JPS62268170A - 発光ダイオ−ドの発光強度調整方法および発光ダイオ−ドアレイ - Google Patents
発光ダイオ−ドの発光強度調整方法および発光ダイオ−ドアレイInfo
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- JPS62268170A JPS62268170A JP61112970A JP11297086A JPS62268170A JP S62268170 A JPS62268170 A JP S62268170A JP 61112970 A JP61112970 A JP 61112970A JP 11297086 A JP11297086 A JP 11297086A JP S62268170 A JPS62268170 A JP S62268170A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、発光ダイオードの光出力を均一化せしめる発
光強度調整方法ならびにそのために使用される改良され
た発光ダイオードアレイに関するものである。
光強度調整方法ならびにそのために使用される改良され
た発光ダイオードアレイに関するものである。
［従来の技術と問題点］
オフィスオートメーションの普及に伴い、オフィスコン
ピュータや日本語ワードプロセッサおるいは高速ファク
シミリなどのプリンタヘッドに発光ダイオードアレイが
使用されるようになり、その高速性、高印字品質、静寂
性などすぐれた特質を有することから今後ますます普及
される趨勢にある。
ピュータや日本語ワードプロセッサおるいは高速ファク
シミリなどのプリンタヘッドに発光ダイオードアレイが
使用されるようになり、その高速性、高印字品質、静寂
性などすぐれた特質を有することから今後ますます普及
される趨勢にある。
しかし、このような情報表示用の発光ダイオードは、こ
れを構成するＧａ Ａｓ Ｐ等のｐ−ｎ接合における拡
散の不均一、電極と発光面との光遮へいの不完全、ある
いは発光ダイオード特性の不均一等に起因して、発光強
度にバラツキの発生することは避けられず、印字ムラな
と品質悪化の大きな原因となっていた。
れを構成するＧａ Ａｓ Ｐ等のｐ−ｎ接合における拡
散の不均一、電極と発光面との光遮へいの不完全、ある
いは発光ダイオード特性の不均一等に起因して、発光強
度にバラツキの発生することは避けられず、印字ムラな
と品質悪化の大きな原因となっていた。
すなわち、通常のモノリシック型発光ダイオードは、１
＃Ｉ＋の中に８ドツトから最大２０ドツトの密度を有す
るものまで使用されてあり、これのチップ長は８〜１２
ｍ程度が通常でおるから、１チツプ中には６４〜２４０
もの発光点が形成されることになる。このような多数の
発光点からの発光強度は上記したようになかなか均一な
ものが得にくく、同じ基板から造ったチップでおっても
第１表に示すような大きなバラツキを示すのが普通であ
る。
＃Ｉ＋の中に８ドツトから最大２０ドツトの密度を有す
るものまで使用されてあり、これのチップ長は８〜１２
ｍ程度が通常でおるから、１チツプ中には６４〜２４０
もの発光点が形成されることになる。このような多数の
発光点からの発光強度は上記したようになかなか均一な
ものが得にくく、同じ基板から造ったチップでおっても
第１表に示すような大きなバラツキを示すのが普通であ
る。
第 １ 表
そこで、これを改善する目的で、発光ダイオードアレイ
チップの外部に制限抵抗を加え、電圧を下げることによ
り発光ダイオードを流れる電流をほぼ一定なものとした
り、トランジスタを使用して発光素子に所定の電流が流
れるようにする方法（例えば特開昭５９−１１４８７９
＞などが試みられてきた。
チップの外部に制限抵抗を加え、電圧を下げることによ
り発光ダイオードを流れる電流をほぼ一定なものとした
り、トランジスタを使用して発光素子に所定の電流が流
れるようにする方法（例えば特開昭５９−１１４８７９
＞などが試みられてきた。
しかし、発光ダイオードアレイを用いたプリンタの場合
、上記したようなきわめて高密度の発光点からなるもの
であり、このような発光点のそれぞれに必要とされる所
