CN116846488A - 一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统，涉及红外发射芯片测试技术领域，包括：将待测试的红外发射芯片的引脚接入性能测试机电路中，调试性能测试机进入测试环境；性能测试机对红外发射芯片的灵敏度进行检测；性能测试机对红外发射芯片的功耗能量进行检测；性能测试机对红外发射芯片的响应时间进行检测；性能测试机对红外发射芯片的抗干扰性进行检测；结合红外发射芯片性能评定标准，对红外发射芯片的性能进行评级。通过设置灵敏度检测模块、功耗能量检测模块、响应时间检测模块和抗干扰性检测模块，从多维度对红外发射芯片的性能进行综合测试，更为全面的提供检测数据。
Description
技术领域
本发明涉及红外发射芯片测试技术领域，具体是涉及一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统。
背景技术
红外器件，工作于0.75～1000微米（μm）波长范围内的器件。包括红外发光器件和红外探测器件两大类。常见的红外发光器件有红外发光二极管和红外激光器，红外发光二极管处于正偏时，由于空穴和电子的复合而产生红外光辐射，各种激光器包括固体激光器、气体激光器、半导体激光器和染料激光器等，都能产生红外光，红外发光二极管和半导体激光器通常都是由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料做成，红外探测器件种类繁多，常见者有光电导检测器、光磁电检测器、光子牵引检测器、PIN光电二极管、肖特基光电二极管、MOS检测器、双极型光晶体管等，红外探测器件所用材料极为广泛，金属、绝缘体和超导体都可用于制作红外探测器，红外集成电路正在积极开发中，红外器件主要用于遥控、遥测和通信领域。
现有技术红外发射芯片的测试方法测量的全面性不足，对于红外发射芯片性能相关性高的指标检测欠缺，导致检测结果单一化，说服力不足，此外，在检测时，其方法的快捷性、精度及可靠性均有待提升。
发明内容
为解决上述技术问题，提供一种红外发射芯片的性能综合测试方法及系统，本技术方案解决了上述背景技术中提出的现有技术红外发射芯片的测试方法测量的全面性不足，对于红外发射芯片性能相关性高的指标检测欠缺，导致检测结果单一化，说服力不足，此外，在检测时，其方法的快捷性、精度及可靠性均有待提升的问题。
为达到以上目的，本发明采用的技术方案为：
一种红外发射芯片的性能综合测试方法，包括：
将待测试的红外发射芯片的引脚接入性能测试机电路中，调试性能测试机进入测试环境；
性能测试机对红外发射芯片的灵敏度进行检测，性能测试机发射不同信号强度的红外信号至红外发射芯片，若红外发射芯片对红外信号作出反应，则判定该强度信号为可测信号，若红外发射芯片不对红外信号作出反应，则判定该强度信号为不可测信号，可测信号强度构成可测强度集合，不可测信号强度构成不可测强度集合，通过对可测强度集合和不可测强度集合使用强度比较法，得出红外发射芯片的最小可检测信号强度，测试过程使用二分法；
性能测试机对红外发射芯片的功耗能量进行检测，性能测试机通过探针接触红外发射芯片的引脚，性能测试机提供电测试信号，测试机探针对输出的电流进行实时监控，红外发射芯片发热产生红外辐射，红外发射芯片各区域电阻产生变化，红外探测器通过光学成像物镜接收红外发射芯片的红外辐射能量，红外辐射能量分布反映到红外探测器的光敏组件上，获得红外发射芯片的红外热像图，根据红外热像图，得到红外发射芯片不同区域的阻值，根据均值算法，计算红外发射芯片的综合阻值，并计算出红外发射芯片的功耗能量；
性能测试机对红外发射芯片的响应时间进行检测，性能测试机发射特殊红外信号，所述特殊红外信号包含连续反应指令，在连续反应指令执行时，性能测试机发射信号，红外发射芯片返回信号，作为一个循环，连续反应指令使得性能测试机与红外发射芯片之间产生一千次循环，统计一千次循环的时间，得到单次循环的时间，即红外发射芯片的响应时间；
