JPS62274685A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS62274685A JPS62274685A JP11953286A JP11953286A JPS62274685A JP S62274685 A JPS62274685 A JP S62274685A JP 11953286 A JP11953286 A JP 11953286A JP 11953286 A JP11953286 A JP 11953286A JP S62274685 A JPS62274685 A JP S62274685A
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Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
この発明は、戻り光を低減した半導体レーザ装置に関す
るものである。
るものである。
第３図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図であり、
この図において、１ばｐ電極、２はｐ形ＧａＡｓ基板、
３〜５は前記ｐ形ＧａＡｓ基板２の上に結晶成長したｎ
形ＧａＡｓブロック層、６はｐ形ＡｌＧａＡｓクラッド
層、７はｐ形ＡＮＧａＡｓ活性層、８はｎ形Ａｌ！Ｇａ
Ａｓクラッド層、９はｎ形ＧａＡｓ：＋ンタクト層、１
０はｎａ１ｓ極、１１，１２は２回目の液相成長時のメ
ルトバック防上用のｎ形ＡｌＧａＡｓ層、２１は電流注
入用の溝、２２は前記ｐ形ＡｌＧａＡｓ活性層７から晶
れた光を減衰させないための光閉じ込め用の溝である。
この図において、１ばｐ電極、２はｐ形ＧａＡｓ基板、
３〜５は前記ｐ形ＧａＡｓ基板２の上に結晶成長したｎ
形ＧａＡｓブロック層、６はｐ形ＡｌＧａＡｓクラッド
層、７はｐ形ＡＮＧａＡｓ活性層、８はｎ形Ａｌ！Ｇａ
Ａｓクラッド層、９はｎ形ＧａＡｓ：＋ンタクト層、１
０はｎａ１ｓ極、１１，１２は２回目の液相成長時のメ
ルトバック防上用のｎ形ＡｌＧａＡｓ層、２１は電流注
入用の溝、２２は前記ｐ形ＡｌＧａＡｓ活性層７から晶
れた光を減衰させないための光閉じ込め用の溝である。
次に動作について説明する。
Ｆｔ２１から注入された電流は余り広がらず、ｐ形Ａｌ
ＧａＡｓ活性層７に注入されレーザ発振する。
ＧａＡｓ活性層７に注入されレーザ発振する。
この時、レーザ光は溝２２付近に存在し、ｐ形ＡｌＧａ
Ａｓ活性層７において溝２２の上部は可飽和吸収領域と
して作用する。すなわち、ｐ形ＡｌＧａＡｓ活性層７の
中の溝２２の上部付近は、初めはレーザ光を吸収するが
ある時点で飽和し、今度は発光領域として作用する。そ
して、発光が終オ〕ろと再び吸収領域として作用すると
いうように、例えばＩＧＨｚ程度で発振する。
Ａｓ活性層７において溝２２の上部は可飽和吸収領域と
して作用する。すなわち、ｐ形ＡｌＧａＡｓ活性層７の
中の溝２２の上部付近は、初めはレーザ光を吸収するが
ある時点で飽和し、今度は発光領域として作用する。そ
して、発光が終オ〕ろと再び吸収領域として作用すると
いうように、例えばＩＧＨｚ程度で発振する。
このような自己発振レーザ装置においては、戻り光に対
して注入同期がとれないため、これにょる雑音がほとん
ど生じないという特徴を有する。
して注入同期がとれないため、これにょる雑音がほとん
ど生じないという特徴を有する。
上記のような従来の半導体レーザ装置は、電流注入用の
溝２１と光閉じ込め用の溝２２を別個に構成するため、
写真製版が２回必要であり１．また各々の溝２１．２２
が２＠目の液相成長時にダしてつながらないように、ｎ
形ＡＪＧａＡｓ層１１゜１２をｎ形Ｇ ａＡ ｓプロ９
ク層３〜５の途中に入れておかなければならないという
問題点があった。
溝２１と光閉じ込め用の溝２２を別個に構成するため、
写真製版が２回必要であり１．また各々の溝２１．２２
が２＠目の液相成長時にダしてつながらないように、ｎ
形ＡＪＧａＡｓ層１１゜１２をｎ形Ｇ ａＡ ｓプロ９
ク層３〜５の途中に入れておかなければならないという
問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、写真製版のプロセスおよび結晶成長を簡略化する
ことが可能な半導体レーザ装置を１移ることを目的とす
る。
ので、写真製版のプロセスおよび結晶成長を簡略化する
ことが可能な半導体レーザ装置を１移ることを目的とす
る。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置は、光の伝搬経路とな
る活性層中にポンピング電流が流れない領域を形成した
ものである。
る活性層中にポンピング電流が流れない領域を形成した
ものである。
この発明においては、光の伝搬経路となる活性層中のポ
ンピング電流４流が流れない領域が可飽和吸収領域とし
て作用する。
ンピング電流４流が流れない領域が可飽和吸収領域とし
て作用する。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す
斜視図であり、この図において、第３図と同一符号は同
一部分を示し＞３１は前記ｎ電極１０に設けた電極窓部
である。
斜視図であり、この図において、第３図と同一符号は同
一部分を示し＞３１は前記ｎ電極１０に設けた電極窓部
である。
この発明の半導体レーザ装置においては、電極窓部３１
からは電流が注入されないため、電極窓部３１の下部の
ｐ形ＡｌＧａＡｓ活性層７には電流が注入されず、発光
領域ではなく、光の可飽和吸収領域として作用する。
からは電流が注入されないため、電極窓部３１の下部の
ｐ形ＡｌＧａＡｓ活性層７には電流が注入されず、発光
領域ではなく、光の可飽和吸収領域として作用する。
すなわち、電流印加時にはこの部分が光の吸収領域とし
