JPS6243160A - 電極構造 - Google Patents
電極構造Info
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- JPS6243160A JPS6243160A JP60183629A JP18362985A JPS6243160A JP S6243160 A JPS6243160 A JP S6243160A JP 60183629 A JP60183629 A JP 60183629A JP 18362985 A JP18362985 A JP 18362985A JP S6243160 A JPS6243160 A JP S6243160A
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- bonding pad
- bonding
- flat plate
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- Radiation Pyrometers (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、並列状に配列された多数の受光部からなり、
各受光部間に静電結合を有するデバイスに関する。
各受光部間に静電結合を有するデバイスに関する。
(従来の技術)
焦電型赤外線検出素子は、焦電材料と一対の電極とから
なる熱型の光検出素子である。焦電材料は、光を吸収し
温度が上昇すると、表面に電荷を生じる。この電荷を電
気的に検出する。この供電型の光検出素子の特徴は、感
度の光波長依存性が少ないことであり、また、常温にお
いて比較的応答か速く高感度てあることであるっ 素子を並列状に配置したりニアアレイ型の赤外線検出素
子は、空間分解能をよくするf二めに、できるだけ微細
な構造にすることが望ましい。しかし、微細な配列にす
ると、隣接4−る素子間の熱拡散による熱的クロストー
クや、隣接する眉極間の浮遊容徹による電気的クロスト
ークか生しる。
なる熱型の光検出素子である。焦電材料は、光を吸収し
温度が上昇すると、表面に電荷を生じる。この電荷を電
気的に検出する。この供電型の光検出素子の特徴は、感
度の光波長依存性が少ないことであり、また、常温にお
いて比較的応答か速く高感度てあることであるっ 素子を並列状に配置したりニアアレイ型の赤外線検出素
子は、空間分解能をよくするf二めに、できるだけ微細
な構造にすることが望ましい。しかし、微細な配列にす
ると、隣接4−る素子間の熱拡散による熱的クロストー
クや、隣接する眉極間の浮遊容徹による電気的クロスト
ークか生しる。
熱的クロストークを減少させるfこめに、たとえば特開
昭57−120830号公報においては、感光部を空間
的に分離している。
昭57−120830号公報においては、感光部を空間
的に分離している。
(発明の解決すべき問題点)
電気的クロストークは、隣接4−るボンディングパッド
間の容量による静電結合から生しる乙のがある。第4図
に、従来の引出7rLGV 7&びポンディングパット
部分の構造の一例を示す。(I=、主材料の平板1に、
並列状に配置されている素子の受光部(図示せず)から
の引出電極2a 、2b 、2c 、 と、引出電極
にそれぞれ接続されろホンディックパット部3a 、3
b 、3c 、 か並列状に配置されている。
間の容量による静電結合から生しる乙のがある。第4図
に、従来の引出7rLGV 7&びポンディングパット
部分の構造の一例を示す。(I=、主材料の平板1に、
並列状に配置されている素子の受光部(図示せず)から
の引出電極2a 、2b 、2c 、 と、引出電極
にそれぞれ接続されろホンディックパット部3a 、3
b 、3c 、 か並列状に配置されている。
ボンディングパッド部3a 、3b 、3c 、 は
、長方形であり、素子の数か多いため、両隣のボンディ
ングパッド部と短い間を隔てて配置されている。
、長方形であり、素子の数か多いため、両隣のボンディ
ングパッド部と短い間を隔てて配置されている。
この構造では、ホンディングバット間の容量が大きい。
したがって、隣接する素子との浮遊容量による電気的結
合のため、素子の出力電圧にクロストークが発生し、分
解能の低下を沼いていた。
合のため、素子の出力電圧にクロストークが発生し、分
解能の低下を沼いていた。
同様な電気的クロストークは、一般に、並列状に配列さ
れた多数の受光部からなるデバイスにおいて、谷素子の
ボンディングパッド間に静電結合を有するデバイスにお
いて生じる。
れた多数の受光部からなるデバイスにおいて、谷素子の
ボンディングパッド間に静電結合を有するデバイスにお
いて生じる。
本発明の目的は、電極間の静電結合によるクロストーク
を減少させた電極構造を提供することである。
を減少させた電極構造を提供することである。
(問題点を解決するための手段)
本発明に係る電極構造は、複数の受光部を並列状に配置
してなるセンサアレイの電極構造において、ボンデ。・
ングパソド部の位置か、隣接するボンディングパッド部
と段違いになっていることを特徴とする。
してなるセンサアレイの電極構造において、ボンデ。・
ングパソド部の位置か、隣接するボンディングパッド部
と段違いになっていることを特徴とする。
(作 用)
隣接するボンディングパッド部の位置を段違いにオろこ
とによ−)で、隣接するボンディングパッド間の浮遊容
量による電気的り〔1ストークを減少させろ。
とによ−)で、隣接するボンディングパッド間の浮遊容
量による電気的り〔1ストークを減少させろ。
(実施例)
以下、添付の図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図〜第3図に示す電極構造においては、素子材料平
板1の表面に、第4図の場合と同様に、平板lに線状に
配置されている素子の受光部(図示せず)からの引出電
極2a、2b、2c、 と、引出電極にそれぞれ接続
されるポンディングパッド部13a、 I 3b、 I
3c、−;23a、23b、23c、−;33a、3
3b、33c、 が交互に段違いに配置されている。
板1の表面に、第4図の場合と同様に、平板lに線状に
配置されている素子の受光部(図示せず)からの引出電
極2a、2b、2c、 と、引出電極にそれぞれ接続
されるポンディングパッド部13a、 I 3b、 I
3c、−;23a、23b、23c、−;33a、3
3b、33c、 が交互に段違いに配置されている。
電極2a、2b、2c、−:13a、13b、+3c。
: 23a、23b、23c、−+ 33a、33b
、33c。
、33c。
・・・は、銀を選択エツチングして形成する。
第1図に示す電極構造においては、ボンディングペット
部13a、 l 3b、 l 3c、−は、ひし形状で
あり、引出電極方向において隣接するボンディングパッ
ド部と段違いになっている。このため浮遊容量は、第1
図に示した従来例に比べて、約2/3に低減し、したか
って、電気的クロストークも減少し、分解能が向上した
。一方、ボンディングのための有効面積はあまり小さく
ならないので、ボンディング工程において、問題は生じ
なかった。
部13a、 l 3b、 l 3c、−は、ひし形状で
あり、引出電極方向において隣接するボンディングパッ
ド部と段違いになっている。このため浮遊容量は、第1
図に示した従来例に比べて、約2/3に低減し、したか
