常な到達に悪影
響を及はし、めっきの結晶組織、厚さ等のめつき品質を
不安定にするという問題点がおった。また、めっき液を
高速噴流によりめっき面に吹き付けて行うむしろ一般的
な高速めつき方法においては、めっき液の慣性等による
動的な挙動が位置的にも時間的にも一定しないために、
めっき液をシールする効果が充分であるとは云えず、従
って工業的に安定でかつめつきのにじみ出し防止を果し
ためつき手段とはなシ得なかった。
更に、めっき後置換によるめっき付着の除去を目的とし
た剥離も従来から行われているが、これはめつき物の全
面に亘って同一厚さだけ剥離するものであり、部分的剥
離によシめつき面形状を整えようとするものではなかっ
た。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで、本発明は、上述した従来技術の諸問題点を解決
し、リードフレーム側面等へのにじみ出しの無い、明確
なめつき形状を容易に達成できる新規なめつき物部分剥
離法を提供することにある。
詳しく説明すれば、めっき物のめつき面の一部に、軟質
材もしくは剛体の表面に軟質層を持つ複合材から成るマ
スクを押し当て、このマスクが当接されていない部分の
めっきを剥離除去する。また、めっき物がリードフレー
ム等のように薄板状である場合には、めっき面裏面に、
剛体、軟質材もしくは剛体の表面に軟質層を持つ複合材
から成る押え板を設け、この押え板とマスクの間にめつ
き物を挾持する。更に、めっきが両面に施されている薄
板状めっき物等では、めっき物の両側に配置されたマス
クでめっき物を挾持する。めっき物が薄板状の場合に剥
離液の剥離面への循環を良くするため、そして電解剥離
の場合は電流の通路として等のため、マスクと押え板の
少なくとも一方に貫通孔を設ける。更に、この貫通孔を
通して剥離液を高速噴流として剥離面に吹き付ける。
〔実施例〕
第1実施例 第1図は本発明の第1実施例を説明するために使用され
る剥離装置10を示す。この剥離装R1゜に使用される
、間@を有するめっき物1は例えばIC用リードフレー
ムでワシ、第2図に示すようにリード部IAおよびタブ
部IBを有する。マスク2は、剛体例えばステンレス製
の基板2人およびこの基板2人の表面に2イニングされ
た軟質層例えば厚さ約1.5−のシリコンビムを持つ複
合材から成り、剥離装置10の容器3中に収容される。
押え板4は剛体例えば硬質塩化ビニールで作られ、その
周囲にステンレス製電極5が張られている。
IC用リードフレーム1はこれらのマスク2と押え板4
の間に挾持され、押え板4には錘6により押し付は力が
与えられる。また、容器3には電解剥離を行つために剥
離液例えばシアン系剥離i7を入れ、IC用リードフレ
ーム1を浸漬する。
IC用り−Pフレーム1のリード部I人の先端お。
よびタブ部IBKは、第2図に示したように銀めっきが
施された。なお、マスク2の軟質層2Bは、めっき部す
なわち上述したリート部I人の先端およびタブ部IBを
含i円形状をしており、また剥離液7および電流の侵入
を防げないようにめっき部の包絡線よりわずかに大きい
。その後、IC用リードフレーム1をマスク2に押し当
て、IC用リードフレーム1の少なくともめつき剥離部
分を剥離液7に浸し、IC用リードフレーム1を陽極そ
して電極5を陰極として、例えば電圧0.5〜1v、°
電流密度0.5〜20A/副2および時間0.5〜10
分の剥離条件で電解剥離を行った。この際、錘6の重さ
並びにマスク2の軟質層2Bの厚さおよび硬さを適当に
選ぶことにより、剥離前には第7図に示すようにリード
部I人の側面にも付着していた銀めっきが、剥離後は第
