JPS62264667A - Ｐウエル型トランジスタ - Google Patents
Ｐウエル型トランジスタInfo
- Publication number
- JPS62264667A JPS62264667A JP10889986A JP10889986A JPS62264667A JP S62264667 A JPS62264667 A JP S62264667A JP 10889986 A JP10889986 A JP 10889986A JP 10889986 A JP10889986 A JP 10889986A JP S62264667 A JPS62264667 A JP S62264667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- well
- transistor
- hfe
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は高い ｈ＋ｙｇを有する Ｐ ウェル型トラン
ジスタに関する。
ジスタに関する。
Ｂ０発明の概要
本発明による ＩＣ内ＮＰＮ ）−ランジスタは、Ｎ
“埋込層をコレクタとし、Ｎ型エピタキシャル成長層内
に深く拡散され、前記Ｎ＋埋込層にまで達する Ｐ型拡
散層をベースとする。上記ＮＰＮ ）−ランジスタを
高ｈＦＩ！トランジスタとして使用し、上記ＮＰＮ
トランジスタのコレクタとエミッタを逆にして用いる、
所謂逆方向トランジスタを Ｉ２Ｌ のＮＰＮ ）−
ランジスタとして用い、リニア Ｉ２Ｌ 共存型 ＩＣ
を有利に形成することができる。
“埋込層をコレクタとし、Ｎ型エピタキシャル成長層内
に深く拡散され、前記Ｎ＋埋込層にまで達する Ｐ型拡
散層をベースとする。上記ＮＰＮ ）−ランジスタを
高ｈＦＩ！トランジスタとして使用し、上記ＮＰＮ
トランジスタのコレクタとエミッタを逆にして用いる、
所謂逆方向トランジスタを Ｉ２Ｌ のＮＰＮ ）−
ランジスタとして用い、リニア Ｉ２Ｌ 共存型 ＩＣ
を有利に形成することができる。
Ｃ０従来の技術
従来、ｈｐｇの極めて大きなＮＰＮ トランジスタを
作るためには、ベース幅を極端に小さくする方法がとら
れていた。しかし、ベース幅を極端に小さくすることは
震しく、ｈＦＲのばらつきが大きいなど問題が多かった
。
作るためには、ベース幅を極端に小さくする方法がとら
れていた。しかし、ベース幅を極端に小さくすることは
震しく、ｈＦＲのばらつきが大きいなど問題が多かった
。
Ｄ０発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は、ｈＰＩｌのばらつきが小さく、かつ
ｈＰＩＫが数 １００ 以上という ＮＰＮＴｒを Ｉ
Ｃ内に実現することを可能とする Ｐ ウェル型トラン
ジスタを提供することである。
ｈＰＩＫが数 １００ 以上という ＮＰＮＴｒを Ｉ
Ｃ内に実現することを可能とする Ｐ ウェル型トラン
ジスタを提供することである。
８１間頭点を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明による Ｐウェル型
トランジスタは、半導体単結晶基板と、上記基板に内設
されたＮ４″埋込層から成るコレクタ領域と、該コレク
タ領域の上方にあって、上記基板表面部に備えられたエ
ミッタ領域と、上記エミッタ領域を囲み、かつ上記コレ
クタ領域まで達するベース領域を含むことを要旨とする
。
トランジスタは、半導体単結晶基板と、上記基板に内設
されたＮ４″埋込層から成るコレクタ領域と、該コレク
タ領域の上方にあって、上記基板表面部に備えられたエ
ミッタ領域と、上記エミッタ領域を囲み、かつ上記コレ
クタ領域まで達するベース領域を含むことを要旨とする
。
Ｆ０作用
Ｎ＋埋込層にまで達する Ｐ ウェルをベースとするこ
とによって高ｈＦＩＫを得ることができる。
とによって高ｈＦＩＫを得ることができる。
Ｇ、実施例
以下に、図面を参照しながら、実施例を用いて本発明を
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず、本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず、本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。
