JPS605683A - 高解像度高感度ソリツドステ−トイメ−ジセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は、光パターンのＪ！ｉｌ　Ｊ迂を表オ〕ず信
号を作るために傭われるソリッドステートイメージセン
サにβ′」するものである。このようなソリッドステー
トイメージセンサは、例えば、テレビカメラや電子写真
カメラにおけるディテクタとして使われる。

従来技術 この発明が１・１；する形式のソリッドステートイメー
ジセンサは、行列に配置６：された画素の７トワツクス
から成る。各画素はセンサ上に投ａ、Ｉされる画像や絵
の対応する個所から光をダ！・け、それに応じてその１
１４．１所の光の強バとを表わす電気信号を作る。

メ１″、１図に表わされるように、センサ４ｉ’：Ｗ造
に閃する一つの先行技術は、半導体−リ−ブストレート
１０Ｊ−に１（・線の行と列の規則的方形パターンで画
素１１を形成することであった。水平方向に伸びる電極
と垂直方向に伸びるｉｊ極Ｕ’、１図には示されていな
い）が、画素１１の異なる行を順に活性化し、画素の行
から続出された信号を受けるために与えられる。この分
野の通常の技術を有する者にはよく知うれているように
、水平方向に伸びている電極は、活性化のための「垂直
シフトレジスタ」と呼ばれるものの出力に接続されてい
る。

第１図の配置はいくつかの応用には受け入れられたが、
いくつかの重大な欠点に脳まされている。

第１に、水平方向の単位長当たりの画素数によって評価
されるセンサの解像度が限られていることである。第２
に、行と列方向の両方とも直線配置のために、特定のパ
ターンが七ンスされたときにモアレ干渉が起きることで
ある。

これらの欠点を打ち７ｊｌ！ｊる試みで、第２　Ａ　Ｉ
？４１に示されるようなＩ山ｉ十配ｌ７ｉ−がにＪ　：
’！；；されている。この百装置では、両前１１は半’
ｙ９体すブストレート上に千鳥配置、すなわち、ｒｌＩ
＋ｉ　：ｊ：　１１の各行は行方向で互いに埋め合わさ
れるような配置■で形成される。

第２Ｂ図は、第２Ａ図のイメージ七ン叩の拡大した平面
図であり、第２Ｃ図は’：；’２２　Ｂ図でＡ　−Ａ’
の線に沿った断面図である。第２Ｂ図に関して、画素１
１の各光感応領域は、光ダイオードの活性層と′光ダイ
オードの出力を垂直方向に伸びている線に接続するため
に使われるスイッチングＦＪＣＴ緊子のソースの両方を
形成するソース拡バ（１５の領域によって規定される。

各ソース力、；、ｉ’ｒ’ｃ　１５の一方の端は、水平
方向に伸びている電極１８の淵にまで広がっており、ド
レイン拡散１６は水平方向に伸びている電’ａｉ　１　
Ｂの反対の側に形成される。

水平方向に伸びている電極番ｊ１各ソース拡散１５とド
レイン拡散１６の間にゲート領域１９を形成するように
薄い酸化層によって半導体サブストレートの表面から分
画される。ドレイン６７、　ｆｉ（ｒ　１６は垂直方向
に伸びている線２４　（第２Ｃ図を見よ、ｔ＋’、　２
　Ｅ図では見易くするために省かれている）に接続・１
゛されている。

ｔ＋’′；２Ｃ図に明羅に示されるように、各ソース拡
散１５けＰウェル２６内にノ１ｆ成され、るＮ型拡散で
ある。Ｐ＋領域２５はＮ型サブストレート２７上のＮ＋
型拡散１５の下に影戒される。このようにしてソース拡
り、　１５１ｒｉ　Ｐ＋ｆｉＢｉ域２５とＰ型つ：ｒ−
）１−２６Ｃ”光ダイオードを１１１９７７Ｑ、する。

水平方向に伸びている各ηη極１８は、細路１ｙ化）’
ｅ７２　Ｑによって垂直方向に伸びている電極２４から
絶縁されている０もしイメージセンサがカラーイメージ
センサであるなら、カラーフィルタ２６が各ソース拡ｆ
ｆ’Ｍ１５上にカラーイへ−のためにｉｊ：９切なパタ
ーンで与えられる程々のカラーフィルタのルイσ：　）
ｌ：で与えられ、る。