定値の抵抗を加えたり、それぞれに所定特性の１〜ラン
ジスタを使用するように設計することは、設計を著しく
複雑とし、配線や組立工程もきわめて複雑とならざるを
得ず、結果的にかなり高価なものとなることは避けられ
なかった。
、上記したようなきわめて高密度の発光点からなるもの
であり、このような発光点のそれぞれに必要とされる所
定値の抵抗を加えたり、それぞれに所定特性の１〜ラン
ジスタを使用するように設計することは、設計を著しく
複雑とし、配線や組立工程もきわめて複雑とならざるを
得ず、結果的にかなり高価なものとなることは避けられ
なかった。
［発明の目的］
本発明は、上記のような実情にかんがみてなされたもの
でおり、発光ダイオードの製造過程において例えば簡単
な蒸着作業によって配設される抵抗性物質を用いて安価
に発光強度の調整を可能にする発光ダイオードの発光強
度調整方法ならびにその方法を直接実施する発光ダイオ
ードアレイを提供しようとするものである。
でおり、発光ダイオードの製造過程において例えば簡単
な蒸着作業によって配設される抵抗性物質を用いて安価
に発光強度の調整を可能にする発光ダイオードの発光強
度調整方法ならびにその方法を直接実施する発光ダイオ
ードアレイを提供しようとするものである。
［発明の概要］
すなわち、本発明の要旨とするところは、発光ダイオー
ドの発光のための電極と電圧を負荷する配線金属端子と
の間に長く伸びる抵抗［生物質を配設し、前記金属端子
より抵抗姓物貿にポンディングワイヤを接続する際に、
その抵抗［生物質のボンディング位置から電極までの距
離（長さ）を選択することにより発光ダイオードに流れ
る電流を調整し、発光強度を調整する調整方法にあり、
また、そのような調整を可能に構成し、かがる調整方法
を直接実施し得る長く伸びた抵抗体を有する発光ダイオ
ードアレイにあり、それによって、前記従来例に示した
複雑化を回避し、安価に均一な発光強度を有する発光ダ
イオードを入手可能としたものである。
ドの発光のための電極と電圧を負荷する配線金属端子と
の間に長く伸びる抵抗［生物質を配設し、前記金属端子
より抵抗姓物貿にポンディングワイヤを接続する際に、
その抵抗［生物質のボンディング位置から電極までの距
離（長さ）を選択することにより発光ダイオードに流れ
る電流を調整し、発光強度を調整する調整方法にあり、
また、そのような調整を可能に構成し、かがる調整方法
を直接実施し得る長く伸びた抵抗体を有する発光ダイオ
ードアレイにあり、それによって、前記従来例に示した
複雑化を回避し、安価に均一な発光強度を有する発光ダ
イオードを入手可能としたものである。
［実施例］
以下に本発明について実施例に基づいて順次説明する。
第１図は、本発明に係る一実施例であるメサ型・モノリ
シック発光ダイオードアレイの断面図を示すものであり
、第２図はその一部平面図を示すものである。
シック発光ダイオードアレイの断面図を示すものであり
、第２図はその一部平面図を示すものである。
図において、１はｐ型Ｇａ Ａｓ基板、２はｐ−ａａ
Ａｔ ＡＳ 、３はｎ−Ｇａ ＡＩ Ａｓ 、 ４はｎ
型オーミック接続層、５は電極に電圧を印加せしめるた
めの配線金属、６は例えば金線なとよりなるボンディン
グワイヤ、７はｐ電極、８はｎ電極であって、当該ｎ電
極８は抵抗性物質（例えばシリコン単体）８ａと電気的
に接続されている。
Ａｔ ＡＳ 、３はｎ−Ｇａ ＡＩ Ａｓ 、 ４はｎ
型オーミック接続層、５は電極に電圧を印加せしめるた
めの配線金属、６は例えば金線なとよりなるボンディン
グワイヤ、７はｐ電極、８はｎ電極であって、当該ｎ電
極８は抵抗性物質（例えばシリコン単体）８ａと電気的
に接続されている。
そしてまた、９は発光面で必り、１０は絶縁層である。
本実施例においては、電極８と抵抗性物質８ａは一体物
（この場合一体蒸着）として構成されているが、電極８
と抵抗性物質８ａは別の材料をもってし、両者を電気的
に接続状態としたものであってもよい。
（この場合一体蒸着）として構成されているが、電極８
と抵抗性物質８ａは別の材料をもってし、両者を電気的
に接続状態としたものであってもよい。
実施例
第１および２図に示したような構成よりなり、発光点の
巾１ｍｒｎ、長さ８ｍｍ、発光点密度１６ドツｈ ／
