JPS62278533A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS62278533A JPS62278533A JP12182486A JP12182486A JPS62278533A JP S62278533 A JPS62278533 A JP S62278533A JP 12182486 A JP12182486 A JP 12182486A JP 12182486 A JP12182486 A JP 12182486A JP S62278533 A JPS62278533 A JP S62278533A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装！Ｉにおいて、液晶分子を配列せし
める配向層Ｏ形成方法に関する。 。
める配向層Ｏ形成方法に関する。 。
従来の液晶表示装置の配向処理方法としては特開昭５５
−１４３５２３の様にポリアミック酸を溶剤に溶解し基
板上に塗布した後、加熱処理により脱水閉環してイミド
結合を行なわせポリイミド系高分子被膜を形成する工程
及び前記ポリイミド系高分子被膜をそれぞれ一方向に配
向処理する工程とからなっていた。
−１４３５２３の様にポリアミック酸を溶剤に溶解し基
板上に塗布した後、加熱処理により脱水閉環してイミド
結合を行なわせポリイミド系高分子被膜を形成する工程
及び前記ポリイミド系高分子被膜をそれぞれ一方向に配
向処理する工程とからなっていた。
（発明が解決しようとする問題点〕
先ず従来技術Ｑ問題点を挙げる前に、現在の状況に至っ
た背景を述べて、なぜ従来技術では問題なＱかをより明
らかにしたい。
た背景を述べて、なぜ従来技術では問題なＱかをより明
らかにしたい。
最近Ｑ液晶表示装置の発展はめざましくボータプルτＶ
やパソコンの表示用としてＣＲＴに継ぐ表示装置に成長
している。ところが、特にパソコン用■表示装置として
大型で大容量Ｖ）液晶表示装置が要求されており、こ■
ためＫはダイナミック駆動特性を現存■ＴＮモードより
著しく改善させ表示品質を高めたものを低コストで咋ら
々ければならない、こ■要求を満足する方式として、液
晶分子■ツイスト角を従来ＯＴＮより大幅に大きくして
複屈折性を利用するスーパーＴＭ（以下ＳＴＮと称す）
が登場し、現在各社で盛んに研究されている。８ＴＮで
最も重要な技術として、大きなツイスト角（通常２００
度前後）でも安定均一に液晶分子を配向させる配向技術
と、複屈折性を利用するために高精度Ｏセル厚制御技術
が挙げられる１本発明は前者に関するので後者ＶＣ′）
いての説明は省略する。前記の大きなツイスト角を液晶
分子を安定均一配向させるＫは、液晶分子のチルト角（
電圧無印加状態において液晶分子が基板千面と■なす角
度）をある程度大きくしなければならなりｓ （１（Ｊ
〜加０程度）。
やパソコンの表示用としてＣＲＴに継ぐ表示装置に成長
している。ところが、特にパソコン用■表示装置として
大型で大容量Ｖ）液晶表示装置が要求されており、こ■
ためＫはダイナミック駆動特性を現存■ＴＮモードより
著しく改善させ表示品質を高めたものを低コストで咋ら
々ければならない、こ■要求を満足する方式として、液
晶分子■ツイスト角を従来ＯＴＮより大幅に大きくして
複屈折性を利用するスーパーＴＭ（以下ＳＴＮと称す）
が登場し、現在各社で盛んに研究されている。８ＴＮで
最も重要な技術として、大きなツイスト角（通常２００
度前後）でも安定均一に液晶分子を配向させる配向技術
と、複屈折性を利用するために高精度Ｏセル厚制御技術
が挙げられる１本発明は前者に関するので後者ＶＣ′）
いての説明は省略する。前記の大きなツイスト角を液晶
分子を安定均一配向させるＫは、液晶分子のチルト角（
電圧無印加状態において液晶分子が基板千面と■なす角
度）をある程度大きくしなければならなりｓ （１（Ｊ
〜加０程度）。
しかし前述の従来技術ではチルト角がせいぜい数置程度
であり、ＳＴＮ用の配向処理に用いると逆ツイストによ
る低ツイスト角現象が生じるため目的の性能が得られな
いという問題点を宵する。
であり、ＳＴＮ用の配向処理に用いると逆ツイストによ
る低ツイスト角現象が生じるため目的の性能が得られな
いという問題点を宵する。
そこで本発明はこＯような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは量産に適した方法でしかもチルト
角■大きな均一配向を提供するところにある。
の目的とするところは量産に適した方法でしかもチルト
角■大きな均一配向を提供するところにある。
