JPH02260492A - パターン化法及び製品 - Google Patents
パターン化法及び製品Info
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- JPH02260492A JPH02260492A JP1320408A JP32040889A JPH02260492A JP H02260492 A JPH02260492 A JP H02260492A JP 1320408 A JP1320408 A JP 1320408A JP 32040889 A JP32040889 A JP 32040889A JP H02260492 A JPH02260492 A JP H02260492A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一体マスク及びマスク特有除去剤を使用して基
材上にエツチング耐性材料のパターンを供する方法に関
する。
材上にエツチング耐性材料のパターンを供する方法に関
する。
剛性又は町１尭性基材上に保持される薄膜に対して多く
の用途がある。印刷回路はその用途の例でありそして広
く使用される。他の特性も特定のパターンでそれらを蒸
＠することによって薄膜に組み込むことができる。
の用途がある。印刷回路はその用途の例でありそして広
く使用される。他の特性も特定のパターンでそれらを蒸
＠することによって薄膜に組み込むことができる。
代表的には、パターン化ＲＩＩ膜は１蒸着マスクを使用
して基材上に膜を蒸着すること又は従来のフォトレジス
ト及びエツチングを使用して非パターン化［１をエツチ
ングすることにより調製された。
して基材上に膜を蒸着すること又は従来のフォトレジス
ト及びエツチングを使用して非パターン化［１をエツチ
ングすることにより調製された。
これらの技術は種々の欠点を有する。蒸着マスクは正確
に配Ｉ！されて正しい位置に保持されねばならず、そこ
には小さい臨界許容量が含まれる。マスクと蒸着基材の
闇に相対連動を避けることは不可能である。これは特に
基質が可撓性である時に当てはまる。
に配Ｉ！されて正しい位置に保持されねばならず、そこ
には小さい臨界許容量が含まれる。マスクと蒸着基材の
闇に相対連動を避けることは不可能である。これは特に
基質が可撓性である時に当てはまる。
エツチング技術も欠点を有する。この技術の使用は比較
的大きな面積の非パターン化Ｓ＊を蒸着することモして
これを所望のパターンにエツチングすることを含む。大
きな面積の連続したフィルムの蒸着は膜内に応力を生じ
てひび割れ及び破砕を促進する。異なる熱的性質又は化
学的性質を有する異なる材料の複一が含まれる場合には
、応力の問題が際立つ。更に、エツチングは小寸法の、
厳しい許容量のパターンに対して必要な程度に正確に調
節し得る方法ではない。更に、多くの材料は通常の化学
的技術によりエツチングすることは難しい。即ち、その
エツチング速度は通常のエツチング剤では非実際的に遅
く、又は周りの材料が望ましくなく彰１１６れるほと厳
しいエツチング条件が必要である。
的大きな面積の非パターン化Ｓ＊を蒸着することモして
これを所望のパターンにエツチングすることを含む。大
きな面積の連続したフィルムの蒸着は膜内に応力を生じ
てひび割れ及び破砕を促進する。異なる熱的性質又は化
学的性質を有する異なる材料の複一が含まれる場合には
、応力の問題が際立つ。更に、エツチングは小寸法の、
厳しい許容量のパターンに対して必要な程度に正確に調
節し得る方法ではない。更に、多くの材料は通常の化学
的技術によりエツチングすることは難しい。即ち、その
エツチング速度は通常のエツチング剤では非実際的に遅
く、又は周りの材料が望ましくなく彰１１６れるほと厳
しいエツチング条件が必要である。
前記に論議したように、無機フィルムへのパターンの形
成は公知であ′す、そして印刷回路工業で広範囲に使用
されている。広く使用される方法は写真平版である。従
来の写真平版法の変型はネガレリーフマスクを使用する
ことである。ネガ、レリーフマスクはまた電鋳及び付加
写真製版に使用されるが、これらの場合には、マスクの
上部は被覆されない。真空金属化法におけるネガレリー
フマスクの使用は被覆されるマスクの上部に成果をあげ
る。溶媒はフィルム中のピンホールを通して又はマスク
の縁に沿ってフィルムの不連続部分を通してレリーフマ
スクを攻撃し又はマスクへ溶媒の直接接近を供するよう
にマスクとフィルムの両方を切断することにより攻撃す
る。ある限定された場合には、無機ネガレリーフマスク
は夷空金属化室において高温性能と低蒸気圧の利点を有
するために使用される。無機ネガ蒸着マスクを使用する
時には、このマスクは通常には酸を用いた選択的エツチ
ングにより除去される。今日まで、処理は小さな剛性基
材に限定されそして厚さ約０．１μ−の単一フィルムの
みが像形成されている。
成は公知であ′す、そして印刷回路工業で広範囲に使用
されている。広く使用される方法は写真平版である。従
来の写真平版法の変型はネガレリーフマスクを使用する
ことである。ネガ、レリーフマスクはまた電鋳及び付加
写真製版に使用されるが、これらの場合には、マスクの
上部は被覆されない。真空金属化法におけるネガレリー
フマスクの使用は被覆されるマスクの上部に成果をあげ
る。溶媒はフィルム中のピンホールを通して又はマスク
の縁に沿ってフィルムの不連続部分を通してレリーフマ
スクを攻撃し又はマスクへ溶媒の直接接近を供するよう
にマスクとフィルムの両方を切断することにより攻撃す
る。ある限定された場合には、無機ネガレリーフマスク
は夷空金属化室において高温性能と低蒸気圧の利点を有
するために使用される。無機ネガ蒸着マスクを使用する
時には、このマスクは通常には酸を用いた選択的エツチ
ングにより除去される。今日まで、処理は小さな剛性基
材に限定されそして厚さ約０．１μ−の単一フィルムの
みが像形成されている。
特定の蒸上法の“スローイング″パワーを使用して従来
法の欠陥を克服する利点を有することが発見された。更
に特に、特定の蒸着法が材料を実質上視線でＭＩ！し、
このため特定のエツチング可能マスク材料と組合わせて
使用した時に一体の、エツチング可能なマスクが可撓性
１３Ｕ上に形成でき、そしてそこから除去できることが
発見された。
法の欠陥を克服する利点を有することが発見された。更
に特に、特定の蒸着法が材料を実質上視線でＭＩ！し、
このため特定のエツチング可能マスク材料と組合わせて
使用した時に一体の、エツチング可能なマスクが可撓性
１３Ｕ上に形成でき、そしてそこから除去できることが
発見された。
また特定のエツチング可能な材料がエツチング困難なＳ
Ｓパターン材料と共に使用のため有用なマスキング１法
まで積上げられることも発見された。
Ｓパターン材料と共に使用のため有用なマスキング１法
まで積上げられることも発見された。
減法的及び加法的の両方の写真平版技術を使用してこの
マスクを形成できる。
マスクを形成できる。
本発明は無機フィルムにおけるパターンが下記のところ
で形成できる独特な方法を供することによって従来技術
の欠陥を克服する； １）使用した基材が可撓性でありそして多量の材料が安
価に作られるように一つ又はそれ以上の蒸着ステージ」
ンを通って３１続的に移送され、２）使用した無機フィ
ルムはエツチングすることが難しく、３）この無機フィ
ルムは比較的厚く、例えば、０．１μ−より厚く、そし
て４）この無機ノイルレムは優れた解像力でパターン化
できる。
で形成できる独特な方法を供することによって従来技術
の欠陥を克服する； １）使用した基材が可撓性でありそして多量の材料が安
価に作られるように一つ又はそれ以上の蒸着ステージ」
ンを通って３１続的に移送され、２）使用した無機フィ
ルムはエツチングすることが難しく、３）この無機フィ
ルムは比較的厚く、例えば、０．１μ−より厚く、そし
て４）この無機ノイルレムは優れた解像力でパターン化
できる。
更に特に、本発明は下記の工程を含む可撓性基材上にエ
ツチング困難な材料のパターンを供する方法に関する： ａ）キャリア又はＭＵの第−表向上に、一体の物理的突
出部を含む第一のエツチング可能材料のマスクを供する
こと。この突出部は一般に表向に人体垂直であり、基材
上にｔ界したネガがパターンを供する。
ツチング困難な材料のパターンを供する方法に関する： ａ）キャリア又はＭＵの第−表向上に、一体の物理的突
出部を含む第一のエツチング可能材料のマスクを供する
こと。この突出部は一般に表向に人体垂直であり、基材
上にｔ界したネガがパターンを供する。
ｂ）マスク区域を通して、第一の材料とは異なる、第二
のエツチング困難なパターン材料の層を蒸着すること。
のエツチング困難なパターン材料の層を蒸着すること。
−態様では、蒸着ステーションを通して基材を連続的に
移動づることによっ−にの蒸着を行なう。劣ったスロー
イングパワー、例えば電子線蒸発を有する蒸着技術を使
用することによって、この第二の材料は主として結材表
面の平面に平行な表面上に蒸着されそして突出するマス
ク材料の垂直な壁を完全に被覆せず又は密封しない。
移動づることによっ−にの蒸着を行なう。劣ったスロー
イングパワー、例えば電子線蒸発を有する蒸着技術を使
用することによって、この第二の材料は主として結材表
面の平面に平行な表面上に蒸着されそして突出するマス
ク材料の垂直な壁を完全に被覆せず又は密封しない。
この垂直の分離又は露出は下記の次の工程を許す；Ｃ）
マスク林料を選択的にエツチングしてこれを除去しそし
て基材上に蒸着された第二の材料のポジパターンを残す
。
マスク林料を選択的にエツチングしてこれを除去しそし
て基材上に蒸着された第二の材料のポジパターンを残す
。
好適な具体例では、同一の材料又はそのすべてがマスク