性能测试机对红外发射芯片的抗干扰性进行检测，从数据库得到光线和电磁波的强度范围，性能测试机按设定的间隔产生不同强度的光线和电磁波，形成不同参数的干扰环境，在不同干扰环境下，测试红外发射芯片在各强度点位下的响应时间，使用梯度法计算红外发射芯片在光线和电磁波的连强度范围内的每一点的响应时间，计算平均响应时间，从数据库调取标准响应时间，计算得到平均响应时间偏离度；
综合灵敏度检测、功耗能量检测、响应时间检测和抗干扰性检测结果，结合红外发射芯片性能评定标准，对红外发射芯片的性能进行评级。
优选的，所述强度比较法包括以下步骤：
对可测强度集合中元素进行排序，得到其中的最小值A；
对不可测强度集合中元素进行排序，得到其中的最大值B；
从数据库调取对红外发射芯片的灵敏度的精度误差允许值C；
比较与C，其中，/>为绝对值；
若大于C，则判定精度不满足要求，继续在B与A之间的范围，进行灵敏度检测，根据得到的强度的可测或不可测性，补充进入可测强度集合或不可测强度集合，重复上述步骤，直到/>小于等于C为止；
若小于等于C，则判断精度满足要求，得到A为最小可检测信号强度。
优选的，所述二分法包括以下步骤：
分别测得红外发射芯片的可测信号强度D和不可测信号强度E作为初始值；
D归于可测强度集合，E归于不可测强度集合；
对D和E进行迭代，取，性能测试机反射F强度的红外信号；
若F强度的信号不可测，则将F归于不可测强度集合，并将F的值赋予E，重复上述步骤；
若F强度的信号可测，则将F归于可测强度集合，并将F的值赋予D，重复上述步骤；
当得到最小可检测信号强度时，停止上述步骤。
优选的，所述均值算法包括以下步骤：
对红外发射芯片进行区块划分，均分为一千块，每块标记为，i=1，2，…，1000；
在区块中统计红外热像图中不同颜色的占比，将占比从大到小排列；
取颜色占比最大的前五种色彩，从数据库得到每种色彩所对应的阻值、/>、/>、和/>，并得到其所占面积，分别为/>、/>、/>、/>和/>；
则综合阻值R为
。
优选的，所述红外发射芯片的功耗能量采用如下公式
。
式中，Q为功耗能量，I为流经红外发射芯片的电流大小，R为综合阻值，t为时间。
优选的，所述梯度法包括以下步骤：
对收集的数据进行处理；
参数中光线的强度为，i=1，2，…，n，/>依次等距设置，电磁波的强度为/>，j=1，2，…，m，/>依次等距设置；
与/>强度对应的反应时间为/>；
对光线和电磁波的测试强度范围内的每个点（x，y）都拟合其反应时间，当x介于，y介于/>时，则（x，y）处的反应时间/>为
式中，；
则平均响应时间T为
式中，V为光线和电磁波的测试强度范围围成的区域的面积。
优选的，所述平均响应时间偏离度采用如下公式：
式中，为平均响应时间偏离度，T为平均响应时间，/>为额定响应时间。
优选的，所述红外发射芯片性能评定标准如下：
数据库中调用额定最小可检测信号强度M，计算最小可检测信号强度A与额定最小可检测信号强度M的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；
数据库中调用额定功耗能量N，计算功耗能量Q与额定功耗能量N的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；
数据库中调用额定响应时间，计算红外发射芯片的响应时间与额定响应时间的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；
数据库中调用额定平均响应时间偏离度，计算平均响应时间偏离度/>与额定平均响应时间偏离度/>的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3，
其中，，/>为优质合格红外发射芯片的响应时间，/>为额定响应时间；
累加上述各项得分得到S，若，红外发射芯片性能为次级，若/>，红外发射芯片性能为良级，若/>，红外发射芯片性能为优级。
一种红外发射芯片的性能综合测试系统，用于实现上述的红外发射芯片的性能综合测试方法，包括：
调用模块，所述调用模块对数据库中的数据进行调取及存储；
数据库，所述数据库用于存储历史数据，以便调取时进行运算；
灵敏度检测模块，所述灵敏度检测模块设置在性能测试机内部，灵敏度检测模块用于测试收集灵敏度相关的数据；
功耗能量检测模块，所述功耗能量检测模块设置在性能测试机内部，功耗能量检测模块用于测试收集功耗能量相关的数据；
