JPS5959883A - 粗面化方法 - Google Patents
粗面化方法Info
- Publication number
- JPS5959883A JPS5959883A JP17127182A JP17127182A JPS5959883A JP S5959883 A JPS5959883 A JP S5959883A JP 17127182 A JP17127182 A JP 17127182A JP 17127182 A JP17127182 A JP 17127182A JP S5959883 A JPS5959883 A JP S5959883A
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- Japan
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- blank material
- plating layer
- plating
- layer
- etching soln
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（υ り６明の技術分野
本発明は、累月の他の部材への接肩聞を粗面化する方法
に関し、特に機械的な応力が全く加わらないようにして
累月又は累月に付踊している部材等に怒￥／響を及ぼす
ことがないむＬ ＋ｉｔｊ化方法に関する。
に関し、特に機械的な応力が全く加わらないようにして
累月又は累月に付踊している部材等に怒￥／響を及ぼす
ことがないむＬ ＋ｉｔｊ化方法に関する。
■） 従来伐術と問題点
一妓に他の部材へある累月を接着する場合、七の接層強
度を同上するために当該接廂血を徂１■１化することが
行われる。従来、ある累４ｉｔ （／、ｌ他の部すへの
接眉凹金租１ｆｏ化するには、第１図（ハ））に示すよ
うに、素＠１の接着側の浅凹に砂吹き観のノズル２から
圧＃１１１空気によつ１適宜の粒度の砂３を吹き付ける
いわゆるサンドブラストにより粗面化していた。しかし
この場合、素材１には機械的な圧縮応力等が加わり、第
１図（ｂ）に示すように、サンドブラスト＆に素材１に
反ジが生じ機械的に変形することがあった。また、第２
図に示すように、サンドブラストによシ粗面を形成ずべ
き素材１が設けられた基材４にもノズル２から砂３が吹
き付けられ、上記機械的な応力によｐ制基材４の物理的
な特性に悪影瞥を与えることがあった。例えば、磁気ヘ
ッドにおけるパーマロイ等の磁気特性を低下させること
があった。
度を同上するために当該接廂血を徂１■１化することが
行われる。従来、ある累４ｉｔ （／、ｌ他の部すへの
接眉凹金租１ｆｏ化するには、第１図（ハ））に示すよ
うに、素＠１の接着側の浅凹に砂吹き観のノズル２から
圧＃１１１空気によつ１適宜の粒度の砂３を吹き付ける
いわゆるサンドブラストにより粗面化していた。しかし
この場合、素材１には機械的な圧縮応力等が加わり、第
１図（ｂ）に示すように、サンドブラスト＆に素材１に
反ジが生じ機械的に変形することがあった。また、第２
図に示すように、サンドブラストによシ粗面を形成ずべ
き素材１が設けられた基材４にもノズル２から砂３が吹
き付けられ、上記機械的な応力によｐ制基材４の物理的
な特性に悪影瞥を与えることがあった。例えば、磁気ヘ
ッドにおけるパーマロイ等の磁気特性を低下させること
があった。
（３） 発明の目的
本発明は上記小１＃に対処してなされたもので、機械的
な応力が全く加わらないようにして累ｌ又は素材に付属
している部材静に悲影愉を及ばずことがない粗面化方法
を提供することを目的とする。
な応力が全く加わらないようにして累ｌ又は素材に付属
している部材静に悲影愉を及ばずことがない粗面化方法
を提供することを目的とする。
（４）発明の栴戟
そして上記の目的は不発明によれは、累相の粗面化する
…ｊに多孔質な金属薄膜のメッキ層を形成し、このメッ
キ層をマスクゾーン又はバッファーゾーンとし１上記素
柑を溶解するエツチング液に浸漬することによシ、素材
に粗面を形成することをｌｒｔ徴とする粗面化方法をＮ
供することによって達成される。
…ｊに多孔質な金属薄膜のメッキ層を形成し、このメッ
キ層をマスクゾーン又はバッファーゾーンとし１上記素
柑を溶解するエツチング液に浸漬することによシ、素材
に粗面を形成することをｌｒｔ徴とする粗面化方法をＮ
供することによって達成される。
（５）発明の実施例
以下、本発明の実施例を添付図面に基いて詳細に説明す
る。
る。
本発明による粗面化方法は、贅ず、第３図に示すように
、例えはりＣムｌ’＆（Ｃｒ（Ｊ、）、硝酸（１１Ｎｏ
３）等のエツチング液に浴ける銅等の素４′ＩＪ１１の
粗面化する面１２に、上記エツチング液に溶けない金属
、例えは金、姥、ニッケル等の金椙で多孔質な金属薄膜
のメッキ層１３を形成する。このメッキ層１３Ｌ１ ピ
ンホール１４．１４・・・・・・が多い浴組成となるよ
うに工夫されたもので、弱い電流で薄くかつ付有力が弱
くメッキしたもので７ツツシユメツキというメッキ法で
形成されでいる。次に、上記メツキノ醋１３の部分を上
記素材１１を沼カイ（するエツチング液に浸漬（ティッ
ピング）する。このとき、上記メッキ層１３はエツチン
グ液に溶けない金踊でできていると共にビンホー７１／
１４．１４・・・・・・が多数存在するので、該メッキ
層１３はエツチング液に溶けないマスクゾーンとして作
用し、第４図に示すように、素材１１はピンホール１４
の部分において上ｄ］」エツチング液に接触している箇
所から溶は始め、メッキ層１３の形成された箇所は溶け
ない。したがつ１、ピンホール１４．１４・・・・・・
のｔｉｔｓ分に凹所１５．１５・・・・・・が形成され
