JPS5921303B2 - 金属層付きプラスチツク - Google Patents
金属層付きプラスチツクInfo
- Publication number
- JPS5921303B2 JPS5921303B2 JP5329476A JP5329476A JPS5921303B2 JP S5921303 B2 JPS5921303 B2 JP S5921303B2 JP 5329476 A JP5329476 A JP 5329476A JP 5329476 A JP5329476 A JP 5329476A JP S5921303 B2 JPS5921303 B2 JP S5921303B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal layer
- plastic
- thickness
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は表面に金属層を有するプラスチックに関するも
のである。
のである。
表面に金属層を設けたプラスチックの用途は多岐にわた
る。
る。
たとえば金属に疑したプラスチック、金属層を導電体と
し、所定のパターンに形成したプリント基板あるいは薄
くてフレキシブルなフラットケーブル、薄いプラスチッ
クフィルムを電気絶縁体としたフィルムコンデンサとい
つた用途のほか薄いポリエステルフィルムに、軟Ｘ線の
吸収体として微細なＡｕのパターンを設けた、Ｘ線によ
るパターン転写用マスク（例えばＤ、Ｍａｙｄａｎｅｔ
ａｌＩＥＥＥｔｒａｎｓ、ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｅ
ｃｓ、Ｖｏｌ、ＥＤ−２２、Ｎｏ、７、ｐｐ、４２９−
４３３、１９７５）のような新しい用途もある。このよ
うな目的に適した金属層の材質としては、各目的に応じ
て電気の良導体であり、ハンダ付なども容易なＣｕ、Ａ
ｇ、Ａｕあるいは安定で光沢の勝れた貴金属としてのＡ
ｕ、Ｐを、Ａｇ、または軟Ｘ線を良く吸収し、微細な加
工の容易なＡｕ、Ｐｔなどがあげられる。従来、これら
の材質からなる金属層の形成には無電解メッキあるいは
蒸着などの方法が採られることになるが、前記したよう
な金属は、いずれもプラスチックに対する付着力が非常
に弱いために、きわめて剥れ易いという難点がある。
し、所定のパターンに形成したプリント基板あるいは薄
くてフレキシブルなフラットケーブル、薄いプラスチッ
クフィルムを電気絶縁体としたフィルムコンデンサとい
つた用途のほか薄いポリエステルフィルムに、軟Ｘ線の
吸収体として微細なＡｕのパターンを設けた、Ｘ線によ
るパターン転写用マスク（例えばＤ、Ｍａｙｄａｎｅｔ
ａｌＩＥＥＥｔｒａｎｓ、ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｅ
ｃｓ、Ｖｏｌ、ＥＤ−２２、Ｎｏ、７、ｐｐ、４２９−
４３３、１９７５）のような新しい用途もある。このよ
うな目的に適した金属層の材質としては、各目的に応じ
て電気の良導体であり、ハンダ付なども容易なＣｕ、Ａ
ｇ、Ａｕあるいは安定で光沢の勝れた貴金属としてのＡ
ｕ、Ｐを、Ａｇ、または軟Ｘ線を良く吸収し、微細な加
工の容易なＡｕ、Ｐｔなどがあげられる。従来、これら
の材質からなる金属層の形成には無電解メッキあるいは
蒸着などの方法が採られることになるが、前記したよう
な金属は、いずれもプラスチックに対する付着力が非常
に弱いために、きわめて剥れ易いという難点がある。
上記したような方法で形成した金属層には残留応力が無
視できない上に、金属層に比べて大きなプラスチックの
熱膨脹による応力、あるいは柔かいプラスチック基体が
曲がる事による応力のため、この剥れは克服し難い難点
となつている。いくつかの改善策もなされているが、充