响应时间检测模块，所述响应时间检测模块设置在性能测试机内部，响应时间检测模块用于测试收集响应时间相关的数据；
抗干扰性检测模块，所述抗干扰性检测模块设置在性能测试机内部，抗干扰性检测模块用于测试收集抗干扰性相关的数据。
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：
1、通过设置灵敏度检测模块、功耗能量检测模块、响应时间检测模块和抗干扰性检测模块，从多维度对红外发射芯片的性能进行综合测试，更为全面的提供检测数据，使得对于红外发射芯片的性能的评定更具说服力，从而更为值得信赖；
2、通过设置强度比较法、二分法、均值算法和梯度法，二分法在检测过程中，能减少检测的次数，可以更为迅捷的完成检测过程，均值算法和梯度法能将获得的数据均考虑进入计算中，使得计算得出的结构综合已有数据，进而使得结果更为可信且精度高。
附图说明
图1为本发明的流程示意图；
图2为本发明的强度比较法流程示意图；
图3为本发明的红外发射芯片性能评定标准示意图。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。
参照图1-3所示，一种红外发射芯片的性能综合测试方法，包括：
将待测试的红外发射芯片的引脚接入性能测试机电路中，调试性能测试机进入测试环境；
性能测试机对红外发射芯片的灵敏度进行检测，性能测试机发射不同信号强度的红外信号至红外发射芯片，若红外发射芯片对红外信号作出反应，则判定该强度信号为可测信号，若红外发射芯片不对红外信号作出反应，则判定该强度信号为不可测信号，可测信号强度构成可测强度集合，不可测信号强度构成不可测强度集合，通过对可测强度集合和不可测强度集合使用强度比较法，得出红外发射芯片的最小可检测信号强度，测试过程使用二分法；
性能测试机对红外发射芯片的功耗能量进行检测，性能测试机通过探针接触红外发射芯片的引脚，性能测试机提供电测试信号，测试机探针对输出的电流进行实时监控，红外发射芯片发热产生红外辐射，红外发射芯片各区域电阻产生变化，红外探测器通过光学成像物镜接收红外发射芯片的红外辐射能量，红外辐射能量分布反映到红外探测器的光敏组件上，获得红外发射芯片的红外热像图，根据红外热像图，得到红外发射芯片不同区域的阻值，根据均值算法，计算红外发射芯片的综合阻值，并计算出红外发射芯片的功耗能量；
性能测试机对红外发射芯片的响应时间进行检测，性能测试机发射特殊红外信号，所述特殊红外信号包含连续反应指令，在连续反应指令执行时，性能测试机发射信号，红外发射芯片返回信号，作为一个循环，连续反应指令使得性能测试机与红外发射芯片之间产生一千次循环，统计一千次循环的时间，得到单次循环的时间，即红外发射芯片的响应时间；
性能测试机对红外发射芯片的抗干扰性进行检测，从数据库得到光线和电磁波的强度范围，性能测试机按设定的间隔产生不同强度的光线和电磁波，形成不同参数的干扰环境，在不同干扰环境下，测试红外发射芯片在各强度点位下的响应时间，使用梯度法计算红外发射芯片在光线和电磁波的连强度范围内的每一点的响应时间，计算平均响应时间，从数据库调取标准响应时间，计算得到平均响应时间偏离度；
综合灵敏度检测、功耗能量检测、响应时间检测和抗干扰性检测结果，结合红外发射芯片性能评定标准，对红外发射芯片的性能进行评级。
强度比较法包括以下步骤：
对可测强度集合中元素进行排序，得到其中的最小值A；
对不可测强度集合中元素进行排序，得到其中的最大值B；
A必定会大于B，因为不可测强度必定是因为强度低，进而导致红外发射芯片无法检测到；
从数据库调取对红外发射芯片的灵敏度的精度误差允许值C；
比较与C，其中，/>为绝对值；
若大于C，则判定精度不满足要求，继续在B与A之间的范围，进行灵敏度检测，根据得到的强度的可测或不可测性，补充进入可测强度集合或不可测强度集合，重复上述步骤，直到小于等于C为止；
若小于等于C，则判断精度满足要求，得到A为最小可检测信号强度；
二分法包括以下步骤：
步骤一：分别测得红外发射芯片的可测信号强度D和不可测信号强度E作为初始值；
步骤二：D归于可测强度集合，E归于不可测强度集合；
