JPS6348523A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
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- JPS6348523A JPS6348523A JP19200986A JP19200986A JPS6348523A JP S6348523 A JPS6348523 A JP S6348523A JP 19200986 A JP19200986 A JP 19200986A JP 19200986 A JP19200986 A JP 19200986A JP S6348523 A JPS6348523 A JP S6348523A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
本発明は、液晶素子の製造方法、特に液晶の配向方法に
関する。
関する。
(従来の技術)
液晶素子を構成するとき、液晶分子の配向としては、垂
直、水平及び傾斜の3通りがある。現在広く用いられて
いるネマチック液晶を90度捩じった構造を持つTN(
ツィステッドネマチック)方式の液晶素子における液晶
分子の配向は、水平配向でおり、液晶分子の長袖方向と
基板面とのなす角度(チルト角)は、2〜3度でおる。
直、水平及び傾斜の3通りがある。現在広く用いられて
いるネマチック液晶を90度捩じった構造を持つTN(
ツィステッドネマチック)方式の液晶素子における液晶
分子の配向は、水平配向でおり、液晶分子の長袖方向と
基板面とのなす角度(チルト角)は、2〜3度でおる。
これに対し、近年注目されている、ネマチック液晶を9
゜度以上捩じった構造を持つSBE (スーパーツイス
テッドバイリフリンジエンスエフェクト)方式等の新し
い方式の液晶素子では、5度以上のチルト角を有する傾
斜配向が望まれており、特に望まれているのは20度強
のチルト角である。
゜度以上捩じった構造を持つSBE (スーパーツイス
テッドバイリフリンジエンスエフェクト)方式等の新し
い方式の液晶素子では、5度以上のチルト角を有する傾
斜配向が望まれており、特に望まれているのは20度強
のチルト角である。
液晶セルを構成する電極基板面と接する液晶分子の長軸
方向が、電極基板面に対して傾斜している配向く傾斜配
向)を実現する方法として、基板表面に対して3i0等
の無機物を斜め方向から蒸着する斜方蒸着方法が知られ
ている。
方向が、電極基板面に対して傾斜している配向く傾斜配
向)を実現する方法として、基板表面に対して3i0等
の無機物を斜め方向から蒸着する斜方蒸着方法が知られ
ている。
斜方蒸着方法は、蒸着時の真空度、蒸着角度、蒸着速度
及び蒸着膜厚等の蒸着条件によって、チルト角を制御す
ることが可能である。チルト角は、0度(水平配向)か
ら約40度までの傾斜配向をとらせることができる。し
かし、斜方蒸着方法は蒸着装置を必要とし、また−回の
蒸着で蒸着できる基板数も少ないため、製造コストが高
くなる。
及び蒸着膜厚等の蒸着条件によって、チルト角を制御す
ることが可能である。チルト角は、0度(水平配向)か
ら約40度までの傾斜配向をとらせることができる。し
かし、斜方蒸着方法は蒸着装置を必要とし、また−回の
蒸着で蒸着できる基板数も少ないため、製造コストが高
くなる。
また、蒸着装置を用いずに傾斜配向を1qる方法が11
回液晶国際学会(1986年6月30日〜7月4日)の
予稿集M−052−APにおいて提案されている。これ
は、MAP(水平配向剤)とOTS (垂直配向剤)と
いう共にシランカップリング剤である系を混合し、基、
仮に塗布して傾斜配向を得るものである。しかし、この
ものは液晶素子を作成した後、チルト角に経時変化があ
ることや、高温においてチルト角が不安定であるなどの
欠点を有する。
回液晶国際学会(1986年6月30日〜7月4日)の
予稿集M−052−APにおいて提案されている。これ
は、MAP(水平配向剤)とOTS (垂直配向剤)と
いう共にシランカップリング剤である系を混合し、基、
仮に塗布して傾斜配向を得るものである。しかし、この
ものは液晶素子を作成した後、チルト角に経時変化があ
ることや、高温においてチルト角が不安定であるなどの
欠点を有する。
(発明が解決しようとするための問題点)以上の様に、
従来技術における傾斜配向方法では、斜方蒸着装置など
特別な装置を必要としたり、チルト角が経時変化したり
あるいは不安定であるなどの問題点があった。
従来技術における傾斜配向方法では、斜方蒸着装置など
特別な装置を必要としたり、チルト角が経時変化したり
あるいは不安定であるなどの問題点があった。
そこで、本発明は、5度以上のチルト角を有する液晶素
子を、斜方蒸着装置などの特別な装置を必要とせず、ま
たチルト角に経時変化がなく、高温でも安定で、かつ容
易に製造ができる液晶素子を製造する方法を提供するこ
とを目的とする。
子を、斜方蒸着装置などの特別な装置を必要とせず、ま
たチルト角に経時変化がなく、高温でも安定で、かつ容
