JPS62123324A - 焦電形赤外線検出素子 - Google Patents
焦電形赤外線検出素子Info
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- JPS62123324A JPS62123324A JP60262509A JP26250985A JPS62123324A JP S62123324 A JPS62123324 A JP S62123324A JP 60262509 A JP60262509 A JP 60262509A JP 26250985 A JP26250985 A JP 26250985A JP S62123324 A JPS62123324 A JP S62123324A
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- Japan
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- electrode
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は焦電効果全利用した焦電形赤外線検出素子、特
に焦電基板に形成される赤外線検出用電極の電極構造に
関するものである。
に焦電基板に形成される赤外線検出用電極の電極構造に
関するものである。
従来、この種の焦電形赤外線検出素子に用いられる赤外
線検出用チップは、焦電基板の表面とその裏面に金属の
平面電極を形成し、その平面電極間の焦電基板内に生じ
ｔ焦電効果による電荷を検出している。（例えば桑野他
、’１！子通信学会研究報告ＣＰＭ８０−１９．Ｐ１３
５（１９８０））。
線検出用チップは、焦電基板の表面とその裏面に金属の
平面電極を形成し、その平面電極間の焦電基板内に生じ
ｔ焦電効果による電荷を検出している。（例えば桑野他
、’１！子通信学会研究報告ＣＰＭ８０−１９．Ｐ１３
５（１９８０））。
第３図はこの種の赤外線検出素子の一例を示す要部断面
図である。同図において、１はステム、２はキャップ、
３は赤外Ｍｅ入射させるシリコン窓、４は赤外線検出用
チップ、５は赤外線検出用テップ４の支持台、６はＦＥ
Ｔ、７は赤外線検出用チップ４およびＦＥＴ６ｅ接着固
定させる接着剤、８は赤外線検出用チップ４とＦ’ＥＴ
６とを電気的に接続させるボンディングワイヤ、９は外
部回路接続用端子である。
図である。同図において、１はステム、２はキャップ、
３は赤外Ｍｅ入射させるシリコン窓、４は赤外線検出用
チップ、５は赤外線検出用テップ４の支持台、６はＦＥ
Ｔ、７は赤外線検出用チップ４およびＦＥＴ６ｅ接着固
定させる接着剤、８は赤外線検出用チップ４とＦ’ＥＴ
６とを電気的に接続させるボンディングワイヤ、９は外
部回路接続用端子である。
第４図は第３図の赤外線検出用チップ４の拡大斜視図で
ある。同図において、この赤外線検出用チップ４は、焦
電基板１０の外面に表面電極１１および裏面電極１２ｆ
ｅそれぞれ形成し、これらの両電極１１ 、１２間の焦
電基板１０内の無電効果を利用して赤外線の検出を行な
ってい友。
ある。同図において、この赤外線検出用チップ４は、焦
電基板１０の外面に表面電極１１および裏面電極１２ｆ
ｅそれぞれ形成し、これらの両電極１１ 、１２間の焦
電基板１０内の無電効果を利用して赤外線の検出を行な
ってい友。
上述した従来の焦電形赤外線検出素子に用いる赤外線検
出用チップ４は、赤外線の検出感度を高くするために両
Ｊｒｔ極１１．１２間の距離、丁なわち焦電基板１０の
厚さをある程度薄くする必要がある。上述し次文献によ
ると、焦電基板１０の厚さは３０〜５０μｍにする必要
があり、焦電基板１０の特殊な研磨加工を必要とするが
、この加工は歩留りが悪（赤外線検出用チップ４のコス
）１−増大する欠点がある。また、焦電基板１０の両面
に電極１１．１２を形成する必要があるため、１：Ｃ。
出用チップ４は、赤外線の検出感度を高くするために両
Ｊｒｔ極１１．１２間の距離、丁なわち焦電基板１０の
厚さをある程度薄くする必要がある。上述し次文献によ
ると、焦電基板１０の厚さは３０〜５０μｍにする必要
があり、焦電基板１０の特殊な研磨加工を必要とするが
、この加工は歩留りが悪（赤外線検出用チップ４のコス
）１−増大する欠点がある。また、焦電基板１０の両面
に電極１１．１２を形成する必要があるため、１：Ｃ。
ＬＳＩのようなプレーナ構造とは異なり、量産性に乏し
い欠点もある。さらには、性能の上で重要視される検出
感度およびｓ ／ Ｎ比がいずれも焦電基板１Ｇの厚さ
で制限全うける欠点がある。
い欠点もある。さらには、性能の上で重要視される検出
感度およびｓ ／ Ｎ比がいずれも焦電基板１Ｇの厚さ
で制限全うける欠点がある。
本発明による赤外線検出用チップは焦電基板の表面に交
差指状に検出用電極を形成し次ものである。
差指状に検出用電極を形成し次ものである。
〔作 用〕
焦電基板の表面に交差指状に検出用電極全形成するので
、電極の形成が容易となるとともに、焦電基板の表面に
生じ比電荷を検出することができる。