8図に示すようにワイヤ72ンデイングを行うリード部
表面にしか残らない。
すなわち、マスク2が当接されていない部分の銀めっき
を剥離除去できた。
第2冥施例 第3図は本発明の第2実施例を説明するために使用され
る剥離装置20を示す。この剥離装置20において、I
C用リードフレームlは、セラミック製の基板2人およ
びこの基板2人の表面にシリコンゴムの軟質層2Bを持
つ複合材から成るマスク2と、剛体例えばセラミック4
Aおよびこの剛体4人の表面に軟質層例えばシリコンゴ
ム4Bを持つ複合材から成る押え板4との間に挾持され
る。
剥離液7Vi、容器3に設けた剥離液入口3Aから容器
3中に供給され、押え板4に設けた貫通孔4Cを通って
めっき部に達する。剥離液7は、その一部が空気兼剥離
液抜きとしてマスク2に設けた貫通孔2Cを通って外容
器21に入りそして排出孔21Aから排出され、また他
の一部が容器3の剥離液出口3Bから排出される。なお
、剥離′P2L7は、原理的には、マスク2の貫通孔2
Cから入ってめっき部に達し、押え板4の貫通孔4Cか
も抜いても良い。
マスク2の基板2人は軸22によって位置決めされかつ
エアシリンダ23によって上下に移動できるようになっ
ており、これによりIC用リードフレーム1を容易に脱
着できる。IC用リードフレーム1は、ガイドピン24
で位置決めされ、電極針25を通じて通電され(従って
陽極として働り)、陰極電極5との間で電解剥離が行わ
れる。
押え板40貫通孔4Cは、第5図に示すようにIC用リ
ードフレーム1の打抜かれた間隙と外部を連通させる位
置に設けた。この場合、剥離後得られためつき形状は第
8図に示したとおシである。なお、容器3の剥離液出口
3Bを塞ぎ、剥離液入口3Aから高圧の剥離液7を容器
3中に導き、押え板40貫通孔4Cを通して剥離液7を
剥離面に吹き付けることによシ、剥離速度を2倍以上向
上させることができた。
第3実施例 第3実施例は、第3図の剥離装置20に使用したマスク
2の構造を少し変形して、第6図に示すようにIC用リ
ードフレーム1の例えばり−P部IAのめつき表面の一
部に軟質層2Bが当接するマスク2′を使用する。この
ようなマスク2′を使用することにより、剥離後のめつ
き形状は第9図に示すようになった。第9図のめつき形
状のようにIC用リードフレームにおいてワイヤゼンデ
イングに必要にして充分な面積への銀めっきを実現する
ことにより、第8図に示しためつき形状よりもICのマ
イグレーションによる信頼性の低下全よシ一層防止する
効果がある。これには、リード部先端のゼンデイングエ
リアに行われるコイニングの凹みのために、めっき時に
n IJ −)’部先端の微小面積のマスキングが困難
であり、位置精度を高め難いのに対して、剥離マスクが
めつきマスクとはネガとポジの関係にあることから剥離
時の方がマスキングが比較的容易であシ、高精度をと9
易いためである。
なお、マスクおよび押え板に使用できる軟質材に、H,
シリコンゴム、ウレタンゴム、軟質塩化ビニール等があ
る。また、剛体には、硬質塩化ビニール、エポキシ、ア
クリル等の樹脂材料、ステンレス等の耐食性金属材料、
セラミック等が考えられる。更に、剛体の表面に薄い軟
質層を持つ複合材の場合は、軟質層が耐食性を有するの
で、基材としては軟鋼を含めた殆ど全ての金属材料等の
剛体が使用可能である。また、剛体表面のマスク面にお
ける軟質層の厚さは、めっき物の凹凸(例えば金型によ
る打抜きリードフレームの場合には打抜きによって生じ
るリード部先端の凸状湾曲やコイニングと称する凹み等
)に対して密着性を損わなければ良く、従って具体的に
はめつき物の凹凸深さdに対して軟質層の厚さtは1.