易に製造ができる液晶素子を製造する方法を提供するこ
とを目的とする。
[発明の構成コ
(問題点を解決するための手段)
本発明の液晶素子の製造方法は、基板表面上に高分子有
機樹脂からなる水平配向処理剤と垂直配向処理剤との混
合物を塗布した後、これを加熱処理して配向膜を形成し
、更にこれをラビングすることを特徴とする。
機樹脂からなる水平配向処理剤と垂直配向処理剤との混
合物を塗布した後、これを加熱処理して配向膜を形成し
、更にこれをラビングすることを特徴とする。
(作用)
基板表面上に高分子有機樹脂からなる水平配向処理剤と
垂直配向処理剤との混合物を塗布することで、基板上に
は、水平配向処理剤中の活性基の一部と垂直配向処理剤
中の活性基とが互いに結合した、水平配向処理剤と垂直
配向処理剤との共存膜が形成される。そして、この共存
膜を水平配向処理剤が完全に重合する温度で加熱処理す
ることにより、水平配向処理剤中の活性基の一部と垂直
配向処理剤中の活性基との結合が一層強化され、また垂
直配向処理剤どうしの結合や水平配向処理剤どうしの結
合、重合が進み、この膜は水平と垂直の中間的な性質を
持つことになる。
垂直配向処理剤との混合物を塗布することで、基板上に
は、水平配向処理剤中の活性基の一部と垂直配向処理剤
中の活性基とが互いに結合した、水平配向処理剤と垂直
配向処理剤との共存膜が形成される。そして、この共存
膜を水平配向処理剤が完全に重合する温度で加熱処理す
ることにより、水平配向処理剤中の活性基の一部と垂直
配向処理剤中の活性基との結合が一層強化され、また垂
直配向処理剤どうしの結合や水平配向処理剤どうしの結
合、重合が進み、この膜は水平と垂直の中間的な性質を
持つことになる。
例えば、基板表面に、高分子有機樹脂からなる水平配向
処理剤であるポリアミック酸と垂直配向処理剤との混合
物を塗布することで、基板上にはポリアミック酸の一部
に垂直配向処理剤が付着結合した、ポリアミック酸−垂
直配向処理剤共存膜が形成される。次にこの共存膜を2
00℃以上350″C以下の温度で加熱処理することで
、ポリアミック酸と垂直配向処理剤との結合は強化され
、また垂直配向処理剤の重合が進み安定化する。−方、
垂直配向処理剤が付着していないポリアミック酸はポリ
イミド化し、安定な水平配向膜となる。
処理剤であるポリアミック酸と垂直配向処理剤との混合
物を塗布することで、基板上にはポリアミック酸の一部
に垂直配向処理剤が付着結合した、ポリアミック酸−垂
直配向処理剤共存膜が形成される。次にこの共存膜を2
00℃以上350″C以下の温度で加熱処理することで
、ポリアミック酸と垂直配向処理剤との結合は強化され
、また垂直配向処理剤の重合が進み安定化する。−方、
垂直配向処理剤が付着していないポリアミック酸はポリ
イミド化し、安定な水平配向膜となる。
このようにして、基板表面は、液晶分子を水平に配向さ
せる性質と、垂直に配向させる性質との中間的な性質を
持った配向膜が得られる。更にこの配向膜をラビングす
ることで、チルト角が5度以上の液晶素子を得ることが
できる。また水平配向処理剤と垂直配向処理剤との混合
比や加熱処理温度の処理条件により、容易にチルト角を
制御できる。
せる性質と、垂直に配向させる性質との中間的な性質を
持った配向膜が得られる。更にこの配向膜をラビングす
ることで、チルト角が5度以上の液晶素子を得ることが
できる。また水平配向処理剤と垂直配向処理剤との混合
比や加熱処理温度の処理条件により、容易にチルト角を
制御できる。
なお、水平配向処理剤としてシランカップリング剤を使
用した場合には、この水平配向処理剤が持つ本来の水平
配向の規制力が弱いため、垂直配向処理剤と混合して配
向層を形成すると、配向層の水平配向の規制力は徐々に
弱まり、垂直配向処理剤の影響を強く受るようになる。
用した場合には、この水平配向処理剤が持つ本来の水平
配向の規制力が弱いため、垂直配向処理剤と混合して配
向層を形成すると、配向層の水平配向の規制力は徐々に
弱まり、垂直配向処理剤の影響を強く受るようになる。
このため、この配向層による液晶分子のチルト角は、経
時変化を伴ない安定性も悪い。
時変化を伴ない安定性も悪い。
これに対して、高分子有機樹脂からなる水平配向処理剤
を用いると、この水平配向処理剤が持つ本来の水平配向
の規制力が強いため、垂直配向処理剤と混合して配向層
を形成しても、配向層の水平配向の規制力は徐々に弱ま
ることがなく、チルト角の経時変化もなく安定性の良い
配向層を得ることができる。また、高分子有機樹脂から
なる水平配向処理剤を使用すると、配向層は薄膜となり
、絶縁性も付加される。
を用いると、この水平配向処理剤が持つ本来の水平配向
の規制力が強いため、垂直配向処理剤と混合して配向層
を形成しても、配向層の水平配向の規制力は徐々に弱ま
ることがなく、チルト角の経時変化もなく安定性の良い
配向層を得ることができる。また、高分子有機樹脂から
なる水平配向処理剤を使用すると、配向層は薄膜となり
、絶縁性も付加される。
なあ、本発明と同様な効果を狙い、垂直配向処理の後、
表面を水平配向処理することも考えられるが、垂直配向