て光を吸収するが、ある時点で飽和し、今後は逆に発光
領域として発振に寄与する。発光が終わると再び吸収領
域として作用するというように、例えばＩＧＨｚ程度で
発振する。このため、戻り光など外部からの光に対して
注入同期が起きない。したがって、これに起因する雑音
も起きないという第３図に示した半導体レーザ装置と同
様の特徴を有する。
て光を吸収するが、ある時点で飽和し、今後は逆に発光
領域として発振に寄与する。発光が終わると再び吸収領
域として作用するというように、例えばＩＧＨｚ程度で
発振する。このため、戻り光など外部からの光に対して
注入同期が起きない。したがって、これに起因する雑音
も起きないという第３図に示した半導体レーザ装置と同
様の特徴を有する。
なお、上記実施例では、ｎ電極１０に電極窓部。
３１を設けたが、ｐ電極１の方に設けた構成としても同
様である。
様である。
また第一２図に示すように、ｎ形ＡｌＧａＡｓクラッド
層８およびｎ形ＧａＡｓコンタクト層９の領域の一部に
ｐ形拡散領域４１を設けて電極窓を形成（）ても同様の
効果が得られろ。
層８およびｎ形ＧａＡｓコンタクト層９の領域の一部に
ｐ形拡散領域４１を設けて電極窓を形成（）ても同様の
効果が得られろ。
この発明は以上説明したとおり、光の伝搬経路となる活
性層中にポンピング電流が流れない領域を形成したので
、このポンピング電流が流れない活性層の領域が可飽和
吸収領域とな−る自己発振レーザ装置が得られ、その製
造を複雑な工程を得ることな（容易に行えるという効果
がある。
性層中にポンピング電流が流れない領域を形成したので
、このポンピング電流が流れない活性層の領域が可飽和
吸収領域とな−る自己発振レーザ装置が得られ、その製
造を複雑な工程を得ることな（容易に行えるという効果
がある。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す
斜視図、第２図は同じく他の実施例を示す側断面図、第
３図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 図において、１はｐ電極、２はｐ形ＧａＡｓ基板３はｎ
形ＧａＡｓブロー）り層、６はｐ形ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層、７はｐ形Ａｔ’ＧａＡｓ活性層、８はｎ形ＡｊＧ
ａＡｓクラッドＪ−１９はｎ形ＧａＡｓコンタクト層、
１０はｎ電極、３１は電極窓部、４１はｐ形拡散領域で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 ３１：電極窓部 第２図 ４１：ｐ形成数領域 第３図
斜視図、第２図は同じく他の実施例を示す側断面図、第
３図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 図において、１はｐ電極、２はｐ形ＧａＡｓ基板３はｎ
形ＧａＡｓブロー）り層、６はｐ形ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層、７はｐ形Ａｔ’ＧａＡｓ活性層、８はｎ形ＡｊＧ
ａＡｓクラッドＪ−１９はｎ形ＧａＡｓコンタクト層、
１０はｎ電極、３１は電極窓部、４１はｐ形拡散領域で
ある。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 ３１：電極窓部 第２図 ４１：ｐ形成数領域 第３図
Claims (2)
- （１）可飽和吸収領域を有する自己発振レーザ装置であ
って、光の伝搬経路となる活性層中にポンピング電流が
流れない領域を形成したことを特徴とする半導体レーザ
装置。 - （２）ポンピング電流が流れない領域が電極に窓を設け
ることにより形成されたことを特徴とする特許請求の範
囲第（１）項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11953286A JPS62274685A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11953286A JPS62274685A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274685A true JPS62274685A (ja) | 1987-11-28 |
Family
ID=14763614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11953286A Pending JPS62274685A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274685A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0387085A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超短光パルス発生装置 |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP11953286A patent/JPS62274685A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0387085A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超短光パルス発生装置 |
| JPH07112095B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1995-11-29 | 松下電器産業株式会社 | 超短光パルス発生装置 |
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