分な効果を得るに至つていないのが実状であつた。本発
明はこのような難点に対し、充分な付着力を有する金属
層の付いたプラスチックを提供するものである。
視できない上に、金属層に比べて大きなプラスチックの
熱膨脹による応力、あるいは柔かいプラスチック基体が
曲がる事による応力のため、この剥れは克服し難い難点
となつている。いくつかの改善策もなされているが、充
分な効果を得るに至つていないのが実状であつた。本発
明はこのような難点に対し、充分な付着力を有する金属
層の付いたプラスチックを提供するものである。
以下、実施例を用いて本発明を説明する。第１図は本発
明の１実施例を示す。
明の１実施例を示す。
基体としての厚さ２５μｍのポリエステル基板１に、５
００Λの厚さのＴｉ層２を蒸着により形成し、さらに０
．５μｍの厚さのＡｕ層３を蒸着により形成したもので
ある。蒸着速度はＴｉが１〜２λ／秒、Ａｕが約１０入
／秒であるが、特にこれに限定される理由は無い。いわ
ゆる基板加熱は行なつていない。ＴｉはＯｒと同様に、
ポリエステル基板１とＡｕ層３を強く結びつけることを
実験により確認した。さらにＴｉは展性に富み、ポリエ
ステル基板１の多少の曲げや温度変化によりヒビ割れを
起こすことも無く、剥れも起こらず、極めて強固に付着
したＡｕ層３を得ることができる。
００Λの厚さのＴｉ層２を蒸着により形成し、さらに０
．５μｍの厚さのＡｕ層３を蒸着により形成したもので
ある。蒸着速度はＴｉが１〜２λ／秒、Ａｕが約１０入
／秒であるが、特にこれに限定される理由は無い。いわ
ゆる基板加熱は行なつていない。ＴｉはＯｒと同様に、
ポリエステル基板１とＡｕ層３を強く結びつけることを
実験により確認した。さらにＴｉは展性に富み、ポリエ
ステル基板１の多少の曲げや温度変化によりヒビ割れを
起こすことも無く、剥れも起こらず、極めて強固に付着
したＡｕ層３を得ることができる。
さらにＴｉ層２の残留応力は小さく、剥れないという点
を除き、これが無い場合と特に変化が見られない。Ｔｉ
は蒸着により、均一で薄い膜を得易い。
を除き、これが無い場合と特に変化が見られない。Ｔｉ
は蒸着により、均一で薄い膜を得易い。
このため、ポリエステル基板１とＡｕ層３の結びつけに
おいて、Ｔｉ層２の長さが５０人程度ですでに顕著な効
果を示し、１００λ以上では安定して強い付着効果を示
す。以上述べた本実施例の利点は以下に述べる他の実施
例に於ても全く同様に得られる。
おいて、Ｔｉ層２の長さが５０人程度ですでに顕著な効
果を示し、１００λ以上では安定して強い付着効果を示
す。以上述べた本実施例の利点は以下に述べる他の実施
例に於ても全く同様に得られる。
本発明の他の実施例を第２図に示す。
前実施例と同様に、ポリエステル基板１にＴｉ層２を蒸
着により形成して後、厚さ１００人程度のＡｕ層４を蒸
着により形成し、これに通常の無電解メツキにより厚さ
０．５μＭＯ）Ａｕ層３を形成したものである。
着により形成して後、厚さ１００人程度のＡｕ層４を蒸
着により形成し、これに通常の無電解メツキにより厚さ
０．５μＭＯ）Ａｕ層３を形成したものである。
この場合、極めて残留応力の小さな金属層付きフイルム
を得ることができる。
を得ることができる。
なお、本実施例に於いて、Ａｕ層４に、Ａｕに代りＡｕ
やＰｔ，Ａｇ，Ｃｕ等に親和性が良いＮ１などの他の材
質を用いても同様な効果を得る。
やＰｔ，Ａｇ，Ｃｕ等に親和性が良いＮ１などの他の材
質を用いても同様な効果を得る。
Ａｕ層３が特定のパターン有する場合、そのパターン形
成法の実施例を以下に説明する。第３図は本発明の１実
施例を示す。
成法の実施例を以下に説明する。第３図は本発明の１実
施例を示す。
これはポリエステル基板１に、所定のパターン穴６を有
する蒸着マスク５を用いて選択的にＴｉ層２、Ａｕ層３
を蒸着により形成するものである。条件、ならびに効果
