JPH0431231B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0431231B2
JPH0431231B2 JP59110853A JP11085384A JPH0431231B2 JP H0431231 B2 JPH0431231 B2 JP H0431231B2 JP 59110853 A JP59110853 A JP 59110853A JP 11085384 A JP11085384 A JP 11085384A JP H0431231 B2 JPH0431231 B2 JP H0431231B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
electrodes
image sensor
light sensing
state image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59110853A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS605683A (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JPS605683A publication Critical patent/JPS605683A/ja
Publication of JPH0431231B2 publication Critical patent/JPH0431231B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、光パターンの強度を表わす信号を
作るために使われるソリツドステートイメージセ
ンサに関するものである。このようなソリツドス
テートイメージセンサは、例えば、テレビカメラ
や電子写真カメラにおけるデイテクタとして使わ
れる。
従来技術 この発明が属する形成のソリツドステートイメ
ージセンサは、行列に配置された画素のマトリツ
クスから成る。各画素はセンサ上に投射される画
像や絵の対応する個所から光を受け、それに応じ
てその個所の光の強度を表わす電気信号を作る。
第１図に表わされるように、センサ構造に関す
る一つの先行技術は、半導体サブストレート１０
上に直線の行と列の規則的方形パターンで画素１
１を形成することであつた。水平方向に伸びる電
極と垂直方向に伸びる電極（第１図には示されて
いない）が、画素１１の異なる行を順に活性化
し、画素の行から読出された信号を受けるために
与えられる。この分野の通常の技術を有する者に
はよく知られているように、水平方向に伸びてい
る電極は、活性化のための「垂直シフトレジス
タ」と呼ばれるものの出力に接続されている。
第１図の配置はいくつかの応用には受け入れら
れたが、いくつかの重大な欠点に脳まされてい
る。第１に、水平方向の単位長当たりの画素数に
よつて評価されるセンサの解像度が限られている
ことである。第２に、行と列方向の両方とも直線
配置のために、特定のパターンがセンスされたと
きにモアレ干渉が起きることである。
これらの欠点を打ち破る試みで、第２Ａ図に示
されるような画素配置が提案されている。この配
置では、画素１１は半導体サブストレート上に千
鳥配置、すなわち、画素１１の各行は行方向で互
いに埋め合わされるような配置で形成される。
第２Ｂ図は、第２Ａ図のイメージセンサの拡大
した平面図であり、第２Ｃ図は第２Ｂ図でＡ−
A′の線に沿つた断面図である。第２Ｂ図に関し
て、画素１１の各光感応領域は、光ダイオードの
活性層と光ダイオードの出力を垂直方向に伸びて
いる線に接続するために使われるスイツチング
FET素子のソースの両方を形成するソース拡散
１５の領域によつて規定される。各ソース拡散１
５の一方の端は、水平方向に伸びている電極１８
の淵にまで広がつており、ドレイン拡散１６は水
平方向に伸びている電極１８の反対の側に形成さ
れる。水平方向に伸びている電極は、各ソース拡
散１５とドレイン拡散１６の間にゲート領域１９
を形成するように薄い酸化層によつて半導体サブ
ストレートの表面から分離される。ドレイン拡散
１６は垂直方向に伸びている線２４（第２Ｃ図を
見よ、第２Ｂ図では見易くするために省かれてい
る）に接続されている。
第２Ｃ図に明確に示されるように、各ソース拡
散１５はＰウエル２６内に形成されるN+型拡散
である。P+領域２５はＮ型サブストレート２７
上のN+型拡散１５の下に形成される。このよう
にしてソース拡散１５はP+拡散２５とＰ型ウエ
ル２６で光ダイオードを形成する。水平方向に伸
びている各電極１８は、絶縁酸化層２０によつて
垂直方向に伸びている電極２４から絶縁されてい
る。もしイメージセンサがカラーイメージセンサ
であるなら、カラーフイルタ２３が各ソース拡散
１５上にカラー像のために適切なパターンで与え
られる種々のカラーフイルタのアレイの形で与え
られる。カラーフイルタ２３は保護層２２に埋め
込まれる。
第２Ａ〜２Ｃ図の配置は、センサの解像度が改
