JPS62291170A - 高耐圧半導体装置 - Google Patents
高耐圧半導体装置Info
- Publication number
- JPS62291170A JPS62291170A JP13665386A JP13665386A JPS62291170A JP S62291170 A JPS62291170 A JP S62291170A JP 13665386 A JP13665386 A JP 13665386A JP 13665386 A JP13665386 A JP 13665386A JP S62291170 A JPS62291170 A JP S62291170A
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- Japan
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- emitter
- field plate
- metal film
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
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- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は高耐圧半導体装置に関し、特に高耐圧化された
ｎ −ｐ −ｎ ）シンシスターは、例えば、第２図に
示す様にｐ型半導体基板１上にｎ型エピタクシャル層２
を形成しそのエビタクシャル層表面に設けた酸化シリコ
ン膜３に、窓を明け、ｐ型層を選択的に形成してベース
領域４となし、ベース領域４中に高濃度ｎ型層を選択的
に形成しエミッタ領域５となし、又、ｎ型エビタクシャ
ル層２の別の表面に高濃度ｎ型領域を形成してコレクタ
電極６とし、かつ全表面に別の絶縁膜７を形成し、かつ
エミッタ、領域５、ベース領域４、コレクタ電極６に配
線用の金属膜９ａ、９ｂ、９ｃを接触させるだめの窓を
選択的に明け、かつベース領域表面とコレクタ電極６を
絶縁分離している絶縁膜層上に金属フィールドプレート
８を設け、かつ金属フィールドプレート８をベース領域
４と配線用金属膜９ｂで電気的に接続していた。
ｎ −ｐ −ｎ ）シンシスターは、例えば、第２図に
示す様にｐ型半導体基板１上にｎ型エピタクシャル層２
を形成しそのエビタクシャル層表面に設けた酸化シリコ
ン膜３に、窓を明け、ｐ型層を選択的に形成してベース
領域４となし、ベース領域４中に高濃度ｎ型層を選択的
に形成しエミッタ領域５となし、又、ｎ型エビタクシャ
ル層２の別の表面に高濃度ｎ型領域を形成してコレクタ
電極６とし、かつ全表面に別の絶縁膜７を形成し、かつ
エミッタ、領域５、ベース領域４、コレクタ電極６に配
線用の金属膜９ａ、９ｂ、９ｃを接触させるだめの窓を
選択的に明け、かつベース領域表面とコレクタ電極６を
絶縁分離している絶縁膜層上に金属フィールドプレート
８を設け、かつ金属フィールドプレート８をベース領域
４と配線用金属膜９ｂで電気的に接続していた。
上述した従来のｎ−ｐ−ｎ）ランシスターではエミッタ
の金属配線の両側にはフィールドプレートを設ける事が
できず、この部分の耐電圧特性が劣るため高耐圧化が阻
害されるという欠点がある。
の金属配線の両側にはフィールドプレートを設ける事が
できず、この部分の耐電圧特性が劣るため高耐圧化が阻
害されるという欠点がある。
本発明のｎ −ｐ −ｎ ）ランシスターにおいては切
れ目のない金属膜フィールドプレートを有し、かつフィ
ールドプレートとエミッタ配線とが金属膜で接続されて
おり、フィールドプレート下に多結晶シリコンよりなる
ベースの配！！ヲ有している。
れ目のない金属膜フィールドプレートを有し、かつフィ
ールドプレートとエミッタ配線とが金属膜で接続されて
おり、フィールドプレート下に多結晶シリコンよりなる
ベースの配！！ヲ有している。
本発明の乙耐圧半導体装置は、ｐ型半導体基板上に形成
されたｎ型層をコレクタとし、該ｎ型層内に形成された
ｐ型頭域をベースとし、該ｐ型鋼域中に選択的に形成さ
れた高濃度ｎ型領域をエミッタとする高耐圧半導体装置
において、このエミッタ、ベース、コレクタの各領域の
コンタクト部がそれぞれ絶縁膜で分離され、ベースコン
タクト外部とコレクタコンタクト外部との間の絶縁膜上
にフィールドプレートを有し、該フィールドプレートが
配線用金属膜によってエミッタコンタクトと電気的に接
続されており、該フィールドプレート下のベースの配線
が多結晶シリコンであることを特徴とする。
されたｎ型層をコレクタとし、該ｎ型層内に形成された
ｐ型頭域をベースとし、該ｐ型鋼域中に選択的に形成さ
れた高濃度ｎ型領域をエミッタとする高耐圧半導体装置