は第１図で示した第１の実施例と同様である。また、第
２図で示した第２の実施例と同様に、Ｔｉ層２ならびに
薄い１００λ程度のＡｕ層４をマスク蒸着により選択的
に形成し、Ａｕ層３を無電解メツキにより選択的に形成
することにより、第２の実施例と同様に残留応力の極度
に小さい、所定のパターンを有する金属層を得ることが
できる。
する蒸着マスク５を用いて選択的にＴｉ層２、Ａｕ層３
を蒸着により形成するものである。条件、ならびに効果
は第１図で示した第１の実施例と同様である。また、第
２図で示した第２の実施例と同様に、Ｔｉ層２ならびに
薄い１００λ程度のＡｕ層４をマスク蒸着により選択的
に形成し、Ａｕ層３を無電解メツキにより選択的に形成
することにより、第２の実施例と同様に残留応力の極度
に小さい、所定のパターンを有する金属層を得ることが
できる。
特に高い精度を要しない、プリント基板や、フレキシブ
ルなフラツトケーブルなどの用途に有効である。第４図
ａからｃに他の実施例を示す。
ルなフラツトケーブルなどの用途に有効である。第４図
ａからｃに他の実施例を示す。
これは、金属層形成が最も困難視されているものの例で
、高い精度で軟Ｘ線の吸収体として、微細なＡｕパター
ンを形成することが要求される、Ｘ線転写用マスクの実
施例である。２５μｍの厚さのポリエステル基板１に、
第１の実施例と同様にして、２００人程度の厚さのＴｉ
層２、および７０００Ａの厚さのＡｕ層３を蒸着により
形成する。
、高い精度で軟Ｘ線の吸収体として、微細なＡｕパター
ンを形成することが要求される、Ｘ線転写用マスクの実
施例である。２５μｍの厚さのポリエステル基板１に、
第１の実施例と同様にして、２００人程度の厚さのＴｉ
層２、および７０００Ａの厚さのＡｕ層３を蒸着により
形成する。
このＡｕ層７上に、電子線リソグラフイ技術により、所
定のパターンの電子線リソグラフイ用レジスト、例えば
ＰＭＭＡ（ポリ・メチル・メタクリレート）層７を形成
する（同図ａ）。このＰＭＭＡ層７をマスクにして、Ａ
ｒイオンによるイオンエツチングを行ない、Ａｕ層３を
所定のパターンに加工する。Ｔｉ層２のイオンエツチ速
度はＡｕ層３のそれより一桁近く小さいため、Ｔｉ層２
は、ポリエステル基板１がイオンエツチされないための
良い保護膜の役割を果す（同図ｂ）。ＴｉはＡｕに比べ
軟Ｘ線の透過性が高い上に、Ｔｌ層２が充分薄いため、
同図ｂの状態で、あるいはこれよりＰＭＭＡ層７をアセ
トンにより除去してＸ線転写用マスクとして使用できる
。
定のパターンの電子線リソグラフイ用レジスト、例えば
ＰＭＭＡ（ポリ・メチル・メタクリレート）層７を形成
する（同図ａ）。このＰＭＭＡ層７をマスクにして、Ａ
ｒイオンによるイオンエツチングを行ない、Ａｕ層３を
所定のパターンに加工する。Ｔｉ層２のイオンエツチ速
度はＡｕ層３のそれより一桁近く小さいため、Ｔｉ層２
は、ポリエステル基板１がイオンエツチされないための
良い保護膜の役割を果す（同図ｂ）。ＴｉはＡｕに比べ
軟Ｘ線の透過性が高い上に、Ｔｌ層２が充分薄いため、
同図ｂの状態で、あるいはこれよりＰＭＭＡ層７をアセ
トンにより除去してＸ線転写用マスクとして使用できる
。
これを２．５％の希弗酸（ＨＦ）に数秒浸漬すると、露
出した部分のＴｉ層が溶け、Ａｕパターンの無い部分の
ポリエステル基板１が露出して透明な、Ｘ線転写用マス
クが得られる（同図ｃ）。
出した部分のＴｉ層が溶け、Ａｕパターンの無い部分の
ポリエステル基板１が露出して透明な、Ｘ線転写用マス
クが得られる（同図ｃ）。
希弗酸浸漬の代りに、イオンエツチを続けても同様なマ
スクが得られる。なお、本実施例と同様な構造で、１μ
ｍ以下という高い加工精度が要求されないような目的に
利用する場合、Ａｕ層３のエツチにイオンエツチ以外の
方法、例えば、Ｉ２＋ＮＨ４ｌ＋アルコール混液のよう