善し、モアレフリンジ効果が減少するという点で
第１図に表わされるものに対し有利である。しか
しし、第２Ａ〜２Ｃ図のセンサは感度が十分でな
いために、多くの応用に対してまだ十分には受け
入れられていない。
画素の感度は、その光感応領域（第２Ａ〜２Ｃ
図のセンサにおいてソース領域１５によつて定義
される領域）を、画素の総領域で割つたもので決
められる。かくして、与えられる最小の写真平版
の明確さ、つまり、水平又は垂直方向に伸びてい
る電極の与えられる最小幅に対して、センサの解
像度を向上するために第２Ａ〜２Ｃ図の配置で水
平方向の単位長当りの画素数を増加するとき、セ
ンサの感度は低くなる。
発明の目的 従つて、この発明の目的は上述したと同じ形式
のソリツドステートイメージセンサにおいて、解
像度、感度ともに先行技術のものより向上したも
のを与えることである。
発明の構成 発明の他の目的と同様に、この目的は第１、第
２の電極組から成るグリツド電極を含み、各電極
組内の電極は通常互いに平行で、第１、第２の電
極組の電極同士は通常直交して配置され、複数の
光センス手段が行と列のマトリツクスに配置さ
れ、その各々は第１の電極組の対応する電極に選
択的に接続され、特定の光センス手段の読出しを
行わせるためにそこから信号を受取り、第２の電
極組の対応する電極に選択的に接続され、特定の
光センス手段から光強度信号を第２の電極組の電
極に出力するソリツドステートイメージセンサに
おいて、第１、第２の電極組の少なくとも１つ
は、隣接する電極と互いに反対の位相をもつ波状
パターンで形成され、光センス手段が前記隣接す
る電極と互いに離散している領域に配置されるこ
とを特徴とするソリツドステートイメージセンサ
により達成される。「互いに反対の位相」とする
ことによつて、与えられる参照フレームに対し、
一つの電極の谷は隣接する電極のすぐ隣りの峰と
いうことになり、電極は互いに位相を180゜シフト
されて現われる。第１、第２の電極組の少なくと
も一つは、例えば第１の電極組は、光センス手段
の読出を行わせる活性化信号が与えられるために
使われる電極であることが望ましい。
各光センス手段は前記各隣接する電極と互いに
反対位相となる波状パターンに形成された電極組
が互いに離れていくところの近くの領域に配置さ
れる。すなわち、光センス手段は例えば光センス
手段の両サイドの第１の電極組が外側に広がつて
いく波状電極の間の拡張した領域に形成される。
好ましくはFET素子の形をとるスイツチング手
段が、第１の電極組の対応する電極に与えられる
活性化信号に応答して光センス手段を第２の電極
組のそれぞれの電極に選択的に結合する。これら
の各スイツチング素子は、前記隣接する電極と互
いに反対位相となる波状パターンに形成された電
極組の隣接する電極が互いに近接するところの領
域に配置される。他の態様に於いて、FETスイ
ツチング素子は、共通の第２電極に接続されたド
レインと第１電極組に属する互いに隣接しあう電
極が互いに最も接近した位置で第１の電極組のそ
れぞれ隣接する電極によつて形成され、かつ、こ
れらの電極に結合されたゲート及び２つの光セン
ス手段に接続されたソースをもつ対構造のFET
素子として形成される。
第１の電極組の各電極の波状パターンはジグザ
グパターン、特に平らな端をもつジグザグパター
ンの形をとる。後者の場合、光センス手段が配置
される領域は通常八角形であり、光センス手段自
身も光センスのために利用できる領域を最大に使
用できるように八角形にされることが望ましい。
撮像装置がカラー像のために使われる場合、カラ
ーフイルタが適切なパターンで光センス素子の上
に配置される。
本発明は、半導体基板、第１、第２の２つの電
極組、光センサー素子および複数のFET素子を
含み、これらの間に以下の関係を有している固体
撮像素子によつて具体的には実現される。すなわ
ち、上記の第１、第２の電極組は互いに直交して
配置され、１つの電極組に属する各電極は通常互
いに平行であり、第１の電極組の電極は隣接しあ
う電極が互いに逆位相の波状パターンで形成さ
れ、また光センス要素は半導体サブストレート上
で第１の電極組に属する２つの電極が互いに離散
し、その間に形成される広がつた領域の各々に形
成され、複数のFET素子が第１の電極組のそれ
ぞれ一つの信号に応答して各光センス素子の出力
を第２の電極組の適当な電極に伝達するという関
係が本発明の固体撮像素子に存在する。このよう
に第１の電極組の電極を配置することによつて、
拡張した領域の行列がセンサの水平方向に形成さ
れ、拡張した領域の互いに隣接しあう行は互いに
千鳥状になつている。「互いに千鳥にすること」
によつて、拡張した領域の列（垂直方向）の中心
を結ぶ線は、拡張した領域の両側にある拡張した
領域の中心を接続する線の間のほぼ真中の所を通
る。また、水平、垂直、行、列という方向を表わ
す語は、説明における便利さのためにだけ用いら
れており、センスされる像や他の構成要素に関係
する最終のイメージセンサの方向については、取
扱い上、何ら特別の意味をもたない。
ある１つの好ましい実施例において光センス要
