JPS62223725A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPS62223725A JPS62223725A JP6641786A JP6641786A JPS62223725A JP S62223725 A JPS62223725 A JP S62223725A JP 6641786 A JP6641786 A JP 6641786A JP 6641786 A JP6641786 A JP 6641786A JP S62223725 A JPS62223725 A JP S62223725A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置の液晶分子？傾斜配向せしめる配
向層の形成方法に関する。
向層の形成方法に関する。
従来の液晶表示装置の配向処理方法と（２ては特開昭５
５−１４３５２３の様にポリアミック酸を溶剤に溶解し
基板上に塗布した後、加熱処理により脱水閉環してイミ
ド結合を行なわせポリイミド系高分子被膜を形成する工
程及び前記ポリイミド系高分子被膜をそれぞれ一方向に
配向処理する工程とからなってい念。
５−１４３５２３の様にポリアミック酸を溶剤に溶解し
基板上に塗布した後、加熱処理により脱水閉環してイミ
ド結合を行なわせポリイミド系高分子被膜を形成する工
程及び前記ポリイミド系高分子被膜をそれぞれ一方向に
配向処理する工程とからなってい念。
先ず従来技術の問題点を挙げる前に、本発明が必要に至
った背景を述べて、なぜ従来技術で灯問題なのかをより
明らかにしたい。
った背景を述べて、なぜ従来技術で灯問題なのかをより
明らかにしたい。
最近の液晶表示装置の発展にめざましくポータプルＴＶ
やパーンナルコンピュータの表示用としてＣＲＴＫ継ぐ
表示装置に成長して倉でいる。ところで、特にパーソナ
ルコンピュータ用の表示装置として大型で大容量の液晶
表示装置の要求が強く出されており、この要求を実現す
る几めにはダイナミック駆動特性全現在のＴＮタイプよ
り著しく改善させ、表示品質を高めたものを低コストで
作る必要がある。そこで前記要求を満足する表示方式と
して、液晶分子のツイスト角？従来のＴＮタイプより大
幅に大きくして複屈折性を利用するスーパーＴＮ方式（
以下ＳＴＮ方式と称で）が提案さｎ−、現在各社で勢力
的に研究キ１．ている。
やパーンナルコンピュータの表示用としてＣＲＴＫ継ぐ
表示装置に成長して倉でいる。ところで、特にパーソナ
ルコンピュータ用の表示装置として大型で大容量の液晶
表示装置の要求が強く出されており、この要求を実現す
る几めにはダイナミック駆動特性全現在のＴＮタイプよ
り著しく改善させ、表示品質を高めたものを低コストで
作る必要がある。そこで前記要求を満足する表示方式と
して、液晶分子のツイスト角？従来のＴＮタイプより大
幅に大きくして複屈折性を利用するスーパーＴＮ方式（
以下ＳＴＮ方式と称で）が提案さｎ−、現在各社で勢力
的に研究キ１．ている。
ＳＴＮ万式で最も重要な技術として、大ｔｋなツイスト
角（通常１８０°〜２７０°）でも液晶分子？安定均一
に配向せしめる配向技術と、複屈折性を利用する定めに
高精度のセル厚制御技術の２点が挙げられる。本発明に
前者に関するので後者についての説明は省略する。
角（通常１８０°〜２７０°）でも液晶分子？安定均一
に配向せしめる配向技術と、複屈折性を利用する定めに
高精度のセル厚制御技術の２点が挙げられる。本発明に
前者に関するので後者についての説明は省略する。
前者の技術において、最大のポイン）ｆｌ液晶分子のチ
ルト角（を田無印加状態において液晶分子が基板平面と
なす角度）を少なくとも５度以上、好’！Ｌ＜［１０〜
３０″の範囲で安定的に形成できる配向処理方法を確立
することである。
ルト角（を田無印加状態において液晶分子が基板平面と
なす角度）を少なくとも５度以上、好’！Ｌ＜［１０〜
３０″の範囲で安定的に形成できる配向処理方法を確立
することである。
しかし前述の従来技術では液晶分子のチルト角がせいぜ
い数度程であｌ’）、ＳＴＮ方式の配向処理に用いると
、低チルト角のためツイスト状態が不安定になり逆ツイ
ストによる低ツイスト角現象が生じてしまい、目的の性
能が得られないという問題点金有する◎ また一般的に知られている方法として、ＳｉＯを基板に
対して斜め方向から真空蒸着して一足の規則性＋Ｐ！ｊ
ｔせた蒸着膜により液晶分子を配向せしめる斜蒸着法が
あり、この方法によれば液晶分子のチルト角？０〜３０
°の範囲で制御できるが、欠点として大型基板上に均一
に蒸着膜を形成することが困難の友めに均一配向が得ら
れないこと、さらには真空装置内での基板のセット位置
、角度をシビアーに管理しなければならず工数が増ズて
高コストになってしまうこと等により量産技術には不適
である。
い数度程であｌ’）、ＳＴＮ方式の配向処理に用いると
、低チルト角のためツイスト状態が不安定になり逆ツイ
ストによる低ツイスト角現象が生じてしまい、目的の性
