JP3107585B2 - 二次元光入射位置検出素子 - Google Patents
二次元光入射位置検出素子Info
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- JP3107585B2 JP3107585B2 JP7930391A JP7930391A JP3107585B2 JP 3107585 B2 JP3107585 B2 JP 3107585B2 JP 7930391 A JP7930391 A JP 7930391A JP 7930391 A JP7930391 A JP 7930391A JP 3107585 B2 JP3107585 B2 JP 3107585B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は二次元光入射位置検出素
子に関する。
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、二次元光入射位置検出素子として
二次元半導体光入射位置検出素子（二次元ＰＳＤ）や、
４分割ホトダイオードなどが知られている。二次元ＰＳ
Ｄには表面（片面）分割型と両面分割型があり、前者で
はシリコン基板の表面に、イオン注入で面状の高抵抗層
が形成される。また、後者ではシリコン基板の両面に、
線状の抵抗層が形成される。一方、４分割ホトダイオー
ドでは中心に対して点対称に、４つの受光面が形成され
る。
二次元半導体光入射位置検出素子（二次元ＰＳＤ）や、
４分割ホトダイオードなどが知られている。二次元ＰＳ
Ｄには表面（片面）分割型と両面分割型があり、前者で
はシリコン基板の表面に、イオン注入で面状の高抵抗層
が形成される。また、後者ではシリコン基板の両面に、
線状の抵抗層が形成される。一方、４分割ホトダイオー
ドでは中心に対して点対称に、４つの受光面が形成され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の表面分割型ＰＳ
Ｄでは、抵抗層を高抵抗すなわち低濃度イオン注入にし
なければならないので、特性・良品率を上げるのが難し
い。両面分割型ＰＳＤでは、基板の両面に対する加工が
必要となるため高価になる、一方、４分割ホトダイオー
ドでは光スポットが中心から外れると、その入射位置を
検出できない。
Ｄでは、抵抗層を高抵抗すなわち低濃度イオン注入にし
なければならないので、特性・良品率を上げるのが難し
い。両面分割型ＰＳＤでは、基板の両面に対する加工が
必要となるため高価になる、一方、４分割ホトダイオー
ドでは光スポットが中心から外れると、その入射位置を
検出できない。
【０００４】そこで本発明は、光スポットの入射位置を
広い範囲で二次元的に検出することができ、しかも構造
が簡単で低コストな二次元光入射位置検出素子を提供す
ることを目的とする。
広い範囲で二次元的に検出することができ、しかも構造
が簡単で低コストな二次元光入射位置検出素子を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、対向配置され
た第１及び第２半導体抵抗層のそれぞれから、これらの
内側に向かって延びた半導体抵抗層と同一導電型の複数
の半導体層を備え、該半導体層の面積が延設方向に向っ
て実質的に増加又は減少している光入射位置検出素子に
おいて、第１及び第２半導体抵抗層の少なくとも一方の
両端及び他方に信号取出電極が接続されていることを特
徴とする二次元光入射位置検出素子を提供するものであ
る。また、第１及び第２半導体抵抗層の他方の両端に信
号取出電極が接続されていることが好ましい。また、本
発明の二次元光入射位置検出素子は、両端に信号取出電
極が接続された半導体抵抗層から延びた該半導体抵抗層
と同一導電型の複数の第１半導体層と、複数の前記第１
半導体層に対向する複数の第２半導体層とを備え、前記
第１半導体層の面積が延設方向に向って実質的に増加又
は減少しており、複数の前記第１及び第２半導体層によ
って前記半導体抵抗層の長手方向と実効的に直交する方
向の光入射位置を検出する２分割ホトダイオードを構成
したことを特徴とすることとしてもよい。
た第１及び第２半導体抵抗層のそれぞれから、これらの
内側に向かって延びた半導体抵抗層と同一導電型の複数
の半導体層を備え、該半導体層の面積が延設方向に向っ
て実質的に増加又は減少している光入射位置検出素子に
おいて、第１及び第２半導体抵抗層の少なくとも一方の