步骤三：对D和E进行迭代，取，性能测试机反射F强度的红外信号；
步骤四：若F强度的信号不可测，则将F归于不可测强度集合，并将F的值赋予E，重复上述步骤，即对于新得到的D和E重复步骤三和步骤四；
若F强度的信号可测，则将F归于可测强度集合，并将F的值赋予D，重复上述步骤，即对于新得到的D和E重复步骤三和步骤四；
当得到最小可检测信号强度时，停止上述步骤；
容易知道每次所得到的D暂时为可测强度集合中的最小值，E暂时为不可测强度集合中的最大值；
在上述过程中，总取D和E的中间值进行重新赋值，则D和E靠近的速度十分快，仅需很少的步骤就能得到D和E，使得小于等于C，C为红外发射芯片的灵敏度的精度误差允许值，根据强度比较法，此时认定D为最小可检测信号强度，原因如下：
由于D归于可测强度集合，即D强度时，能被红外发射芯片检测到，E归于不可测强度集合，即E强度时，不能被红外发射芯片检测到，因此实际的最小可检测信号强度必定会介于D和E之间，而小于等于C，C为红外发射芯片的灵敏度的精度误差允许值，因此/>与实际的最小可检测信号强度的间隔必小于C，因此，可以认定D为最小可检测信号强度；
均值算法包括以下步骤：
对红外发射芯片进行区块划分，均分为一千块，每块标记为，i=1，2，…，1000；
在区块中统计红外热像图中不同颜色的占比，将占比从大到小排列；
取颜色占比最大的前五种色彩，从数据库得到每种色彩所对应的阻值、/>、/>、和/>，并得到其所占面积，分别为/>、/>、/>、/>和/>；
则综合阻值R为
；
该公式是对进行加权均值，其所占的比例，根据其面积/>进行分配，面积越大，则所占用的比例越大，由此，能对/>进行计算；
此外，红外热像图中颜色并非五种，但根据过往经验，首先，红外热像图中的颜色种类不多，其次，占比最多的五种颜色通常占据了红外发射芯片超过95%以上的面积，其次，红外热像图中颜色渐变，意味着阻值也是渐变的，即使未被用于计算的部分的阻值不同，但差异非常小，因此，使用该五种颜色的阻值进行替代计算，对于数据的使用率高，误差小，同时，剔除占比小的数据，能减小计算的复杂度。
红外发射芯片的功耗能量采用如下公式
。
式中，Q为功耗能量，I为流经红外发射芯片的电流大小，R为综合阻值，t为时间。
将光线的强度的检测范围作为横坐标，将电磁波的强度的检测范围作为纵坐标，收集的数据是等距设置的和/>对应的反应时间为/>，但对于光线的强度的检测范围和电磁波的强度的检测范围围成的区域中的每个点并没有对应的反应时间，因此，无法计算出该区域中的平均响应时间，故使用梯度法，对该区域中的每个点赋值，使得其每个点都对应一个反应时间，其对应的办法是根据（x，y）所在位置，当x介于/>，y介于/>时，根据两个端点/>和/>对应的/>和/>对（x，y）处的反应时间/>进行估算，之后，则在光线的强度的检测范围和电磁波的强度的检测范围围成的区域上对/>进行积分，并除以该区域的面积，则得到平均响应时间T；
其中，光线的检测强度范围的端点为和/>，电磁波的检测强度范围的端点为/>和
梯度法的具体步骤如下：
对收集的数据进行处理；
参数中光线的强度为，i=1，2，…，n，/>依次等距设置，电磁波的强度为/>，j=1，2，…，m，/>依次等距设置；
与/>强度对应的反应时间为/>；
对光线和电磁波的测试强度范围内的每个点（x，y）都拟合其反应时间，当x介于，y介于/>时，则（x，y）处的反应时间/>为
式中，；
则平均响应时间T为
式中，V为光线和电磁波的测试强度范围围成的区域的面积。
平均响应时间偏离度采用如下公式：
式中，为平均响应时间偏离度，T为平均响应时间，/>为额定响应时间。
红外发射芯片性能评定标准如下：
下述偏离度的计算均采用类似为平均响应时间偏离度的计算方法；
数据库中调用额定最小可检测信号强度M，计算最小可检测信号强度A与额定最小可检测信号强度M的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；
数据库中调用额定功耗能量N，计算功耗能量Q与额定功耗能量N的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；