材料とは異なる別の材料の一つ又はそれ以上の層の形で
第二のパターン材料が蒸着される。
材料とは異なる別の材料の一つ又はそれ以上の層の形で
第二のパターン材料が蒸着される。
本願で使用される“エツチング困難な”又は゛エッチン
グ不能な″材料とはマスクがパターン材料に悪影響する
ことなく満足して除去できるように使用されるマスク材
料と比較して一定のエツチング剤で比較的遅いエツチン
グ速度を有する材料である。
グ不能な″材料とはマスクがパターン材料に悪影響する
ことなく満足して除去できるように使用されるマスク材
料と比較して一定のエツチング剤で比較的遅いエツチン
グ速度を有する材料である。
本発明の方法は剛性又は可撓性基ｌの１に種々の材料の
パターンを供するために有用である。本方法は正確に調
節されたパターンがごく厳密な許容沿内で蒸着できるの
で有益である。更に、このパターン材料が材料の比較的
小部分として蒸着されるので、続いてパターン化される
大きな蒸着物と比較して応力が更に容易に消失される。
パターンを供するために有用である。本方法は正確に調
節されたパターンがごく厳密な許容沿内で蒸着できるの
で有益である。更に、このパターン材料が材料の比較的
小部分として蒸着されるので、続いてパターン化される
大きな蒸着物と比較して応力が更に容易に消失される。
これは材料のより大きな部分の蒸着に関連したひび割れ
及び破砕問題を減する。なお別の利点は可撓性基材に一
体マスクの存在により付加の硬度と剛性が与えられるこ
とである。これは！１材の取扱いを助けそしてパターン
化工程の完了後にパターン材料の離層の可能性を減する
。
及び破砕問題を減する。なお別の利点は可撓性基材に一
体マスクの存在により付加の硬度と剛性が与えられるこ
とである。これは！１材の取扱いを助けそしてパターン
化工程の完了後にパターン材料の離層の可能性を減する
。
本発明の方法を図面に関連してより明確に説明できる。
第１図は本発明による好適具体例の種々の工程のフロー
線図を承り。第２−８図は材料がこの方法の種々の段階
にある時のパターン化材料の部分図である。
線図を承り。第２−８図は材料がこの方法の種々の段階
にある時のパターン化材料の部分図である。
第１図の工程１に示す可撓性フィルムのような基材５２
をこの方法のために選択する。この基材は十分な寸法安
定性を有し、そして処理と使用で出会う環境条件下でこ
の性質を保つべきであり、そのため熱膨張係数量の差は
最小でありかつ基材が保持しそして支持する材料は基材
から分離しない傾向を示す。鋼、セラミック、例えば、
ガラス及び重合体の厚いシートを剛性基材として通常に
使用する。ステンレス鋼又は重合体フィルムを可１尭性
基材として通常に使用する。商品名゛にａｐｔｏｎ”（
デュポン）として市販されるような重合体フィルムが特
に好適であり、その理由は比較的高い温度、例えば、２
００〜３００℃で一体性と４法安定性を保つその性能の
ためである。
をこの方法のために選択する。この基材は十分な寸法安
定性を有し、そして処理と使用で出会う環境条件下でこ
の性質を保つべきであり、そのため熱膨張係数量の差は
最小でありかつ基材が保持しそして支持する材料は基材
から分離しない傾向を示す。鋼、セラミック、例えば、
ガラス及び重合体の厚いシートを剛性基材として通常に
使用する。ステンレス鋼又は重合体フィルムを可１尭性
基材として通常に使用する。商品名゛にａｐｔｏｎ”（
デュポン）として市販されるような重合体フィルムが特
に好適であり、その理由は比較的高い温度、例えば、２
００〜３００℃で一体性と４法安定性を保つその性能の
ためである。
第１図及び第２−５図に示すように、ブライマーｔｌ１
５４が１稈３でフィルム上に蒸着される。この層は当業
者に周知のように続いて適用される金属性層の接着を改
良することを意図する。例えば、所望に応じて種々の有
機樹脂及び金属酸化物を使用してポリイミドへ銅の接着
を改良できる。プライマー一が必要でない場合には、省
略ぐきる。簡潔さと明確さのため、このプライマー層５
４を残りの図では示さない。次の工程は基材上に銅のよ
うなエツチング可能なマスク材料のサブ廟を蒸着するこ
とである。一方法では、工程５に示すよううに、代表的
には約１０００〜１５００人の岸さに、基材の上に、又
はプライマー一が存在する場合にはその上に、マスク材
料の薄いサブ廟５６をスパッタし又は他の方法で蒸着す
る。次の処理に望ましく思われる場合には、位置７で、
このサブ１Ｆ１５６を電気めっきにより更に厚くできる
。
５４が１稈３でフィルム上に蒸着される。この層は当業
者に周知のように続いて適用される金属性層の接着を改
良することを意図する。例えば、所望に応じて種々の有
機樹脂及び金属酸化物を使用してポリイミドへ銅の接着
を改良できる。プライマー一が必要でない場合には、省
略ぐきる。簡潔さと明確さのため、このプライマー層５
４を残りの図では示さない。次の工程は基材上に銅のよ
うなエツチング可能なマスク材料のサブ廟を蒸着するこ
とである。一方法では、工程５に示すよううに、代表的
には約１０００〜１５００人の岸さに、基材の上に、又
はプライマー一が存在する場合にはその上に、マスク材
料の薄いサブ廟５６をスパッタし又は他の方法で蒸着す
る。次の処理に望ましく思われる場合には、位置７で、
このサブ１Ｆ１５６を電気めっきにより更に厚くできる
。
所望のパターンを有する第４図及び第５図に示すように
一体マスク７０を形成する一方法はここで記載する“付
加”工程の使用によるものである。
一体マスク７０を形成する一方法はここで記載する“付
加”工程の使用によるものである。
フォトレジスト材料５８を工程９で銅表面上に積層し又
は被覆し、そしてステンシル６０を通してこのフォトレ
ジストを光６４に露出する（工程１１で）。ステンシル
６０は従来の写真又は他の周知の技術により製造でき、
これはパターンのために心金な寸法と正確さに応じて容
易に選択できる。
は被覆し、そしてステンシル６０を通してこのフォトレ
ジストを光６４に露出する（工程１１で）。ステンシル
６０は従来の写真又は他の周知の技術により製造でき、
これはパターンのために心金な寸法と正確さに応じて容
易に選択できる。
これはポジ又はネガのフォトレジストの何れを使用する
かに応じて所〒のマスクのポジ又はネガでよい。この記
載では、ステンシルはマスクのポジである。従って、ス
テンシルがスクリーンパターンである場合には、パター
ンライン６２は不透明であり、光の通過を阻止する。フ
ォートレジスト５８は第２図に示すように光が層５８に
歯大しない区域では硬化しないままでありそしてステン
シルの透明部分の下の残りの区域５８では架橋される１
゜工程のこの段階にある物品５０の断面を第２図に示す
。
かに応じて所〒のマスクのポジ又はネガでよい。この記
載では、ステンシルはマスクのポジである。従って、ス
テンシルがスクリーンパターンである場合には、パター
ンライン６２は不透明であり、光の通過を阻止する。フ
ォートレジスト５８は第２図に示すように光が層５８に
歯大しない区域では硬化しないままでありそしてステン
シルの透明部分の下の残りの区域５８では架橋される１
゜工程のこの段階にある物品５０の断面を第２図に示す
。
フォトレジス１−５８が露光されそして特定の区域５８
′で硬化した後に５これを工程１３で現像剤で洗浄して
ステンシルの不透明ライン６２に対応する未反応部分を
除去する。物品６６の結果の断面を第３図に示す。
′で硬化した後に５これを工程１３で現像剤で洗浄して
ステンシルの不透明ライン６２に対応する未反応部分を
除去する。物品６６の結果の断面を第３図に示す。
次にこの露出した銅を従来の技術により、例えば、硫酸
の希釈（５％）溶液により洗浄し又はエツチングして工
程１５での次の電気め２きのために表面を準備しそして
工程１７で、これに銅電気めっきを行なって、第４図の
物品６８に示すような一体のマスク７０を形成するため
に露出区域に付加の銅を蒸着する。この銅マスクは続い
て適用されるべきパターン材料の予想した高さに等しい
か又はそれを越える高さにまで作り上げられる。
の希釈（５％）溶液により洗浄し又はエツチングして工
程１５での次の電気め２きのために表面を準備しそして
工程１７で、これに銅電気めっきを行なって、第４図の
物品６８に示すような一体のマスク７０を形成するため
に露出区域に付加の銅を蒸着する。この銅マスクは続い
て適用されるべきパターン材料の予想した高さに等しい
か又はそれを越える高さにまで作り上げられる。
この高さはマスク７ｏが続いて適用されるべきパターン
材料７４に対して境界を供することができるのに十分で
あり、そしてなお第５図に関連して説明するように続く
エツチングに銅マスクを露出できるのに十分であるべき
である。代表的には、２ミルまでの高さが薄膜ｖＩ′Ｉ
４をマスクするために十分である。しかしながら、上限
は単に実際的な配慮、例えば置かれるマスク材料の一体
性、置かれるべきパターン材料の性質、パターン材料７
４の続く蒸着と共にマスク７ｏによる妨害の程度等に基
づく。
材料７４に対して境界を供することができるのに十分で
あり、そしてなお第５図に関連して説明するように続く
エツチングに銅マスクを露出できるのに十分であるべき
である。代表的には、２ミルまでの高さが薄膜ｖＩ′Ｉ
４をマスクするために十分である。しかしながら、上限
は単に実際的な配慮、例えば置かれるマスク材料の一体
性、置かれるべきパターン材料の性質、パターン材料７
４の続く蒸着と共にマスク７ｏによる妨害の程度等に基
づく。
このパターン材料は一般に厚さで０．１μ−以上に及ぶ
。若干の適用では、０．５μ醜そしてそれ以上の比較的
岸いフィルムが有用でありそして厚さで１または２μ−
又はそれ以上に及ぶことができる。注目されるように、
所望に応じてよりへいフィルムを製造でき、厚さが２ミ