両端及び他方に信号取出電極が接続されていることを特
徴とする二次元光入射位置検出素子を提供するものであ
る。また、第１及び第２半導体抵抗層の他方の両端に信
号取出電極が接続されていることが好ましい。また、本
発明の二次元光入射位置検出素子は、両端に信号取出電
極が接続された半導体抵抗層から延びた該半導体抵抗層
と同一導電型の複数の第１半導体層と、複数の前記第１
半導体層に対向する複数の第２半導体層とを備え、前記
第１半導体層の面積が延設方向に向って実質的に増加又
は減少しており、複数の前記第１及び第２半導体層によ
って前記半導体抵抗層の長手方向と実効的に直交する方
向の光入射位置を検出する２分割ホトダイオードを構成
したことを特徴とすることとしてもよい。
【０００６】
【作用】本発明によれば、複数の半導体層が半導体光入
射位置検出素子（ＰＳＤ）用の半導体抵抗層に接続され
ることにより、ＰＳＤのキャリア収集部として働く。ま
た、一定方向に面積が一様に増加または減少して形成さ
れることで、上記の半導体層は光入射位置に応じて出力
光電流が異なるホトダイオードのアノードまたはカソー
ドとして動く。
射位置検出素子（ＰＳＤ）用の半導体抵抗層に接続され
ることにより、ＰＳＤのキャリア収集部として働く。ま
た、一定方向に面積が一様に増加または減少して形成さ
れることで、上記の半導体層は光入射位置に応じて出力
光電流が異なるホトダイオードのアノードまたはカソー
ドとして動く。
【０００７】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【０００８】図１は実施例に係る二次元光入射位置検出
素子の平面図、図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１のＡ
1 −Ａ2 線、Ａ3 −Ａ4 線断面図である。ｎ型半導体基
板１０の裏面の全面にはｎ+ 型裏面層１１が形成され
る。ＰＳＤは互いに平行に配設された低不純物濃度の第
１のｐ型抵抗層２１と第２のｐ型抵抗層２２を含み、こ
れらの両端に各一対の信号取出電極３１〜３４が接続さ
れる。第１のｐ型抵抗層２１と第２のｐ型抵抗層２２の
間のｎ型半導体基板１０には、それぞれクサビ型をなし
て互いに入り込む高不純物濃度の第１のｐ+ 型半導体層
４１と第２のｐ+ 型半導体層４２が複数ずつ形成され、
これらは低ドープのｐ型半導体層５によって、それぞれ
所定間隔で第１のｐ型抵抗層２１と第２のｐ型抵抗層２
２に接続されている。なお、第１のｐ+ 型半導体層４１
と第２のｐ+ 型半導体層４２の間には、アイソレーショ
ン用のｎ+型層１３が形成されている。
素子の平面図、図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ図１のＡ
1 −Ａ2 線、Ａ3 −Ａ4 線断面図である。ｎ型半導体基
板１０の裏面の全面にはｎ+ 型裏面層１１が形成され
る。ＰＳＤは互いに平行に配設された低不純物濃度の第
１のｐ型抵抗層２１と第２のｐ型抵抗層２２を含み、こ
れらの両端に各一対の信号取出電極３１〜３４が接続さ
れる。第１のｐ型抵抗層２１と第２のｐ型抵抗層２２の
間のｎ型半導体基板１０には、それぞれクサビ型をなし
て互いに入り込む高不純物濃度の第１のｐ+ 型半導体層
４１と第２のｐ+ 型半導体層４２が複数ずつ形成され、
これらは低ドープのｐ型半導体層５によって、それぞれ
所定間隔で第１のｐ型抵抗層２１と第２のｐ型抵抗層２
２に接続されている。なお、第１のｐ+ 型半導体層４１
と第２のｐ+ 型半導体層４２の間には、アイソレーショ
ン用のｎ+型層１３が形成されている。
【０００９】上記の構造によれば、第１のｐ型抵抗層２
１は第１のｐ+型半導体層４１によって収集された光生
成キャリアを抵抗分割する役割を有し、第２のｐ型抵抗
層２２は第２のｐ+型半導体層４２によって収集された
光生成キャリアを抵抗分割することになる。これによ
り、信号取出電極３１〜３４の光電流をそれぞれＩ1〜
Ｉ4とすると、Ｘ方向の入射位置演算は下記の式、 ｛（Ｉ1＋Ｉ3）−（Ｉ2＋Ｉ4）｝／（Ｉ1＋Ｉ2＋Ｉ3＋
Ｉ4） に従って行えばよい。
１は第１のｐ+型半導体層４１によって収集された光生
成キャリアを抵抗分割する役割を有し、第２のｐ型抵抗
層２２は第２のｐ+型半導体層４２によって収集された
光生成キャリアを抵抗分割することになる。これによ
り、信号取出電極３１〜３４の光電流をそれぞれＩ1〜