素は、FET素子のソース拡散が各光ダイオード
の活性層を形成するような光ダイオードで形成さ
れる。FET素子は好ましくは、第１の電極組に
属する互いに隣接しあう電極の対が最も接近する
領域、すなわち、電極が集中する領域に設けられ
たゲートと共通のドレイン領域との対で与えられ
る。第１の電極組の電極を平らな淵をもつジグザ
グパターンで形成することによつて、光センス要
素のある拡張した領域は、一般に八角形となる。
この発明は各画素の光感応領域を最大とすること
による感度上昇とモアレフリンジ効果の十分な減
少という効果を同時に与える。
実施例 第３図の平面図によつて、この発明の開示に従
つて構成されたソリツドステートイメージセンサ
の第１の実施例を説明する。
この発明によれば、ソリツドステートイメージ
センサの水平方向に伸びる電極３４が水平方向
（長手方向）に沿つた第１部分と、前記水平方向
に対し鋭角で伸びている第２部分と、前記水平方
向と平行に伸びている第３部分と、前記水平方向
に対し前記鋭角と相補な角度で伸びている第４部
分をもつジグザグパターン（平らなジグザグパタ
ーン）で形成され、隣接する電極３４とは互いに
180゜の位相をもつている。そうすることで、八角
形の拡張した領域の列が隣りの列と千鳥になつて
規則的な間隔で形成される。八角形となつている
ソース拡散３１は、この拡張した領域に形成され
る。ドレイン拡散３２とドレインコンタクト領域
３５は、隣接する拡張した領域との間の小さな領
域に形成される。すなわち、隣接する電極３４が
互いに集中する領域に形成される。第２Ｂ図の装
置の場合と同様、ソース拡散３１とドレイン拡散
３２は、水平方向に伸びる電極３４のエツジ近く
の位置まで半導体サブストレート上に広がつてお
り、ゲート領域３３は水平方向に伸びる電極３４
を薄い酸化層によつてサブストレートの表面から
分離して、その間に形成される。
第４図は、第３図の実施例と同様に、この発明
の他の実施例を示し、ここでは各ドレイン拡散３
８は２つの隣接するソース拡散３１に対して１つ
のドレイン領域として働く。この場合、各ドレイ
ン拡散３８は２つの隣接する水平方向に伸びる電
極３４のエツジまで広がり、ゲート領域３７は隣
接する２つの水平方向に伸びる電極３４の下に形
成される。第４図の実施例はセンサがカラーイメ
ージセンサのときには特に有利である。それはイ
ンターレーススキヤニングのために（このことは
特願昭59−24455の中で説明している）、一度に水
平方向に伸びる電極３４のうち１つを活性化する
だけでよいからである。
この発明のソリツドステートイメージセンサの
作り方を、１例として第４図に示される形式のも
ので説明する。
まず、第５Ａ，５Ｂ図に示されるように、フイ
ールド酸化物の比較的厚い領域４０をＮ型サブス
トレート（図示せず）上のＰ型層４５の表面上に
垂直方向に通常ジグザグパターンで成長させる。
後でゲート領域を形成するために使われる薄い酸
化層４２が半導体サブストレートの表面上に形成
される。
この作成段階では領域４１（ソース拡散領域が
形成される領域）と領域４３（ドレイン拡散領域
が形成される領域）はそのまま残される。
次に、第６Ａ，６Ｂ図に表わされるように、半
導体サブストレートでそのまま残つている部分に
は適切なドーパント材料が設置される。望ましい
ドーパント材料はN+タイプである。水平方向に
伸びる電極３４は上で述べられたような平らな淵
をもつジグザグパターンで設けられる。望ましく
は電極３４はポリシリコン材料からなるのがよ
い。
次の第７Ａ−７Ｃ図については、PSG（フオス
フアーグラス）の層４７がデバイスの表面上に置
かれ、エツチングされてドレインコンタクト領域
４８が作られる。
最後に、第８Ａ〜８Ｃ図に示されるように、ソ
ース拡散３１の上では幅の狭い部分５１Ａをもつ
垂直方向に伸びる電極５１がドレインコンタクト
３５と接触して置かれる。もう一つの酸化層であ
る保護層４９が完全なデバイスの表面上に形成さ
れる。もちろん、センサの光ダイオード部分の完
成のために、第２Ｃ図のP+層２５のような層を
与える必要がある。しかしこれは一般的なので
P+層は説明図を簡潔にする目的で省略されてい
る。
これでこの発明の好ましい実施例の説明を終え
る。好ましい実施例が述べられたが、多くの修
正、変更がこの分野の通常の技術を有する者にと
つて、この発明の精神を逸脱しないで為されるこ
とは明らかである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のソリツドステートイメージセン
サの平面図である。第２Ａ，２Ｂ図は他のソリツ
ドステートイメージセンサであり、第２Ａ図は第
１図と同様の平面図、第２Ｂ図は第２Ａ図の一部
を拡大した概略的平面図、第２Ｃ図は第２Ｂ図で
Ａ−A′で指示された線に沿つた断面図を拡大し
たものである。第３図は第２図と同様な平面図で
あるが、本発明のソリツドステートイメージセン
サを表わしている。第４図は第３図と同様に本発
明のソリツドステートイメージセンサの他の実施
例を表わす平面図である。第５Ａ−８Ｃ図は第４
