JPS6235270B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6235270B2
JPS6235270B2 JP10090379A JP10090379A JPS6235270B2 JP S6235270 B2 JPS6235270 B2 JP S6235270B2 JP 10090379 A JP10090379 A JP 10090379A JP 10090379 A JP10090379 A JP 10090379A JP S6235270 B2 JPS6235270 B2 JP S6235270B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
manufacturing
mold
present
punches
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP10090379A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5624962A (en
Inventor
Seiji Inaba
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Kyushu Ltd filed Critical NEC Kyushu Ltd
Priority to JP10090379A priority Critical patent/JPS5624962A/ja
Publication of JPS5624962A publication Critical patent/JPS5624962A/ja
Publication of JPS6235270B2 publication Critical patent/JPS6235270B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4842Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体装置用リードフレームの製造
方法に関するものである。
第1図は中心線1,2に対して上下及び左右が
非対称なリードフレーム3を示し、第2図は中心
線4,5に対して上下及び左右が対称なリードフ
レーム6を示す。これらのリードフレームを製作
する場合、従来は第3図A及び第3図Bに示すポ
ンチ7,8を用いて、第4図の如く製作してい
た。
つまり巻き状の板金9を自動的に供給、及び収
納し、その間に金型10の中にあるポンチ7,8
及びダイで加工していた。
この従来の製作方法ではリードフレームのパタ
ーンを1回でプレスするようなリードフレームの
金形状のポンチ7,8及びダイを製作していたの
で、金型が一般に半導体は多品種少量生産であ
る。新しい製品が次々と現われ、古い製品は次々
と消えていく運命にある。各半導体には専用のリ
ードフレームが用いられるのでリードフレームも
絶えず新しいリードフレームを作らねばならない
運命にある。
一般に金型によるリードフレームの製作個数
(寿命)は500万〜1000万個であるが、従来はこの
リードフレームの生産が途中で中止される事が多
いので金型の寿命まで使われず高価な金型を無駄
にするという欠点があつた。
一般に従来の金型の製作期間は4〜6ケ月かか
つていた。従つて新製品用のリードフレームが必
要な時でも4〜6ケ月という長い期間待たねばな
らないという欠点があつた。又、金型の長さは約
1mと非常に大きいため必然的に装置全体も大き
くならざるをえないという欠点があつた。
本発明の目的は上記欠点を除去し、改善された
実用性の高い半導体装置用リードフレームの製作
方法を提供することにある。
本発明の半導体装置用のリードフレームの製作
方法は、例えば上下左右が対称なリードフレーム
の形状を加工する場合リードフレームのパターン
の1/2又は1/4づつ加工するものである。
このような本発明の半導体装置用リードフレー
ムの製作方法は金型の費用を1/2又は1/4にすると
いう効果をもたらす。
本発明を実施例により説明する。
第5図A及び第5図B、第6図、第7図は本発
明の実施例によるリードフレームの製作方法を示
す。本発明は第2図に示す様な上下左右が対称な
リードフレームの1/2づつを加工する方法のみ説
明する。第5図A及び第5図Bに示すポンチ1
1,12は第3図に示す従来のポンチ7,8の半
数であり、第6図、第7図に示す金型13の中に
組込まれている。
本発明によるリードフレームの製作方法は例え
ば第6図に示す如く、巻き状の板金14を自動的
に供給及び収納する間に金型13の中のポンチ1
1,12でリードフレームの形状の半分を加工
し、引き続き第7図に示す如く巻き状の板金14
を同様に加工し、リードフレームの全形状を加工
するものである。
本発明によるリードフレームの製作方法では例
えば第5図A及び第5図Bに示すポンチ11,1
2が第3図に示す従来のポンチ7,8の半数であ
るので金型費用が従来の半分になり安価であると
いう利点がある。
又、ポンチ11,12の数量が従来の半数だか
ら金型の製作期間も2〜3ケ月と従来の半分にな
り、新製品の出現の激しい半導体業界において早
めに新製品用のリードフレームを供給できるとい
う利点がある。
又、ポンチ11,12の数量が従来の半数だか
ら、金型の長さも約50cmと従来の半分となり必然
的に装置全体の大きさも小さくなるという利点が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は中心線1,2に対して上下左右が非対
称なリードフレームを示す平面図である。第2図
は中心線4,5に対して上下左右が対称なリード
フレームを示す平面図である。第3図A及び第3
図Bはそれぞれ従来のポンチを示す平面図であ
る。第4図はリードフレームの従来の製作方法を
示す平面図である。第5図A及び第5図Bは本発
明の実施例に使用するポンチを示す平面図であ
る。第6図及び第7図は本発明の実施例によるリ
ードフレームの製作方法を示す平面図である。 図中1,2……中心線、3……リードフレー
ム、4,5……中心線、6……リードフレーム、
7,8……ポンチ、9……巻き状の板金、10…
…金型、11,12……ポンチ、13……金型、
14……巻き状の板金。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 半導体装置に使用するリードフレームの製作
    工程において、該リードフレームをその平面形状
    に有する対称軸で分割し、それぞれ分割された部
    分を同じ金型を用いて製作することを特徴とする
    半導体装置用リードフレームの製造方法。
JP10090379A 1979-08-07 1979-08-07 Manufacture of lead frame for semiconductor device Granted JPS5624962A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10090379A JPS5624962A (en) 1979-08-07 1979-08-07 Manufacture of lead frame for semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

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JP10090379A JPS5624962A (en) 1979-08-07 1979-08-07 Manufacture of lead frame for semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5624962A JPS5624962A (en) 1981-03-10
JPS6235270B2 true JPS6235270B2 (ja) 1987-07-31

Family

ID=14286297

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JP10090379A Granted JPS5624962A (en) 1979-08-07 1979-08-07 Manufacture of lead frame for semiconductor device

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07112038B2 (ja) * 1992-07-09 1995-11-29 株式会社後藤製作所 半導体装置用リードフレームの製造方法及びこれに用いるプレス成形装置
JP2006116589A (ja) * 2004-10-25 2006-05-11 Nhk Spring Co Ltd ブレーキディスク用ディスクブランクの製造方法
JP2006339274A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US8875903B2 (en) 2007-03-19 2014-11-04 Palo Alto Research Center Incorporated Vortex structure for high throughput continuous flow separation

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JPS5624962A (en) 1981-03-10

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