ル（５０μＩ）又はそれ以上であるマスクの高さにより
制限される。
。若干の適用では、０．５μ醜そしてそれ以上の比較的
岸いフィルムが有用でありそして厚さで１または２μ−
又はそれ以上に及ぶことができる。注目されるように、
所望に応じてよりへいフィルムを製造でき、厚さが２ミ
ル（５０μＩ）又はそれ以上であるマスクの高さにより
制限される。
この方法はマスク材料７０として銅の使用に関してここ
で記載したが、適用されるパターン材料７４に′！￥Ａ
影響することなく選択的に除去できる有機物質のような
、他の通常に使用さるエツチング可能な金属を使用でき
よう。従来種々の可溶性又はストリップ可能な重合体が
それらが有用なマスクを形成するのに十分な一体性と安
定性を有し、蒸着工程又はパターン材料７４により悪影
響されず、そして選択的に除去できる限りマスク材料７
０として使用できる。有機なマスク材料の例はバターン
材料が悪影響されない程度まで、融解、分解又は脱気な
しに蒸着工程の温度に耐えられる有機フォトレジスト等
である。
で記載したが、適用されるパターン材料７４に′！￥Ａ
影響することなく選択的に除去できる有機物質のような
、他の通常に使用さるエツチング可能な金属を使用でき
よう。従来種々の可溶性又はストリップ可能な重合体が
それらが有用なマスクを形成するのに十分な一体性と安
定性を有し、蒸着工程又はパターン材料７４により悪影
響されず、そして選択的に除去できる限りマスク材料７
０として使用できる。有機なマスク材料の例はバターン
材料が悪影響されない程度まで、融解、分解又は脱気な
しに蒸着工程の温度に耐えられる有機フォトレジスト等
である。
一体マスク７０の蒸着が完了した時に、残りの架橋した
フォトレジスト５８′は工程１９で従来の技術によりス
トリップされそして先にフォトレジスト５８′により保
護された露出銅サブ層５６は例えば、位１Ｊｌ１２１で
フラッシュエツチングにより除去される。マスク材料７
０の若干の小い部分も除去されるが、この邑は一般にマ
スクを実質上形Ｗｖるほと十分ではない。とにかく、フ
ラッシュエツチング後に残る鹸が好適なマスクを供する
ように技術が使用されるかどうかに息を用いてこの蒸着
したマスク７０の＾さをフラッシュエツチング工程で選
択すべきである。
フォトレジスト５８′は工程１９で従来の技術によりス
トリップされそして先にフォトレジスト５８′により保
護された露出銅サブ層５６は例えば、位１Ｊｌ１２１で
フラッシュエツチングにより除去される。マスク材料７
０の若干の小い部分も除去されるが、この邑は一般にマ
スクを実質上形Ｗｖるほと十分ではない。とにかく、フ
ラッシュエツチング後に残る鹸が好適なマスクを供する
ように技術が使用されるかどうかに息を用いてこの蒸着
したマスク７０の＾さをフラッシュエツチング工程で選
択すべきである。
本発明の別の具体例では、加法的方法よりむしろ減法的
方法によりこのマスクを製造する。即ち、第１−４図に
ｌ遅して記載したように銅スクリーンを積上げるよりむ
しろ、ポリイミドシートのような基質に厚い銅ホイルを
積層しそして第１図から第４図に関連して記載したよう
なフォトレジスト技術を使用して銅の不鮫部分をエツチ
ングして第４図に示すような銅スクリーン又はマスクを
残す。
方法によりこのマスクを製造する。即ち、第１−４図に
ｌ遅して記載したように銅スクリーンを積上げるよりむ
しろ、ポリイミドシートのような基質に厚い銅ホイルを
積層しそして第１図から第４図に関連して記載したよう
なフォトレジスト技術を使用して銅の不鮫部分をエツチ
ングして第４図に示すような銅スクリーン又はマスクを
残す。
この方法の実施では、市販のポリイミド／銅積層複合量
で開始することが望ましく、工程１５と１７で一体マス
クを形成づる付加の銅の電気めっきを省略する。むしろ
、フォトレジストを銅ホイルに積層しそしで工程９から
工程１３に関連したステンシルを通して露光する。減法
技術の揚台には、パターン材料を蒸着させたい場所でフ
ォトレジストをストリップし／現像しそして次にこれら
の区域で銅をエツチングして第４図（サブ層５６のない
）に示すような基材５２上の一体マスク７０を供する。
で開始することが望ましく、工程１５と１７で一体マス
クを形成づる付加の銅の電気めっきを省略する。むしろ
、フォトレジストを銅ホイルに積層しそしで工程９から
工程１３に関連したステンシルを通して露光する。減法
技術の揚台には、パターン材料を蒸着させたい場所でフ
ォトレジストをストリップし／現像しそして次にこれら
の区域で銅をエツチングして第４図（サブ層５６のない
）に示すような基材５２上の一体マスク７０を供する。
残りのフォトレジストをストリップした後に、マスクを
形成するため加法技術を使用したものと同じようにこの
材料を処理する。
形成するため加法技術を使用したものと同じようにこの
材料を処理する。
ここで一体の、正確に配置されたマスク７０が第４図に
示すように可撓性１１５２上に形成されそして今度はパ
ターン材料７４が一体マスク７０を保持する基板５２の
上に蒸着される。パターン材料は所望の装飾的又は実利
的作用を供する多数のエツチング困難な材料の何れかで
よく、例えば、金属、合金、セラミック及び有機重合体
材料である。
示すように可撓性１１５２上に形成されそして今度はパ
ターン材料７４が一体マスク７０を保持する基板５２の
上に蒸着される。パターン材料は所望の装飾的又は実利
的作用を供する多数のエツチング困難な材料の何れかで
よく、例えば、金属、合金、セラミック及び有機重合体
材料である。
伝導性金属、例えば、銀、タングステン、又は炭素が有
用である。特定のセラミック、磁性体、絶縁体及びまた
特定の純粋に装飾的材料を使用でき、多くの最終用途に
対して利点を有する。
用である。特定のセラミック、磁性体、絶縁体及びまた
特定の純粋に装飾的材料を使用でき、多くの最終用途に
対して利点を有する。
位置２３で起こる工程に対して多くの従来の蒸着技術を
使用できる。しかしながら、マスク７０の垂直表面の若
干の部分が被覆されず又は密封されず、そこでこのマス
ク７０がマスクに特有の除去剤、例えばパターン材料に
悪影響しない銅エッチに接近できてマスク７０の続く除
去を許すように限定されたスローイングパワーを有する
技術を使用することが望ましい。この蒸着工程はマスク
材料に悪影響しない温度で操作できなければならない。
使用できる。しかしながら、マスク７０の垂直表面の若
干の部分が被覆されず又は密封されず、そこでこのマス
ク７０がマスクに特有の除去剤、例えばパターン材料に
悪影響しない銅エッチに接近できてマスク７０の続く除
去を許すように限定されたスローイングパワーを有する
技術を使用することが望ましい。この蒸着工程はマスク
材料に悪影響しない温度で操作できなければならない。
実際には、パターン材料を蒸Ｗするため種々の蒸着法の
何れかを１１することが有用であると判った。例として
、金属合金蒸着のため電子線蒸発を使用できそして非伝
導性材料に対して誘導蒸発を使用できる。これらの方法
は劣ったスローイングパワーを示す。即ち、これらはＷ
林表血に垂直な表面上に材料が殆ど蒸着しない傾向を示
し、これは蒸着される材料の流れが木質的に殆ど乱流な
しに視線で真直ぐかつ平行であるためである。別の方法
で述べると、劣ったスローイングパワーとは材料の放出
流に平行な表面に殆ど被覆されず又は密封されないこと
を意味する。かくして、マスクの型置表面はパターン材
料により被覆されず又は密封されない。
何れかを１１することが有用であると判った。例として
、金属合金蒸着のため電子線蒸発を使用できそして非伝
導性材料に対して誘導蒸発を使用できる。これらの方法
は劣ったスローイングパワーを示す。即ち、これらはＷ
林表血に垂直な表面上に材料が殆ど蒸着しない傾向を示
し、これは蒸着される材料の流れが木質的に殆ど乱流な
しに視線で真直ぐかつ平行であるためである。別の方法
で述べると、劣ったスローイングパワーとは材料の放出
流に平行な表面に殆ど被覆されず又は密封されないこと
を意味する。かくして、マスクの型置表面はパターン材
料により被覆されず又は密封されない。
マスク７０の＾さを越えない限りパターン材料７４を所
望の通り厚く蒸着できる。マスク７ｏが完全に被覆され
る場合には、続く除去のため、例えばエツチングによる
、接近点がなくなるであろう。パターン材料の単層又は
複層を蒸着できる。
望の通り厚く蒸着できる。マスク７ｏが完全に被覆され
る場合には、続く除去のため、例えばエツチングによる
、接近点がなくなるであろう。パターン材料の単層又は
複層を蒸着できる。
パターン材料の層はこれらが所望の最終用途を（１なう
のに十分に相和性である限り、例えばこれらがｎいに接
着しそして望ましくなく化学的に反応性でない限り、同
−又は異なってもよい。
のに十分に相和性である限り、例えばこれらがｎいに接
着しそして望ましくなく化学的に反応性でない限り、同
−又は異なってもよい。
第９図には、パターン材料を連続的に蒸着するためのパ
ターン装＠３２の略示図を小す。この装置ｆ！３２は反
転できる取上げ及び供給リール３３６３４を含み、この
上にマスクされた基材６８が巻かれる。基材６８は引張
りＯ−ラ３５．３６及び必要に応じて、加熱し又は冷却
できる可逆被覆ロール３７を通過する。二つの別の蒸着
ステーション３９及び４３を示す。これは同一・−又は
異なってもよい。一つを示すが、この方法は単に一つの
ステーションで使用でき、そして二つ以上のステーショ
ンも若１の適用ではｈ用である。
ターン装＠３２の略示図を小す。この装置ｆ！３２は反
転できる取上げ及び供給リール３３６３４を含み、この
上にマスクされた基材６８が巻かれる。基材６８は引張
りＯ−ラ３５．３６及び必要に応じて、加熱し又は冷却