本発明による液晶表示装置■製造方法は、液晶分子？−
一方向配列せしめる配向層を形成する工程が、少なくと
も包接化合物を作る物質を混入させた架橋型プレポリマ
ーを塗布、硬化する工程。
一方向配列せしめる配向層を形成する工程が、少なくと
も包接化合物を作る物質を混入させた架橋型プレポリマ
ーを塗布、硬化する工程。
該ポリマー層中■未ポリマー比部を選択エツチングする
工程、および布等により一方向にラビング処理する工程
からなることを特徴とする。
工程、および布等により一方向にラビング処理する工程
からなることを特徴とする。
さらに前記架橋型ポリマーとして、少なくともポリイミ
ド系ポリマー、ポリアミド系ポリマー。
ド系ポリマー、ポリアミド系ポリマー。
ポリアミドイミド系ポリマーから選び、前記包接化合物
ｔ−作る物質としてセルロース系、尿素系等から選んだ
ことを特徴とする。
ｔ−作る物質としてセルロース系、尿素系等から選んだ
ことを特徴とする。
本発明０上記購成による作用を嬶１図を用いて説明する
。
。
包接化合物２４は原子または分子が結合してできた３次
元構造の内部に適当な大きさ■空孔があって、そつ中に
ほかの原子または分子が入り込んで特定の構造を作って
いる物質である。ＩＩＴ者の骨組構造の化合物をホスト
分子乙、後者の入り込んでいる分子をゲスト分子２１と
呼んでいる１例えばホスト分子乙として筒状■格子形状
を有する化合物。
元構造の内部に適当な大きさ■空孔があって、そつ中に
ほかの原子または分子が入り込んで特定の構造を作って
いる物質である。ＩＩＴ者の骨組構造の化合物をホスト
分子乙、後者の入り込んでいる分子をゲスト分子２１と
呼んでいる１例えばホスト分子乙として筒状■格子形状
を有する化合物。
ゲスト分子２１として架橋型プレポリマーを用いた包接
化合動翼を作ると菓１図−μ）に示すようになると考え
られる。これＫよりホスト分子乙とゲスト分子２Ｉ Ｏ
混合比を調整することで、ポリマー比反芯を制御できる
ようになり、目的とする配向層を形成することが可能と
なる。
化合動翼を作ると菓１図−μ）に示すようになると考え
られる。これＫよりホスト分子乙とゲスト分子２Ｉ Ｏ
混合比を調整することで、ポリマー比反芯を制御できる
ようになり、目的とする配向層を形成することが可能と
なる。
基板１上にホスト分子乙を適度に混合し次ゲスト分子２
１■架橋型プレポリマーを塗布し、加熱により架橋重合
させると、ホスト分子乙と包接化合カムを作らないプレ
ポリマーがポリマー化した領域２と、ホスト分子乙と包
接ｆヒ合物刺を作り架橋反応が抑制されたプレポリマー
がそ■構造Ｏまま残った領域、２′の二領域？有するポ
リマー層が形成される（帆１図−（ｂ） ） 、次にプ
レポリマーだけが溶解する有機溶剤で、前記ポリマー層
■表直層中に存在するホスト分子乙と包接化合カッを作
っているプレポリマー２′を溶解除去すると、前記ポリ
マー層表面に微細な凹凸が形成される（第１図−（Ｃ）
）−次に該ポリマー層表面を布などで一方向にラビン
グ処理すると、＃記微細な凹凸が方向性を有する溝形状
になるため液晶分子３は、該層に沿ってチルト角θで一
方向に配列する（碗１図−げ））。
１■架橋型プレポリマーを塗布し、加熱により架橋重合
させると、ホスト分子乙と包接化合カムを作らないプレ
ポリマーがポリマー化した領域２と、ホスト分子乙と包
接ｆヒ合物刺を作り架橋反応が抑制されたプレポリマー
がそ■構造Ｏまま残った領域、２′の二領域？有するポ
リマー層が形成される（帆１図−（ｂ） ） 、次にプ
レポリマーだけが溶解する有機溶剤で、前記ポリマー層
■表直層中に存在するホスト分子乙と包接化合カッを作
っているプレポリマー２′を溶解除去すると、前記ポリ
マー層表面に微細な凹凸が形成される（第１図−（Ｃ）
）−次に該ポリマー層表面を布などで一方向にラビン
グ処理すると、＃記微細な凹凸が方向性を有する溝形状
になるため液晶分子３は、該層に沿ってチルト角θで一
方向に配列する（碗１図−げ））。
この場合、液晶分子３■チルト角θは前記凹凸■形状に
影響され、凹凸が急峻であるとチルト角θは大きくなり
、緩やかであるとチルト角θは小さくなる傾向を示す、
凹凸の形状は、ホスト分子乙の混合比、プレポリマーと
ホスト分子羽で作って＾る包接化合物あのエツチング時
間、ラビング圧力等により決められる。ホスト分子１１
７）ゲスト分子２１であるプレポリマーへの混合比は同
当躯・以下にし、エツチング時間はオーバエツチング気
味にし、さらに加熱しながら行なうとより好まし＾。
影響され、凹凸が急峻であるとチルト角θは大きくなり
、緩やかであるとチルト角θは小さくなる傾向を示す、