る。このようなティッピングの過程に２・いて上記メッ
キ層１３は逐次脱溶していくが、最終的には該メッキ層
１３を洗浄等により除去すると、第５図に示すように、
素４１４１１の而１２には１ａ細女凹凸からなる粗酒１
１６が形成される。
、例えはりＣムｌ’＆（Ｃｒ（Ｊ、）、硝酸（１１Ｎｏ
３）等のエツチング液に浴ける銅等の素４′ＩＪ１１の
粗面化する面１２に、上記エツチング液に溶けない金属
、例えは金、姥、ニッケル等の金椙で多孔質な金属薄膜
のメッキ層１３を形成する。このメッキ層１３Ｌ１ ピ
ンホール１４．１４・・・・・・が多い浴組成となるよ
うに工夫されたもので、弱い電流で薄くかつ付有力が弱
くメッキしたもので７ツツシユメツキというメッキ法で
形成されでいる。次に、上記メツキノ醋１３の部分を上
記素材１１を沼カイ（するエツチング液に浸漬（ティッ
ピング）する。このとき、上記メッキ層１３はエツチン
グ液に溶けない金踊でできていると共にビンホー７１／
１４．１４・・・・・・が多数存在するので、該メッキ
層１３はエツチング液に溶けないマスクゾーンとして作
用し、第４図に示すように、素材１１はピンホール１４
の部分において上ｄ］」エツチング液に接触している箇
所から溶は始め、メッキ層１３の形成された箇所は溶け
ない。したがつ１、ピンホール１４．１４・・・・・・
のｔｉｔｓ分に凹所１５．１５・・・・・・が形成され
る。このようなティッピングの過程に２・いて上記メッ
キ層１３は逐次脱溶していくが、最終的には該メッキ層
１３を洗浄等により除去すると、第５図に示すように、
素４１４１１の而１２には１ａ細女凹凸からなる粗酒１
１６が形成される。
第６図ないし第８図は他の実施例を示すｈノ１面説明図
である。この実施例においてｔＪ、多孔質な金属＃、膜
のメッキ７１１３’を框材１１と同様にエツチング液に
浴りる金橋、例えば鋼碧で形成しである。このメッキ層
１３′は、ピンホール１４．１４・・・・・・が多い浴
組成となるように工夫されたもので、強い′１ｄ訛で薄
くかつ付着力が強くメッキしたものでストライクメッキ
というメッキ法で形成されている。この場合は、上記メ
ッキ１価１３’＋ゴエツチング？ｌ！ＶＣ浴ける隻ｖ４
でできていると共にピンホール１４．１４・・・・・・
が多数存在するので、該メッキ層１３′は素材１１がエ
ツチング液に浴ける時間差をつけるバッファーゾーンと
してｆ「用する。すなわち、第７図に示すように、上ｉ
Ｃメッキ層１３′の部分をエツチング液に浸漬（ティッ
ピング）すると、メッキ層１３′も素材１１のビンホー
Ａ／１４の部分において上記エツチング液に接触してい
る箇所も同時に浴は始め、適宜の時間か経過して上記メ
ッキ）Ｖｌ！１３′が先金に浴解してティッピングを終
了うると、ピンホール１４．１４・・・・・・の部分か
メッキ）ｔ＃ １３ ’の部分よυ艮時間エツチング液
にさらされてそれたけ深く侵蝕される。そして、最終的
には、８（４８図に示すように、素材１１０面１２には
微ｉｊＯな凹凸からなる粗−１１６′が形成される。
である。この実施例においてｔＪ、多孔質な金属＃、膜
のメッキ７１１３’を框材１１と同様にエツチング液に
浴りる金橋、例えば鋼碧で形成しである。このメッキ層
１３′は、ピンホール１４．１４・・・・・・が多い浴
組成となるように工夫されたもので、強い′１ｄ訛で薄
くかつ付着力が強くメッキしたものでストライクメッキ
というメッキ法で形成されている。この場合は、上記メ
ッキ１価１３’＋ゴエツチング？ｌ！ＶＣ浴ける隻ｖ４
でできていると共にピンホール１４．１４・・・・・・
が多数存在するので、該メッキ層１３′は素材１１がエ
ツチング液に浴ける時間差をつけるバッファーゾーンと
してｆ「用する。すなわち、第７図に示すように、上ｉ
Ｃメッキ層１３′の部分をエツチング液に浸漬（ティッ
ピング）すると、メッキ層１３′も素材１１のビンホー
Ａ／１４の部分において上記エツチング液に接触してい
る箇所も同時に浴は始め、適宜の時間か経過して上記メ
ッキ）Ｖｌ！１３′が先金に浴解してティッピングを終
了うると、ピンホール１４．１４・・・・・・の部分か
メッキ）ｔ＃ １３ ’の部分よυ艮時間エツチング液
にさらされてそれたけ深く侵蝕される。そして、最終的
には、８（４８図に示すように、素材１１０面１２には
微ｉｊＯな凹凸からなる粗−１１６′が形成される。
（６）発明の効果
不発明は以上のように桁成されたので、従来のサンドブ
ラストのような慎械的な応力を全く加えることなく、素
＠１１の粗面化する面１２に微細な凹凸の粗面を形成す
ることができる。
ラストのような慎械的な応力を全く加えることなく、素
＠１１の粗面化する面１２に微細な凹凸の粗面を形成す
ることができる。
したがって、素材１１に機械的な変形を生ずることはな
いし、素材１１に付属している囲ｉ材等にも機械的又は
物理的な悪影＃を与えることはない。
いし、素材１１に付属している囲ｉ材等にも機械的又は
物理的な悪影＃を与えることはない。
第１図（ａ）、＜１））及び第２図は従来のサンドブラ
ストによる粗面化方法を示すかＬ四回、第３図ｔ」不発
明による粗面化方法において框材の粗面化する血に多孔
質な金縞薄族のメッキ層を形成した状態ケ示す断面説明
図、第４図は上記メッキ層をエツチング液に浸漬した状
態を示す断面説切回、第５図は最終的に素材に形成され
た租面管示す断面説明図、第６図ないし第８図は他の実
施例の工程を示す断面説明図である。 １１・・・・・・累月 １２・・・・・・粗面化する面 １３．１３′・・・・・・メッキ層 １４・・・・・・ビンホール １５・・・・・・凹ｆヅ「 １６．１６′・・・・・・粗面 出願人 菖士通株式会社 第１図 （ａ） （ｂ） 第３図 １ 第７１図 第５図 第２図 第６図 １ 第７図 １ 第８図
