JPS61145877A - Ｌｅｄアレイヘツド - Google Patents
ＬｅｄアレイヘツドInfo
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- JPS61145877A JPS61145877A JP59270105A JP27010584A JPS61145877A JP S61145877 A JPS61145877 A JP S61145877A JP 59270105 A JP59270105 A JP 59270105A JP 27010584 A JP27010584 A JP 27010584A JP S61145877 A JPS61145877 A JP S61145877A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば電子写真記録装置の記録光源として
用いるＬＥＤ（発光ダイオード）アレイヘッド、特にＬ
ＥＤ素子の発光出力の高出力化に関するものである。
用いるＬＥＤ（発光ダイオード）アレイヘッド、特にＬ
ＥＤ素子の発光出力の高出力化に関するものである。
第３図は従来のＬＥＤアレイヘッドの代表的な構成例を
示す断面図である。図において、１はＭ等のメタルを使
用した放熱器、２は表面に導体ノくター／を形成したセ
ラミック等の絶縁材料から成る半導体支持基板、３は複
数のＬＥＤ素子を集積して形成したＬ′ＥＤアレイチッ
プ、４は各ＬＥＤ素子を駆動するＬＩＤドライバＩＣ，
５１はＬＥＤアレイチップ３の裏面く形成した共通電極
と接続スる導体パターン、５２はＬＥＤアレイチップ３
上の電極とＬＥＤドライバＩＣ４上の電極を接続するた
めの導体パターン、５３はＬＥＤドライバＩＣ４等に入
力する電源や信号用の導体パターン、６はリード線、７
は導体パターン５３と接続する７レキクブル基板、８は
フレキシブル基板７と放熱器１とを絶縁する絶縁板であ
る。
示す断面図である。図において、１はＭ等のメタルを使
用した放熱器、２は表面に導体ノくター／を形成したセ
ラミック等の絶縁材料から成る半導体支持基板、３は複
数のＬＥＤ素子を集積して形成したＬ′ＥＤアレイチッ
プ、４は各ＬＥＤ素子を駆動するＬＩＤドライバＩＣ，
５１はＬＥＤアレイチップ３の裏面く形成した共通電極
と接続スる導体パターン、５２はＬＥＤアレイチップ３
上の電極とＬＥＤドライバＩＣ４上の電極を接続するた
めの導体パターン、５３はＬＥＤドライバＩＣ４等に入
力する電源や信号用の導体パターン、６はリード線、７
は導体パターン５３と接続する７レキクブル基板、８は
フレキシブル基板７と放熱器１とを絶縁する絶縁板であ
る。
第４図は、第３図のＬＥＤアレイヘッドにおける回路構
成列を示す概略図である。図において、３１はＬＥＤ素
子、９は、ＬＥＤ素子３１の発光信号Ｓ１をクロック信
号Ｓ、に同期して順次に転送し、かつラッチ信号８３に
よって発光信号８ｍを固定するシフトレジスタ回路と、
ラッチ回路を含む論理回路群である。１０は、発光信号
５ｔｌｃしたがって各ＬＥＤ素子３１を駆動するトラン
ジスタで構成したドライバ群である。論理回路群９とド
ライバ群１０は、ＬＥＤドライバＩＣ４に搭載されてい
る。
成列を示す概略図である。図において、３１はＬＥＤ素
子、９は、ＬＥＤ素子３１の発光信号Ｓ１をクロック信
号Ｓ、に同期して順次に転送し、かつラッチ信号８３に
よって発光信号８ｍを固定するシフトレジスタ回路と、
ラッチ回路を含む論理回路群である。１０は、発光信号
５ｔｌｃしたがって各ＬＥＤ素子３１を駆動するトラン
ジスタで構成したドライバ群である。論理回路群９とド
ライバ群１０は、ＬＥＤドライバＩＣ４に搭載されてい
る。
上記第３図及び第４図に示すように構成された従来のＬ
ＥＤアレイヘッドにおいて、各ＬＥＤ素子３１を発光さ
せるためＫ、ドライバ群１０よシ各ＬＥＤ素子３１に所
定の電圧を印加して、電流を各ＬＥＤ素子３１に供給し
ている。各ＬＥＤ素子３１のカソード側はＬＥＤアレイ
チップ３の裏面で共通電極により共通化されておシ、こ
の裏面の共通電極から半導体支持基板２上の導体パター
ン５１を通シ、さらに、各導体パターン５２．５３及び
フレキシブル基板７を介してＬＥＤ駆動電源の接地電極
端子に接続している。そして、これらの各導体パターン
５１，５２．５３やフレキシブル基板７上の導体パター
ンの厚みは数十μｍと薄く、この厚さはパターン形成時
のエツチング等の関係上で厚くできないのが現状である
。したがって、各ＬＥＤ素子３１に対する駆動系、すな
わち、電力供給配線と電流帰還配線にはそれぞれ所定の
抵抗Ｒ１（図示しない）、Ｒ２が存在している。
ＥＤアレイヘッドにおいて、各ＬＥＤ素子３１を発光さ
せるためＫ、ドライバ群１０よシ各ＬＥＤ素子３１に所