Ｉ4とすると、Ｘ方向の入射位置演算は下記の式、 ｛（Ｉ1＋Ｉ3）−（Ｉ2＋Ｉ4）｝／（Ｉ1＋Ｉ2＋Ｉ3＋
Ｉ4） に従って行えばよい。
【００１０】一方、上記の構造によれば、第１のホトダ
イオードが第１のｐ+ 型半導体層４１をアノードとして
構成され、第２のホトダイオードが第２のｐ+ 型半導体
層４２をアノードとして構成され、かつ各々のホトダイ
オードのアノードの面積はＹ方向に一様に増加または減
少傾向となっているので、この２分割ホトダイオードの
光電流出力比により、光スポットのＹ方向入射位置が検
出できる。すなわち、Ｙ方向の入射位置演算を、下記の
式 ｛（Ｉ1 ＋Ｉ2 ）−（Ｉ3 ＋Ｉ4 ）｝／（Ｉ1 ＋Ｉ2 ＋Ｉ3 ＋Ｉ4 ） に従って行なえばよい。
イオードが第１のｐ+ 型半導体層４１をアノードとして
構成され、第２のホトダイオードが第２のｐ+ 型半導体
層４２をアノードとして構成され、かつ各々のホトダイ
オードのアノードの面積はＹ方向に一様に増加または減
少傾向となっているので、この２分割ホトダイオードの
光電流出力比により、光スポットのＹ方向入射位置が検
出できる。すなわち、Ｙ方向の入射位置演算を、下記の
式 ｛（Ｉ1 ＋Ｉ2 ）−（Ｉ3 ＋Ｉ4 ）｝／（Ｉ1 ＋Ｉ2 ＋Ｉ3 ＋Ｉ4 ） に従って行なえばよい。
【００１１】ここで、第１のｐ型抵抗層２１および第２
のｐ型抵抗層２２のＸ方向の長さをＬ、スポット光入射
位置をｘとし、座標の原点を受光面の中心にとった場
合、上記関係式の演算結果は、既知の１次元ＰＳＤの動
作原理により２ｘ／Ｌとなり、Ｙ方向についても同様で
ある。
のｐ型抵抗層２２のＸ方向の長さをＬ、スポット光入射
位置をｘとし、座標の原点を受光面の中心にとった場
合、上記関係式の演算結果は、既知の１次元ＰＳＤの動
作原理により２ｘ／Ｌとなり、Ｙ方向についても同様で
ある。
【００１２】本発明の二次元光入射位置検出素子につい
ては、図３〜図５に示すように、種々の変形が可能であ
る。
ては、図３〜図５に示すように、種々の変形が可能であ
る。
【００１３】図３はＰＳＤを１本のｐ型抵抗層２１のみ
で構成し、ｐ型層２２はＰＳＤとして用いないようにし
た二次元光入射位置検出素子の平面図である。それ以外
の構成については、図１と基本的に同一である。この場
合には、電極３５の光電流をＩ5 とし、信号取出電極３
１，３２の光電流をＩ1 ，Ｉ2 としたときには、Ｘ方向
の位置演算の式は （Ｉ1 −Ｉ2 ）／（Ｉ1 ＋Ｉ2 ） となり、Ｙ方向の位置演算の式は ｛（Ｉ1 ＋Ｉ2 ）−Ｉ5 ｝／（Ｉ1 ＋Ｉ2 ＋Ｉ5 ） となる。
で構成し、ｐ型層２２はＰＳＤとして用いないようにし
た二次元光入射位置検出素子の平面図である。それ以外
の構成については、図１と基本的に同一である。この場
合には、電極３５の光電流をＩ5 とし、信号取出電極３
１，３２の光電流をＩ1 ，Ｉ2 としたときには、Ｘ方向
の位置演算の式は （Ｉ1 −Ｉ2 ）／（Ｉ1 ＋Ｉ2 ） となり、Ｙ方向の位置演算の式は ｛（Ｉ1 ＋Ｉ2 ）−Ｉ5 ｝／（Ｉ1 ＋Ｉ2 ＋Ｉ5 ） となる。
【００１４】図４は第１のｐ+ 型半導体層４１と第２の
ｐ+型半導体層４２を個々にクサビ型とすることなく、
その長さを調整することにより、第１のｐ+ 型半導体層
４１と第２のｐ+ 型半導体層４２の全体の面積を、Ｙ方
向に第１のｐ型抵抗層２１および第２のｐ型抵抗層２２
から離れるにつれて、実質的に減少させた変形例であ
る。
ｐ+型半導体層４２を個々にクサビ型とすることなく、
その長さを調整することにより、第１のｐ+ 型半導体層
４１と第２のｐ+ 型半導体層４２の全体の面積を、Ｙ方
向に第１のｐ型抵抗層２１および第２のｐ型抵抗層２２
から離れるにつれて、実質的に減少させた変形例であ
る。
【００１５】図５（ａ），（ｂ）についても、２分割ホ
トダイオードをなす第１のｐ+ 型半導体層４１と第２の
ｐ+ 型半導体層４２のそれぞれの全体の面積は、個々の
第１のｐ+ 型半導体層４１と第２のｐ+ 型半導体層４２
をクサビ型にしたのと同様に、中心に向って一様に減少
している。このため、Ｙ方向の位置検出が２分割ホトダ
イオードの機能として実現できる。また、第１のｐ+ 型
半導体層４１および第２のｐ+ 型半導体層４２は第１の
ｐ型抵抗層２１および第２のｐ型抵抗層２２に対して完
全には直交していないが、実効的には直交する関係にあ
り、従って第１のｐ型抵抗層２１および第２のｐ型抵抗
層２２で抵抗分割されるキャリアを収集する役割を果す
ことになる。