な化学エツチ液を用い、同図ｂの構造が容易に得られる
。
スクが得られる。なお、本実施例と同様な構造で、１μ
ｍ以下という高い加工精度が要求されないような目的に
利用する場合、Ａｕ層３のエツチにイオンエツチ以外の
方法、例えば、Ｉ２＋ＮＨ４ｌ＋アルコール混液のよう
な化学エツチ液を用い、同図ｂの構造が容易に得られる
。
Ｘ線転写用マスクを得る本発明の他の実施例を第５図ａ
からｅに示す。
からｅに示す。
厚さ２５μｍのポリエステル基板１１に、厚さ１００人
程度のＴ！層および厚さ２００λ程度のＮ１層１４を蒸
着により形成する（同図ａ）。
程度のＴ！層および厚さ２００λ程度のＮ１層１４を蒸
着により形成する（同図ａ）。
次いで、電子線リソグラフイ技術により、厚さ１μｍの
、所定のパターンの電子線レジスト、例えばＰＭＭＡ層
１７を形成する（同図ｂ）。これにＡｕの無電解メツキ
を行なうと、Ｎｉ層１４の露出している部分のみにＡｕ
が析出する。
、所定のパターンの電子線レジスト、例えばＰＭＭＡ層
１７を形成する（同図ｂ）。これにＡｕの無電解メツキ
を行なうと、Ｎｉ層１４の露出している部分のみにＡｕ
が析出する。
この方法で厚さ７０００λ程度のＡｕ層１３を形成する
（同図ｃ）。次にＰＭＭＡ層１７をアセトンで除去し（
同図ｄ）、塩化第二鉄水溶液および希弗酸に浸漬すると
、それぞれ露出した部分のＮｉ層１４およびＴ１層１２
が除去される（同図ｅ）０前実施例と同様に、同図ｄの
状態でＸ線転写用のマスクとして使用でき、また、同図
ｅの構造の場合、Ａｕパターンの無い部分が透明なマス
クとなる。いずれの場合も金属層の残留応力が小さいた
め、Ａｕ層１３の反りなどの変形が少なく精度の高いＸ
線転写用マスクが得られる。Ｎｉ層１４の２００λ程度
の厚さのＡｕ層を用いても同様な効果を得る。
（同図ｃ）。次にＰＭＭＡ層１７をアセトンで除去し（
同図ｄ）、塩化第二鉄水溶液および希弗酸に浸漬すると
、それぞれ露出した部分のＮｉ層１４およびＴ１層１２
が除去される（同図ｅ）０前実施例と同様に、同図ｄの
状態でＸ線転写用のマスクとして使用でき、また、同図
ｅの構造の場合、Ａｕパターンの無い部分が透明なマス
クとなる。いずれの場合も金属層の残留応力が小さいた
め、Ａｕ層１３の反りなどの変形が少なく精度の高いＸ
線転写用マスクが得られる。Ｎｉ層１４の２００λ程度
の厚さのＡｕ層を用いても同様な効果を得る。
このＡｕ層はＡｕ層１３に比べ充分薄く、軟Ｘ線をほと
んど吸収しない。同図ｅに示すような構造を得るには、
全面のＡｕを一様にＴｉが露出するまでエツチし、次い
で希弗酸に数秒浸漬すれば良い。前実施例と共通して、
本発明は高精度なＸ線転写用マスクばかりでなく、金属
層の精度が高くない場合にも全く同様に適用できること
は言うまでもない。
んど吸収しない。同図ｅに示すような構造を得るには、
全面のＡｕを一様にＴｉが露出するまでエツチし、次い
で希弗酸に数秒浸漬すれば良い。前実施例と共通して、
本発明は高精度なＸ線転写用マスクばかりでなく、金属
層の精度が高くない場合にも全く同様に適用できること
は言うまでもない。
この場合、電子線リングラフイ技術を用いる必要はなく
、通常のホトリングラフイ技術を用いれば充分である。
以上の実施例においては金属層の材質がＡｕの場合を説
明したが、これがＰｔ，ＡｇｌまたはＣｕであつても全
く同様の効果を得ることができる。
、通常のホトリングラフイ技術を用いれば充分である。
以上の実施例においては金属層の材質がＡｕの場合を説
明したが、これがＰｔ，ＡｇｌまたはＣｕであつても全
く同様の効果を得ることができる。
ポリエステル基板を含め、各層の厚さはこれに限定され
る訳ではなく、目的に応じた厚さを採ることができる。
Ｔｌ層の厚さは、これを不必要に厚くしないという意味
で５０人から２０００λ程度の範囲が妥当な値であろう