Sd(:を程度の関係があれば良い。
〔発明の効果〕
上述したように、本発明の部分剥離法によれば、めっき
時のマスキングが困難な場合にも、めっき面の大小にか
\わらず、めっき形状の整っためっき物を得ることがで
きる。これにより、めっき物およびこのめっき物を用い
た製品の信頼性を著しく向上させることができ、工業的
な面のみならずIO,LSI等のリードフレームへの適
用を考える場合、社会的な面においても波及効果が大き
い。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1実施例に使用される剥離装置を一
部断面図で示す側面図、第2図は第1図の主要部を説明
するための正面図、第3図は第2実施例に使用される剥
離装置を一部断面図で示す側面図、嬉4図は第3図の主
要部を拡大した断面図、第5図は第3図の主要部を説明
するための正面図、第6図は第3実施例の主要部を拡大
した断面図、第7図はめつき後剥離前のIC用り−Pフ
レームのリード部先端におけるめっき形状を示す斜視図
、第8図は第1図および第3図の剥離装置を用いて剥離
した後のめつき形状を示す斜視図、そして第9図は第3
実施例を用いて剥離した後のめつき形状を示す斜視図で
ある。 1は間隙を有するめつき物としてのIC用リードフレー
ム、IAはこのIC用リードフレームのリード部、IB
はIC用リードフレームのタブ部、2ト2′はマスク、
2Aけこのマスクの基板、2Bはマスクの軟質層、20
Hマスクの貫通孔、3は容器、3Aは剥離液入口、3B
は剥離液出口、4は押え板、4Aは押え板の剛体、4B
は押え板の軟質層、40は押え板の貫通孔、5は陰極と
しての電極、6は錘、7は剥離液、ioと20は剥離装
置、21は外容器、21Aは排出孔、22は軸、23は
エアシリンダ、24はガイ1ビン、25は電極針である
。 第 1 口 第3目 l広 第 4図 1八   4C4^  4δ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、間隙を有するめつき物をめつき後、めつき面の少な
    くとも一部に、軟質材もしくは剛体の表面に軟質層を持
    つ複合材から成るマスクを押し当て、上記めつき物の少
    なくともめつき剥離部分を剥離液に浸し、上記めつき物
    の、上記マスクが当接されていない部分のめつきを剥離
    除去することを特徴とするめつき物の部分剥離法。 2、マスクが当接されない面が、めつき物の間隙を構成
    する側面である特許請求の範囲第1項記載の部分剥離法
    。 3、めつき面裏面の、少なくともめつき部分に対応した
    個所に、剛体、軟質材もしくは上記剛体の表面に軟質層
    を持つ複合材から成る押え板を設け、この押え板とマス
    クの間にめつき物を挾持する特許請求の範囲第1項また
    は第2項記載の部分剥離法。 4、めつき物の両面にめつきが施されている場合に、上
    記めつき物の両側に配置されたマスクで上記めつき物を
    挾持する特許請求の範囲第1項または第2項記載の部分
    剥離法。 5、マスクと押え板の少なくとも一方に貫通孔を設け、
    この貫通孔がめつき物の少なくとも間隙と外部を連通す
    る位置にある特許請求の範囲第1項ないし第4項のいず
    れか記載の部分剥離法。 6、マスクまたは押え板の貫通孔を通して剥離液の高速
    噴流をめつき物の剥離面に吹き付ける特許請求の範囲第
    5項記載の部分剥離法。
JP17796084A 1984-08-27 1984-08-27 めつき物の部分剥離法 Pending JPS6155949A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0832004A (ja) * 1994-07-13 1996-02-02 Goto Seisakusho:Kk 半導体装置用リードフレームのメッキ方法
JP2010073830A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Sumitomo Metal Mining Co Ltd リードフレーム及びリードフレームの製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0832004A (ja) * 1994-07-13 1996-02-02 Goto Seisakusho:Kk 半導体装置用リードフレームのメッキ方法
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