JPH01502228A - 厚い金属回路パターンを備えた基板クラッディング - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 厚い金属回路パターンを備えた基板クラツディング発明の背景 本発明は絶縁基板上に回路を形成するための方法に関するものであり、特にライ ン間の電気的ショートがない２ミル以下の幅の回路ラインを形成するための方法 に関するものである。

電子装置における相互結合の大きさの減少は、特に高い密度の電子パッケージに 関して、より狭いリードとそのリード間のより狭い中心−中心間隔を与え、従っ て多層プリントワイヤ板の大きさ、重さ、費用および数を減少するように努力が 注がれている。もしサイズの縮小および結果として生じる支持体間のより短いス パンが適切に影響されることによって可能であるような電子装置へより大きな耐 衝撃性と耐振動性を与えることが目的とされている。

従来の印刷回路板は、ポリイミド、エポキシ、およびその組合わせのようなポリ マガラスの“Ｂ段階”基板へ積層される１以上のロールにされたまたは電子めっ きされた銅シートから製造される。最も薄い銅シートは通常１／２オンスまたは ０．７ミルの厚さである。現在利用できる技術、即ちレジスト、パターンニング およびエツチング技術からその最も狭いラインの間隔は５ミルであり、各々、ラ インの長さは５インチ以下であり、高価な回路を結果として生じる。実験室状態 下で、２乃至３ミルの間隔およびライン幅を有するより短いラインが得られるこ とができる。しかしながら、もし１７２オンスの銅が、例えば多層板の外面上に 用いられるなら、そのバイアスは１ミルの厚さの銅によってめっきされ、外面上 の最初の１／２オンスの銅は１．７乃至２ミルの銅となる。５ミルの広さのライ ンをエツチングすることは試行錯誤でのみ達成され、２乃至３ミルより小さい幅 を得ることは更に困難である。

一般に銅の厚さが増加するにつれて、エツチング要素、乾燥フィルムレジスト混 濁、即ちフィルム中の照射光回折、およびアートワークラインの物理的分離等に 伴う問題が増加する。

発明の概要 これらの問題および欠点は、本発明において、回路が絶縁基板の表面へオングス トロームの厚さの金属部分を付着させることによって表面上に形成され、回路の フォトレジストパターンを経て金属部分上に導電性材料を置き、基板からレジス トパターンを剥がし、導電性材料の回路によって被覆されていない金属部分を除 去することによって表面上に形成される。

いくつかの利点がこの方法から得られる。狭いラインおよびこのライン間の接近 した中心−中心間隔と多層印刷回路板における層の数の減少は印刷回路板の減少 された大きさのため電子パッケージにおける高い密度を結果として生じ、従って このような板の重量および費用を低くする。板における板のための支持体間のよ り短いスパンのため、衝撃および振動に対する抵抗が高められる。

その他の目的および利点は、本発明の更に完全な理解と同様に、以下の例示的実 施例および添付図面の説明から明らか第１図は処理において１表面がエツチング されるような印刷回路板のための基板の断面の図である。

第２図はエツチングされた表面上の金属部分のオングストロームの厚さの層の配 置を示す。

第３図は回路形成の微小ライン部分のフォトレジストパターンを示す。

第４図は回路の微小ラインを定めるレジストパターン開口へ付着された金属を示 す。

第５図はレジストパターンの剥ぎ取りに続く印刷回路板の図である。

第６図は金属部分の除去に続き、レジストとして微小ライン回路を使用する完成 した印刷回路板を示す。

好ましい実施例の詳細な説明 第１図を参照すると、ポリマー材料、ポリイミドガラスまたはエポキシガラスか らできているような基板ｌＯがエツチングされたそれの１表面１２を有すること が示されている。エツチングは矢印１４で表されるように、通常の方法で、次の 金属化の接着のための表面を与えるために酸素プラズマエツチングによって行わ れることが好ましい。

第２図に示されるように、それから金属部分１６が基板への最適な接着を確かに するためエツチングされた基板１２上ヘスバツタあるいは真空付着またはその他 適切な方法で付着される。具体的な実施例において、チタンおよびクロムは約２ ５０乃至５００オングストロームの厚さで表面１２上に付着され、金および銅は １，０００乃至２０，０００オングストロームの各厚さでクロムおよびチタン上 へ付着された。この合成物の厚さは続く処理の悪影響に耐えるように選択される 。

スパッタされた金属表面はそれからそれが“ウォーター・ブレイク・フリー即ち 水の流れを妨げるようなものが金属部分１６上にないように清浄にされる。処理 中の作業はそれから例えば華氏１５０乃至２００度でオーブン内で乾燥され暖め られる。