できる可逆被覆ロール３７を通過する。二つの別の蒸着
ステーション３９及び４３を示す。これは同一・−又は
異なってもよい。一つを示すが、この方法は単に一つの
ステーションで使用でき、そして二つ以上のステーショ
ンも若１の適用ではｈ用である。
操作に際して、基材６８を最初に供給リール３３から供
給し、ロール３７を回ってそしてステーション３９及び
４３の一つ又は両方で？１［覆後にロール３４上に取上
げる。基材６８の達磨は基１１６８上に所望ｍのパター
ン材料が蒸着されることを許すように選択される。異な
る材料の交互の層はステーション３９を使用１）で一方
向へそして４３は使用して他方向へ、可逆ロール３３及
び３４により蒸稠できる。別法として、伺れかの方向に
操作した時に両被覆ステーションを同時に操作して種々
の層形成効果を供する。
給し、ロール３７を回ってそしてステーション３９及び
４３の一つ又は両方で？１［覆後にロール３４上に取上
げる。基材６８の達磨は基１１６８上に所望ｍのパター
ン材料が蒸着されることを許すように選択される。異な
る材料の交互の層はステーション３９を使用１）で一方
向へそして４３は使用して他方向へ、可逆ロール３３及
び３４により蒸稠できる。別法として、伺れかの方向に
操作した時に両被覆ステーションを同時に操作して種々
の層形成効果を供する。
３９及び４３で表わされる蒸着ステージフンはパターン
材料が蒸着される限定されたスローイングパワーをｈす
る、種々の公知の蒸着システムの何れでもよい。固体金
属は電子線蒸発のような蒸発技術により蒸着できる。Ｊ
［金属固体材料（よ誘導又は抵抗蒸発等のＪ、うな従来
技術により蒸４できる。
材料が蒸着される限定されたスローイングパワーをｈす
る、種々の公知の蒸着システムの何れでもよい。固体金
属は電子線蒸発のような蒸発技術により蒸着できる。Ｊ
［金属固体材料（よ誘導又は抵抗蒸発等のＪ、うな従来
技術により蒸４できる。
パターン材料蒸着が完了した時に、物品７２は第５図に
示すものに類似した高山を有し、そこではパターン材料
７４は蒸＠流に直角ぐある銅マスク７０の表面上に蒸着
されている。マスク７０の垂直壁のかなりの部分はパタ
ーン材料７４の積重げにより塞がれているが、マスクの
ＩＱ ＮＳに近い銅マスク７０の一部は塞がれずかつ露
出したままでありマスク特有の除去剤による続く攻撃を
許す。
示すものに類似した高山を有し、そこではパターン材料
７４は蒸＠流に直角ぐある銅マスク７０の表面上に蒸着
されている。マスク７０の垂直壁のかなりの部分はパタ
ーン材料７４の積重げにより塞がれているが、マスクの
ＩＱ ＮＳに近い銅マスク７０の一部は塞がれずかつ露
出したままでありマスク特有の除去剤による続く攻撃を
許す。
パターン蒸着優に、このマスク材料７０．５６を工程２
５に示すように除去できる。代表的には、このマスク材
料７０．５８はエツチング可能な金属でありそして化学
的エツチング、例えば、銅に対してＶｌａＦＩｉ、即ち
マスク材料７０に対して特有なものにより除去でき、パ
ターン材料７４を決った場所に残す。
５に示すように除去できる。代表的には、このマスク材
料７０．５８はエツチング可能な金属でありそして化学
的エツチング、例えば、銅に対してＶｌａＦＩｉ、即ち
マスク材料７０に対して特有なものにより除去でき、パ
ターン材料７４を決った場所に残す。
基材プライマー５４を使用した場合には（第２図を見よ
）その除去は工程２７で起こる。このブライマー層を除
去するため使用する化学品はパターン材料を攻撃しては
ならない。パターン化製品７６の断面を第６図に示し、
ここでボイドにより分離されたままのパターン材料７４
の垂直エツジ７８がマスク材料の除去により残る。
）その除去は工程２７で起こる。このブライマー層を除
去するため使用する化学品はパターン材料を攻撃しては
ならない。パターン化製品７６の断面を第６図に示し、
ここでボイドにより分離されたままのパターン材料７４
の垂直エツジ７８がマスク材料の除去により残る。
パターン化物品８の上面図を第８図に示し、ここではパ
ターン材料７４はパターン材料７４のエツジ７８により
形成された、正確に調節された空間により分離される種
々のパターンで示される。
ターン材料７４はパターン材料７４のエツジ７８により
形成された、正確に調節された空間により分離される種
々のパターンで示される。
これらの空間の幅と精度はステンシル６０を調製するた
め利用し得る技術、過剰のマスク高さにより引起こされ
るシャドー効果の抑制、エツチング材料の適正な選択、
エツチング条件等により指定される。
め利用し得る技術、過剰のマスク高さにより引起こされ
るシャドー効果の抑制、エツチング材料の適正な選択、
エツチング条件等により指定される。
第１図に示１１程の位＠２９−ぐ、パターン化物品上で
多くの変換操作を行なうことかぐきる。例えば、物品を
種々の形状に切断し、スリットシ又はパンチできる。保
護又は接着材料の層８２を加えて汚染を阻止し又は別の
材料の結合をＨ’） ！Ｊ−０最終に意図する適用に応
じてこの可撓性パターン化物品をＩＬｊ−ル、積重ね、
積層等を１１なう。接着層は第７図に示すようにレリー
ズライナー８４をｔｌしてもよい。
多くの変換操作を行なうことかぐきる。例えば、物品を
種々の形状に切断し、スリットシ又はパンチできる。保
護又は接着材料の層８２を加えて汚染を阻止し又は別の
材料の結合をＨ’） ！Ｊ−０最終に意図する適用に応
じてこの可撓性パターン化物品をＩＬｊ−ル、積重ね、
積層等を１１なう。接着層は第７図に示すようにレリー
ズライナー８４をｔｌしてもよい。
本発明のパターン化物品は種々の装飾的又は電気的適用
、例えば印刷回路板等に有用性があり、そこではパター
ンはカーボン、エツチングが困難な超伝導材料の伝導性
パターンを含む。
、例えば印刷回路板等に有用性があり、そこではパター
ンはカーボン、エツチングが困難な超伝導材料の伝導性
パターンを含む。
本発明の別の具体例では、第１に示した方法を変型して
パターン材料の粒子の正確に成形された小片を供するこ
とができる。更に特に、パターン化法を第１図に示すよ
うに実施したが、ただし突出するマスク材料７０の下に
は直接にないマスク材料５６の一部（第２図〜第５図を
見よ）を除去する工程２１で通常に行なわれるフラッシ
ュエツチング工程が省略される。
パターン材料の粒子の正確に成形された小片を供するこ
とができる。更に特に、パターン化法を第１図に示すよ
うに実施したが、ただし突出するマスク材料７０の下に
は直接にないマスク材料５６の一部（第２図〜第５図を
見よ）を除去する工程２１で通常に行なわれるフラッシ
ュエツチング工程が省略される。
この工程を省略する結果として、パターン材料７４はマ
スクサブ１１５６の上部の上に蒸着される。
スクサブ１１５６の上部の上に蒸着される。
結果的に、マスク材料７０の続くエツチングが起こる時
には、第１図の位１１２５に示すように、パターン材料
７４下の銅サブ層５６がまた付着されそしてパターン材
料７４はサブ［１５２から放出される。パターン材料７
４が不連続な島の形状である場合には、パターン材料の
小片又は粒子が得られる。これらは長い糸、矩形、円形
又他の望ましい幾何学的形状でよく、そしてＴａ１ｔｔ
記の方法におけるように材料の一つ又はそれ以上の層を
含むことができる。粒子の寸法分布は使用したパターン
により調節できる。粒子の混合物は非常に狭くかつ均一
な分布から非常に広い粒度分布の粒径の分布を有するこ
とができる。粒子内の複層の厚さは、使用される場合に
は、また１ｇ１ｉａｒきる。
には、第１図の位１１２５に示すように、パターン材料
７４下の銅サブ層５６がまた付着されそしてパターン材
料７４はサブ［１５２から放出される。パターン材料７
４が不連続な島の形状である場合には、パターン材料の
小片又は粒子が得られる。これらは長い糸、矩形、円形
又他の望ましい幾何学的形状でよく、そしてＴａ１ｔｔ
記の方法におけるように材料の一つ又はそれ以上の層を
含むことができる。粒子の寸法分布は使用したパターン
により調節できる。粒子の混合物は非常に狭くかつ均一
な分布から非常に広い粒度分布の粒径の分布を有するこ
とができる。粒子内の複層の厚さは、使用される場合に
は、また１ｇ１ｉａｒきる。
このように得られた小片又は粒子は単一で又は他の材料
とのＵ合物で有用である。例えば、これらを種々のビヒ
クル又はマトリックスに配合して補強組成プラスチック
、コーティング、塗料等を供することができる。別法と
して、これらをその組成に応じて研摩材又は光学的機能
性材料として有用である。
とのＵ合物で有用である。例えば、これらを種々のビヒ
クル又はマトリックスに配合して補強組成プラスチック
、コーティング、塗料等を供することができる。別法と
して、これらをその組成に応じて研摩材又は光学的機能
性材料として有用である。
本発明をむしろ特定の材料に関連して前記に説明した。
しかしながら、別法は本開示を知った時本発明に関係す
る当業者には容易に明らかであろう。
る当業者には容易に明らかであろう。
舅
本発明の実施を例示するために、印刷回路デバイスを作
る。このデバイスを作るために、可撓性ポリイミドフィ
ルム（ｋａｐｔＯｎ、デュポン）の−表面にスパッタ蒸
着により銅を被覆した。厚さ０．５ミル（１３μｍ）の
ポジ作用フォトレジストの層を銅コーテイングに積層し
た。ステンシルとして印刷回路ネガを使用して、このフ
ォトレジストを露出しそして現像した。
る。このデバイスを作るために、可撓性ポリイミドフィ
ルム（ｋａｐｔＯｎ、デュポン）の−表面にスパッタ蒸
着により銅を被覆した。厚さ０．５ミル（１３μｍ）の
ポジ作用フォトレジストの層を銅コーテイングに積層し
た。ステンシルとして印刷回路ネガを使用して、このフ
ォトレジストを露出しそして現像した。
フォトレジスト材料が現像により除去された区域には、