トダイオードをなす第１のｐ+ 型半導体層４１と第２の
ｐ+ 型半導体層４２のそれぞれの全体の面積は、個々の
第１のｐ+ 型半導体層４１と第２のｐ+ 型半導体層４２
をクサビ型にしたのと同様に、中心に向って一様に減少
している。このため、Ｙ方向の位置検出が２分割ホトダ
イオードの機能として実現できる。また、第１のｐ+ 型
半導体層４１および第２のｐ+ 型半導体層４２は第１の
ｐ型抵抗層２１および第２のｐ型抵抗層２２に対して完
全には直交していないが、実効的には直交する関係にあ
り、従って第１のｐ型抵抗層２１および第２のｐ型抵抗
層２２で抵抗分割されるキャリアを収集する役割を果す
ことになる。
【００１６】なお、ホトダイオードは２分割型である必
要はなく、例えば図３の例で第２のｐ+ 型半導体層４２
を省略し、第１のｐ+ 型半導体層４１のみをアノードと
するホトダイオードとしてもよい。但し、この場合に光
スポットのＹ方向入射位置を検出するためには、光スポ
ットの光量が一定であることが条件となる。
要はなく、例えば図３の例で第２のｐ+ 型半導体層４２
を省略し、第１のｐ+ 型半導体層４１のみをアノードと
するホトダイオードとしてもよい。但し、この場合に光
スポットのＹ方向入射位置を検出するためには、光スポ
ットの光量が一定であることが条件となる。
【００１７】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り本発明では、
複数の半導体層がＰＳＤ用の半導体抵抗層に接続される
ことにより、ＰＳＤのキャリア収集部として働く。ま
た、一定方向に面積が一様に増加または減少して形成さ
れることで、光入射位置に応じて出力光電流が異なるホ
トダイオードのアノードまたはカソードとして動く。こ
のため、光スポットの入射位置を広い範囲で二次元的に
検出することができ、しかも構造が簡単で低コストな二
次元光入射位置検出素子を提供できる。
複数の半導体層がＰＳＤ用の半導体抵抗層に接続される
ことにより、ＰＳＤのキャリア収集部として働く。ま
た、一定方向に面積が一様に増加または減少して形成さ
れることで、光入射位置に応じて出力光電流が異なるホ
トダイオードのアノードまたはカソードとして動く。こ
のため、光スポットの入射位置を広い範囲で二次元的に
検出することができ、しかも構造が簡単で低コストな二
次元光入射位置検出素子を提供できる。
【図１】本発明の実施例に係る二次元光入射位置検出素
子の平面図である。
子の平面図である。
【図２】図１に示す二次元光入射位置検出素子の断面図
である。
である。
【図３】変形例に係る二次元光入射位置検出素子の平面
図である。
図である。
【図４】別の変形例に係る二次元光入射位置検出素子の
平面図である。
平面図である。
【図５】さらに別の変形例に係る二次元光入射位置検出
素子の平面図である。
素子の平面図である。
１０…ｎ型半導体基板 ２１…第１のｐ型抵抗層 ２２…第２のｐ型抵抗層 ３１〜３４…信号取出電極 ４１…第１のｐ+ 型半導体層 ４２…第２のｐ+ 型半導体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−266770（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−123784（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−5577（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−155780（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 31/14 - 31/16
Claims (3)
- 【請求項１】 対向配置された第１及び第２半導体抵抗
層のそれぞれから、これらの内側に向かって延びた前記
半導体抵抗層と同一導電型の複数の半導体層を備え、該
半導体層の面積が延設方向に向って実質的に増加又は減
少している光入射位置検出素子において、前記第１及び
第２半導体抵抗層の少なくとも一方の両端及び他方に信
号取出電極が接続されていることを特徴とする二次元光
入射位置検出素子。 - 【請求項２】 前記第１及び第２半導体抵抗層の前記他
方の両端に信号取出電極が接続されていることを特徴と
する請求項１に記載の二次元光入射位置検出素子。 - 【請求項３】 両端に信号取出電極が接続された半導体
抵抗層から延びた該半導体抵抗層と同一導電型の複数の