処理された基板面は不活性でおり、この上に水平配向層
を形成することはできず、本発明と同様な効果を持つ配
向処理膜を得ることは不可能である。また、これとは逆
に、水平配向層を完全に形成した後に、その上に垂直配
向層を形成することも考えられる。しかし、PVA (
ポリビニルアルコール)、ポリイミド等の付は文物から
なる水平配向層を完全に重合形成したものは、化学的に
安定であり、この水平配向層を垂直配向処理剤で処理し
、本発明と同様な効果を持つ配向処理膜を得ることは不
可能でおる。
表面を水平配向処理することも考えられるが、垂直配向
処理された基板面は不活性でおり、この上に水平配向層
を形成することはできず、本発明と同様な効果を持つ配
向処理膜を得ることは不可能である。また、これとは逆
に、水平配向層を完全に形成した後に、その上に垂直配
向層を形成することも考えられる。しかし、PVA (
ポリビニルアルコール)、ポリイミド等の付は文物から
なる水平配向層を完全に重合形成したものは、化学的に
安定であり、この水平配向層を垂直配向処理剤で処理し
、本発明と同様な効果を持つ配向処理膜を得ることは不
可能でおる。
なお、本発明において、加熱処理温度が200°C以下
では、ポリアミック酸のポリイミド化が充分ではなく、
安定な水平配向膜が得られないため液晶分子はほぼ垂直
に配向する。同様にポリイミド以外の高分子有償樹脂か
らなる水平配向処理剤においても、加熱処理温度が水平
配向処理剤を完全に重合させる温度以下であると、液晶
分子はほぼ垂直に配向する。また、350°C以上では
、垂直配向処理剤の長鎖アルキル基が分解され、垂直に
配向させる性質が弱まって、チルト角が1〜2度となっ
て、不適当であるaなお、好ましい加熱温度は、200
℃乃至300℃である。
では、ポリアミック酸のポリイミド化が充分ではなく、
安定な水平配向膜が得られないため液晶分子はほぼ垂直
に配向する。同様にポリイミド以外の高分子有償樹脂か
らなる水平配向処理剤においても、加熱処理温度が水平
配向処理剤を完全に重合させる温度以下であると、液晶
分子はほぼ垂直に配向する。また、350°C以上では
、垂直配向処理剤の長鎖アルキル基が分解され、垂直に
配向させる性質が弱まって、チルト角が1〜2度となっ
て、不適当であるaなお、好ましい加熱温度は、200
℃乃至300℃である。
(実施例1)
第1図は本発明による一実施例のX−Yマトリクス型液
晶素子の断面図を示す。
晶素子の断面図を示す。
液晶素子(1)は、透明ガラスでできた2枚の基板(2
)、(3)が対向配置され、各基板(2)、(3)の表
面には、夫々透明電極(4)、(5)が形成され、更に
その上には配向処理膜(6)、(7)が形成されている
。そしてこれらの基板(2)、(3)間に液晶(8)が
配向処理膜(6)、(7)に接して挟持されて、液晶素
子(1)が形成される。なお、(9)は基板(2)、(
3)を貼合わせるシール剤である。
)、(3)が対向配置され、各基板(2)、(3)の表
面には、夫々透明電極(4)、(5)が形成され、更に
その上には配向処理膜(6)、(7)が形成されている
。そしてこれらの基板(2)、(3)間に液晶(8)が
配向処理膜(6)、(7)に接して挟持されて、液晶素
子(1)が形成される。なお、(9)は基板(2)、(
3)を貼合わせるシール剤である。
この液晶素子(1)は、次の様にして製造された。
まず基板(2)、(3)の表面にネサ膜を形成し、これ
をエツチングして複数本の帯状の透明な電極(4)、(
5)を形成した。次に電極(4)、(5)を形成した基
板(2)、(3〉の表面に、ポイミドワニスLX−14
00(日立化成社製〉と一塩基性クロム錯体F(、−2
33A(住友スリーエム社製)とを混合比30:1で混
合した溶液をスピンナー塗布したのら、270°Cで1
時間の加熱処理を行ない配向膜を形成した。
をエツチングして複数本の帯状の透明な電極(4)、(
5)を形成した。次に電極(4)、(5)を形成した基
板(2)、(3〉の表面に、ポイミドワニスLX−14
00(日立化成社製〉と一塩基性クロム錯体F(、−2
33A(住友スリーエム社製)とを混合比30:1で混
合した溶液をスピンナー塗布したのら、270°Cで1
時間の加熱処理を行ない配向膜を形成した。
更にこの配向膜を一定方向にラビングを行ない配向処理
膜(6)、(7)とした。次に、配向処理膜(6)、(
7)が対向し、またそれぞれのラビング方向が0度の角
度(ホモジニアス)となるように基板(2)、(3)を
10μmの間隔をもって配置し、基板(2)、(3)の
周囲をシール剤(9)を用いて貼合わせた。そして、こ
れら基板(2)、(3)間に液晶(8)としてZLI−
1565(メルク社製)を封入後、紫外線硬化樹脂で封
入口(図示せず)を封止して液晶素子(1)を作成した
。
膜(6)、(7)とした。次に、配向処理膜(6)、(
7)が対向し、またそれぞれのラビング方向が0度の角
度(ホモジニアス)となるように基板(2)、(3)を
10μmの間隔をもって配置し、基板(2)、(3)の
周囲をシール剤(9)を用いて貼合わせた。そして、こ