カラーフィル＊　２３Ｇ；ｔｌｒｓｉｉ”４１＋２２に
：埋め込＝Ｈ＋、る。

ｒｊ’ｊ　７　Ａ〜２０ｒ：３．Ｉの配置はヘセンツの
Ｊ’Ｊ’ｌ’イ・ＩＪシがげ、Ｉ・、曽し、モアレフリ
ンジ効果が減少するという点で第１図に表；ｉ）される
ものにス、１し有利である。しかしし、第２Ａ〜２０１
ｉ４σ）セン°すはＬ・−）ハとが十分でないために、
多くの応用に対してまだ十分には受け入れられていない
。

画素の感度は、その光感応領域（ｉｌｌｉ′Ｓ２Ａ〜２
Ｃ図のセンサにおいてソース領域１５によって定イ１さ
れる領域）を、画素の総領域で割ったもので決められる
。かくして、与えられる最小の写真平版の明確さ、つま
り、水平又は垂直方向に伸びている電極の与えられる最
小幅に対して、センサの解像度を向上するために第２Ａ
〜２０図の配置で水平方向の単位長当りの画素数を増加
するとき、センサの感度は低くなる。

発明の目的 従って、この発明の目的は上述したと同じ影式のソリッ
ドステートイメージセンサにおいて、解像度、感度とも
に先行技術のものより向上したものを与えることである
。

発明の描成 発明の他の目的と同様に、このＬ１的は第１、ε１き２
の電極組から成るグリッド電極を含み、各電枠組内の電
極は通常互いに平行で、第１、創、２の；）１゜相ρＩ
のｍ、　ｆ所同士けｊ１σ常直交してｆｆｌ＋！、ｆ’
＋され、ｒｆ数の光センス手段が行と列のマトリックス
に配置ｒ：ｉされ、その各々ｃ１−１第１のＴＥｉ極川
の用応するＷ［ε極に択択的Ｃ・−ｔ）テ続され、特定
の光センス手段のｉｌ’ｌｉ出しを行わせるためにそこ
から信宕を受取り、ｔｒｓ２の′ｎ１．極組の苅１ノし
する電極に選択的に４％’Ｈ続され、特定の光子ンス手
１ヘトから光強度信号を第２の電極組のｒ電極に出力す
るソリッドステートイメージセンサにおいて、第１、第
２の電極組の少なくとも１つは、閲ｆｉ、）する？１Ｇ
極と反対の位相をもつ波状パターンで形成されているこ
とを特徴とするソリッドステートイメージセンサにより
達成される。「互いに反対の位相」とすることによって
、与えられる参照フレームに対し、一つの電極の谷は防
接する電極のずぐｌＫｉりの峰ということになり、電極
は互いに位相を１８０°シフトされて現われる。第１、
第２の電１ＩＩｌｉ組の少なくとも−っは、第１の電極
組、すなわち、光センス手段の読出しを行なわせるため
に使われる電極であることが望ましい。

各光センス手段は第１の１は極組が互いに１什れていく
ところの近くの領域に配置される。すなわち、光センス
手段は光センス手段の両サイドの１１）１の？ｉ、Ｅ極
組が棒組に広がっていく波状型１１１１の間の１１１、
張した領域に形成される。好ましくはＦ　Ｆ　Ｔ　二Ｉ
’、ｆ子の形をとるスイッチング手段が　ＦｉＶ　１の
電極ｆｌｌの対応する電極の信号に１・れ−答して光セ
ンス手段を第２の電極組のそれぞれの１（電極に結合さ
れている。これらの各スイッチング赤子は、第１の’ｉ
ｉ’）　ｌ［ｉ　ｉＪｌの瞬接する電極が互いに寄って
いるところで、スイッチング素子が接続されない２つの
光センス手段の間に配置ｉ″Ｌされる。ＦＩＴスイッチ
ング車子は、ドレインが互いに接続され、ゲートが結合
された対で与えられ、第１の電砿組の瞬接する７１Ｌ極
が寄ってくる、すなわち、万」）に最も１妾近する位置
で汀）１の電極組の隣ｔチする？’ｔｌｊ分によってノ
１ぞＩ””：される。

第１の電極組の各電極の波状パターンはジグザグパター
ン、特に平らな端をもつジグザグパターンの形をとる。

後者の場合、光センス手段が配置される領域は通常式角
形であり、光センス手段自身も光センスのために利用で
きる領域を最大に使用できるようにへ角形にされること
が隼ましい。