図で示される形式のソリツドステートイメージセ
ンサの作り方のステツプを表わしており、第５Ａ
−８Ａ図は平面図、第５Ｂ図は第５Ａ図における
Ｂ−B′の線に沿う断面図、第６Ｂ図は第６Ａ図
におけるＣ−C′の線に沿う断面図、第７Ｂ図は第
７Ａ図におけるＤ−D′の線に沿う断面図、第７
Ｃ図は第７Ａ図におけるＥ−E′の線に沿う断面
図、第８Ｂ図は第８Ａ図におけるＦ−F′の線に沿
う断面図、第８Ｃ図は第８Ａ図におけるＧ−Ｇの
線に沿う断面図である。 図中符号、１０…半導体サブストレート、１１
…画素、１５…ソース拡散、１６…ドレイン拡
散、１８…電極、１９…ゲート領域、２０…絶縁
酸化層、２２…保護層、２３…カラーフイルタ、
２４…線、２５…P+領域、２６…Ｐウエル、２
７…Ｎ型サブストレート、３１…ソース拡散、３
２…ドレイン拡散、３３…ゲート領域、３４…電
極、３５…ドレインコンタクト領域、３７…ゲー
ト領域、３８…ドレイン拡散、４０…領域、４２
…酸化層、４３…領域、４５…Ｐ型層、４７…
層、４８…ドレインコンタクト領域、４９…保護
層、５１…電極。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体サブストレート上に配置された第１、
    第２の電極組から成り、前記のいずれか電極組に
    属する各電極は通常互いに平行しており、前記第
    １の電極組に属する電極と第２の電極組に属する
    電極は通常互いに直交しているグリツド電極と、
    行と列のマトリツクスに配置された複数の光セン
    ス手段と、前記第１の電極組のそれぞれの電極に
    与えられる活性化信号に応答して前記光センス手
    段の読出しを行うために各光センス手段を前記第
    ２の電極組のそれぞれの電極に選択的に結合する
    ための手段との３つをもつソリツドステートイメ
    ージセンサにおいて、前記第１、第２の電極組の
    少なくとも１つは隣接する電極と互いに反対位相
    となる波状パターンに形成され、光センサ手段が
    前記隣接する電極と互いに離散している領域に配
    置されることを特徴とするソリツドステートイメ
    ージセンサ。 ２ 選択的結合手段が複数のスイツチング手段か
    ら成り、各スイツチング手段は前記隣接する電極
    と互いに反対位相となる波状パターンに形成され
    た電極組の隣接する電極が互いに近接するところ
    の領域に配置されることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載のソリツドステートイメージセン
    サ。 ３ スイツチング手段がFET素子から成り、該
    スイツチング手段は、共通の第２電極に接続され
    たドレインと第１の電極組に属する互いに隣接し
    あう電極が互いに最も接近した位置で第１の電極
    組のそれぞれ隣接する電極によつて形成され、か
    つ、これらの電極に結合されたゲート及び２つの
    光センス手段に接続されたソースをもつFET素
    子の一対として配置されることを特徴とするとこ
    ろの特許請求の範囲第２項記載のソリツドステー
    トイメージセンサ。 ４ 前記各隣接する電極と互いに反対位相となる
    波状パターンに形成された電極組は、電極の長手
    方向に伸びている第１部分と、前記長手方向に対
    し鋭角で伸びている第２部分と、前記長手方向に
    平行に伸びている第３部分と、前記長手方向に対
    し前記鋭角と相補な角度で伸びている第４部分を
    もつ平らなジグザグパターンをもつことを特徴と
    する特許請求の範囲第３項記載のソリツドステー
    トイメージセンサ。 ５ 前記各光センス手段は通常八角形の形をして
    いることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
    のソリツドステートイメージセンサ。 ６ 前記各光センス手段は光ダイオードを含むこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のソリ
    ツドステートイメージセンサ。 ７ 複数のカラーフイルタを含み、前記フイルタ
    はカラーイメージングに対し適当な予め定められ
    たパターンで配置され、前記各カラーフイルター
    は前記光センス手段のそれぞれの上に配置される
    ことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のソ
    リツドステートイメージセンサ。 ８ 半導体サブストレートと、前記半導体サブス
    トレート上に配置された第１、第２の電極組と、
    前記半導体サブストレートに形成された複数の光
    センス要素と、複数のFET素子を含むソリツド
    ステートイメージセンサであつて、前記第１の電
    極組の各電極は、前記第１の電極組の隣接する一
    対の間に定められた間隔で拡張した領域を形成す