。ポリエステル基板は、これがさらに薄い場合、あるい
は逆に厚い場合、さらには塊状であつても同様に本発明
が実施できる。さらに、プラスチツク基体の材質は、ポ
リエステル以外の他の材質、たとえば、アクリル、ナイ
ロン、ポリイミド、エポキシなど他のプラスチツクの場
合にもＴｉ層の接着が良く、このため同様な効果を得る
ことができる。
る訳ではなく、目的に応じた厚さを採ることができる。
Ｔｌ層の厚さは、これを不必要に厚くしないという意味
で５０人から２０００λ程度の範囲が妥当な値であろう
。ポリエステル基板は、これがさらに薄い場合、あるい
は逆に厚い場合、さらには塊状であつても同様に本発明
が実施できる。さらに、プラスチツク基体の材質は、ポ
リエステル以外の他の材質、たとえば、アクリル、ナイ
ロン、ポリイミド、エポキシなど他のプラスチツクの場
合にもＴｉ層の接着が良く、このため同様な効果を得る
ことができる。
以上説明したごとく、本発明により、剥れたりヒビ割れ
たりしにくい、強固に付着した金属層を有するプラスチ
ツクを得ることができる。
たりしにくい、強固に付着した金属層を有するプラスチ
ツクを得ることができる。
第１図から第５図は本発明の実施例の説明図である。
Claims (1)
- １ 高分子材料からなる基体と、当該基体表面の少なく
とも一部を覆う第１の金属層を有するプラスチックにお
いて、少なくとも前記基体と前記第１の金属層の間にＴ
ｉ（チタン）からなる第２の金属層を設けたことを特徴
とする、金属層付きプラスチック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5329476A JPS5921303B2 (ja) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | 金属層付きプラスチツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5329476A JPS5921303B2 (ja) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | 金属層付きプラスチツク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52136284A JPS52136284A (en) | 1977-11-14 |
| JPS5921303B2 true JPS5921303B2 (ja) | 1984-05-18 |
Family
ID=12938695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5329476A Expired JPS5921303B2 (ja) | 1976-05-12 | 1976-05-12 | 金属層付きプラスチツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921303B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5183973A (en) * | 1989-08-14 | 1993-02-02 | Santa Barbara Research Center | Flexible cable for interconnecting electronic components |
-
1976
- 1976-05-12 JP JP5329476A patent/JPS5921303B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52136284A (en) | 1977-11-14 |
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