数据库中调用额定响应时间，计算红外发射芯片的响应时间与额定响应时间的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；
数据库中调用额定平均响应时间偏离度，计算平均响应时间偏离度/>与额定平均响应时间偏离度/>的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3，
其中，，/>为优质合格红外发射芯片的响应时间，/>为额定响应时间；
累加上述各项得分得到S，若，红外发射芯片性能为次级，若/>，红外发射芯片性能为良级，若/>，红外发射芯片性能为优级。
一种红外发射芯片的性能综合测试系统，用于实现上述的红外发射芯片的性能综合测试方法，包括：
调用模块，所述调用模块对数据库中的数据进行调取及存储；
数据库，所述数据库用于存储历史数据，以便调取时进行运算；
灵敏度检测模块，所述灵敏度检测模块设置在性能测试机内部，灵敏度检测模块用于测试收集灵敏度相关的数据；
功耗能量检测模块，所述功耗能量检测模块设置在性能测试机内部，功耗能量检测模块用于测试收集功耗能量相关的数据；
响应时间检测模块，所述响应时间检测模块设置在性能测试机内部，响应时间检测模块用于测试收集响应时间相关的数据；
抗干扰性检测模块，所述抗干扰性检测模块设置在性能测试机内部，抗干扰性检测模块用于测试收集抗干扰性相关的数据。
可以理解的是，存储介质可以是磁性介质，例如，软盘、硬盘、磁带；光介质例如，DVD；或者半导体介质例如固态硬盘SolidStateDisk，SSD等。
综上所述，本发明的优点在于：通过设置灵敏度检测模块、功耗能量检测模块、响应时间检测模块和抗干扰性检测模块，从多维度对红外发射芯片的性能进行综合测试，更为全面的提供检测数据，使得对于红外发射芯片的性能的评定更具说服力，从而更为值得信赖；通过设置强度比较法、二分法、均值算法和梯度法，二分法在检测过程中，能减少检测的次数，可以更为迅捷的完成检测过程，均值算法和梯度法能将获得的数据均考虑进入计算中，使得计算得出的结构综合已有数据，进而使得结果更为可信且精度高。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围内。本发明要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。
Claims (9)
1.一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，包括：
将待测试的红外发射芯片的引脚接入性能测试机电路中，调试性能测试机进入测试环境；
性能测试机对红外发射芯片的灵敏度进行检测，性能测试机发射不同信号强度的红外信号至红外发射芯片，若红外发射芯片对红外信号作出反应，则判定该强度信号为可测信号，若红外发射芯片不对红外信号作出反应，则判定该强度信号为不可测信号，可测信号强度构成可测强度集合，不可测信号强度构成不可测强度集合，通过对可测强度集合和不可测强度集合使用强度比较法，得出红外发射芯片的最小可检测信号强度，测试过程使用二分法；
性能测试机对红外发射芯片的功耗能量进行检测，性能测试机通过探针接触红外发射芯片的引脚，性能测试机提供电测试信号，测试机探针对输出的电流进行实时监控，红外发射芯片发热产生红外辐射，红外发射芯片各区域电阻产生变化，红外探测器通过光学成像物镜接收红外发射芯片的红外辐射能量，红外辐射能量分布反映到红外探测器的光敏组件上，获得红外发射芯片的红外热像图，根据红外热像图，得到红外发射芯片不同区域的阻值，根据均值算法，计算红外发射芯片的综合阻值，并计算出红外发射芯片的功耗能量；
性能测试机对红外发射芯片的响应时间进行检测，性能测试机发射特殊红外信号，所述特殊红外信号包含连续反应指令，在连续反应指令执行时，性能测试机发射信号，红外发射芯片返回信号，作为一个循环，连续反应指令使得性能测试机与红外发射芯片之间产生一千次循环，统计一千次循环的时间，得到单次循环的时间，即红外发射芯片的响应时间；