能が得られないという問題点金有する◎ また一般的に知られている方法として、ＳｉＯを基板に
対して斜め方向から真空蒸着して一足の規則性＋Ｐ！ｊ
ｔせた蒸着膜により液晶分子を配向せしめる斜蒸着法が
あり、この方法によれば液晶分子のチルト角？０〜３０
°の範囲で制御できるが、欠点として大型基板上に均一
に蒸着膜を形成することが困難の友めに均一配向が得ら
れないこと、さらには真空装置内での基板のセット位置
、角度をシビアーに管理しなければならず工数が増ズて
高コストになってしまうこと等により量産技術には不適
である。
そこで本発明にこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは液晶分子のチルト角の大きな均一
配向ｆｔ量産な方法により低コストで提供するところに
ある。
の目的とするところは液晶分子のチルト角の大きな均一
配向ｆｔ量産な方法により低コストで提供するところに
ある。
本発明の液晶表示装置は、液晶分子を配列せし２める配
向ＩＩ？形成する工程が、少なくとも基板上へ側鎖にＯ
Ｈ基を有する高分子樹脂全塗布する工程、該樹脂表面に
他の有機化合物を作用てせて表面改質を行なう工程、及
びラビング処理工程からなることを特徴とする０ さらに前記表面改質の工程が少なくともエステル化、エ
ーテル化、ウレタン化、ケタール化、アセタール化、グ
ラフト化の反応を利用する工程から選ばれたことを特徴
とする０ 〔作用〕 本発明の上記構成による作用を側鎖にＯＨ基を有する高
分子樹脂としてポリビニールアルコール（以下ＰＶＡと
称す）金側にとって説明する。
向ＩＩ？形成する工程が、少なくとも基板上へ側鎖にＯ
Ｈ基を有する高分子樹脂全塗布する工程、該樹脂表面に
他の有機化合物を作用てせて表面改質を行なう工程、及
びラビング処理工程からなることを特徴とする０ さらに前記表面改質の工程が少なくともエステル化、エ
ーテル化、ウレタン化、ケタール化、アセタール化、グ
ラフト化の反応を利用する工程から選ばれたことを特徴
とする０ 〔作用〕 本発明の上記構成による作用を側鎖にＯＨ基を有する高
分子樹脂としてポリビニールアルコール（以下ＰＶＡと
称す）金側にとって説明する。
液晶分子のチルト角を大きくするには、液晶分子が接す
るＰＶＡ配向層表面の分子形状を工夫することが考えら
れる。ｌ！１図にこの様子全模式的に示す。通常ＰＶＡ
樹脂表面２の分子形状＃：を第１図−（ａ）に示すよう
に平滑であるので、液晶分子３は基板１に対して水平に
配列しやすい霞め液晶分子のチルト角はおよそ０度にな
ってしまう。ところが前記ＰＶＡ樹脂表面をアルキルア
ルデヒドによる表面改宵、いわゆるアセタール化を行な
うと第１図−（ｂ）に示すようにアルキル鎖が突出し定
分子形状を形成するので、液晶分子３は前記アルキル鎖
の間に入って安定するため液晶分子のチルト角θは前記
アルキル鎖の立体配座により左右てれる。前記アルキル
鎖が短かいとチルト角θは小ζ〈なり、長いと大きくな
る傾向を示す。前記アルキル基の炭素数が１４以上の場
合は、基板１に対し垂直になり易く、炭素数が４〜１２
の場合はチルト角θが５〜３０度になり、炭素数が４以
下の場合は水平になり易い。旦し基板１面上における液
晶分子３の方向をそろえるためにはラビング処理を行わ
なけｊ、ばならないことばすべての表面改質法において
言える。また前記ＰＶＡ樹脂表面ケエチレンオキシドと
アクリロニトリルによりエーテル化することによっても
同様な傾向が得られる。
るＰＶＡ配向層表面の分子形状を工夫することが考えら
れる。ｌ！１図にこの様子全模式的に示す。通常ＰＶＡ
樹脂表面２の分子形状＃：を第１図−（ａ）に示すよう
に平滑であるので、液晶分子３は基板１に対して水平に
配列しやすい霞め液晶分子のチルト角はおよそ０度にな
ってしまう。ところが前記ＰＶＡ樹脂表面をアルキルア
ルデヒドによる表面改宵、いわゆるアセタール化を行な
うと第１図−（ｂ）に示すようにアルキル鎖が突出し定
分子形状を形成するので、液晶分子３は前記アルキル鎖
の間に入って安定するため液晶分子のチルト角θは前記
アルキル鎖の立体配座により左右てれる。前記アルキル
鎖が短かいとチルト角θは小ζ〈なり、長いと大きくな
る傾向を示す。前記アルキル基の炭素数が１４以上の場
合は、基板１に対し垂直になり易く、炭素数が４〜１２
の場合はチルト角θが５〜３０度になり、炭素数が４以
下の場合は水平になり易い。旦し基板１面上における液
晶分子３の方向をそろえるためにはラビング処理を行わ
なけｊ、ばならないことばすべての表面改質法において
言える。また前記ＰＶＡ樹脂表面ケエチレンオキシドと
アクリロニトリルによりエーテル化することによっても
同様な傾向が得られる。
しかしエーテル化の場合に、アルキル基の炭素数が小さ
いと基板１に対し水平になり易いが、前記炭素数がある
長さから急激に変化して基板１に対して垂直な配置をと
るようになるため、第１図−（ｃ）に示すように液晶分
子３は基板１に対し垂直になってしまう。これによりエ