    るために前記第１の電極組の隣接する電極と互い
    に逆位相の波状パターンで形成され、前記拡張し
    た領域の一つの行は前記第１の電極組の隣接する
    二つの間に形成され、前記拡張した領域は互いに
    隣接する領域が千鳥状に配列されており、前記第
    ２の電極組は前記第１の電極組の電極と通常直交
    して配置された電極を含み、前記第２の電極組の
    電極は前記第１の電極のそれぞれの並んだ峰と谷
    を横切つて伸びており、前記第１、第２のすべて
    の電極は互いに電気的に絶縁されており、前記複
    数の光センス要素は前記拡張した領域の各々に形
    成されており、前記複数のFET素子は前記光セ
    ンス要素の各々のために与えられ、前記各FET
    素子の各々はそれぞれの光センス要素と結合され
    たソースと、前記第１の電極の１つによつて形成
    され、それに結合されたゲートと、前記第２の電
    極のそれぞれに結合されたドレインと、前記ドレ
    インは前記拡張した領域の２つの間の前記半導体
    サブストレートに形成されたところのソリツドス
    テートイメージセンサ。 ９ 前記各光センス要素は１つの光ダイオードを
    含むことを特徴とする特許請求の範囲第８項記載
    のソリツドステートイメージセンサ。 １０ 前記各FET素子のソースはそれぞれの光
    ダイオードの領域の上に広がつており、前記光ダ
    イオードの活性層を形成することを特徴とする特
    許請求の範囲第９項記載のソリツドステートイメ
    ージセンサ。 １１ 前記FET素子は共通のドレイン領域と、
    前記第１の電極組の隣接する電極の対が互いに最
    も近接する領域に形成されたゲートをもつ一対と
    して与えられることを特徴とする特許請求の範囲
    第９項記載のソリツドステートイメージセンサ。 １２ 前記各拡張した領域と前記各光センス要素
    は通常八角形の形であることを特徴とする特許請
    求の範囲第８項記載のソリツドステートイメージ
    センサ。
JP59110853A 1983-06-06 1984-06-01 高解像度高感度ソリツドステ−トイメ−ジセンサ Granted JPS605683A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/501,332 US4558365A (en) 1983-06-06 1983-06-06 High-resolution high-sensitivity solid-state imaging sensor
US501332 2000-02-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS605683A JPS605683A (ja) 1985-01-12
JPH0431231B2 true JPH0431231B2 (ja) 1992-05-25

Family

ID=23993101

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59110853A Granted JPS605683A (ja) 1983-06-06 1984-06-01 高解像度高感度ソリツドステ−トイメ−ジセンサ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4558365A (ja)
JP (1) JPS605683A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016090243A (ja) * 2014-10-30 2016-05-23 三菱電機株式会社 磁気式位置検出装置

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60123059A (ja) * 1983-12-08 1985-07-01 Toshiba Corp 密着型カラ−イメ−ジセンサ
JPS6152061A (ja) * 1984-08-22 1986-03-14 Toshiba Corp 密着型カラ−イメ−ジセンサ
US4641193A (en) * 1984-12-07 1987-02-03 New York Institute Of Technology Video display apparatus and method
US4870495A (en) * 1985-02-22 1989-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing element and image sensing apparatus for recording a still image
JPS61194980A (ja) * 1985-02-22 1986-08-29 Canon Inc 撮像素子及び撮像装置
US5381013A (en) * 1985-12-11 1995-01-10 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