性能测试机对红外发射芯片的抗干扰性进行检测，从数据库得到光线和电磁波的强度范围，性能测试机按设定的间隔产生不同强度的光线和电磁波，形成不同参数的干扰环境，在不同干扰环境下，测试红外发射芯片在各强度点位下的响应时间，使用梯度法计算红外发射芯片在光线和电磁波的连强度范围内的每一点的响应时间，计算平均响应时间，从数据库调取标准响应时间，计算得到平均响应时间偏离度；
综合灵敏度检测、功耗能量检测、响应时间检测和抗干扰性检测结果，结合红外发射芯片性能评定标准，对红外发射芯片的性能进行评级。
2.根据权利要求1所述的一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，所述强度比较法包括以下步骤：
对可测强度集合中元素进行排序，得到其中的最小值A；
对不可测强度集合中元素进行排序，得到其中的最大值B；
从数据库调取对红外发射芯片的灵敏度的精度误差允许值C；
比较与C；
若大于C，则判定精度不满足要求，继续在B与A之间的范围，进行灵敏度检测，根据得到的强度的可测或不可测性，补充进入可测强度集合或不可测强度集合，重复上述步骤，直到/>小于等于C为止；
若小于等于C，则判断精度满足要求，得到A为最小可检测信号强度。
3.根据权利要求2所述的一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，所述二分法包括以下步骤：
分别测得红外发射芯片的可测信号强度D和不可测信号强度E作为初始值；
D归于可测强度集合，E归于不可测强度集合；
对D和E进行迭代，取，性能测试机反射F强度的红外信号；
若F强度的信号不可测，则将F归于不可测强度集合，并将F的值赋予E，重复上述步骤；
若F强度的信号可测，则将F归于可测强度集合，并将F的值赋予D，重复上述步骤；
当得到最小可检测信号强度时，停止上述步骤。
4.根据权利要求3所述的一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，所述均值算法包括以下步骤：
对红外发射芯片进行区块划分，均分为一千块，每块标记为，i=1，2，…，1000；
在区块中统计红外热像图中不同颜色的占比，将占比从大到小排列；
取颜色占比最大的前五种色彩，从数据库得到每种色彩所对应的阻值、/>、/>、/>和/>，并得到其所占面积，分别为/>、/>、/>、/>和/>；
则综合阻值R为
。
5.根据权利要求4所述的一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，所述红外发射芯片的功耗能量采用如下公式
；
式中，Q为功耗能量，I为流经红外发射芯片的电流大小，R为综合阻值，t为时间。
6.根据权利要求5所述的一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，所述梯度法包括以下步骤：
对收集的数据进行处理；
参数中光线的强度为，i=1，2，…，n，/>依次等距设置，电磁波的强度为/>，j=1，2，…，m，依次等距设置；
与/>强度对应的反应时间为/>；
对光线和电磁波的测试强度范围内的每个点（x，y）都拟合其反应时间，当x介于，y介于/>时，则（x，y）处的反应时间/>为
式中，；
则平均响应时间T为
式中，V为光线和电磁波的测试强度范围围成的区域的面积。
7.根据权利要求6所述的一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，所述平均响应时间偏离度采用如下公式：
式中，为平均响应时间偏离度，T为平均响应时间，/>为额定响应时间。
8.根据权利要求7所述的一种红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，所述红外发射芯片性能评定标准如下：
数据库中调用额定最小可检测信号强度M，计算最小可检测信号强度A与额定最小可检测信号强度M的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；
数据库中调用额定功耗能量N，计算功耗能量Q与额定功耗能量N的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；