ーテル化では液晶分子のチルト角θに０〜１０度と７０
〜９０度の範囲で制御できる。
いと基板１に対し水平になり易いが、前記炭素数がある
長さから急激に変化して基板１に対して垂直な配置をと
るようになるため、第１図−（ｃ）に示すように液晶分
子３は基板１に対し垂直になってしまう。これによりエ
ーテル化では液晶分子のチルト角θに０〜１０度と７０
〜９０度の範囲で制御できる。
他の表面改質法のエステル化、ウレタン化、ケタール化
、グラフト化に基本的に前記アセタール化あるいはエー
テル化と同様の効果が得られる。
、グラフト化に基本的に前記アセタール化あるいはエー
テル化と同様の効果が得られる。
上記表面改質法に用いられる有機物として、エステル化
には酸クロリドと酸無水物、ウレタン化には尿素、ケタ
ール化にはケトン、グラフト化にはモノマーなどである
。
には酸クロリドと酸無水物、ウレタン化には尿素、ケタ
ール化にはケトン、グラフト化にはモノマーなどである
。
１゜
透明！極を所定の形状に形成しｔガラス基板上へ高ケン
化度タイプのＰＶＡ樹脂（デンカｇＫ−〇５）の１ｗｔ
％水溶液をスピンナーにより塗布した後、１５０度で３
０分、次に２００度で５゜分熱処理した。
化度タイプのＰＶＡ樹脂（デンカｇＫ−〇５）の１ｗｔ
％水溶液をスピンナーにより塗布した後、１５０度で３
０分、次に２００度で５゜分熱処理した。
次に前記基板を以下の組成のアセタール化液に浸漬し５
０〜６０℃で３０分間アセタール化反応全行なわせた。
０〜６０℃で３０分間アセタール化反応全行なわせた。
次に紳水で前記基板？ ＋７７スし水を振り切った後、
１２０℃で３０分間乾燥した。
１２０℃で３０分間乾燥した。
この後通常の方法により水平配向プせた液晶セルを作り
、磁場中で液晶分子のチルト角を測定したところ１４〜
１５度であった。同様の基板を用いて第２図に示す液晶
分子のツイスト角を２４００になるようにし、−万の偏
光板６の偏光軸を液晶分子方向に対し４５度ずらし、他
方の偏光板６′の偏光軸を偏光板６の偏光軸に対し９０
°にするように配置して、複屈折性を利用するＳＴＮ万
式の液晶表示装置を製作した。該液晶表示装置の配向性
を調べたところ均一配回状態であり、ざらに１／２００
デユーテイによるダイナミック駆動を行なったところ、
ＴＮ方式に比ベコントラスト、視野角とも格段に優れ次
表示が安定的に得られた。
、磁場中で液晶分子のチルト角を測定したところ１４〜
１５度であった。同様の基板を用いて第２図に示す液晶
分子のツイスト角を２４００になるようにし、−万の偏
光板６の偏光軸を液晶分子方向に対し４５度ずらし、他
方の偏光板６′の偏光軸を偏光板６の偏光軸に対し９０
°にするように配置して、複屈折性を利用するＳＴＮ万
式の液晶表示装置を製作した。該液晶表示装置の配向性
を調べたところ均一配回状態であり、ざらに１／２００
デユーテイによるダイナミック駆動を行なったところ、
ＴＮ方式に比ベコントラスト、視野角とも格段に優れ次
表示が安定的に得られた。
２゜
表面改質法として以下に示すケタール化液を用た以外は
実施例１と同様に処理して配向層を形成した。この後通
常の方法によシ水平配向嘔せｔ液晶セルを作り、磁場中
でチルト角全測定したところ約２０°であった。同様の
基板を用いて実施例１と同様なＳＴＮ方式の液晶表示装
置を製作し念結果、同様の結果が得らｆ′ｌた。
実施例１と同様に処理して配向層を形成した。この後通
常の方法によシ水平配向嘔せｔ液晶セルを作り、磁場中
でチルト角全測定したところ約２０°であった。同様の
基板を用いて実施例１と同様なＳＴＮ方式の液晶表示装
置を製作し念結果、同様の結果が得らｆ′ｌた。
基板上へ塗布したＰＶＡ樹脂の表面改質７行なわない以
外は、実施例１と同様にして液晶セルを作り液晶分子の
チルト角を測定したところ約０度であつ几。該基板を用
いて実施例１と同様なＳＴＮ方式の液晶表示装置を製作
し定ところ、部分的にツイスト角度が異なる不均一配向
が生じ、これにより表示品質が実施例１に比べ格段に劣
つ九ものになつ之〇 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、液晶分子ケ一方向に
配列せしめる配向層を、ＯＨ基を有する高分子樹脂の表
面を、エステル化、エーテル化、ウレタン化、ケタール
化、アセタール化、グラフト化のいずれかの反応ケ利用
する表面改質により形成し、配向層表面の分子形状を制
御するようにしたため液晶分子のチルト角をある程度任
意に設定できる。これにより液晶分子のツイスト角を９
０度以上大きくしても安定し、た均一配向を提供するこ
とができる０ ゆえに、本発明に特に大型大容量表示に適するＳＴＮ万
式の液晶表示装置ｉ！？低コストで提供できる０
外は、実施例１と同様にして液晶セルを作り液晶分子の
チルト角を測定したところ約０度であつ几。該基板を用
いて実施例１と同様なＳＴＮ方式の液晶表示装置を製作
し定ところ、部分的にツイスト角度が異なる不均一配向