US5464984A (en) * 1985-12-11 1995-11-07 General Imaging Corporation X-ray imaging system and solid state detector therefor
JPH0324608Y2 (ja) * 1986-04-03 1991-05-29
JPS63120115A (ja) * 1986-11-07 1988-05-24 Toray Ind Inc 熱処理装置
US4959736A (en) * 1987-12-29 1990-09-25 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Image signal processing method and apparatus with elongated picture elements
US4994907A (en) * 1989-08-28 1991-02-19 Eastman Kodak Company Color sensing CCD with staggered photosites
US5274476A (en) * 1991-08-14 1993-12-28 Gold Star Electron Co., Ltd. CCD image sensor with photodiodes in a zig-zag pattern and particular transfer gate electrodes formed over channel stop regions and VCCD regions
JP3830590B2 (ja) * 1996-10-30 2006-10-04 株式会社東芝 固体撮像装置
US6437307B1 (en) 1997-09-12 2002-08-20 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Zur Angewandten Forshung E.V. Image detection member and assembly of image detection members
US6166831A (en) * 1997-12-15 2000-12-26 Analog Devices, Inc. Spatially offset, row interpolated image sensor
JP4018820B2 (ja) * 1998-10-12 2007-12-05 富士フイルム株式会社 固体撮像装置および信号読出し方法
US6252218B1 (en) * 1999-02-02 2001-06-26 Agilent Technologies, Inc Amorphous silicon active pixel sensor with rectangular readout layer in a hexagonal grid layout
JP4092409B2 (ja) * 1999-08-18 2008-05-28 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
US6822682B1 (en) * 1999-08-18 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid state image pickup device and its read method
JP3967500B2 (ja) * 1999-09-08 2007-08-29 富士フイルム株式会社 固体撮像装置および信号読出し方法
JP2001203969A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Fuji Photo Film Co Ltd 撮像装置およびその動作制御方法
KR100369359B1 (ko) * 2000-12-30 2003-01-30 주식회사 하이닉스반도체 이웃하는 픽셀 간의 칼라 데이터 분리할 수 있는 이미지센서 및 그를 위한 데이터 스캔 방법
US7105876B1 (en) 2001-02-23 2006-09-12 Dalsa, Inc. Reticulated gate CCD pixel with diagonal strapping
US8120690B2 (en) * 2001-04-12 2012-02-21 Nikon Corporation Imaging device
JP4094364B2 (ja) * 2002-07-19 2008-06-04 富士フイルム株式会社 固体撮像装置およびその測光方法
JP4034614B2 (ja) * 2002-08-06 2008-01-16 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