定の電圧を印加して、電流を各ＬＥＤ素子３１に供給し
ている。各ＬＥＤ素子３１のカソード側はＬＥＤアレイ
チップ３の裏面で共通電極により共通化されておシ、こ
の裏面の共通電極から半導体支持基板２上の導体パター
ン５１を通シ、さらに、各導体パターン５２．５３及び
フレキシブル基板７を介してＬＥＤ駆動電源の接地電極
端子に接続している。そして、これらの各導体パターン
５１，５２．５３やフレキシブル基板７上の導体パター
ンの厚みは数十μｍと薄く、この厚さはパターン形成時
のエツチング等の関係上で厚くできないのが現状である
。したがって、各ＬＥＤ素子３１に対する駆動系、すな
わち、電力供給配線と電流帰還配線にはそれぞれ所定の
抵抗Ｒ１（図示しない）、Ｒ２が存在している。
上記のような従来のＬＥＤアレイヘッドでは。
とのＬＥＤアレイヘッドのＬＥＤ素子３１の数は、記碌
幅や解像度によっても異なるが、約２０４８〜４０９６
素子を搭載するのが一般的である。そして、例えばＡ４
サイズの記録速度として１０枚／分を達成するためＫ１
．各ＬＥＤ素子３１には約５ｍＡ程度の電流を供給して
いる。また、ＬＥＤアレイヘッドの走査方法としては、
高印字品質の記碌画偉を得るために分割して点灯するの
が普通であシ、通常４分割走査している。したがって、
ＬＥＤアレイヘッドに供給する電流は、最大で約２．５
〜５Ａ程度となる。このように、供給すべき電流値が数
Ａの場合に、前述した各抵抗Ｒ＊ −Ｒｔの存在はＬＥ
Ｄアレイヘッドの駆動に対して大きな影響を与えない。
幅や解像度によっても異なるが、約２０４８〜４０９６
素子を搭載するのが一般的である。そして、例えばＡ４
サイズの記録速度として１０枚／分を達成するためＫ１
．各ＬＥＤ素子３１には約５ｍＡ程度の電流を供給して
いる。また、ＬＥＤアレイヘッドの走査方法としては、
高印字品質の記碌画偉を得るために分割して点灯するの
が普通であシ、通常４分割走査している。したがって、
ＬＥＤアレイヘッドに供給する電流は、最大で約２．５
〜５Ａ程度となる。このように、供給すべき電流値が数
Ａの場合に、前述した各抵抗Ｒ＊ −Ｒｔの存在はＬＥ
Ｄアレイヘッドの駆動に対して大きな影響を与えない。
しかるに、ＬＥＤアレイヘッドの発光出力を高出力化し
て高速記録装置を得ようとした場合に、上記各抵抗Ｒ＊
−Ｒｔの存在は大きな障害となる。一般に：、ＬＥＤ
素子３１の発光出力を大きくするには、これ釦供給する
電流値を大きくしなければならない。したがって、高速
記録を達成するためには、ＬＥＤアレイヘッドとして数
十Ａという大電流の入出力を可能にする必要がある。と
ころが、このような大電流を必要とする場合は、上記各
抵抗Ｒｔ 、 Ｒｔの存在により、ＬＥＤ駆動亀源とＬ
ＥＤ素子３１間で抵抗Ｒ，による電圧降下や抵抗Ｒ１に
よるＬＥＤ素子３１のカソード電位上昇が大きくなり、
ＬＥＤドライバＩＣ４の動作やＬＥＤ素子３１の発光出
力が不安定となる。
て高速記録装置を得ようとした場合に、上記各抵抗Ｒ＊
−Ｒｔの存在は大きな障害となる。一般に：、ＬＥＤ
素子３１の発光出力を大きくするには、これ釦供給する
電流値を大きくしなければならない。したがって、高速
記録を達成するためには、ＬＥＤアレイヘッドとして数
十Ａという大電流の入出力を可能にする必要がある。と
ころが、このような大電流を必要とする場合は、上記各
抵抗Ｒｔ 、 Ｒｔの存在により、ＬＥＤ駆動亀源とＬ
ＥＤ素子３１間で抵抗Ｒ，による電圧降下や抵抗Ｒ１に
よるＬＥＤ素子３１のカソード電位上昇が大きくなり、
ＬＥＤドライバＩＣ４の動作やＬＥＤ素子３１の発光出
力が不安定となる。
さらＫ、上記のような大電流を流すためにフレキシブル
基板７の導体厚さを増加したシ、電流供給及び電流帰還
パターン喝を増大する必要があシ、このため、ＬＥＤア
レイヘッドの性能低下、コストの上昇という問題点があ
った。
基板７の導体厚さを増加したシ、電流供給及び電流帰還
パターン喝を増大する必要があシ、このため、ＬＥＤア
レイヘッドの性能低下、コストの上昇という問題点があ
った。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、ＬＥＤ素子に発光出力の不安定性を伴うことなく
大電流の供給を行って、発光出力の高出力化を図ること
ができるＬＥＤアレイヘッドを得ることを目的とする。
ので、ＬＥＤ素子に発光出力の不安定性を伴うことなく
大電流の供給を行って、発光出力の高出力化を図ること
ができるＬＥＤアレイヘッドを得ることを目的とする。
この発明のＬＦ：、Ｄアレイヘッドは、ＬＥＤアレイチ
ップの支持基板として絶縁層を形成したメタル基板を用
い、このメタル基板の表面に直線状の溝を形成し、この
溝の中１ｃＬＥＤアレイチップを配列して設け、このＬ
ＥＤアレイチップの裏面に形成した共通電極とメタル基