凹凸の形状は、ホスト分子乙の混合比、プレポリマーと
ホスト分子羽で作って＾る包接化合物あのエツチング時
間、ラビング圧力等により決められる。ホスト分子１１
７）ゲスト分子２１であるプレポリマーへの混合比は同
当躯・以下にし、エツチング時間はオーバエツチング気
味にし、さらに加熱しながら行なうとより好まし＾。
ラビング圧力は数十Ｐ ／ ｃｍ ”−数ｔ／α！が望
ましい。
ましい。
ところでポリマー化した領域２中に残っているフレ、！
−’ ＋Ｊママ−接化合物２４ハ、完全にポリマー（ｂ
した中に封じ込められている■で溶出して配向を乱す
等の悪影響■心配は無用である。
−’ ＋Ｊママ−接化合物２４ハ、完全にポリマー（ｂ
した中に封じ込められている■で溶出して配向を乱す
等の悪影響■心配は無用である。
これにより均一に配向せしめ次液晶分子■チルト角θを
約０〜２０°■範囲で安定的に制御することが可能にな
る。
約０〜２０°■範囲で安定的に制御することが可能にな
る。
１、遊間ｔｉが所定Ｏ形状にパターニングされたガラス
基板とに、ホスト分子としてチオ尿素、ゲスト分子とし
て架橋重合によりポリイミド系ポリマーになるプレポリ
マーを当に比で１ ： １１）０割合で混合し、フレキ
ン印刷法により塗布した１次に１５０℃で加分間プレベ
ークしたｉ、２５０℃で（イ）分間熱処理してポリイミ
ド樹脂り被＠全形成した１次に閏℃に加熱したジメチル
アセトアミド中に前記基板を浸漬して前記披模表直層■
プレポリマー・チオ尿素包接ｆヒ合物を溶解除去した。
基板とに、ホスト分子としてチオ尿素、ゲスト分子とし
て架橋重合によりポリイミド系ポリマーになるプレポリ
マーを当に比で１ ： １１）０割合で混合し、フレキ
ン印刷法により塗布した１次に１５０℃で加分間プレベ
ークしたｉ、２５０℃で（イ）分間熱処理してポリイミ
ド樹脂り被＠全形成した１次に閏℃に加熱したジメチル
アセトアミド中に前記基板を浸漬して前記披模表直層■
プレポリマー・チオ尿素包接ｆヒ合物を溶解除去した。
該被膜表面層をＳＫＭで観察したところ数十λ以下■微
細な凹凸が確認できた０次にサランをロールに巻きつけ
、ラビング圧力を４０２／σ！にして一方向にラビング
処理し配向層を形成した。この後通常の方法により液晶
セルを作り磁場中で液晶分子Ｑチルト角を測定したとこ
ろ１５°程度であった。
細な凹凸が確認できた０次にサランをロールに巻きつけ
、ラビング圧力を４０２／σ！にして一方向にラビング
処理し配向層を形成した。この後通常の方法により液晶
セルを作り磁場中で液晶分子Ｑチルト角を測定したとこ
ろ１５°程度であった。
同様な基板を用いて蕩２図に示す、液晶分子Ｑツイスト
角をｂ下基板１■ラビング角度及び液晶３１Ｋ添加する
光学活性剤の１により２６０問になるようなＩＩＩＴＮ
タイプの液晶表示装置を製作し友。
角をｂ下基板１■ラビング角度及び液晶３１Ｋ添加する
光学活性剤の１により２６０問になるようなＩＩＩＴＮ
タイプの液晶表示装置を製作し友。
該液晶表示装置■配向性を調べたところ均一配向してお
り、１２／２００デユーテイによる駆動を行なったとこ
ろＴＮタイプに比ベコントラストが格段に高く、視野角
の広い表示が安定的に得られた。
り、１２／２００デユーテイによる駆動を行なったとこ
ろＴＮタイプに比ベコントラストが格段に高く、視野角
の広い表示が安定的に得られた。
２、ホスト分子としてＱチオ尿素とゲスト分子として架
橋重合によりポリイミド系ポリマーになるプレポリマー
■当量混合比を１：２にした以外は実施列１と同様にし
て配向層を形成し、液晶セルを作り磁場中で液晶分子■
チルト角を測定したところ約１０°であった。
橋重合によりポリイミド系ポリマーになるプレポリマー
■当量混合比を１：２にした以外は実施列１と同様にし
て配向層を形成し、液晶セルを作り磁場中で液晶分子■
チルト角を測定したところ約１０°であった。
上記基板を用いて実施列１と同様な方法により液晶分子
のツイスト角を２４０度にしたＳＴＮタイグＯ液晶表示
装置を製作したところ、均一配向が達成されているのは
もちろんであり、表示品質は実施列１よりはやや劣るも
０の、ＴＮタイプに比べると格段Ｋ［ｉｌＥれてぃた。
のツイスト角を２４０度にしたＳＴＮタイグＯ液晶表示
装置を製作したところ、均一配向が達成されているのは
もちろんであり、表示品質は実施列１よりはやや劣るも
０の、ＴＮタイプに比べると格段Ｋ［ｉｌＥれてぃた。
３、ホスト分子としてセルロース、ゲスト分子としてポ
リアミドイミド系フレボリマーを用いて当量混合比を１
：５にし、ラビング圧力を８０ ｆ ／ ｃｍ”で行な