JP2005005573A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Fujitsu Ltd 撮像装置
JP4495949B2 (ja) * 2003-11-14 2010-07-07 富士フイルム株式会社 ２板式カラー固体撮像装置及びデジタルカメラ
US20050185077A1 (en) * 2004-02-23 2005-08-25 Jps Group Holdings, Ltd. Cmos image sensor with 1.25 - 1.5 transistor/pixel ratio
CN100446547C (zh) * 2005-03-07 2008-12-24 富士胶片株式会社 具有扩大面积的光电管的固态图像传感器
US7768569B2 (en) * 2006-08-17 2010-08-03 Altasens, Inc. High sensitivity color filter array
US8237832B2 (en) * 2008-05-30 2012-08-07 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with focusing interconnections
US8436909B2 (en) * 2008-10-21 2013-05-07 Stmicroelectronics S.R.L. Compound camera sensor and related method of processing digital images

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5937629B2 (ja) * 1975-01-30 1984-09-11 ソニー株式会社 固体撮像体
US4200892A (en) * 1978-03-27 1980-04-29 Rca Corporation Solid state image sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016090243A (ja) * 2014-10-30 2016-05-23 三菱電機株式会社 磁気式位置検出装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS605683A (ja) 1985-01-12
US4558365A (en) 1985-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0431231B2 (ja)
US6236434B1 (en) Solid state image pickup device
US5031032A (en) Color array for use in fabricating full width arrays
JPH05326913A (ja) 固体撮像素子
US7733398B2 (en) Photoelectric converting film stack type solid-state image pickup device
US4441123A (en) Photosensor pattern of solid-state imaging sensors
US6914633B1 (en) Charge transfer path having lengthwisely varying channel width and image pickup device using it
US4542409A (en) Single gate line interlace solid-state color imager
US5065206A (en) Photoelectric converting device with accumulating gate region
JPS62237761A (ja) 電荷結合装置
JPH06181226A (ja) 信号電荷転送装置およびその製造方法
JPS62126667A (ja) 固体撮像素子
JPH0677450A (ja) 固体撮像素子
JPH08335690A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JPH06283704A (ja) Ｃｃｄ型固体撮像素子
JP2806972B2 (ja) 熱画像作成装置
JP2002270811A (ja) 固体撮像素子と、その駆動方法と、その製造方法
JP6306989B2 (ja) 裏面入射型固体撮像装置
JPH03114236A (ja) 電荷転送装置
JP2001102556A (ja) 固体撮像装置
JPH02159063A (ja) 固体撮像装置
JPH04369268A (ja) Ｃｃｄ固体撮像素子
JPH02248074A (ja) カラー固体撮像素子
JPH065729B2 (ja) 一次元密着型イメ−ジセンサ
JPH0755005Y2 (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term