板の導体とを直接接続したものである。
ップの支持基板として絶縁層を形成したメタル基板を用
い、このメタル基板の表面に直線状の溝を形成し、この
溝の中１ｃＬＥＤアレイチップを配列して設け、このＬ
ＥＤアレイチップの裏面に形成した共通電極とメタル基
板の導体とを直接接続したものである。
（作用〕
この発明のＬＥＤアレイヘッドにおいては、ＬＥＤアレ
イチップの支持基板として絶縁層を形成したメタル基板
を用い、ＬＥＤＩＫ動系の配線抵抗を小さくするために
、メタル基板の表面に直線状の溝を形成し、この溝の中
ＫＬＥＤアレイチップを配列して設けること釦よプ、メ
タル基板を大電流の流通可能な電流帰還用導体となし得
、これＫよシ、ＬＥＤ素子の発光出力の高出力化を安定
して達成させる。
イチップの支持基板として絶縁層を形成したメタル基板
を用い、ＬＥＤＩＫ動系の配線抵抗を小さくするために
、メタル基板の表面に直線状の溝を形成し、この溝の中
ＫＬＥＤアレイチップを配列して設けること釦よプ、メ
タル基板を大電流の流通可能な電流帰還用導体となし得
、これＫよシ、ＬＥＤ素子の発光出力の高出力化を安定
して達成させる。
第１図はこの発明の一実施例であるＬＥＤアレイヘッド
の構成を示す断面図、第２図は、第１図のＬＥＤアレイ
ヘッドにおけるＬＥＤアレイチップ部分を示す拡大断面
図である。上記各図において、放熱器１．ＬＥＤアレイ
チップ３ 、ＬＥＤドライバＩＣ４、リード線６．フレ
キシブル基板７及び絶縁板８は、上記第３図に示す従来
のＬＥＤアレイヘッドと同一のものである。各図中で、
１１はエポキシ樹脂等から成る絶縁層、２１は、表面に
絶縁層１１を一様に形成し、かつ各導体パターン５４．
５５を形成したＭやステンレス等のメタル基板である。
の構成を示す断面図、第２図は、第１図のＬＥＤアレイ
ヘッドにおけるＬＥＤアレイチップ部分を示す拡大断面
図である。上記各図において、放熱器１．ＬＥＤアレイ
チップ３ 、ＬＥＤドライバＩＣ４、リード線６．フレ
キシブル基板７及び絶縁板８は、上記第３図に示す従来
のＬＥＤアレイヘッドと同一のものである。各図中で、
１１はエポキシ樹脂等から成る絶縁層、２１は、表面に
絶縁層１１を一様に形成し、かつ各導体パターン５４．
５５を形成したＭやステンレス等のメタル基板である。
このメタル基板２１上には、ＬＥＤアレイチップ３を配
列する場所に溝１２が設けである。そして、第２図に示
すように、ＬＥＤアレイチップ３０幅をり、絶縁層１１
の厚さをｄとした時、溝１２の深さＤは、ＬＥＤアレイ
チップ３の裏面に形成した共通電極と接続するために、
絶縁層１１の厚さｄよ勺も大きな値の深さＤ（≧ｄ）を
有する。また、＃１２の暢ｌはＬＥＤアレイチップ３の
幅りよシも大きい。ＬＥＤアレイチップ３とメタル基板
２１とは導電性接着剤等で接続している。このような構
成では、メタル基板２１を大電流の流通可能な電流帰還
用導体とすることができる。そして、メタル基板２１と
物理的に接触した、あるいは４電性液着剤等で接続した
放熱器１から、ＬＥＤ駆動電源への接地電極端子をとる
ことができる。、したがって、各ＬＥＤ素子３１のカン
ード側の配線に存在する抵抗Ｒ７は、上記第３図に示す
従来のＬＥＤアレイヘッドの構成に比べて導体面積を大
きくできるので、極めて小さな抵抗値とすることができ
る。また、一般１１ＣＬＥＤアレイヘッドでは、ＬＢＤ
アレイチップ３上く形成した複数の発光部が直線状とな
るように、複数のＬＥＤアレイチップ３を連続して配置
する必要がある。そして、この直線性の精度は、例えば
５０μｍ以下の高精度が要求されている。この発明の構
成によるＬＥＤアレイヘッドでは、ＬＥＤアレイチップ
３を直線状に配列することを容易に実現することが可能
である。このためＫは、メタル基板２１上に形成した直
線性の良い溝１２の少なくとも一方の壁に沿って複数の
ＬＥＤアレイチップ３を配列することによって、上記し
た直線状の配列を極めて容易に実現できるものである。
列する場所に溝１２が設けである。そして、第２図に示
すように、ＬＥＤアレイチップ３０幅をり、絶縁層１１
の厚さをｄとした時、溝１２の深さＤは、ＬＥＤアレイ
チップ３の裏面に形成した共通電極と接続するために、
絶縁層１１の厚さｄよ勺も大きな値の深さＤ（≧ｄ）を
有する。また、＃１２の暢ｌはＬＥＤアレイチップ３の
幅りよシも大きい。ＬＥＤアレイチップ３とメタル基板
２１とは導電性接着剤等で接続している。このような構
成では、メタル基板２１を大電流の流通可能な電流帰還
用導体とすることができる。そして、メタル基板２１と
物理的に接触した、あるいは４電性液着剤等で接続した
放熱器１から、ＬＥＤ駆動電源への接地電極端子をとる
ことができる。、したがって、各ＬＥＤ素子３１のカン
ード側の配線に存在する抵抗Ｒ７は、上記第３図に示す
