JPS5937448B2 - 室温動作形赤外線検知器 - Google Patents
室温動作形赤外線検知器Info
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- JPS5937448B2 JPS5937448B2 JP8775377A JP8775377A JPS5937448B2 JP S5937448 B2 JPS5937448 B2 JP S5937448B2 JP 8775377 A JP8775377 A JP 8775377A JP 8775377 A JP8775377 A JP 8775377A JP S5937448 B2 JPS5937448 B2 JP S5937448B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/28—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using photoemissive or photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は室温動作形赤外線検知器のとくに構造の改善に
関するものである。
関するものである。
赤外線検知器は、たとえば物体が自然に放射している赤
外線輻射を受けて電気信号に変換する機能を有し、’各
種の目的に使用されていることは周知である。
外線輻射を受けて電気信号に変換する機能を有し、’各
種の目的に使用されていることは周知である。
赤外線検知素子には一般に合金半導体たとえばＨｇＣｄ
Ｔｅ等が使用され、該素子は従来基板に接着して薄層に
研磨したのち、電極と素子のパターンを形成し、該素子
を容器にマウントして配線を行い、該配線を保護するた
め赤外線が透過する材料からなる窓付きのキャップを使
用した構造となつていた。前記配線としては薄層の素子
にボンディングする関係上、極細線を使用しなければな
らないにもかかわらず約５０μｍ〜１００ｔｔｍ程度の
金線等を使用しなければならなかつたため、機械的な衝
撃や振動に弱かつた。またキャップにク は赤外線透過
窓を接着する必要がありー体構造にできないため高価で
かつ製作が困難となる欠点があつた。本発明は上記従来
の欠点に鑑みとくに機械的構造を強靭とし、かつ安価な
室温動作形赤外線検知１０器を提供するものである。
Ｔｅ等が使用され、該素子は従来基板に接着して薄層に
研磨したのち、電極と素子のパターンを形成し、該素子
を容器にマウントして配線を行い、該配線を保護するた
め赤外線が透過する材料からなる窓付きのキャップを使
用した構造となつていた。前記配線としては薄層の素子
にボンディングする関係上、極細線を使用しなければな
らないにもかかわらず約５０μｍ〜１００ｔｔｍ程度の
金線等を使用しなければならなかつたため、機械的な衝
撃や振動に弱かつた。またキャップにク は赤外線透過
窓を接着する必要がありー体構造にできないため高価で
かつ製作が困難となる欠点があつた。本発明は上記従来
の欠点に鑑みとくに機械的構造を強靭とし、かつ安価な
室温動作形赤外線検知１０器を提供するものである。
以下図面について本発明に係る室温動作形赤外線検知器
の実施例につき詳細に説明する。
の実施例につき詳細に説明する。
第１図は従来の室温動作形赤外線検知器の要部断面図で
、１は赤外線検知素子を接着する基板、ｊ５２は赤外線
検知素子、３は電極、４は配線で、５はリード線５１を
具備した絶縁性材料からなるステム、６は赤外線透過窓
６１を設けたキャップである図でわかるように赤外線検
知素子２を接着した基板１をステム５にマウントし、該
ステム５に具備・ｏ しているリード線５１と前記赤外
線検知素子２の両端の電極３を配線４を介して接続し、
しかるのち赤外線透過窓６１を具備したキャップ６によ
り被覆したものである。
、１は赤外線検知素子を接着する基板、ｊ５２は赤外線
検知素子、３は電極、４は配線で、５はリード線５１を
具備した絶縁性材料からなるステム、６は赤外線透過窓
６１を設けたキャップである図でわかるように赤外線検
知素子２を接着した基板１をステム５にマウントし、該
ステム５に具備・ｏ しているリード線５１と前記赤外
線検知素子２の両端の電極３を配線４を介して接続し、
しかるのち赤外線透過窓６１を具備したキャップ６によ
り被覆したものである。
第２図は本発明に係る室温動作形赤外線検知器！５の一