ストによる粗面化方法を示すかＬ四回、第３図ｔ」不発
明による粗面化方法において框材の粗面化する血に多孔
質な金縞薄族のメッキ層を形成した状態ケ示す断面説明
図、第４図は上記メッキ層をエツチング液に浸漬した状
態を示す断面説切回、第５図は最終的に素材に形成され
た租面管示す断面説明図、第６図ないし第８図は他の実
施例の工程を示す断面説明図である。 １１・・・・・・累月 １２・・・・・・粗面化する面 １３．１３′・・・・・・メッキ層 １４・・・・・・ビンホール １５・・・・・・凹ｆヅ「 １６．１６′・・・・・・粗面 出願人 菖士通株式会社 第１図 （ａ） （ｂ） 第３図 １ 第７１図 第５図 第２図 第６図 １ 第７図 １ 第８図
Claims (1)
- 素材の根面化する面に多孔質な金属薄１換のメッキ層ヲ
形成し、このメッキＩｉ４ ％・マスクゾーン又はバッ
ファーゾーンとして上’＋ｊＬ 框材ヲ浴解するエツチ
ング液に浸漬することによシ、素Ｈ＆こ粗面を形成する
ことを１絵敞とする粗面化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17127182A JPS5959883A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 粗面化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17127182A JPS5959883A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 粗面化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5959883A true JPS5959883A (ja) | 1984-04-05 |
Family
ID=15920227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17127182A Pending JPS5959883A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | 粗面化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5959883A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0805722A1 (en) * | 1995-01-26 | 1997-11-12 | Chromalloy Gas Turbine Corporation | Roughening of metal surfaces |
| US6319419B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-11-20 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing member for thin-film formation apparatus and the member for the apparatus |
| EP1461834A1 (en) * | 2001-11-29 | 2004-09-29 | Origin Energy Solar Pty.Ltd | Semiconductor texturing process |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17127182A patent/JPS5959883A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0805722A1 (en) * | 1995-01-26 | 1997-11-12 | Chromalloy Gas Turbine Corporation | Roughening of metal surfaces |
| EP0805722A4 (en) * | 1995-01-26 | 1998-04-22 | Chromalloy Gas Turbine Corp | PROCESS FOR ROUGHING METAL SURFACES |
| US6319419B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-11-20 | Japan Energy Corporation | Method of manufacturing member for thin-film formation apparatus and the member for the apparatus |
| EP1461834A1 (en) * | 2001-11-29 | 2004-09-29 | Origin Energy Solar Pty.Ltd | Semiconductor texturing process |
| EP1461834A4 (en) * | 2001-11-29 | 2010-06-09 | Origin Energy Solar Pty Ltd | SEMICONDUCTOR texturing |
| US7828983B2 (en) * | 2001-11-29 | 2010-11-09 | Transform Solar Pty Ltd | Semiconductor texturing process |
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