れら基板(2)、(3)間に液晶(8)としてZLI−
1565(メルク社製)を封入後、紫外線硬化樹脂で封
入口(図示せず)を封止して液晶素子(1)を作成した
。
以上のようにして作成された液晶素子(1)のチルト角
を測定したところ、チルト角は約15度であった。
を測定したところ、チルト角は約15度であった。
(実施例2)
実施例1において、加熱処理温度を330°Cとじて、
同様に液晶素子を作成した。チルト角は約8度でめった
。
同様に液晶素子を作成した。チルト角は約8度でめった
。
(実施例3)
実施例1において、液晶(8)としてE7 CBDH社
製〉を封入して液晶素子(1)を作成した。チルト角は
約20度であった。
製〉を封入して液晶素子(1)を作成した。チルト角は
約20度であった。
(実施例4)
実施例1において、ボイミドワニスLX−14OOと一
塩阜性りロム錯体FC−233Aとの混合比を100:
1とした。加熱処理温度を230°Cとして同様に液晶
素子(1)を作成した。チルト角は約13度であった。
塩阜性りロム錯体FC−233Aとの混合比を100:
1とした。加熱処理温度を230°Cとして同様に液晶
素子(1)を作成した。チルト角は約13度であった。
(実施例5)
実施例4において、垂直配向処理剤を行別シランD〜1
0AP (N、N−ディメチル−N−オクタデシル−3
−アミノプロピル トリメトキシシリル クロライド)
に変えて液晶素子(1)を作成した。チルト角は約10
度であった。
0AP (N、N−ディメチル−N−オクタデシル−3
−アミノプロピル トリメトキシシリル クロライド)
に変えて液晶素子(1)を作成した。チルト角は約10
度であった。
(実施例6)
実施例1において、垂直配向処理剤として一塩キ性りロ
ム錯体FC−233AをFC−805に変えて液晶素子
(1)を作成した。チルト角は約13度であった。
ム錯体FC−233AをFC−805に変えて液晶素子
(1)を作成した。チルト角は約13度であった。
(実施例7)
PVA0.5%水溶液とFC−233Aとを、100:
1で混合して基板に塗布したのち、210°Cで1時間
の加熱処理して配向膜を形成して液晶素子(1)を作成
した。チルト角は約17度であった。
1で混合して基板に塗布したのち、210°Cで1時間
の加熱処理して配向膜を形成して液晶素子(1)を作成
した。チルト角は約17度であった。
なお、以上の実施例において、液晶素子を作成後、温度
90℃に100時間放置後のチルト角の変化は、いずれ
も±1.5度の測定誤差範囲で、安定性も良好であった
。
90℃に100時間放置後のチルト角の変化は、いずれ
も±1.5度の測定誤差範囲で、安定性も良好であった
。
(比較例1)
実施例1において、加熱処理温度を180°Cとして、
同様に液晶素子を作成した。液晶分子の配向は垂直配向
であった。
同様に液晶素子を作成した。液晶分子の配向は垂直配向
であった。
(比較例2〉
水平配向処理剤であるアミノシラン5t−1−6020
(東し社製)とFC−233Aとを5:1で混合して基
板に塗布したのち、150℃で30分の加熱処理を行な
い配向膜を形成した。この液晶素子では、チルト角は約
15度であった。しかし、90℃に24時間放置した後
のチルト角は43度となり、安定性に欠けていた。
(東し社製)とFC−233Aとを5:1で混合して基
板に塗布したのち、150℃で30分の加熱処理を行な
い配向膜を形成した。この液晶素子では、チルト角は約
15度であった。しかし、90℃に24時間放置した後
のチルト角は43度となり、安定性に欠けていた。
(比較例4)
MAPとOTSとを10:1で混合して基板に′塗布し
たのち、150℃で30分の加熱処理を行ない配向膜を
形成し、液晶素子を作成した。チルト角は約18度であ
ったが、90℃に100時間後のチルト角は51度であ
った。
たのち、150℃で30分の加熱処理を行ない配向膜を
形成し、液晶素子を作成した。チルト角は約18度であ
ったが、90℃に100時間後のチルト角は51度であ
った。
[発明の効果]
以上の様に、本発明の液晶素子の製造方法によれば、基
板表面上に高分子右別樹脂からなる水平配向処理剤と垂
直配向処理剤との混合物を塗布した後、これを加熱処理
し配向膜を形成し、更にこれをラビングすることで、斜
方蒸着装置などの特別な装置せ必要とすることなく、高
温でも安定で、またチルト角に経時変化のない、傾斜配
向を有する液晶素子が容易に得られる。
板表面上に高分子右別樹脂からなる水平配向処理剤と垂
直配向処理剤との混合物を塗布した後、これを加熱処理
し配向膜を形成し、更にこれをラビングすることで、斜
方蒸着装置などの特別な装置せ必要とすることなく、高
温でも安定で、またチルト角に経時変化のない、傾斜配
向を有する液晶素子が容易に得られる。
第1図は本発明の液晶素子の戦略断面を示す図である。
(1)・・・・・・液晶素子
(2)、(3)・・・・・・基板
(4)、(5)・・・・・・透明電恒
(6L (7)・・・・・・配向処理膜(8)・・・・