が生じ、これにより表示品質が実施例１に比べ格段に劣
つ九ものになつ之〇 〔発明の効果〕 以上述べたように本発明によれば、液晶分子ケ一方向に
配列せしめる配向層を、ＯＨ基を有する高分子樹脂の表
面を、エステル化、エーテル化、ウレタン化、ケタール
化、アセタール化、グラフト化のいずれかの反応ケ利用
する表面改質により形成し、配向層表面の分子形状を制
御するようにしたため液晶分子のチルト角をある程度任
意に設定できる。これにより液晶分子のツイスト角を９
０度以上大きくしても安定し、た均一配向を提供するこ
とができる０ ゆえに、本発明に特に大型大容量表示に適するＳＴＮ万
式の液晶表示装置ｉ！？低コストで提供できる０
第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明の配向層の状態を示す模
式図。 第２図は本発明による液晶表示装置の断面図。 １・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・配向層 ６・・・・・・・・・液晶分子 ３′・・・・・・・・・液晶層 ４・・・・・・・・・透明電極 ５・・・・・・・・・シール剤 ６．６′・・・・・・・・・偏光板 ７・・・・・・・・・アルキル基 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 （α） （′ｂ） （Ｃ） 第１図
式図。 第２図は本発明による液晶表示装置の断面図。 １・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・配向層 ６・・・・・・・・・液晶分子 ３′・・・・・・・・・液晶層 ４・・・・・・・・・透明電極 ５・・・・・・・・・シール剤 ６．６′・・・・・・・・・偏光板 ７・・・・・・・・・アルキル基 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 （α） （′ｂ） （Ｃ） 第１図
Claims (2)
- （１）基板上に透明電極、該電極上に配向層を設け、前
記基板間に液晶を封入してなる液晶表示装置において、
前記配向層を形成する工程が、少なくとも基板上へ側鎖
にＯＨ基を有する高分子樹脂を塗布する工程、該極脂表
面に他の有機化合物を作用させて表面改質を行なう工程
、及びラビング処理工程からなることを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 - （２）前記表面改質の工程が少なくともエステル化、エ
ーテル化、ウレタン化、ケタール化、アセタール化、グ
ラフト化の反応を利用する工程から選ばれたことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6641786A JPS62223725A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6641786A JPS62223725A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62223725A true JPS62223725A (ja) | 1987-10-01 |
Family
ID=13315195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6641786A Pending JPS62223725A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62223725A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113524A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-18 | ノキア （ドイチュラント） ゲーエムベーハー | 液晶セル |
| JPS6473322A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of liquid crystal display element |
-
1986
- 1986-03-25 JP JP6641786A patent/JPS62223725A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63113524A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-18 | ノキア （ドイチュラント） ゲーエムベーハー | 液晶セル |
| JPS6473322A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of liquid crystal display element |
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