JPS61127874A - 微細金形状形成方法 - Google Patents
微細金形状形成方法Info
- Publication number
- JPS61127874A JPS61127874A JP24713384A JP24713384A JPS61127874A JP S61127874 A JPS61127874 A JP S61127874A JP 24713384 A JP24713384 A JP 24713384A JP 24713384 A JP24713384 A JP 24713384A JP S61127874 A JPS61127874 A JP S61127874A
- Authority
- JP
- Japan
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- gold
- shape
- layer
- iodine
- fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、微細金形状の形成方法に関する。
（従来技術とその問題点）
金は展性に富み、化学的に安定な貴金属であって、導電
性も高いから、箔状やリボン状に加工されるなどして多
方面に利用されている。従来、金を箔やリボン状に加工
するには、金の展性を利用して、機械的に変形させる方
法が用いられてき念。
性も高いから、箔状やリボン状に加工されるなどして多
方面に利用されている。従来、金を箔やリボン状に加工
するには、金の展性を利用して、機械的に変形させる方
法が用いられてき念。
しかしながら、機械的な変形による加工では、例えば、
厚さ１μｍで直径１０μｍの星形の金箔の様な、厚さが
薄く、かつ均一で、任意の形状を有する金形状を製造す
ることは不可能である。
厚さ１μｍで直径１０μｍの星形の金箔の様な、厚さが
薄く、かつ均一で、任意の形状を有する金形状を製造す
ることは不可能である。
（発明の目的）
本発明は、均一な膜厚を有し、微細な任意形状の金箔を
形成する方法を提供することを目的とする。
形成する方法を提供することを目的とする。
（発明の構成）
本発明は、あらかじめ基板上に金よりイオン化傾向が高
くしかも沃素、沃化アルカリ塩、水及び水溶性有機溶媒
よりなる沃素溶液に可溶な金属層による形状を形成し、
次いで、金層を堆積させ、該、金層上でかつ平面的にみ
て前記金属層に含すれるようにレジスト形状を形成し、
該レジスト形状をマスクとして前記沃素溶液を用いてエ
ツチングを行ない、前記レジスト下の金を残してアルミ
ニウム層及び他の金層を除去することを特徴とする微細
金形状形成方法である。
くしかも沃素、沃化アルカリ塩、水及び水溶性有機溶媒
よりなる沃素溶液に可溶な金属層による形状を形成し、
次いで、金層を堆積させ、該、金層上でかつ平面的にみ
て前記金属層に含すれるようにレジスト形状を形成し、
該レジスト形状をマスクとして前記沃素溶液を用いてエ
ツチングを行ない、前記レジスト下の金を残してアルミ
ニウム層及び他の金層を除去することを特徴とする微細
金形状形成方法である。
本発明によれば、金箔の厚さは、金の堆積法で決まる均
一性を有する。また、金箔の形状はレジスト形状が転写
されるから、任意の微細形状に加工できる。その結果、
従来の機械的な変形加工では不可能であった、極薄で均
一な膜厚を有し、微細な任意形状の金箔を安定に製造す
ることが可能とがる。
一性を有する。また、金箔の形状はレジスト形状が転写
されるから、任意の微細形状に加工できる。その結果、
従来の機械的な変形加工では不可能であった、極薄で均
一な膜厚を有し、微細な任意形状の金箔を安定に製造す
ることが可能とがる。
（実施例）
以下図面に従って、本発明を説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）Ｈ１金箔裏造工程中の基板構造を
順次示す図である。
順次示す図である。
まず基板１の上にアルミニウム層による形状２を形成す
る。第１図（ａ）は、平面図を示し、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のＡ −Ａ’部の断面図を示している。
る。第１図（ａ）は、平面図を示し、第１図（ｂ）は第
１図（ａ）のＡ −Ａ’部の断面図を示している。
以下（ｄ） 、 （ｆ）においても同様にそれぞれ（ｃ
） 、 ｔｅｌのＡ−Ａ’部の断面図を示している。
） 、 ｔｅｌのＡ−Ａ’部の断面図を示している。
次にＴＣ） 、 （ｄｊ図に示すように金回に金層３を
堆積し、その上にレジスト形状いて、製造したい任意の
形状４を形成する。それにはまず、（ａｌ 、 （ｂ）
図の構造の基板上に金層３を堆積させ名。金層は、例え
ば、スパッター法や電子ビームによる蒸着で形成できる
。それゆえ、均一な膜厚を有する金層が形成できる。次
に、金層３の上に１任意の形状のレジストパターン４を
形成する。この工務では、集積回路の製造工程で用いら
れているフォ） ＋７ソグラフイ技術が利用できるから
、任意の微細形状を作成できる。その際に、（ｃ） 、
（ｄｊ図に示すように形成し念い任意の微細レジスト
形状４よりも大きなアルミニウム層による形状２をあら
かじめ形成しておくことが必要である。
堆積し、その上にレジスト形状いて、製造したい任意の
形状４を形成する。それにはまず、（ａｌ 、 （ｂ）
図の構造の基板上に金層３を堆積させ名。金層は、例え
ば、スパッター法や電子ビームによる蒸着で形成できる
。それゆえ、均一な膜厚を有する金層が形成できる。次
に、金層３の上に１任意の形状のレジストパターン４を
形成する。この工務では、集積回路の製造工程で用いら
れているフォ） ＋７ソグラフイ技術が利用できるから
、任意の微細形状を作成できる。その際に、（ｃ） 、
（ｄｊ図に示すように形成し念い任意の微細レジスト
形状４よりも大きなアルミニウム層による形状２をあら
かじめ形成しておくことが必要である。
その後、沃素溶液でエツチングを行なう。本実施例では
沃化アルカリ塩として沃化アンモニウム、水溶性有機溶
媒としてアルコールを用いる。（ｅ）。
沃化アルカリ塩として沃化アンモニウム、水溶性有機溶
媒としてアルコールを用いる。（ｅ）。
（ｆ）図は、金エツチング後の基板構造を示している。
通常、沃素溶液では、金はエツチングされるがアルミニ
ウム＃′ｉはとんどエツチングされ々い。しかし、沃素
溶液に、金とアルミニウムが接触した状態で触れると、
アルミニウムは金に比較し、電気化学的に卑であるから
、アルミニウムのエツチングが非常に促進される。その
念め、（ｃｌ 、 （ｄ１図のような構造の基板を沃素
溶液でエツチングすると、（ｅｌ 、 （ｆｌ図のよう
に、均一な厚さ合宿する任意形状の金箔の形成と、（ｃ