において、このエミッタ、ベース、コレクタの各領域の
コンタクト部がそれぞれ絶縁膜で分離され、ベースコン
タクト外部とコレクタコンタクト外部との間の絶縁膜上
にフィールドプレートを有し、該フィールドプレートが
配線用金属膜によってエミッタコンタクトと電気的に接
続されており、該フィールドプレート下のベースの配線
が多結晶シリコンであることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の縦断面図、第１図（
ｂ）は、その概略を示した平面図である。第１図（ｂ）
に示すように、フィールドプレート８はエミッタ配線金
属ｆｇ ９ ａと一体に形成されており、切れ目なくベ
ース領域４となるｐ型頭域の外周金種っている。又ベー
ス配線金属膜、９ｂは、フィールドプレート８の下では
絶縁膜３と絶縁膜７０間に設けられた多結晶シリコン膜
１０に接続されている。このためベース、コレクタ間が
逆バイアスされた時にｎ領域２中に形成される空乏層に
対し、フィールドプレート８の効果を切れ目なく十分に
及ばず事が可能となる。
ｂ）は、その概略を示した平面図である。第１図（ｂ）
に示すように、フィールドプレート８はエミッタ配線金
属ｆｇ ９ ａと一体に形成されており、切れ目なくベ
ース領域４となるｐ型頭域の外周金種っている。又ベー
ス配線金属膜、９ｂは、フィールドプレート８の下では
絶縁膜３と絶縁膜７０間に設けられた多結晶シリコン膜
１０に接続されている。このためベース、コレクタ間が
逆バイアスされた時にｎ領域２中に形成される空乏層に
対し、フィールドプレート８の効果を切れ目なく十分に
及ばず事が可能となる。
又、第３図は本発明を基板とカソードとなるｐ型頭域と
の間に高い逆バイアス電圧の印加されるダイオードに適
用した他の実施例を示すものであシ、アノード配線金属
膜１１ａと一体に形成されたフィールドプレート８の下
では、カソード配線金属膜１１ｂは多結晶シリコン族１
０によ多接続されており、フィールドプレート８は切れ
目なくカソードとなるｐ型頭域の外周を櫟っている。
の間に高い逆バイアス電圧の印加されるダイオードに適
用した他の実施例を示すものであシ、アノード配線金属
膜１１ａと一体に形成されたフィールドプレート８の下
では、カソード配線金属膜１１ｂは多結晶シリコン族１
０によ多接続されており、フィールドプレート８は切れ
目なくカソードとなるｐ型頭域の外周を櫟っている。
以上説明したように本発明は、フィールドプレートとエ
ミッタの配線とを電気的に接続し、ベースの配線を多結
晶シリコンと金属膜とで構成する事によシ、フィールド
プレートを切れ目なく設ける事を可能にし、よって高耐
圧のｎ−ｐ−ｎ）ランシスターを提供できる効果がある
。
ミッタの配線とを電気的に接続し、ベースの配線を多結
晶シリコンと金属膜とで構成する事によシ、フィールド
プレートを切れ目なく設ける事を可能にし、よって高耐
圧のｎ−ｐ−ｎ）ランシスターを提供できる効果がある
。
第１図（ａ）は、本発明の一実施例のｎ −ｐ −ｎ
）ランシスタの縦断面図、第１図（ｂ）はその平面図、
第２図（ａ）は従来のｎ −ｐ −ｎ ）ランシスタの
断面図、第２図（ｂ）はその平面図、第３図は本発明の
他の実施例のダイオードの平面図である。 １・・・・・・ｐ型半導体基板、２・・・・−・ｎ型エ
ビタクシャル層、３・・・・・・酸化シリコン膜、４・
・・・・・ベース領域、５・・・・・・エミッタ領域、
６・・・・・・コレクタ電極、７・・・・・・絶縁膜、
８・・・・・・フィールドブレニド、９ａ・・・・・・
エミッタ配線金属膜、９ｂ・・・・・・ベース配線金属
膜、９Ｃ・・・・・・コレクタ配線金属膜、１０・・・
・・・多結晶シリコン膜、１１ａ・・・・・・アノード
配線金属膜、１１ｂ・・・・・・カソード配線金属膜。 ＝６一 手続補正書（自ッ。 １．事件の表示 昭和６１年 特 許願第１３６６
５３号２、発明の名称 高耐圧半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビル５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 明細書の第２頁３行目を次のように訂正する。 ［化されたｎ−ｐ−ｎ）ランシスターを含む集積回路に
関する。 〔従来の技術〕 従来、この種のｎ−ｐ−ｎトランジスターは、例えば、
」
）ランシスタの縦断面図、第１図（ｂ）はその平面図、
第２図（ａ）は従来のｎ −ｐ −ｎ ）ランシスタの
断面図、第２図（ｂ）はその平面図、第３図は本発明の
他の実施例のダイオードの平面図である。 １・・・・・・ｐ型半導体基板、２・・・・−・ｎ型エ
ビタクシャル層、３・・・・・・酸化シリコン膜、４・