実施例を示す要部断面図で、前図と同等の部分について
は同符号を用いている。
実施例を示す要部断面図で、前図と同等の部分について
は同符号を用いている。
７は基板１と赤外線検知素子２とを相互に接着する赤外
線を透過する材料からなる接着剤である。
線を透過する材料からなる接着剤である。
赤外線検知素子２は合金半導体たとえばＨｇＣｄＴｅを
赤外線を１０透過する材料からなる基板１上に上記接着
剤Ｔを介在せしめて接着し、かつ前記赤外線検知素子２
の両端に電極となるインジウム（Ｉｎ）等の低融点金属
を蒸着し、両電極３は同厚となるよう形成されている。
以上によつて作製された赤外線検知”５素子の両電極３
がステム５に具備したリード線５１に導通するようマウ
ントし、接着剤Ｔａを用いて接着するよう改善したもの
であつて、従来の室温動作形赤外線検知器にくらべ構造
的には細線からなる配線４および透過窓６１を具備した
キヤツプ６が不必要となるので、機械的に強靭となり構
造も簡単となる。一般に赤外線を透過する基板材料とし
てはＳｉ，Ｇｅｌサファイア等を使用し、接着剤にはエ
ポキシ系樹脂が使用されている。なお接着剤７ａは赤外
線を透過させないものを用いることが望ましい。基板に
Ｓｉを使用するとＳｉウエフア内に多数のトランジスタ
等の回路素子を形成することが可能で、この方法によつ
て素子化のコストが下がり、さらに素子化後、スクライ
ブされ切離された素子をステム上に接着するだけで製品
とすることも可能である。また本図では上方から赤外線
を入射させるので素子への光の入射効率を向上させるた
めに基板の上面に反射防止膜８たとえばＺｎＳ等を用い
ることにより特性の向上が期待できる。第３図は赤外線
検知器の検知素子部の斜視図である。
赤外線を１０透過する材料からなる基板１上に上記接着
剤Ｔを介在せしめて接着し、かつ前記赤外線検知素子２
の両端に電極となるインジウム（Ｉｎ）等の低融点金属
を蒸着し、両電極３は同厚となるよう形成されている。
以上によつて作製された赤外線検知”５素子の両電極３
がステム５に具備したリード線５１に導通するようマウ
ントし、接着剤Ｔａを用いて接着するよう改善したもの
であつて、従来の室温動作形赤外線検知器にくらべ構造
的には細線からなる配線４および透過窓６１を具備した
キヤツプ６が不必要となるので、機械的に強靭となり構
造も簡単となる。一般に赤外線を透過する基板材料とし
てはＳｉ，Ｇｅｌサファイア等を使用し、接着剤にはエ
ポキシ系樹脂が使用されている。なお接着剤７ａは赤外
線を透過させないものを用いることが望ましい。基板に
Ｓｉを使用するとＳｉウエフア内に多数のトランジスタ
等の回路素子を形成することが可能で、この方法によつ
て素子化のコストが下がり、さらに素子化後、スクライ
ブされ切離された素子をステム上に接着するだけで製品
とすることも可能である。また本図では上方から赤外線
を入射させるので素子への光の入射効率を向上させるた
めに基板の上面に反射防止膜８たとえばＺｎＳ等を用い
ることにより特性の向上が期待できる。第３図は赤外線
検知器の検知素子部の斜視図である。
第４図はステム５の他の実施例を示す断面図であつて、
いずれの方法もリード線５１と電極３の導通を確実にし
て赤外線検知器の特性を向上させる一手段である。
いずれの方法もリード線５１と電極３の導通を確実にし
て赤外線検知器の特性を向上させる一手段である。
図中ａはリード線５１の電極３との接触部に金メツキ９
を施したもので、ｂはリード線５１の電極３との接触面
を粗面としたもの、ｃはリード線５１の接触面にＩｎｌ
Ｏを蒸着し、該１ｎ１０の表面に酸化しにくい金属粉末
１１たとえば金粉等を吹付けるかまたは押し付けたもの
である。ｄは赤外線検知素子とステム５およびリード線
５１を同時に接着剤７を用いて適当な荷重Ｐをかけてマ
ウントするものである。以上の例ではステム５は絶縁物
で作られている。ｅはステム５を安価な金属としたもの
でこの場合ステム５とリード線５１との間に接着性を有
する絶縁材料たとえば低融点ガラス１２を用いて固定す
るものである。またこれら実施例の併用も可能である。
以上説明したように本発明を実施することによつて従来
の室温動作形赤外線検知器にくらべて、構造が非常に簡
単でかつ強靭となり、しかも安価で安定性のより室温動
作形赤外線検知器を提供することが可能となる。゛
を施したもので、ｂはリード線５１の電極３との接触面
を粗面としたもの、ｃはリード線５１の接触面にＩｎｌ
