JPS62266854A - 樹脂封止型リ−ドレスダイオ−ドの製造方法 - Google Patents

樹脂封止型リ−ドレスダイオ−ドの製造方法

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JPS62266854A
JPS62266854A JP11108486A JP11108486A JPS62266854A JP S62266854 A JPS62266854 A JP S62266854A JP 11108486 A JP11108486 A JP 11108486A JP 11108486 A JP11108486 A JP 11108486A JP S62266854 A JPS62266854 A JP S62266854A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diode
lead wire
lead
resin
leadless
Prior art date
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Pending
Application number
JP11108486A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Okubo
大久保 寿夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Publication of JPS62266854A publication Critical patent/JPS62266854A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイオードチップの両面に接続される電極を
それぞれ露出させて樹脂をモールドした樹脂封止型リー
ドレスダイオードの製造方法に関する。
【従来技術とその問題点】
印刷配線板の高密度実装化に伴って、電子部品のリード
レス化、いわゆるチップ部品化が着実に進行している。 抵抗、コンデンサを始め、最近は信号用ダイオードある
いはツェナダイオードといった小電流用のダイオードも
チップ部品化が試みられている。 リードレスダイオードとしては、第3図に示すように、
ブレーナ型のダイオードチップlをガラス管3の中央に
置き、一対の金属電極2をチップlの両面に圧着し、ガ
ラス管3を加熱して電極2に融着させて封止したタイプ
のものが既に製造されているが、より安価に製造できる
と思われる樹脂封止型のリードレスダイオードは未だに
量産的には生産されていない。 これは、以下の様な理由による。チップ部品を印刷配線
板に実装するには、第4図に示すように基板4の上の印
刷配線5にはんだ6によりろう付けするが、ろう付けの
ために金属11tfa2はある程度の大きさが必要であ
る。すなわち、軸方向で最小1fl程度、直径方向で2
■径程度の寸法が必要とする。半導体チップ1にこのよ
うな大きさの電極2をろう付けによって電気的1機械的
に接着してから、樹脂モールドを行なわなければならな
い。 しかし量産的な樹脂モールド方法として一般的なトラン
スファ・モールド方法はこの場合適用が不可能である。 なぜならば、チップの両面に電極を接着したものを一対
の金型にはさみこんで樹脂を圧入するトランスファ・モ
ールド方法においては、金型の寸法精度と同様な精度で
チップと電極の接着をしておかなければセントできず、
そのような精度の高いろう付けが困難であること、仮に
セットできたとしても半導体チップに与える歪力が大き
く、良品率の低下を招く、一方、リード線が両電極に取
り付けられているダイオードにおいては、リード線によ
りトランスファ・モールド金型に保持するため、電極と
チップの組立時の寸法誤差がリード線によって吸収され
、何等問題がない、従って、あまりにも−膜化しており
、かつ製造技術が成熟しているリードマウント型の樹脂
封止ダイオードに対して樹脂封止型のリードレスダイオ
ードはたち打ちできない。
【発明の目的】
本発明は、上述の問題を解決して半導体チップに歪力を
加えることなく簡便にトランスファ・モールド法を適用
できる樹脂封止型リードレスダイオードの製造方法を提
供することを目的とする。
【発明の要点】
本発明は、従来のリードマウント型ダイオードをリード
レスタイプに改造するもので、半導体チップの両面にリ
ード線を有する電極を固着したのち、チップを封止する
樹脂をモールドし、両リード線の根元にリード線の貫通
孔を有する金属柱を嵌め、その金属柱にリード線を固着
したのち、リード線の固着されない部分を切断除去して
リードレス型のダイオードを製造する。
【発明の実施例】
第1図は本発明の一実施例の製造工程を示す。 第1図(alは従来のトランスフトモールド法により製
造されたり一ドマウント型樹脂封止ダイオードを示し、
モールド部樹脂7の外径りは3.0鶴。 樹脂7の長さlは10fi、  リー)’!8(7)直
径dは0.8鶴である。このダイオードのリード線8に
第2図に示すような金属環9を矢印で示す方向から嵌め
る。金属環9は、外径Aが3.5 m 、内径Bが1.
0鶴、厚さhが1.5fiであり、一つのダイオードに
2個必要とする。第1図中)は差し込んだ状態を示す0
次いで第1図(C1に示すようにリード線8を折り曲げ
、折り曲げたり−FvA8を金属環9に固着して電気的
に接続する。固着ははんだ付けによって行ったが、溶接
でも、圧着でも、かしめでもよい、また金属環9と樹脂
7とを接着剤等によって接着して機械的強度を高めるこ
とも存効である。 最後にはみ出したリード線8を切断すれば、第1[ff
l +d+に示すように金属環9を両電極としたリード
レスダイオードが完成する。この実施例では両電極は円
形であるが、金1F19の代わりに穴の明いた角形金属
柱を用いれば、方形tiのり=ドレスダイオードを送る
ことができる。 【発明の効果] 本発明によれば、リードマウント型ダイオードのリード
線に穴の開いた金属柱を嵌め、これと電気的に接続した
のちリード線の不要部分を切断してリードレスダイオー
ドを製造することにより、従来より実績のあるリードマ
ウント型ダイオードのトランスファ・モールド法による
製造工程を利用して簡便にリードレス型ダイオードを製
造することができる。従って半導体チップに歪力の加わ
る工程を必要としないため良品率が低下せず、リードマ
ウント型に比して製造原価に大きな差のない樹脂封止型
リードレスダイオードを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1回は本発明の一実施例の製造工程を説明する斜視図
、第2図は第1図の実施例に用いる金属環の斜視図、第
3図はガラス封止リードレスダイオードの斜視図(a)
および断面開山)、第4図はり一ドレス断面図の実装状
態の側面図である。 7:樹脂、8:リード線、9:金属環。 11!1図 (a)    (b) 一第3図 〕4に7嶺〜五更 ′−4 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)半導体チップの両面にリード線を有する電極を固着
    したのち、チップを封止する樹脂をモールドし、両リー
    ド線の根元に該リード線の貫通孔を有する金属柱を嵌め
    、該金属柱に前記リード線を固着したのち、該リード線
    の固着されない部分を切断除去することを特徴とする樹
    脂封止型リードレスダイオードの製造方法。
JP11108486A 1986-05-15 1986-05-15 樹脂封止型リ−ドレスダイオ−ドの製造方法 Pending JPS62266854A (ja)

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JP11108486A JPS62266854A (ja) 1986-05-15 1986-05-15 樹脂封止型リ−ドレスダイオ−ドの製造方法

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JP11108486A JPS62266854A (ja) 1986-05-15 1986-05-15 樹脂封止型リ−ドレスダイオ−ドの製造方法

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JPS62266854A true JPS62266854A (ja) 1987-11-19

Family

ID=14551975

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JP11108486A Pending JPS62266854A (ja) 1986-05-15 1986-05-15 樹脂封止型リ−ドレスダイオ−ドの製造方法

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