って、電気的クロストークも減少し、分解能が向上した
。一方、ボンディングのための有効面積はあまり小さく
ならないので、ボンディング工程において、問題は生じ
なかった。
第2図に示す電極構造においては、ボンディングパッド
部23a、23b、23c、・・は、円杉型である。第
1図に示した実施例と同様に、引出電極方向において隣
接するボンディングパッド部と段違いになっており、浮
遊容量は減少し、電気的クロストークか低減する。一方
、ボンディングのための有効面積もあまり小さくならな
い。
部23a、23b、23c、・・は、円杉型である。第
1図に示した実施例と同様に、引出電極方向において隣
接するボンディングパッド部と段違いになっており、浮
遊容量は減少し、電気的クロストークか低減する。一方
、ボンディングのための有効面積もあまり小さくならな
い。
第3図に示す電極構造においては、ボンディングパノド
H33a、33b、33c、・・の形状は、第4図に示
した従来例と同じく長方形であるが、隣接するボンディ
ングパッド部は、各々の位置を引出電極方向に交互にず
らしてあり、隣接するボンディングパッド部との間隔を
拡げている。これにより浮遊容量は減少し、クロストー
クが低減する。
H33a、33b、33c、・・の形状は、第4図に示
した従来例と同じく長方形であるが、隣接するボンディ
ングパッド部は、各々の位置を引出電極方向に交互にず
らしてあり、隣接するボンディングパッド部との間隔を
拡げている。これにより浮遊容量は減少し、クロストー
クが低減する。
なお、破線で示すように、ボンディングパッド部33a
、33b、33c、・の角部をカットしてもよい。
、33b、33c、・の角部をカットしてもよい。
(発明の効果)
本発明により、電極間の浮遊容量の減少により電気的ク
ロストークが減少し、分解能が向上できた。
ロストークが減少し、分解能が向上できた。
第1図〜第3図は、それぞれ、本発明の実施例の電極構
造の平面図である。 第4図は、従来の電極構造の平面図である。 2 a、 2 b、 2 c、・・・・・・引出電極、
13a、 I 3b、 l 3c、・: 23a、23
b、23c、・;33a、33b、33c、・ ボン
ディングベッド部。 特許出願人 株式会社村田製作所代 理 人
弁理士 前出 葆 はが2名第4図 第2図 第1 図 拍3図
造の平面図である。 第4図は、従来の電極構造の平面図である。 2 a、 2 b、 2 c、・・・・・・引出電極、
13a、 I 3b、 l 3c、・: 23a、23
b、23c、・;33a、33b、33c、・ ボン
ディングベッド部。 特許出願人 株式会社村田製作所代 理 人
弁理士 前出 葆 はが2名第4図 第2図 第1 図 拍3図
Claims (1)
- (1)複数の受光部を並列状に配置してなるセンサアレ
イの電極構造において、 ボンディングパッド部の位置が、隣接するボンディング
パッド部と段違いになっていることを特徴とする電極構
造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60183629A JPS6243160A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 電極構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60183629A JPS6243160A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 電極構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6243160A true JPS6243160A (ja) | 1987-02-25 |
Family
ID=16139112
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60183629A Pending JPS6243160A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 電極構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6243160A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01107549A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH0265180A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Fujitsu Ltd | 多素子型光検知素子 |
JPH0682530U (ja) * | 1993-11-08 | 1994-11-25 | 呉羽化学工業株式会社 | 焦電素子装置 |
US5669136A (en) * | 1994-06-24 | 1997-09-23 | International Business Machines Corporation | Method of making high input/output density MLC flat pack |
US5834849A (en) * | 1996-02-13 | 1998-11-10 | Altera Corporation | High density integrated circuit pad structures |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP60183629A patent/JPS6243160A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01107549A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH0265180A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Fujitsu Ltd | 多素子型光検知素子 |
JPH0682530U (ja) * | 1993-11-08 | 1994-11-25 | 呉羽化学工業株式会社 | 焦電素子装置 |
US5669136A (en) * | 1994-06-24 | 1997-09-23 | International Business Machines Corporation | Method of making high input/output density MLC flat pack |
US5790386A (en) * | 1994-06-24 | 1998-08-04 | International Business Machines Corporation | High I/O density MLC flat pack electronic component |
US5834849A (en) * | 1996-02-13 | 1998-11-10 | Altera Corporation | High density integrated circuit pad structures |
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