第１半導体層と、複数の前記第１半導体層に対向する複
数の第２半導体層とを備え、前記第１半導体層の面積が
延設方向に向って実質的に増加又は減少しており、複数
の前記第１及び第２半導体層によって前記半導体抵抗層
の長手方向と実効的に直交する方向の光入射位置を検出
する２分割ホトダイオードを構成したことを特徴とする
二次元光入射位置検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7930391A JP3107585B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 二次元光入射位置検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7930391A JP3107585B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 二次元光入射位置検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313278A JPH04313278A (ja) | 1992-11-05 |
| JP3107585B2 true JP3107585B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=13686078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7930391A Expired - Fee Related JP3107585B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 二次元光入射位置検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3107585B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536964A (en) * | 1994-09-30 | 1996-07-16 | Green; Evan D. H. | Combined thin film pinhole and semiconductor photodetectors |
| JP4209526B2 (ja) * | 1998-12-28 | 2009-01-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体位置検出器及びこれを用いた測距装置 |
| JP2001068724A (ja) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Hamamatsu Photonics Kk | 測距装置 |
| JP2005218052A (ja) | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
| CN104024803B (zh) * | 2011-10-31 | 2017-02-15 | 日本精工株式会社 | 扭矩检测装置以及电动动力转向装置 |
| JP6875239B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2021-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 位置検出センサ |
| DE112018005325T5 (de) * | 2017-09-20 | 2020-06-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Positionserfassungssensor und positionsmessvorrichtung |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP7930391A patent/JP3107585B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04313278A (ja) | 1992-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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