銅を電気めっきして約０．５ミル（１３μｍ）以下の高
さを有するマスクを供する。次に残りのフォトレジスト
を除去しそのｌ／ジクロム酸カリウムエッチを使用して
試料にフラッシュ１ツヂングを行なって非マスク区域の
銅フィルムを除去した。
銅を電気めっきして約０．５ミル（１３μｍ）以下の高
さを有するマスクを供する。次に残りのフォトレジスト
を除去しそのｌ／ジクロム酸カリウムエッチを使用して
試料にフラッシュ１ツヂングを行なって非マスク区域の
銅フィルムを除去した。
次にこのマスクされたフィルムを真空室に入れそして数
自オングストロームのカーボンで被覆した。次に硫ＩＩ
／ジク０ム酸カリウムエッチを使用してこの銅マスク材
料をエツチングしエポリイミド塁材上にカーボンの印刷
回路パターンを残した。
自オングストロームのカーボンで被覆した。次に硫ＩＩ
／ジク０ム酸カリウムエッチを使用してこの銅マスク材
料をエツチングしエポリイミド塁材上にカーボンの印刷
回路パターンを残した。
である。
第９図は本発明で有用なパターン蒸ＩＩ装置の略示図で
ある。
ある。
Claims (12)
- （１）可撓性、シート状基材を配置しかつこのシートの
一つの主要表面の少なくとも一部分に前記のシートの前
記の表面に大体垂直の物理的突出部を形成する第一のエ
ッチング可能なマスク材料を結合すること； マスクされた区域の少なくとも一部の上に前記の第一の
材料と化学的に異なる第二のパターン材料を蒸着するこ
と、ここにこの第二のパターン材料は主として前記の露
出された基質上に蒸着されそして前記の基質の前記の主
要な表面に対して平行である表面をマスクすること； 前記のマスク材料が完全に被覆されず又は密封されない
ように前記の蒸着を調節すること；そして 前記の第一のマスク材料を選択的にエッチングするため
に化学剤を適用し、これによって前記の第二の材料のパ
ターンが基材上に残ること、の諸工程を含む可撓性基材
上にパターン化蒸着物を製造する方法。 - （２）前記の蒸着が連続的でありそして蒸着ステーショ
ンを通して前記の基材を連続的に移動することによって
行なわれる、請求項（１）による方法。 - （３）前記の第二の材料が電導性、磁性及び絶縁性材料
から選択される材料である、請求項（１）による方法。 - （４）前記の第二のパターン材料が少なくとも一つの一
が少なくとも一つの他の層とは化学的に異なる複一を含
む、請求項（１）による方法。 - （５）基材を配置かつこの基材の少なくとも一部に、そ
の一部が前記の基材の表面に垂直に物理的突出部を形成
する第一のエッチング可能なマスク材料を被覆すること
； このマスクされた区域の少なくとも一部の上に前記の第
一のマスク材料とは化学的に異なる第二のパターン材料
を蒸着すること、ここにこの第二のパターン材料の前記
の基材の表面に平行である前記の第一の材料の上に主と
して蒸着されること；前記のマスク材料のすべてが完全
に被覆される前に前記の蒸着を中断すること；そして 前記のパターン材料の下の前記の第一のマスク材料を選
択的にエッチングするために化学剤を適用し、これによ
って前記のパターン材料の小片が前記の基材から放出さ
れること； の諸工程を含む、予め選択されたパターンに対応する形
状を有する物品を製造する方法。 - （６）前記のパターン材料が材料の不連続な島として蒸
着される、請求項（５）による方法。 - （７）前記のパターン小片が前記のエッチング材料と前
記の基材から分離されそして共に回収される、請求項（
５）による方法。 - （８）前記の回収された小片が液体ビヒクルに分散され
る、請求項（７）による方法。 - （９）前記の回収された小片が重合体樹脂に分散される
、請求項（７）による方法。 - （１０）請求項（１）の方法によって製造された製品。
- （１１）請求項（８）の方法によって製造された製品。
- （１２）請求項（９）の方法によって製造された製品。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US281655 | 1981-07-09 | ||
| US07/281,655 US4964945A (en) | 1988-12-09 | 1988-12-09 | Lift off patterning process on a flexible substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260492A true JPH02260492A (ja) | 1990-10-23 |
| JP2744826B2 JP2744826B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=23078237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1320408A Expired - Lifetime JP2744826B2 (ja) | 1988-12-09 | 1989-12-08 | パターン化法及び製品 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4964945A (ja) |
| JP (1) | JP2744826B2 (ja) |
| KR (1) | KR0169959B1 (ja) |
| CA (1) | CA2002736A1 (ja) |
| DE (1) | DE3940087A1 (ja) |
| GB (1) | GB2228372B (ja) |
| MY (1) | MY104668A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221228B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-04-24 | Seiko Instruments Inc. | Part fabricating method and part fabricating apparatus |
Families Citing this family (80)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0428357B1 (en) * | 1989-11-13 | 1996-04-03 | Fujitsu Limited | Josephson junction apparatus |
| US5196395A (en) * | 1991-03-04 | 1993-03-23 | Superconductor Technologies, Inc. | Method for producing crystallographic boundary junctions in oxide superconducting thin films |
| US5246538A (en) * | 1991-09-16 | 1993-09-21 | Phillips Petroleum Company | Adhesive bonding of poly(arylene sulfide) surfaces |
| JPH05129760A (ja) * | 1991-11-06 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | 導体パターンの形成方法 |
| US5362534A (en) * | 1993-08-23 | 1994-11-08 | Parlex Corporation | Multiple layer printed circuit boards and method of manufacture |
| US5376232A (en) * | 1993-08-23 | 1994-12-27 | Parlex Corporation | Method of manufacturing a printed circuit board |
| US5522963A (en) * | 1994-05-31 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Method for machining and depositing metallurgy on ceramic layers |
| KR100427708B1 (ko) * | 1994-11-18 | 2004-07-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치용기판부재제작방법과제작장치 |
| US5814567A (en) * | 1996-06-14 | 1998-09-29 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Durable hydrophilic coating for a porous hydrophobic substrate |
| US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
| EP1303792B1 (en) * | 2000-07-16 | 2012-10-03 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High-resolution overlay alignement methods and systems for imprint lithography |
| JP4740518B2 (ja) | 2000-07-17 | 2011-08-03 | ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム | 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム |
| KR20030040378A (ko) | 2000-08-01 | 2003-05-22 | 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 임프린트 리소그래피를 위한 투명한 템플릿과 기판사이의고정확성 갭 및 방향설정 감지 방법 |
| EP1390975A2 (en) | 2000-08-21 | 2004-02-25 | The Board Of Regents, The University Of Texas System | Flexure based translation stage |
| AU2001297642A1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-09-04 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
| US6964793B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
| WO2003048726A2 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-12 | Tracking Technology Inc. | Taggants for products and method of taggant identification |
| AU2003245876A1 (en) * | 2002-04-15 | 2003-10-27 | Schott Ag | Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby |
| US7037639B2 (en) | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
| US6926929B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-08-09 | Molecular Imprints, Inc. | System and method for dispensing liquids |
| US6900881B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
| US6932934B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
| US7019819B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system for modulating shapes of substrates |
| US6908861B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-06-21 | Molecular Imprints, Inc. | Method for imprint lithography using an electric field |
| US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US7070405B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
| US7027156B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
| US6916584B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
| US7071088B2 (en) | 2002-08-23 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fabricating bulbous-shaped vias |
| US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US6980282B2 (en) | 2002-12-11 | 2005-12-27 | Molecular Imprints, Inc. | Method for modulating shapes of substrates |
| US6929762B2 (en) | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| US6871558B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| US7452574B2 (en) | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
| US20040175843A1 (en) * | 2003-03-04 | 2004-09-09 | Roitman Daniel B. | Near-field and far-field encoding and shaping of microbeads for bioassays |
| US20040175842A1 (en) * | 2003-03-04 | 2004-09-09 | Roitman Daniel B. | Near-field and far-field encoding of microbeads for bioassays |
| US7122079B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7179396B2 (en) | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
| US7396475B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
| US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| US7136150B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
| US7090716B2 (en) | 2003-10-02 | 2006-08-15 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
| US8211214B2 (en) | 2003-10-02 | 2012-07-03 | Molecular Imprints, Inc. | Single phase fluid imprint lithography method |
| KR20120105062A (ko) | 2003-12-19 | 2012-09-24 | 더 유니버시티 오브 노쓰 캐롤라이나 엣 채플 힐 | 소프트 또는 임프린트 리소그래피를 이용하여 분리된 마이크로- 및 나노- 구조를 제작하는 방법 |
| US9040090B2 (en) * | 2003-12-19 | 2015-05-26 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof |
| US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| EP1912755A1 (en) | 2005-08-12 | 2008-04-23 | Dunwilco (1198) Limited | Process for producing metal flakes |
| US7745092B2 (en) * | 2005-09-13 | 2010-06-29 | Affymetrix, Inc. | Multiple step printing methods for microbarcodes |
| US8178278B2 (en) * | 2005-09-13 | 2012-05-15 | Affymetrix, Inc. | Miniaturized microparticles |
| KR20070047114A (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-04 | 주식회사 엘지화학 | 플렉서블 기판을 구비한 소자의 제조방법 및 이에 의해제조된 플렉서블 기판을 구비한 소자 |
| US7906058B2 (en) | 2005-12-01 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Bifurcated contact printing technique |
| US7803308B2 (en) | 2005-12-01 | 2010-09-28 | Molecular Imprints, Inc. | Technique for separating a mold from solidified imprinting material |
| CN104317161A (zh) | 2005-12-08 | 2015-01-28 | 分子制模股份有限公司 | 用于衬底双面图案形成的方法和系统 |
| US7670530B2 (en) | 2006-01-20 | 2010-03-02 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning substrates employing multiple chucks |