数据库中调用额定响应时间，计算红外发射芯片的响应时间与额定响应时间的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3；
数据库中调用额定平均响应时间偏离度，计算平均响应时间偏离度/>与额定平均响应时间偏离度/>的偏离度，若偏离度大于0.05，则评分为1，若偏离度介于0.05和0.03，则评分为2，若偏离度小于0.03，则评分为3，
其中，，/>为优质合格红外发射芯片的响应时间，/>为额定响应时间；
累加上述各项得分得到S，若，红外发射芯片性能为次级，若/>，红外发射芯片性能为良级，若/>，红外发射芯片性能为优级。
9.一种红外发射芯片的性能综合测试系统，用于实现如权利要求1-8任一项所述的红外发射芯片的性能综合测试方法，其特征在于，包括：
调用模块，所述调用模块对数据库中的数据进行调取及存储；
数据库，所述数据库用于存储历史数据，以便调取时进行运算；
灵敏度检测模块，所述灵敏度检测模块设置在性能测试机内部，灵敏度检测模块用于测试收集灵敏度相关的数据；
功耗能量检测模块，所述功耗能量检测模块设置在性能测试机内部，功耗能量检测模块用于测试收集功耗能量相关的数据；
响应时间检测模块，所述响应时间检测模块设置在性能测试机内部，响应时间检测模块用于测试收集响应时间相关的数据；
抗干扰性检测模块，所述抗干扰性检测模块设置在性能测试机内部，抗干扰性检测模块用于测试收集抗干扰性相关的数据。
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|---|---|---|---|---|
| JPS62123324A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-04 | Nec Corp | 焦電形赤外線検出素子 |
| CN102244511A (zh) * | 2010-05-12 | 2011-11-16 | 上海领芯微电子有限公司 | 远距离红外光电开关专用集成电路及使用该集成电路的远距离红外光电开关 |
| CN106097701A (zh) * | 2016-07-29 | 2016-11-09 | 无锡思泰迪半导体有限公司 | 一种基于fpga的红外芯片测试平台 |
| CN111562484A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-08-21 | 无锡物联网创新中心有限公司 | 一种红外热电堆芯片的检测方法及检测设备 |
| CN113091918A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-07-09 | 无锡物联网创新中心有限公司 | 一种热型红外探测器性能测试方法 |
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- 2023-08-29 CN CN202311091819.9A patent/CN116846488B/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62123324A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-04 | Nec Corp | 焦電形赤外線検出素子 |
| CN102244511A (zh) * | 2010-05-12 | 2011-11-16 | 上海领芯微电子有限公司 | 远距离红外光电开关专用集成电路及使用该集成电路的远距离红外光电开关 |
| CN106097701A (zh) * | 2016-07-29 | 2016-11-09 | 无锡思泰迪半导体有限公司 | 一种基于fpga的红外芯片测试平台 |
| CN111562484A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-08-21 | 无锡物联网创新中心有限公司 | 一种红外热电堆芯片的检测方法及检测设备 |
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