乾燥フィルムレジスト１８、例えば“Ｒ１５ｔｏｎ＝　（Ｅ、　Ｉ。

Ｄｕｐｏｎｔ　ｄｅ　Ｎｅｍｏｕｒｓ　ａｎｄ　ＣｏＩＩｐａｎｙの商標）およ び”Ｌａｍ１ｎａｒ”（Ｄｙｎａｃｈｅａ　Ｃｏｒｐｏｒｒａｔｉｏｎの商標） が金属部分上に置かれる。

所望されるなら、液体レジストが用いられても良いが、しかしながら所望される より大きな厚さを与えるためには乾燥フィルムが望ましく、このような厚さは一 般に０．５乃至１．５ミルである。使用されるレジストの種類は所望される回路 ラインの厚さに依存する。所望された回路を定めるネガがレジストの上に置かれ 露光される。レジスト部分は所望された電子回路を定めるパターン２０（第３図 参照）へとレジストを形成するように除去され、開口２２はパターンの一部を構 成する。前記レジスト処理手続の全ては従来の技術に従う。

第４図に示されるように、所望された回路を形成する金属２４がそれから、好ま しくは通常の電気めっき技術によって、例えば０．５乃至１．５ミルの所望され る厚さで開口２２によって露出された金属部分１６上へ付着される。レジストパ ターン２０はそれから金属部分から剥がされる（第５図参照）。

金属２４をレジストとして使用するので、金属部分１６の保護されていない部分 は、第６図に示されるように、ライン間の電気的ショートを伴わずに、基板１０ 上にフリースタンディング電気線またはトレースを与えるように除去される。所 望されるなら、液体または乾燥フィルムレジストもまた付着された金属線を保護 するため、特に金属線および上記金属部分が同じ金属から成るとき使用される。

もし金属の“ブルーミング（ｂｌｏｏｍｉｎｇ）”または引伸しが避けられるな ら、付着された金属２４がレジストの高さを超えないことは必須である。

本発明は特定の実施例に関して説明されたけれども、様々な変化および修正が本 発明の技術的範囲から外れることなくなされても良い。

国際調査報告 ｍｕｍ４＋ＩＢ＋４＄４１１４Ｒ＋４・、ｐｃ’ｒｌｕｓ　８８１００１１６国 際調査報告 ＵＳ　８８００１１５ Ｓ＾　２０４９０

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）回路のフォトレジストパターンを経て表面へ導電性材料を付着し、 基板からレジストパターンを剥がし、 導電性材料の回路によって覆われていない金属部分を取除く過程を含む、絶縁基 板の表面上に回路を形成する方法。
2. （２）前記付着過程がオングストロームの厚さの金属部分を絶縁基板の表面へ付 着させる過程を含む請求項１記載の方法。
3. （３）後続する過程において金属部分を表面へ付着させるため基板表面をエッチ ングし、 金属層を表面へ付着させ、 金属層上にレジストを供給し、 回路のパターンをレジスト上へ置き、 パターンを経てレジストを部分的に露光し、このようにして露光されたレジスト を現像し、パターンに従う開口を定めるためレジストの一部分を取除き、 回路を形成するため開口内に導電材料を置き、基板からレジストを剥がし、 導電性材料の回路によって覆われていない金属層の部分を取除く過程を含む、絶 縁基板の表面上に回路を形成する方法。
4. （４）前記エッチング過程が基板の層を取除く過程を含む請求項３記載の方法。
5. （５）前記エッチング過程が酸素によって表面をプラズマエッチングする過程を 含む請求項３記載の方法。
6. （６）前記付着過程が金属部分をエッチングされた表面上へスパッタする過程を 含む請求項３記載の方法。
7. （７）前記スパッタ過程がチタンまたはクロムをエッチングされた表面上に約２ ５０乃至５００オングストロームの厚さにスパッタ付着し、金または銅をチタン またはクロム上に約１０００乃至２０００オングストロームの厚さにスパッタし て付着させる過程を含む請求項６記載の方法。
8. （８）前記付着過程が金属部分をエッチングされた表面上へ真空付着させる過程 を含む請求項７記載の方法。
9. （９）前記真空付着過程がチタンまたはクロムをエッチングされた表面上に約２ ５０乃至５００オングストロームの厚さに付着し、金または銅をチタンまたはク ロム上に各々約１，０００および２０，０００オングストロームの厚さに付着す る過程を含む請求項８記載の方法。
10. （１０）回路パターンが同じ幅の開口および導電性材料を与えるため幅が３ミル 以下であるラインを有する請求項３記載の方法。
11. （１１）前記レジスト付着過程が同じ高さの導電性材料を与えるため少なくとも １ミルの厚さのレジストを形成する過程を含む請求項１０記載の方法。
12. （１２）金属層および導電性材料が異なる金属を含み、前記金属層除去過程が導 電性材料をレジストとして使用する過程を含む請求項３記載の方法。