撮像装置がカラー像のために使われる場合、カラーフィ
ルタが適切なパターンで光センス素子の上に配置どｔさ
れる。

本発明は半導体基板、第１、第２の２つの電極組、光セ
ンサー素子および複数のＦＥＴ素子を含み、これらの間
に以下の関係を有している固体撮像素子によって具体的
には実現される。すなわち、」二記の第１、第２の電極
組は互いに直交して配置され、１つの電極組に属する各
”４極は辿常互いに平行であり、第１の電極組の電極は
闘接しあう電極が互いに逆位相の波状パターンで形成さ
れ、また光センス要素は半導体ザブストレート上で第１
の電極組にＩ″ｉ４する２つの電極が互いにｒ１１散し
、その間に形成される広がった領域の各々に形成され、
設数のＦＥＴ素子が第１の７１ｉ、極組のそれぞれ一つ
の信号に応答して各光センス素子の出力を俯２の電極組
の適当な１１も極に伝達するという関係が本発明の固体
撮像朱子に存「する。このように第１の′１ば極ｉ１１
の電極を配置することによって、拡張した領域の行列が
七ンヤの水平方向にＪｆ：Ｅ　成され、１１す１とした
領域の互いに障接しあう行は互いに千７（５状になって
いる。Ｆ互いに千鳥にすること」によって、拡張した領
域の列（垂直方向）の中心を＃ｉ’ｉぶイ？は、拡張し
た領域のいずれかの側にある拡張したｆｌｒｊ　ｈｋ’
。

の中心をワ；４．ｉ：するｒＮＦ接する貌の間のほぼ真
中の所を通る。また、水平、垂直、行、列という方向を
表わす語は、説明における便利さのためにだけ用いられ
ており、センスされる像や他のイ１つ′成要耳＝に関係
する最終のイメージセンサの方向については、取扱い上
、何ら６゛別のバ、味をもたない。

ある１つの好ましい実施例において光センス７ｊ素は、
ＦＥＴ素子のソース拡散が各光グイオーｌ゛の活性層を
形成するような光ダイオードでＪＩＬ：　ｒＲ，される
。Ｆ　Ｅ　Ｔ　赤子は好ましくは、第１の７１ｊ　４”
ｊ＜　＃ｉ［に属する互いにト１？接しあう電極の対が
最も接近する領域、すなわち、ＴＬ極が集中する領Ｊ戊
に設けられたゲートと共通のドレイン＠’Ｉ　ｈすとの
対で与えられる。第１の■１１極の電極を平らな淵をも
つジグザグパターンで形成することによって、光センス
要Ｉのある拡張した８１域は、一般にへ角形となる。

この発明は各画素の光ｆρ応ｆ「目切をＩｆ％大とする
ことによる１１ξ：／３：Ｌ上昇とモアレフリンジ効果
の十分な減少という効果を同時に与える。

実ｆｆ１ｊ　（＋’１ｉ ｆ１ゝ；　３１’＜１の平面図によって、この発明の開
示に従って！＋”ｊ成、されたソリッドステートイメー
ジセンサのｒｒｉ　１の′！４施例を説明する。

この弁明によれ６１１’、ソリッドステートイメージ士
ンリ”の水゛１′方向にρＩＩひる電待２６４がジグザ
グパターン（平ら２（ジグザグパターン）で形成され、
闘１゛；麹゛る’ｉｉｆ、極ろ４とは１１いに１８００
の位相をもっている。そうすることで、へ角形の拡張し
た領域の列が隅りの列と千鳥になって規則的な間隔で形
成される。へ角形となっているソース拡バＭ３１は、こ
の拡！ｉ１．！　ｔ、、た領域に形成される。ドレイン
拡散３２とドレインコンタクト領域６５は、瞬接する拡
張した’ｉｊ、＋域との間の小さな領（或１に形成され
る。すなわち、１；を接する電極６４が互いに集中する
領域にＪし成される。倉’ｔ　２　Ｂ図の装置の場合と
同様、ソース拡ｆｉｔ３１とドレイン拡ＩＦ（：３２け
、７１ぐ平方向（・−伸びる１′！を杼６４のエツジ近
くの位１コ１まで半３７７体′リブストレート上に広か
つており、ゲート値域３３は水平方向に伸ひる電極ろ４
を薄い］１；ｙ化ｊ・１，１によってサブストレ−トの
）１．：面から分１ｑｆｌ　Ｌで、その間に形成される
。