った以外は実施列１と同様にして配向層を形成し液晶セ
ルを作り、磁場中で液晶分子のチルト角を測定したとこ
ろ約２０’ であった。
リアミドイミド系フレボリマーを用いて当量混合比を１
：５にし、ラビング圧力を８０ ｆ ／ ｃｍ”で行な
った以外は実施列１と同様にして配向層を形成し液晶セ
ルを作り、磁場中で液晶分子のチルト角を測定したとこ
ろ約２０’ であった。
上記基板音用いて実施列ｌと同様なＳＴＮタイグＱ液晶
表示装置を製作したところ、実施列１と同様な結果が得
られた。
表示装置を製作したところ、実施列１と同様な結果が得
られた。
以上述べたよりに本発明によれば、液晶分子を一方向に
配列させる配向層を、少なくとも包接化合物を作る物質
を混入させた架橋型プレポリマーを用いて、ポリマー化
した領域とプレポリマーのまま■領域を有する被膜を作
り、該被膜中のプレポリマー領域を選択的に溶解除去し
た後一方向にラビング処理することにより形成するため
、方向性■有する微細な凹凸形状を制御できるようにな
り、これＫより液晶分子のチルト角をＯ−２０［Ｄ範囲
で制御でき、液晶分子■ツイスト角を９００以上大きく
しても安定的に均一配向を提供することが可能となる。
配列させる配向層を、少なくとも包接化合物を作る物質
を混入させた架橋型プレポリマーを用いて、ポリマー化
した領域とプレポリマーのまま■領域を有する被膜を作
り、該被膜中のプレポリマー領域を選択的に溶解除去し
た後一方向にラビング処理することにより形成するため
、方向性■有する微細な凹凸形状を制御できるようにな
り、これＫより液晶分子のチルト角をＯ−２０［Ｄ範囲
で制御でき、液晶分子■ツイスト角を９００以上大きく
しても安定的に均一配向を提供することが可能となる。
ゆえに本発明は、特に大型大容量表示に適する８ＴＮタ
イプ■孜晶表示装置に宵効である。
イプ■孜晶表示装置に宵効である。
屏１図は）〜（ｌｉ）は本発明Ｏ作用を示Ｔ模式図、第
２図は本発明による液晶表示装置の断面図。 １−・・ガラス基板 ２・轡・ポリマー層あるＩＡは配向層 ２″・・・フレボリマー包接化合物領域３・・・液晶分
子 ３１・・・液晶層 ４・・・透明電極 ５＠・・シール剤 ６．６１・・・偏光板 以 と 出願人 セイコーエグンン沫式会肚 （ｂ） （Ｃ）
２図は本発明による液晶表示装置の断面図。 １−・・ガラス基板 ２・轡・ポリマー層あるＩＡは配向層 ２″・・・フレボリマー包接化合物領域３・・・液晶分
子 ３１・・・液晶層 ４・・・透明電極 ５＠・・シール剤 ６．６１・・・偏光板 以 と 出願人 セイコーエグンン沫式会肚 （ｂ） （Ｃ）
Claims (2)
- （１）基板上に透明電極、該電極上に配向層を設けた一
対の基板間に液晶を封入してなる液晶表示装置において
、前記配向層を形成する工程が少なくとも包接化合物を
作る物質を混入させた架橋型プレポリマーを塗布、硬化
する工程、該ポリマー層を選択エッチングする工程、お
よびラビング処理する工程からなることを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。 - （２）前記架橋型ポリマーとして、少なくともポリイミ
ド系ポリマー、ポリアミド系ポリマー、ポリアミドイミ
ド系ポリマーから選ばれたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12182486A JPS62278533A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12182486A JPS62278533A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278533A true JPS62278533A (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=14820837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12182486A Pending JPS62278533A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278533A (ja) |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP12182486A patent/JPS62278533A/ja active Pending
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