| KR100650869B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2006-11-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 ｓｔｉ 형성 방법 |
| US8033450B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-11 | Smi Holdings, Inc. | Expression codes for microparticle marks based on signature strings |
| US7749396B2 (en) * | 2006-03-24 | 2010-07-06 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of manufacturing fine features for thin film transistors |
| US7524768B2 (en) * | 2006-03-24 | 2009-04-28 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method using monolayer etch masks in combination with printed masks |
| US7802978B2 (en) | 2006-04-03 | 2010-09-28 | Molecular Imprints, Inc. | Imprinting of partial fields at the edge of the wafer |
| US8850980B2 (en) | 2006-04-03 | 2014-10-07 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Tessellated patterns in imprint lithography |
| US8142850B2 (en) | 2006-04-03 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times |
| KR20090003153A (ko) | 2006-04-03 | 2009-01-09 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 다수의 필드와 정렬 마크를 갖는 기판을 동시에 패턴화하는방법 |
| US7547398B2 (en) | 2006-04-18 | 2009-06-16 | Molecular Imprints, Inc. | Self-aligned process for fabricating imprint templates containing variously etched features |
| US8012395B2 (en) | 2006-04-18 | 2011-09-06 | Molecular Imprints, Inc. | Template having alignment marks formed of contrast material |
| US20080181958A1 (en) * | 2006-06-19 | 2008-07-31 | Rothrock Ginger D | Nanoparticle fabrication methods, systems, and materials |
| GB2440140A (en) * | 2006-07-17 | 2008-01-23 | Dunwilco | Method of making flakes |
| CA2669540A1 (en) * | 2006-11-14 | 2008-07-17 | Contra Vision Ltd. | Improvements to printing superimposed layers |
| US20100151031A1 (en) * | 2007-03-23 | 2010-06-17 | Desimone Joseph M | Discrete size and shape specific organic nanoparticles designed to elicit an immune response |
| WO2011093888A1 (en) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Hewlett-Packard Development Company L.P. | Optical sensor networks and methods for fabricating the same |
| US10158061B2 (en) * | 2013-11-12 | 2018-12-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc | Integrated superconductor device and method of fabrication |
| US9947441B2 (en) | 2013-11-12 | 2018-04-17 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Integrated superconductor device and method of fabrication |
| WO2015123668A1 (en) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | University Of Southern California | Hybrid-based cancellation in presence of antenna mismatch |
| US10581650B2 (en) | 2015-09-08 | 2020-03-03 | Qorvo Us, Inc. | Enhancing isolation in radio frequency multiplexers |
| US9866201B2 (en) | 2015-09-08 | 2018-01-09 | Abtum Inc. | All-acoustic duplexers using directional couplers |
| US9912326B2 (en) | 2015-09-08 | 2018-03-06 | Abtum Inc. | Method for tuning feed-forward canceller |
| US10038458B2 (en) | 2015-10-06 | 2018-07-31 | Abtum Inc. | Reflection-based radio-frequency multiplexers |
| US10476530B2 (en) | 2015-10-12 | 2019-11-12 | Qorvo Us, Inc. | Hybrid-coupler-based radio frequency multiplexers |
| WO2018057725A1 (en) | 2016-09-21 | 2018-03-29 | Abtum Inc. | Enhancing isolation in hybrid-based radio frequency duplexers and multiplexers |
| US11124659B2 (en) * | 2018-01-30 | 2021-09-21 | Lam Research Corporation | Method to selectively pattern a surface for plasma resistant coat applications |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3192136A (en) * | 1962-09-14 | 1965-06-29 | Sperry Rand Corp | Method of preparing precision screens |
| US3499956A (en) * | 1965-03-22 | 1970-03-10 | Johns Manville | Process for making thermoplastic decorative covering material |
| US3540047A (en) * | 1968-07-15 | 1970-11-10 | Conductron Corp | Thin film magnetodielectric materials |
| FR2029413A1 (en) * | 1969-01-29 | 1970-10-23 | Comp Generale Electricite | Making integrated silicon semiconductors |
| US3526573A (en) * | 1969-06-11 | 1970-09-01 | Westinghouse Electric Corp | Flexible flame retardant foil-clad laminates |
| US3728177A (en) * | 1970-07-30 | 1973-04-17 | Olin Corp | Method of producing a flexible laminate copper circuit |