ｌ 、 （ｄ）図におけるアルミニウム層２を溶解でき
る。そこで、任意形状の金箔の形成と金箔の基板１から
の剥離を同時に行々うことが可能と々る。本実施例では
金よりイオン化傾向の高いしかも沃素溶液に可溶か金属
としてアルミを用いたがチタン等でもよい。
ウム＃′ｉはとんどエツチングされ々い。しかし、沃素
溶液に、金とアルミニウムが接触した状態で触れると、
アルミニウムは金に比較し、電気化学的に卑であるから
、アルミニウムのエツチングが非常に促進される。その
念め、（ｃｌ 、 （ｄ１図のような構造の基板を沃素
溶液でエツチングすると、（ｅｌ 、 （ｆｌ図のよう
に、均一な厚さ合宿する任意形状の金箔の形成と、（ｃ
ｌ 、 （ｄ）図におけるアルミニウム層２を溶解でき
る。そこで、任意形状の金箔の形成と金箔の基板１から
の剥離を同時に行々うことが可能と々る。本実施例では
金よりイオン化傾向の高いしかも沃素溶液に可溶か金属
としてアルミを用いたがチタン等でもよい。
（発明の効果）
本発明は、機械的な変形による加工法ではない。
その念め、任意形状を有し、均一な厚さを有する極薄の
金箔を安定して製造できる。任意形状の作成には集積回
路の製造工程と同じレジスト工程を使うことができるた
め、微細な任意形状をつくることが可能である。また、
金の堆積法として、スパッター法や電子ビーム蒸着法を
用いれば、１μｍ程変０膜厚でも簡単に均一な金箔を製
造することが可能となる。
金箔を安定して製造できる。任意形状の作成には集積回
路の製造工程と同じレジスト工程を使うことができるた
め、微細な任意形状をつくることが可能である。また、
金の堆積法として、スパッター法や電子ビーム蒸着法を
用いれば、１μｍ程変０膜厚でも簡単に均一な金箔を製
造することが可能となる。
第１図（ａｌ〜（ｆｌは、金箔製造工程中の基板構造を
示す図で、（ａｌ 、 （ｃｌ 、 （ｅ）は平面図、
（ｂ） 、 （ｄ） 、 （ｆ）は断面図。図中１は基
板、２はアルミニウム層、３は金層、４はレジストパタ
ーンである。 、 パ］ ＼ 代７人グ「−７士内原 晋 １、−１−二一一 ２、 ＡＬ （ｂ） 亭 １ 図 ４、レレ又１− Ｚ、ＡＬ ３，４酬（Ｃ）
示す図で、（ａｌ 、 （ｃｌ 、 （ｅ）は平面図、
（ｂ） 、 （ｄ） 、 （ｆ）は断面図。図中１は基
板、２はアルミニウム層、３は金層、４はレジストパタ
ーンである。 、 パ］ ＼ 代７人グ「−７士内原 晋 １、−１−二一一 ２、 ＡＬ （ｂ） 亭 １ 図 ４、レレ又１− Ｚ、ＡＬ ３，４酬（Ｃ）
Claims (1)
- あらかじめ基板上に金よりイオン化傾向が高くしかも沃
素、沃化アルカリ塩、水及び水溶性有機溶媒よりなる沃
素溶液に可溶な金属層による形状を形成し、次いで、金
層を堆積させ、該、金層上でかつ平面的にみて前記金属
層に含まれるようにレジスト形状を形成し、該レジスト
形状をマスクとして前記沃素溶液を用いてエッチングを
行ない、前記レジスト下の金を残してアルミニウム層及
び他の金層を除去することを特徴とする微細金形状形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24713384A JPS61127874A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 微細金形状形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24713384A JPS61127874A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 微細金形状形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61127874A true JPS61127874A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17158921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24713384A Pending JPS61127874A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 微細金形状形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61127874A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030043755A (ko) * | 2001-11-28 | 2003-06-02 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 에칭액 |
| EP1431418A1 (de) * | 2002-12-19 | 2004-06-23 | Wieland Dental + Technik GmbH & Co. KG | Verfahren zum Entfernen silberhaltiger Leitmaterialien von galvanisch hergestellten Teilen |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP24713384A patent/JPS61127874A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030043755A (ko) * | 2001-11-28 | 2003-06-02 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 에칭액 |
| CN1294631C (zh) * | 2001-11-28 | 2007-01-10 | 三菱化学株式会社 | 蚀刻液 |
| US7473380B2 (en) | 2001-11-28 | 2009-01-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Etching liquid |
| EP1431418A1 (de) * | 2002-12-19 | 2004-06-23 | Wieland Dental + Technik GmbH & Co. KG | Verfahren zum Entfernen silberhaltiger Leitmaterialien von galvanisch hergestellten Teilen |
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