、電極の形成が容易となるとともに、焦電基板の表面に
生じ比電荷を検出することができる。
以下、図面を用いて本発明の実施例全詳細に説明する。
第１図は本発明による焦電形赤外線検出素子の一実施例
金示す要部断面図であり、前述の図と同一部分は同一符
号を付しである。同図において、ステム１上には、焦電
基板１０の表面に一対の交差指状電極全形成した赤外線
検出用チップ４′が接着剤Ｔによシ接着され、固定配置
されている。
金示す要部断面図であり、前述の図と同一部分は同一符
号を付しである。同図において、ステム１上には、焦電
基板１０の表面に一対の交差指状電極全形成した赤外線
検出用チップ４′が接着剤Ｔによシ接着され、固定配置
されている。
この赤外線検出用チップ４′は、第２図に拡大斜視図で
示すように焦電基板１０の表面に金属膜からなる交差指
状電極１３が形成されている。この交差指状電極１３は
互いに対向する一対の電極端子１３ａ、１３ｂ間にその
電極指１３ｅが交互に交差して形成されている。
示すように焦電基板１０の表面に金属膜からなる交差指
状電極１３が形成されている。この交差指状電極１３は
互いに対向する一対の電極端子１３ａ、１３ｂ間にその
電極指１３ｅが交互に交差して形成されている。
このような構成において、外部からシリコン窓３を通り
入射した赤外線は、赤外線検出用チップ４′の表面に形
成された交差指状電極１３に照射される。そして、この
交差指状電極１３は一対の電極端子１３ａ、１３ｂ間に
、互いに異なる電極指１３ｃが交互に交差して形成され
ているので、これらの電極指１３ｃ間で焦電基板１０の
焦電効果によりその表面付近で生じた電荷を検出する。
入射した赤外線は、赤外線検出用チップ４′の表面に形
成された交差指状電極１３に照射される。そして、この
交差指状電極１３は一対の電極端子１３ａ、１３ｂ間に
、互いに異なる電極指１３ｃが交互に交差して形成され
ているので、これらの電極指１３ｃ間で焦電基板１０の
焦電効果によりその表面付近で生じた電荷を検出する。
このような構成によれば、赤外線検出用チップ４′は焦
電基板１００表面に交差指状電極１３全形成して構成さ
れるので、その赤外線検出用チップ４′はプレーナ構造
となり、ＩＣ，ＬＳＩと同様のフォトリングラフィ技術
によシ大量生産に適し九プロセスで生産することができ
る。また、交差指状電極１３で検出される電荷は焦電基
板１０の表面付近であるため、赤外線に対する応答時間
が極めて速く、かつ高感度の検出出力が得られるなどの
電気的性能を向上させることができる。さらに交差指状
電極１３が焦電基板１０の表面に形成されるため、この
焦電基板１Ｇの厚さが性能にほとんど関係なく、従来の
ように基板研磨による歩留り低下、コスト増大等の問題
もなくなるとともに、従来焦電基板１０が薄板の九めに
支持に必要であった支持台５が不要となる。ま友、赤外
線検出用チップ４′の電気的性能は、従来のように焦電
基板１０の厚さではなく、交差指状電極１３を構成する
電極端子１３ａ 、 １３ｂ間の電極指１３Ｃの交差幅
および対数で決定されるので、設計における自由度が同
上できる。
電基板１００表面に交差指状電極１３全形成して構成さ
れるので、その赤外線検出用チップ４′はプレーナ構造
となり、ＩＣ，ＬＳＩと同様のフォトリングラフィ技術
によシ大量生産に適し九プロセスで生産することができ
る。また、交差指状電極１３で検出される電荷は焦電基
板１０の表面付近であるため、赤外線に対する応答時間
が極めて速く、かつ高感度の検出出力が得られるなどの
電気的性能を向上させることができる。さらに交差指状
電極１３が焦電基板１０の表面に形成されるため、この
焦電基板１Ｇの厚さが性能にほとんど関係なく、従来の
ように基板研磨による歩留り低下、コスト増大等の問題
もなくなるとともに、従来焦電基板１０が薄板の九めに
支持に必要であった支持台５が不要となる。ま友、赤外
線検出用チップ４′の電気的性能は、従来のように焦電
基板１０の厚さではなく、交差指状電極１３を構成する
電極端子１３ａ 、 １３ｂ間の電極指１３Ｃの交差幅
および対数で決定されるので、設計における自由度が同
上できる。
以上説明したように本発明によれば、赤外線検出用チッ
プは焦電基板の表面に交差指状電極全形成して構成し几
ことにより、量産性に富みかつ高性能の焦電形赤外線検
出素子が実現できるという極めて優れた効果が得られる
。
プは焦電基板の表面に交差指状電極全形成して構成し几
ことにより、量産性に富みかつ高性能の焦電形赤外線検
出素子が実現できるという極めて優れた効果が得られる
。
第１図は本発明による焦電形赤外線検出素子の一実施例
金示す要部断面図、第２図は赤外線検出用チップを示す
要部拡大斜視図、第３図は従来の焦電形赤外線検出素子
を示す要部断面図、第４図は従来の赤外線検出用チップ
を示す要部拡大斜視図である。 １・・・・ステム、２・・・・キャップ、３・・・・シ
リコン窓、４′・・・・赤外線検出用チップ、６・・・
・ＦＥＴ、７・・・拳接着剤、８・・・・ボンディング
ワイヤ、９・・・・外部回路接続用端子、１０・・・・
焦電基板、１３・φ・・交差指状電極、１３ａ、１３ｂ