第４図は、ｒＤ　３　［’？ＴＩの実施例と同様に、こ
の発明の他の実施例を示し、ここで（」各ドレイン拡ｉ
ｉ−，３３は２つのｌＪ、インするソース拡ｆｆ９．３
１にヅぐｌ　Ｌで１つのドレインｆｉｌｉ域として傅く
。この場合、各ドレ・イン拡散６８は２つのＷ”ｖ接す
る水平方向に伸びる？：「ｉ・Ｆｉ６４のエツジまで広
がり、グー）　ｆｌｉ′ｊ　；Ｉ・・１ｚろ７け１・・
１′、′−する２つの水平方向に伸びる１］；、植６４
の下にｊｌ、（、、スされる。第４し！の実Ｍｉ；　＋
ｓｑ＋　Ｇｅｔセンサがカラー・イメージセンサのとき
にはｑ１］１に有１１１てＬＦ）る。それはインターレ
ーススキャニングσ）ためににび）ことＩ：Ｉり）Ｍ？
　（１？、ｉ　５９　２４４５５　）中−ｃ　５ｔ２明
しティる）、一度に水平方向に伸びる７Ｌｆ、　（１訴
３４のうち１つを活ｆ！二化するだけでよいからである
。

この発明のソリッドステートイメージセンサの作り方を
、１例として第４図に示される形式のもので１悦明Ｖる
。

ナす、ｆｆｉ　５　Ａ、　５　Ｂｉ；＜ｉに示されるよ
うに、フィールド自ン化物の比較的厚い領域４０をＮ型
サブストレート（開示ぜず）上のＰ型ｊ（・７４５の表
面上にＴ′ｌ、；直方向に通’ｌｉ；ジグザグツマター
ンで成長させる。

後でゲート領Ｊ或を形成するために使われる薄いＱ化に
；４２が半導体ザブストレートの表面上に形成される。

この作Ｊｊｑ；　Ｋ郵ｉパ？では領域４１　（ソース拡
散領域が形成される領ＪＩ′つと領域４ろ（１゛レイン
拡散領域が形成される領域）はそのまま分、される。

次に、第６Ａ−ｓ　６Ｂ図に表わされるように、半導体
サブストレートでそのままダ゛８っている部分にＧ′ｉ
適！ｌＩｊなドーパントｉＩ′Ａ旧が設置ｉｆされる。

望ましいドーパント材料けＮ＋タイプである。水平方向
に伸びる電極３４は上で述べられたような平らなｔ：：
１をもつジグザグパターンで設けられる。望ましくは電
ｆＩ′ｆ、′５４Ｇ′：Ｊポリシリコン材第２１からな
るのがよい。

次のｚ’ｉ）　７　Ａ　−７０図については、ｐｓａ　
（フォス７アーグラス）の層４７がデバイスのうり面」
二に屓かれ、エツチングさ４１てドレ・ｒンコ〉′クク
１．　ａ、７域４８が作られる。

最後に、第８Ａ〜８　ＣＧｉ＋に示されるように、ソー
ス拡散６１の＋では幅の秒い部分５１Ａをもつ垂直方向
に伸びる１１５！・η（５１がドレインコンタクト６５
と接触して僧かれる。もう一つの自″で化ハ；でパ゛。

る保ｋ・１層４９が完全４Ｃデバイスの表面」二に形成
される。もちろん、センサの光ダイオード部分の完成の
ために、第２Ｃ図のＰ＋八へ；２５のような層を与える
必要がある。しかしこれＧｊ一般的ｔＣσ〕でＰ＋層は
説明図を簡）７にする［１的で’？７Ｎ：＋！されてい
る。