| US3846118A (en) * | 1971-03-24 | 1974-11-05 | Graham Magnetics Inc | Process for making small particles |
| US3988494A (en) * | 1972-04-10 | 1976-10-26 | Mobil Oil Corporation | Metallizing coating compositions |
| US3799777A (en) * | 1972-06-20 | 1974-03-26 | Westinghouse Electric Corp | Micro-miniature electronic components by double rejection |
| US4053433A (en) * | 1975-02-19 | 1977-10-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of tagging with color-coded microparticles |
| CA1056653A (en) * | 1975-11-10 | 1979-06-19 | Edward J. Stevens | Color-coded identifier microparticles |
| JPS5358224A (en) * | 1976-11-05 | 1978-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Composite diaphragm for speakers |
| JPS5496775A (en) * | 1978-01-17 | 1979-07-31 | Hitachi Ltd | Method of forming circuit |
| JPS6019608B2 (ja) * | 1978-10-03 | 1985-05-17 | シャープ株式会社 | 電極パタ−ン形成方法 |
| US4390452A (en) * | 1979-08-20 | 1983-06-28 | Minnesota Mining & Manufacturing Company | Microparticles with visual identifying means |
| JPS5669835A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-11 | Japan Electronic Ind Dev Assoc<Jeida> | Method for forming thin film pattern |
| DE3204425A1 (de) * | 1982-02-09 | 1983-08-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung freitragender metallgitterstrukturen |
| US4621030A (en) * | 1982-07-19 | 1986-11-04 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
| US4474845A (en) * | 1982-08-26 | 1984-10-02 | General Motors Corporation | Compacted sheet molding compound |
| JPS59215790A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-05 | マルイ工業株式会社 | 印刷回路板の製造法 |
| JPS59229727A (ja) * | 1983-06-09 | 1984-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の微細加工法 |
| US4606788A (en) * | 1984-04-12 | 1986-08-19 | Moran Peter L | Methods of and apparatus for forming conductive patterns on a substrate |
| US4568529A (en) * | 1984-09-21 | 1986-02-04 | Thermo-Formage Mediterraneen | Thermoplastic composite material for the preparation of moulded objects, particularly by injection, and a process for making same |
| US4698021A (en) * | 1985-01-11 | 1987-10-06 | Itzhak Shoher | Metal foil for forming a dental coping and crown |
| JPS61242044A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6260662A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-17 | Alps Electric Co Ltd | サ−マルヘツドの製造方法 |
| GB8610024D0 (en) * | 1986-04-24 | 1986-05-29 | Unilever Plc | Porous structures |
| US4711814A (en) * | 1986-06-19 | 1987-12-08 | Teichmann Robert J | Nickel particle plating system |
| JPH01502228A (ja) * | 1987-02-05 | 1989-08-03 | ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー | 厚い金属回路パターンを備えた基板クラッディング |
| US4849284A (en) * | 1987-02-17 | 1989-07-18 | Rogers Corporation | Electrical substrate material |
| US4816347A (en) * | 1987-05-29 | 1989-03-28 | Avco Lycoming/Subsidiary Of Textron, Inc. | Hybrid titanium alloy matrix composites |
| ES2040343T3 (es) * | 1987-06-08 | 1993-10-16 | Esselte Meto International Gmbh | Dispositivos magneticos. |
| US4877689A (en) * | 1988-09-30 | 1989-10-31 | United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration | High temperature insulation barrier composite |
-
1988
- 1988-12-09 US US07/281,655 patent/US4964945A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-11-10 CA CA002002736A patent/CA2002736A1/en not_active Abandoned
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- 1989-12-08 KR KR1019890018260A patent/KR0169959B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-12-08 JP JP1320408A patent/JP2744826B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-09-14 US US07/944,716 patent/US5294476A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221228B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-04-24 | Seiko Instruments Inc. | Part fabricating method and part fabricating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0169959B1 (ko) | 1999-05-01 |
| DE3940087A1 (de) | 1990-06-13 |
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| US5294476A (en) | 1994-03-15 |
| US4964945A (en) | 1990-10-23 |
| GB2228372B (en) | 1993-06-23 |
| JP2744826B2 (ja) | 1998-04-28 |
| GB2228372A (en) | 1990-08-22 |
| GB8926659D0 (en) | 1990-01-17 |
| CA2002736A1 (en) | 1990-06-09 |
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