・・・・・ベース領域、５・・・・・・エミッタ領域、
６・・・・・・コレクタ電極、７・・・・・・絶縁膜、
８・・・・・・フィールドブレニド、９ａ・・・・・・
エミッタ配線金属膜、９ｂ・・・・・・ベース配線金属
膜、９Ｃ・・・・・・コレクタ配線金属膜、１０・・・
・・・多結晶シリコン膜、１１ａ・・・・・・アノード
配線金属膜、１１ｂ・・・・・・カソード配線金属膜。 ＝６一 手続補正書（自ッ。 １．事件の表示 昭和６１年 特 許願第１３６６
５３号２、発明の名称 高耐圧半導体装置 ３、補正をする者 事件との関係 出 願 人東京都港区芝五
丁目３３番１号 （４２３） 日本電気株式会社 代表者 関本忠弘 ４、代理人 〒１０８ 東京都港区芝五丁目３７番８号 住人三田
ビル５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 明細書の第２頁３行目を次のように訂正する。 ［化されたｎ−ｐ−ｎ）ランシスターを含む集積回路に
関する。 〔従来の技術〕 従来、この種のｎ−ｐ−ｎトランジスターは、例えば、
」
Claims (1)
- Ｐ型半導体基板上に形成されたｎ型層をコレクタとし、
該ｎ型層内に選択的に形成されたＰ型領域をベースとし
、該Ｐ型領域中に選択的に形成された高濃度ｎ型領域を
エミッタとする高耐圧半導体装置において、該エミッタ
、ベース、コレクタの各領域のコンタクト部がそれぞれ
絶縁膜で分離され、ベースコンタクト部とコレクタコン
タクト部との間の絶縁膜上にフィールドプレートを有し
、該フィールドプレートが配線用金属膜によってエミッ
タコンタクトと電気的に接続されており、該フィールド
プレート下のベースの配線が多結晶シリコンである事を
特徴とする高耐圧半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13665386A JPS62291170A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 高耐圧半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13665386A JPS62291170A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 高耐圧半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291170A true JPS62291170A (ja) | 1987-12-17 |
Family
ID=15180359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13665386A Pending JPS62291170A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 高耐圧半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291170A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0390459U (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-13 | ||
| CN102931225A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 旺宏电子股份有限公司 | 一种双极结晶体管及其制造方法 |
| CN103681808A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 苏州英能电子科技有限公司 | 含场板结构的横向双极型晶体管 |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP13665386A patent/JPS62291170A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0390459U (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-13 | ||
| CN102931225A (zh) * | 2011-08-09 | 2013-02-13 | 旺宏电子股份有限公司 | 一种双极结晶体管及其制造方法 |
| CN103681808A (zh) * | 2012-09-09 | 2014-03-26 | 苏州英能电子科技有限公司 | 含场板结构的横向双极型晶体管 |
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