これでこの発明の好ましい実施ｆ；１１の８ｉ（すｖ〕
を終える。好ましい実施例が述べられたが、多くの修正
、変更がこの分野のｉｊｒ＋常の技術を有するイ遥こと
って、この発明の精神を逸脱しないで為されることは明
らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のソリッドステートイメージセンサの平面
図である。 ’＋Ｓ２Ａ％　２Ｂ図は他のソリッドステートイメージ
センサであり、第２Ａ図はＰ、Ｖ　１図と同様の平面図
、第２Ｂ図は第２Ａ図の一部を拡大した概略的平面図、
第２０図は第２Ｂト１でＡ　−Ａ’で指示された斜）に
沿ったｌｉ’、ｌｉ面図を拡大したものである。 第３図は第２図と同様な平面し１であるが、本発明のソ
リッドステートイメージセンサを表わしている。 第４１￥１は第３図と同４コ１１に本グＯ明のソリッド
ステートイメージセンサの仙の実１６例を表わす平面ド
１である。 第５Ａ−８０図は第４図で示される形式のソリッドステ
ートイメージセンサの作り方のステップを表わしており
、第５＾−８４図ＧＪ平１６１図、第５Ｂ図は第５ＡＩ
刀に１４げるＢ　−Ｂ’の廖Ａにン１）う輿目山図、負
’ｙ　６１３　ｌ″羽、１第６Ａし１に才ｊりるｃ　−
ｏ’の線に沿うＵ；１ｊｆｊｉ　５、第７Ｂ図ＬＪ　’
ｆｊ’ｒ　７　Ａ図＆Ｚ　ｉ５　ＬｊルＴ）　Ｄ、’＋
７）　１４ｊ　ニ沿う１１１１面し１、第７Ｃ図番；！
第７Ａ図におけるＥ　−Ｉ！ｉ’の絆に沿う断面図、第
８Ｂし１ｃ１第８Ａ図におけるＦ−Ｆ’の佇に沿う断面
図、第８０図は第８Ａ図におけるＧ−σの線に沿う断面
図である。 図中符号 １０・・・半導体サブストレート、１１・・・画　素、
１５・・・ソース拡散、　１６・・・ドレイン拡散、１
８・・・亀　極、　１９・・・ゲート領域、２０・・・
絶縁酸化層、２２・・・保７７体層、２３・・・カラー
フィルタ、２４・・・艇、２５・・・虻領域、　２６・
・・Ｐウェル、２７・・・Ｎ型サブストレー１−６１・
・・ソース拡散、３２・・・ドレイン拡散、　６６・・
・ゲート領域、６４・・・電極、　６５・・・ドレイン
コンタクト・鎖酸、３７・・・ゲート領域、６８・・・
ドレイン拡散、４０・・・領　域、　４２・・・酸化ハ
・１．４６・・・領　域、　４５・・・■）型層、４７
・・・層、　４８・・・ドレインコンタクト山域、４９
・・・保ｎ乗にノナ看、　５１・・・Ｋ４鴫匣。 第　７Ａ　ＩＩＡ 第　７Ｂ　図 （Ｅ−Ｅ’） 第　８Ａ　図 第　８Ｂ　図 （Ｇ−Ｇ’）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）半導体サブストレート上に配置された第１、第２
   の電極組から成り、前記のいずれか電極組にに４する各
   電極は通常互いに平行しており、前記第１の電極組に居
   する電極と第２の電極組に属する電極は通常互いに直交
   しているグリッド電極と、行と列のマトリックスに配置
   された複数の光センス手段と、前記第２の電極組のそれ
   ぞれの電極の活性化信号に応答して前記光センス手段の
   読出しを行うために各光センス手段を前記第２の電極組
   のそれぞれの電極に選択的に結合するための手段との６
   つをもつソリッドステートイメージセンサにおいて、前
   記第１、第２の電極組の少なくとも１つは隣接する電極
   と互いに反対位相となる波状パターンに形成されること
   を特徴とするソリッドステートイメージセンサ。 ψ）前記第１、第２の電極組の少なくとも１つは第１の
   電極♀１１から成ることを特徴とする特許員１′１求の
   範囲第１項記載のソリッドステートイメージセンサ。 （３）光センス手段が前記第１の電極組に屈する互いに
   瞬接しあう電極の間で、前記の互いにに８　接しあう電
   極が互いに離散している領域に配置されることを特徴と
   する特許請求の６・ＩＬ囲第２項記載のソリッドステー
   トイメージセンサ。 （４）選択的結合手段がト！数のスイッチング手段から
   成り、各スイッチング手段は前記第１の電（・ｕｌｌの
   瞬接する電極が互いに接近するところの６ｊ’ｉ　Ｊ、
   ｊｔ２に配置されることを特徴とする特Ｈ’ｒ請求の範
   囲第６項記載のソリッドステートイメージセンサ。 （５）スイッチング手段がｙｖＴｆ、Ｈ子から成り、該