従来のＬＥＤアレイヘッドの構成に比べて導体面積を大
きくできるので、極めて小さな抵抗値とすることができ
る。また、一般１１ＣＬＥＤアレイヘッドでは、ＬＢＤ
アレイチップ３上く形成した複数の発光部が直線状とな
るように、複数のＬＥＤアレイチップ３を連続して配置
する必要がある。そして、この直線性の精度は、例えば
５０μｍ以下の高精度が要求されている。この発明の構
成によるＬＥＤアレイヘッドでは、ＬＥＤアレイチップ
３を直線状に配列することを容易に実現することが可能
である。このためＫは、メタル基板２１上に形成した直
線性の良い溝１２の少なくとも一方の壁に沿って複数の
ＬＥＤアレイチップ３を配列することによって、上記し
た直線状の配列を極めて容易に実現できるものである。
この発明は以上説明したとお９、ＬＥＤアレイヘッドに
おいて、絶縁層を形成したメタル基板の表面に直線状の
溝を形成し、この溝の中にＬＥＤアレイチップを配列し
て設けたので、メタル基板を大電流の流通可能な電流帰
還用導体となし得るため、構成の小形化が可能となシ、
コストの低下を図ることができる。また、ＬＥＤ駆動系
の配線に存在する抵抗を小さくすることができ、ＬＥＤ
素子に発光出力の不安定性を伴うことなく大電流の供給
を行って、ＬＥＤアレイヘッドの発光出力の高出力化が
できる。さらに、複数のＬＥＤアレイチップを高精度に
、かつ直線状に配列することが容易にできるなどの優れ
た効果を奏するものである。
おいて、絶縁層を形成したメタル基板の表面に直線状の
溝を形成し、この溝の中にＬＥＤアレイチップを配列し
て設けたので、メタル基板を大電流の流通可能な電流帰
還用導体となし得るため、構成の小形化が可能となシ、
コストの低下を図ることができる。また、ＬＥＤ駆動系
の配線に存在する抵抗を小さくすることができ、ＬＥＤ
素子に発光出力の不安定性を伴うことなく大電流の供給
を行って、ＬＥＤアレイヘッドの発光出力の高出力化が
できる。さらに、複数のＬＥＤアレイチップを高精度に
、かつ直線状に配列することが容易にできるなどの優れ
た効果を奏するものである。
第１図はこの発明の一実施例であるＬＥＤアレイヘッド
の構成を示す断面図、第２図は、第１図のＬＥＤアレイ
ヘッドにおけるＬＥＤアレイチップ部分を示す拡大断面
図、第３図は従来のＬＥＤアレイヘッドの代表的な構成
例を示す断面図、第４図は、第３図のＬＥＤアレイヘッ
ドにおける回路構成例を示す概略図である。 図だおいて、１・・・放熱器、２・・・半導体支持基板
、３・・・ＬＥＤアレイチップ、４・・・ＬＥＤドライ
バＩＣ１６・・・リード線、７・・・フレキシブル基板
、８・・・絶縁板、９・・・論理回路群、１０・・・ド
ライバ群、１１・・・絶縁層、１２・・・溝、２１・・
・メタル基板、３１・・・ＬＥＤ素子、５１，５２．５
３．５４．５５・・・導体パターンである。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
の構成を示す断面図、第２図は、第１図のＬＥＤアレイ
ヘッドにおけるＬＥＤアレイチップ部分を示す拡大断面
図、第３図は従来のＬＥＤアレイヘッドの代表的な構成
例を示す断面図、第４図は、第３図のＬＥＤアレイヘッ
ドにおける回路構成例を示す概略図である。 図だおいて、１・・・放熱器、２・・・半導体支持基板
、３・・・ＬＥＤアレイチップ、４・・・ＬＥＤドライ
バＩＣ１６・・・リード線、７・・・フレキシブル基板
、８・・・絶縁板、９・・・論理回路群、１０・・・ド
ライバ群、１１・・・絶縁層、１２・・・溝、２１・・
・メタル基板、３１・・・ＬＥＤ素子、５１，５２．５
３．５４．５５・・・導体パターンである。 なお、各図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）厚さｄの絶縁層を形成したメタル基板上に導体パ
ターンを形成して、複数のＬＥＤドライバＩＣ、ＬＥＤ
アレイチップを搭載したＬＥＤアレイヘッドを構成し、
幅Ｌの前記ＬＥＤアレイチップを前記メタル基板上に配
列するため、このメタル基板の表面に幅ｌ（ｌ＞Ｌ）、
深さＤ（Ｄ≧ｄ）の直線状の溝を形成し、この溝の中に
前記ＬＥＤアレイチップを配列して設け、このＬＥＤア
レイチップの裏面に形成した共通電極と前記メタル基板
の導体とを直接接続し、このメタル基板をＬＥＤ駆動系
の導体として用いることを特徴とするＬＥＤアレイヘッ
ド。 - （２）前記溝の壁に沿つて前記複数のＬＥＤアレイチッ