・・液晶 (9)・・・・・・シール剤 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫
・・液晶 (9)・・・・・・シール剤 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 大胡典夫
Claims (5)
- (1)表面に電極を形成した基板表面上に、高分子有機
樹脂からなる水平配向処理剤と垂直配向処理剤との混合
物を塗布する工程と、この後塗布された膜を前記水平配
向処理剤が完全に重合する温度で加熱処理し配向膜を形
成する工程と、この配向膜表面をラビングする工程とを
有することを特徴とする液晶素子の製造方法。 - (2)前記高分子有機樹脂からなる水平配向処理剤が、
ポリイミドワニスであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の液晶素子の製造方法。 - (3)前記垂直配向処理剤が、一塩基性クロム錯体であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液晶素
子の製造方法。 - (4)前記垂直配向処理剤が、有機シランであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の液晶素子の製造
方法。 - (5)前記配向膜を形成する工程が、200℃以上35
0℃以下の温度で加熱処理する工程を有することを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の液晶素子の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19200986A JPS6348523A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19200986A JPS6348523A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6348523A true JPS6348523A (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=16284085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19200986A Pending JPS6348523A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6348523A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2666342A1 (fr) * | 1990-09-03 | 1992-03-06 | Asulab Sa | Cellule a cristal liquide comprenant une plaque a alignement homeotrope. |
US7859624B2 (en) * | 1999-07-30 | 2010-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Alignment films in a liquid crystal display device with polymer mixture and a method of manufacturing the same |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19200986A patent/JPS6348523A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2666342A1 (fr) * | 1990-09-03 | 1992-03-06 | Asulab Sa | Cellule a cristal liquide comprenant une plaque a alignement homeotrope. |
US7859624B2 (en) * | 1999-07-30 | 2010-12-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Alignment films in a liquid crystal display device with polymer mixture and a method of manufacturing the same |
US8416379B2 (en) | 1999-07-30 | 2013-04-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Alignment films in a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same |
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