・・・畳電極端子、１３Ｃ・・・・電極指。
金示す要部断面図、第２図は赤外線検出用チップを示す
要部拡大斜視図、第３図は従来の焦電形赤外線検出素子
を示す要部断面図、第４図は従来の赤外線検出用チップ
を示す要部拡大斜視図である。 １・・・・ステム、２・・・・キャップ、３・・・・シ
リコン窓、４′・・・・赤外線検出用チップ、６・・・
・ＦＥＴ、７・・・拳接着剤、８・・・・ボンディング
ワイヤ、９・・・・外部回路接続用端子、１０・・・・
焦電基板、１３・φ・・交差指状電極、１３ａ、１３ｂ
・・・畳電極端子、１３Ｃ・・・・電極指。
Claims (1)
- 焦電基板上に赤外線検出電極が形成された赤外線検出用
チツプを少なくとも具備してなる焦電形赤外線検出素子
において、前記赤外線検出電極を焦電基板の表面に交差
指状に形成したことを特徴とする焦電形赤外線検出素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60262509A JPS62123324A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 焦電形赤外線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60262509A JPS62123324A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 焦電形赤外線検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62123324A true JPS62123324A (ja) | 1987-06-04 |
Family
ID=17376786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60262509A Pending JPS62123324A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 焦電形赤外線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62123324A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227531U (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-22 | ||
| US6049080A (en) * | 1996-10-30 | 2000-04-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Pyroelectric infrared sensor device |
| US6121615A (en) * | 1996-09-06 | 2000-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Infrared radiation sensitive device |
| CN116846488A (zh) * | 2023-08-29 | 2023-10-03 | 深圳市美矽微半导体有限公司 | 一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统 |
-
1985
- 1985-11-25 JP JP60262509A patent/JPS62123324A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0227531U (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-22 | ||
| US6121615A (en) * | 1996-09-06 | 2000-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Infrared radiation sensitive device |
| US6049080A (en) * | 1996-10-30 | 2000-04-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Pyroelectric infrared sensor device |
| CN116846488A (zh) * | 2023-08-29 | 2023-10-03 | 深圳市美矽微半导体有限公司 | 一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统 |
| CN116846488B (zh) * | 2023-08-29 | 2023-11-14 | 深圳市美矽微半导体有限公司 | 一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统 |
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