   スイッチング手段は、−諸に接続されたドレインと第１
   の電極組に属する互いに一ト接しあう電極が互いに最も
   接近した位置で第１の′１１Ｌ極組のそれぞれ瞬接する
   電極によって形成され、かつ、これらの電極に結合され
   たゲートをもつＦＫＴ素子の−対として配置されること
   を’ＩＪ　ａ２とするところの特許請求の範囲第４項記
   載のソリッドステートイメージセンサ。 （６）前記８第１の電極組は、電極の長手方向に伸びて
   いる第１部分と、前記長手方向に対し鋭角で伸びている
   第２部分と、前記長手方向に平行に伸びている第６部分
   と、前記長手方向に対し前記鋭角と相補な角度で伸びて
   いる第４部分をもつ平らなジグザグパターンをもつこと
   を特徴とする特許請求の範囲第５項記載のソリッドステ
   ートイメージセンサ。 （７）前記各光センス手段は通常へ角形の形をしている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載のソリッド
   ステートイメージセンサ。 （８）前記各光センス手段は光ダイオードを含むことを
   特徴とする特許請求の範囲第６項記載のソリッドステー
   トイメージセンサ。 （９）複数のカラーフィルタを含み、前記フィルタはカ
   ラーイメージングに苅し適当な予め定められたパターン
   で前層され、前記各カラーフィルタは前記光センス手段
   のそれぞれの土に配置されることを特徴とする特許請求
   の範囲第６項記載のソリッドステートイメージセンサ。 東０半導体サブストレートと、前記半導体サブストレー
   ト上に配置された第１、第２の電、棒組と、前記半導体
   サブストレートにＪＩ＝５成されたに数の光センス要素
   と、複数のＦＥＴ素子を含むソリッドステートイメージ
   センサであって、 前記第１の電極組の各電極は、前記第１の電１ｊ；ｉ組
   の瞬接する一対の間に定められた間ｈ＆で拡張した領域
   を形成するために前記第１の電極組の隣接する電極と互
   いに逆位相の波状パターンで形成され、前記拡張した領
   域の一つの行°は前記第１の電極組の隣接する二つの間
   に形成され、前記拡張した領域の隣接する行は互いに千
   鳥にされており、前記第２の電極組は前記第１の電極組
   の７１℃極と通常直交して配置された電極を含み、０１
   １記第２の電極組の電極は前記第１の電極のそれぞれの
   並んだ峰と谷を横切って伸びており、前記第１、第２の
   すべてのｆｆｌ極は互いに電気的に絶縁されており、前
   記社！数の光子ンス要六は前記拡張した領域の各々に形
   成されており、 前記（：！Ｊ数のＦＥＴ素子は前記光センス要素の各々
   のために与えられ、前記各ＦＥＴ素子の各々はそれぞれ
   の光センス要素と結合されたソースと、前記第１の電極
   の１つによって形成され、それに結合されたゲートと、
   前記第２の７Ｅ　棒のそれぞれに結合されたドレインと
   、前記ドレインは前記拡５．１４　した（ｉｌ’ｌ域の
   ２つの間の前記半導体サブストレートに形成、されたと
   ころのソリッドステートイメージセンサ。 ０］）前記各光センス要崇は１つの光ダイオードを含む
   ことを特徴とする１″ＮＩＦＩｉ’　Ｈ１’４　＞Ｊ＜
   の範囲ｔ！、’　１０１ｊｌ記載のソリッドステートイ
   メージセンサ。 Ｏ→１］１（記者Ｆ　Ｅ　Ｔ　素子のソースはそれぞれ
   の光ダイオードの１ｉｉｉ域の上に広がっており、前記
   光ダイオードの活１’ｌ：層を形成することを特徴とす
   る特許請求の範囲第１１項記載のソリッドステートイメ
   ージセンサリ。 ０→１１１１記ＦＥＴ素子は共ｊ「１）のドレイン１的
   域と、前記第１の電極組のに接する電極の対が互いに彫
   もＶ近する領域に形成されたゲートをもつ一対として与
   えられることをＱ’−’ｉ　Ｎ′１！とするソリッドス
   テートイメージセンサ。 α→「）１」記名拡張したｆ＋’；Ｉ′ＪＴ′−と前記
   各光センス要ぎては通常へ角Ｊｌ、Ｅのｊしであること
   を特徴とする！Ｔ’ｌ’　、ｉ’ｌ＋　請求ノ範ｆａｉ
   ｌ　第１０項記載のソリッドステートイメージセンサ。