Ｏを蒸着し、該１ｎ１０の表面に酸化しにくい金属粉末
１１たとえば金粉等を吹付けるかまたは押し付けたもの
である。ｄは赤外線検知素子とステム５およびリード線
５１を同時に接着剤７を用いて適当な荷重Ｐをかけてマ
ウントするものである。以上の例ではステム５は絶縁物
で作られている。ｅはステム５を安価な金属としたもの
でこの場合ステム５とリード線５１との間に接着性を有
する絶縁材料たとえば低融点ガラス１２を用いて固定す
るものである。またこれら実施例の併用も可能である。
以上説明したように本発明を実施することによつて従来
の室温動作形赤外線検知器にくらべて、構造が非常に簡
単でかつ強靭となり、しかも安価で安定性のより室温動
作形赤外線検知器を提供することが可能となる。゛
第１図は従来の室温動作形赤外線検知器の要部断面図、
第２図は本発明に係る室温動作形赤外線検知器の要部断
面図、第３図は赤外線検知素子部の斜視図、第４図ａ−
ｅはステムのそれぞれ異なつた実施例を示す断面図であ
る。 １：基板、２：赤外線検知素子、３：電極、４：配線、
５：ステム、６：キヤツプ、７：接着剤、８：反射防止
膜、９：金メツキ、１０：インジウム、１１：金属粉末
、１２：絶縁材料、５１：リード線、６１：赤外線透過
窓、Ｐ：荷重。
第２図は本発明に係る室温動作形赤外線検知器の要部断
面図、第３図は赤外線検知素子部の斜視図、第４図ａ−
ｅはステムのそれぞれ異なつた実施例を示す断面図であ
る。 １：基板、２：赤外線検知素子、３：電極、４：配線、
５：ステム、６：キヤツプ、７：接着剤、８：反射防止
膜、９：金メツキ、１０：インジウム、１１：金属粉末
、１２：絶縁材料、５１：リード線、６１：赤外線透過
窓、Ｐ：荷重。
Claims (1)
- １ 合金半導体からなる赤外線素子を、赤外線が透過す
る材料からなる基板上に接着剤を介在せしめて載置し、
該赤外線素子の両端に低融点金属からなる電極を形成し
、リード線を具備してなるステムの前記リード線に前記
電極が導通するよう上記赤外線検知素子を固定したこと
を特徴とする室温動作形赤外線検知器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8775377A JPS5937448B2 (ja) | 1977-07-20 | 1977-07-20 | 室温動作形赤外線検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8775377A JPS5937448B2 (ja) | 1977-07-20 | 1977-07-20 | 室温動作形赤外線検知器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5422882A JPS5422882A (en) | 1979-02-21 |
| JPS5937448B2 true JPS5937448B2 (ja) | 1984-09-10 |
Family
ID=13923691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8775377A Expired JPS5937448B2 (ja) | 1977-07-20 | 1977-07-20 | 室温動作形赤外線検知器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5937448B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4807000A (en) * | 1987-03-02 | 1989-02-21 | Honeywell Inc. | High density small element optical mosaic detector |
| DE3808320C1 (ja) * | 1988-03-12 | 1988-09-01 | Fa. Carl Freudenberg, 6940 Weinheim, De |
-
1977
- 1977-07-20 JP JP8775377A patent/JPS5937448B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5422882A (en) | 1979-02-21 |
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