ｍｍをもって１チツプ中に１２８個の発光点を有する発
光面９からなる発光ダイオードアレイを製造した。
巾１ｍｒｎ、長さ８ｍｍ、発光点密度１６ドツｈ ／
ｍｍをもって１チツプ中に１２８個の発光点を有する発
光面９からなる発光ダイオードアレイを製造した。
上記発光ダイオードアレイの各ドツトのｎ電極７とｎ電
極８との間に特別な電圧調整を与えることなく２，５Ｖ
の電圧を印ｈ口した。
極８との間に特別な電圧調整を与えることなく２，５Ｖ
の電圧を印ｈ口した。
第２表中調整前とあるのは、その結果における各発光点
の発光強度分布についてＡ〜Ｆの６段階に区分して示し
たものでおる。（いずれもその強度を有するドツトの数
で示しである。）第 ２ 表 なんらの電圧調整を行なわない場合、Ａグレードに該当
するものはなく、Ｂ−Ｆの５段階の大きなバラツキから
なる発光強度分布を有することがわかった。そこで、そ
れぞれ上記５段階のグレードごとに電圧調整をするため
に、前記配線金属５と抵抗ｉ生物質８ａに設けられたボ
ンディングスペース１１〜１５とをそれぞれホンディン
グワイヤ６をもってボンディングした。すなわちＢグレ
ードのドツトはボンディングスペース１１に、以下Ｃグ
レードのドツトは１２に、Ｄグレードは１３に、巳グレ
ードは１４（こ、Ｆグレードは１５（こというように金
線よりなるポンディグワイヤ６を用いてボンディングし
、そのホンディング位置から電極８までの長さをもって
抵抗調整を行ない、２，５の電圧を印加した。
の発光強度分布についてＡ〜Ｆの６段階に区分して示し
たものでおる。（いずれもその強度を有するドツトの数
で示しである。）第 ２ 表 なんらの電圧調整を行なわない場合、Ａグレードに該当
するものはなく、Ｂ−Ｆの５段階の大きなバラツキから
なる発光強度分布を有することがわかった。そこで、そ
れぞれ上記５段階のグレードごとに電圧調整をするため
に、前記配線金属５と抵抗ｉ生物質８ａに設けられたボ
ンディングスペース１１〜１５とをそれぞれホンディン
グワイヤ６をもってボンディングした。すなわちＢグレ
ードのドツトはボンディングスペース１１に、以下Ｃグ
レードのドツトは１２に、Ｄグレードは１３に、巳グレ
ードは１４（こ、Ｆグレードは１５（こというように金
線よりなるポンディグワイヤ６を用いてボンディングし
、そのホンディング位置から電極８までの長さをもって
抵抗調整を行ない、２，５の電圧を印加した。
第２表において調整後とおるのは上記ホンディング後に
おける発光強度分布を示したものでおり、発光強度のバ
ラツキが顕著に低減した様子がよくわかる。すなわち、
調整前の平均強度０．０１２９５、標準偏差０．００１
８３であったのに対し、調整後は平均強度０．０１１５
５ 、像準偏差０．０００３０ トＲ光強Ｗのバラツキ
の著しい低減を実現させることができた。
おける発光強度分布を示したものでおり、発光強度のバ
ラツキが顕著に低減した様子がよくわかる。すなわち、
調整前の平均強度０．０１２９５、標準偏差０．００１
８３であったのに対し、調整後は平均強度０．０１１５
５ 、像準偏差０．０００３０ トＲ光強Ｗのバラツキ
の著しい低減を実現させることができた。
なあ、第３図は本発明に係る別な実施例を示す説明平面
図でおり、第４図は第３図のＡ−△断面図でおる。
図でおり、第４図は第３図のＡ−△断面図でおる。
本実施例において（ま、発光点９に接続され抵抗性物質
２１かボンディングスペースとともに連続的なものとし
て配設され、当該抵抗性物質２１に平行して電圧印加の
ための導電体２２が配線金属５より伸長配置されている
例が示されている。このように構成されていれば、ホン
ディング位置い６の長さはつねに一定なものを使用する
ことが可能となるし、抵抗値を変化せしめる場合にも、
小さな抵抗値でよい場合には第３図中Ａ（ＩＩＩＪ寄り
でボンディングし、大きな抵抗値が必要でおれば第３図
Ｚ側寄りにおいてボンディングすればよく、しかも抵抗
値は連続的に変化けしめ１￥るから必要な抵抗値の微少
な調整も容易に実行できるという長所をら有するもので
ある。
２１かボンディングスペースとともに連続的なものとし
て配設され、当該抵抗性物質２１に平行して電圧印加の