プを配列することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のＬＥＤアレイヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270105A JPS61145877A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Ｌｅｄアレイヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270105A JPS61145877A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Ｌｅｄアレイヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61145877A true JPS61145877A (ja) | 1986-07-03 |
Family
ID=17481602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59270105A Pending JPS61145877A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | Ｌｅｄアレイヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61145877A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4779108A (en) * | 1986-11-18 | 1988-10-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical printer head |
| WO2003023857A2 (de) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Lucea Ag | Led-leuchtpaneel und trägerplatte |
| WO2005029594A1 (fr) * | 2003-09-22 | 2005-03-31 | Fujian Joinluck Electronic Enterprise Co., Ltd. | Structure de diode electroluminescente |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5774166A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Array head of light emitting diode |
| JPS58166072A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Toshiba Corp | サ−マルヘツド |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP59270105A patent/JPS61145877A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5774166A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Array head of light emitting diode |
| JPS58166072A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-01 | Toshiba Corp | サ−マルヘツド |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4779108A (en) * | 1986-11-18 | 1988-10-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical printer head |
| WO2003023857A2 (de) * | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Lucea Ag | Led-leuchtpaneel und trägerplatte |
| WO2003023857A3 (de) * | 2001-09-13 | 2004-06-03 | Lucea Ag | Led-leuchtpaneel und trägerplatte |
| WO2005029594A1 (fr) * | 2003-09-22 | 2005-03-31 | Fujian Joinluck Electronic Enterprise Co., Ltd. | Structure de diode electroluminescente |
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