ための導電体２２が配線金属５より伸長配置されている
例が示されている。このように構成されていれば、ホン
ディング位置い６の長さはつねに一定なものを使用する
ことが可能となるし、抵抗値を変化せしめる場合にも、
小さな抵抗値でよい場合には第３図中Ａ（ＩＩＩＪ寄り
でボンディングし、大きな抵抗値が必要でおれば第３図
Ｚ側寄りにおいてボンディングすればよく、しかも抵抗
値は連続的に変化けしめ１￥るから必要な抵抗値の微少
な調整も容易に実行できるという長所をら有するもので
ある。
［発明の効果１
以上詳記した通り、本発明に係る発光強度調整方法なら
びに発光ダイオードアレイによれば、印力Ｏ電圧を調整
する制限抵抗を単に同一チップ上に設けることにより発
光強度のバラツキを著しく低減ししめることが可能とな
るものであり、従来例のような制御のためのＩＣ等の高
師な素子を使用する必要がなく、経済性の而からみても
大きな省力化が果せるものでおる。しかも、同一チップ
上に制限抵抗を設けるという本発明の発想は、従来それ
らが別の基板上に設けられていたことと比較して、非常
にコンパクト化を可能にするということでもあり、各種
プリンタ、ファックス等に搭載する際のスペースメリッ
トを大きくし、結果的にそれら装置の小型化をも可能に
するというｎ１次効果をも奏するものであって、本発明
が斯業界にもたらす効用はまことに大きいというべきで
ある。
びに発光ダイオードアレイによれば、印力Ｏ電圧を調整
する制限抵抗を単に同一チップ上に設けることにより発
光強度のバラツキを著しく低減ししめることが可能とな
るものであり、従来例のような制御のためのＩＣ等の高
師な素子を使用する必要がなく、経済性の而からみても
大きな省力化が果せるものでおる。しかも、同一チップ
上に制限抵抗を設けるという本発明の発想は、従来それ
らが別の基板上に設けられていたことと比較して、非常
にコンパクト化を可能にするということでもあり、各種
プリンタ、ファックス等に搭載する際のスペースメリッ
トを大きくし、結果的にそれら装置の小型化をも可能に
するというｎ１次効果をも奏するものであって、本発明
が斯業界にもたらす効用はまことに大きいというべきで
ある。
第１図は本発明に係る発光ダイオードアレイの一実施例
を示す断面図、第２図は第１図の実施例の部分平面図、
第３図は本発明に係る別な実施例を示す説明的平面図、
第４図は第３図のＡ−Ａ断面図である。 １・・・ｐ型Ｑａ Ａｓ基板、 ２・ Ｅ）−Ｇａ Ａｔ Ａｓ、 ３−ｎ−ＧａＡｌＡｓ、 ５・・・配線金属、 ６・・・ボンディングワイヤ、 ７・・・ｐ電極、 ８・・・ｎ電（※、 ８ａ・・・抵抗ｌ物質、 ９・・・発光面、 １０・・・絶縁層、 １１、１２．１３．１４．１５・・・ボンディングスペ
ース、２１・・・抵抗性物質、 ２２・・・導電体。 代理人 弁理士 佐 藤 不二雄 ′；１″３ 因 ｊ″４ ｍ
を示す断面図、第２図は第１図の実施例の部分平面図、
第３図は本発明に係る別な実施例を示す説明的平面図、
第４図は第３図のＡ−Ａ断面図である。 １・・・ｐ型Ｑａ Ａｓ基板、 ２・ Ｅ）−Ｇａ Ａｔ Ａｓ、 ３−ｎ−ＧａＡｌＡｓ、 ５・・・配線金属、 ６・・・ボンディングワイヤ、 ７・・・ｐ電極、 ８・・・ｎ電（※、 ８ａ・・・抵抗ｌ物質、 ９・・・発光面、 １０・・・絶縁層、 １１、１２．１３．１４．１５・・・ボンディングスペ
ース、２１・・・抵抗性物質、 ２２・・・導電体。 代理人 弁理士 佐 藤 不二雄 ′；１″３ 因 ｊ″４ ｍ
Claims (4)
- （１）発光のための電極と配線金属端子との間に長く伸
びて介在する抵抗性物質を配設し、当該抵抗性物質への
前記配線金属端子からのボンディング位置を、前記電極
と前記ボディング位置によって決まる抵抗性物質の長さ
により定まる抵抗値によって選び出し、当該選ばれた抵
抗値により発光強度を調整する発光ダイオードの発光強
度調整方法。 - （２）電極と配線金属端子との間に連続して伸びる抵抗
性物質を配置し、当該抵抗体の長手方向に沿つて複数個
のボンディングスペースを形成してなる発光ダイオード
アレイ。 - （３）ボンディグスペースの配設位置が間欠的にとびと
びとなっている特許請求の範囲第２項記載の発光ダイオ
ードアレイ。 - （４）ボンデングスペースの配設位置が連続的となって
いる特許請求の範囲第２項記載の発光ダイオードアレイ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61112970A JPH0746735B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 発光ダイオ−ドの発光強度調整方法および発光ダイオ−ドアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61112970A JPH0746735B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 発光ダイオ−ドの発光強度調整方法および発光ダイオ−ドアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62268170A true JPS62268170A (ja) | 1987-11-20 |
| JPH0746735B2 JPH0746735B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=14600111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61112970A Expired - Lifetime JPH0746735B2 (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 発光ダイオ−ドの発光強度調整方法および発光ダイオ−ドアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746735B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209781A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Rohm Co Ltd | イメージセンサ用光源の製造方法 |
| JP2004165535A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 自己走査型発光素子アレイ |
| JP2007080877A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｌｅｄ光源の色調補正方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117280A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP61112970A patent/JPH0746735B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117280A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-06 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03209781A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Rohm Co Ltd | イメージセンサ用光源の製造方法 |
| JP2004165535A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 自己走査型発光素子アレイ |
| JP2007080877A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-29 | Matsushita Electric Works Ltd | Ｌｅｄ光源の色調補正方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746735B2 (ja) | 1995-05-17 |
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