第１図は本発明による Ｐ ウェル型トランジスタの断
面図で、図中、１ はＰ型半導体基板、２はＮ＋型埋込
み層、３ はＮ型エピタキシャル層、４ は Ｐ＋型ア
イソレーション領域、５はＰ ウェル、６ はＰ型ベー
スコンタクト領域、７ はエミッタ領域、８ はコレク
タコンタクト領域、９ はＳｉ０２層、１０ はエミッ
タ電極、１１ はベース電極、１２ はコレクタ電極を
表わす。
面図で、図中、１ はＰ型半導体基板、２はＮ＋型埋込
み層、３ はＮ型エピタキシャル層、４ は Ｐ＋型ア
イソレーション領域、５はＰ ウェル、６ はＰ型ベー
スコンタクト領域、７ はエミッタ領域、８ はコレク
タコンタクト領域、９ はＳｉ０２層、１０ はエミッ
タ電極、１１ はベース電極、１２ はコレクタ電極を
表わす。
すなわち、本発明による Ｐ ウェル型トランジスタに
おいては、実質的なベースとしてＰ ウェル５ が用い
られる。この Ｐ ウェル５ はＮ＋型埋込み層２ ま
で達している。ベース電極１１とオーミック接触を確実
にするため、コンタクト部にＰ拡散が行なわれている。
おいては、実質的なベースとしてＰ ウェル５ が用い
られる。この Ｐ ウェル５ はＮ＋型埋込み層２ ま
で達している。ベース電極１１とオーミック接触を確実
にするため、コンタクト部にＰ拡散が行なわれている。
その他は通常のＮＰＮ トランジスタと同一である。本
構造では、ベース幅は広くなるものの、低ドーズ量でイ
オン打込みを行なえばベース濃度を低くでくるため、ｈ
ＦＢを高くすることができる。ちなみに、Ｎ型エピタキ
シャル成長層 １０ μｍ、Ｐ ウェルイオン打込み
量２ Ｘ １０１３／ｃｍ２で、ｈｐｇ５００ が得
られた。また、コレクタとエミッタを逆にした逆方向Ｎ
ＰＮ トランジスタの場合では、ｈＦｌｌは４０ であ
った。
構造では、ベース幅は広くなるものの、低ドーズ量でイ
オン打込みを行なえばベース濃度を低くでくるため、ｈ
ＦＢを高くすることができる。ちなみに、Ｎ型エピタキ
シャル成長層 １０ μｍ、Ｐ ウェルイオン打込み
量２ Ｘ １０１３／ｃｍ２で、ｈｐｇ５００ が得
られた。また、コレクタとエミッタを逆にした逆方向Ｎ
ＰＮ トランジスタの場合では、ｈＦｌｌは４０ であ
った。
Ｈ１発明の詳細
な説明した通り、本発明によれば、高ｈＦｉｌを有する
Ｐ ウェル型トランジスタを得ることができ、高 ｈ
Ｆｉｌ Ｎ Ｐ Ｎ トランジスタを含むリニア
Ｉ”Ｌ 共存型 ＩＣを歩留り良く製作できる。
Ｐ ウェル型トランジスタを得ることができ、高 ｈ
Ｆｉｌ Ｎ Ｐ Ｎ トランジスタを含むリニア
Ｉ”Ｌ 共存型 ＩＣを歩留り良く製作できる。
第１図は本発明によるＰウェル型トランジスタの断面図
である。 １ ・・・・・・ Ｐ型半導体基板、２ ・・・・・Ｎ
中型埋込み層、３ ・・・・・・ Ｎ型エピタキシャル
層、４ ・・・・・ Ｐ＋型アイソレーション領域、５
・・・・・・ Ｐ ウェル、６ ・・・・・・ Ｐ型
ベースコンタクト領域、７・・・・・エミッタ領域、８
・・・・・・コレクタコンタクト領域、９ ・・・・
・・ ５ｉ０２層、１ｏ ・・・・・・エミッタ電極、
１１ ・・・・・・ベース電極、１２ ・・・・・・コ
レクタ電極。
である。 １ ・・・・・・ Ｐ型半導体基板、２ ・・・・・Ｎ
中型埋込み層、３ ・・・・・・ Ｎ型エピタキシャル
層、４ ・・・・・ Ｐ＋型アイソレーション領域、５
・・・・・・ Ｐ ウェル、６ ・・・・・・ Ｐ型
ベースコンタクト領域、７・・・・・エミッタ領域、８
・・・・・・コレクタコンタクト領域、９ ・・・・
・・ ５ｉ０２層、１ｏ ・・・・・・エミッタ電極、
１１ ・・・・・・ベース電極、１２ ・・・・・・コ
レクタ電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）半導体単結晶基板、 （ｂ）上記基板に内設されたＮ＾＋埋込層から成るコレ
クタ領域、 （ｃ）該コレクタ領域の上方にあって、上記基板表面部
に備えられたエミッタ領域、および （ｄ）上記エミッタ領域を囲み、かつ上記コレクタ領域
まで達するベース領域 を含むことを特徴とするＰウェル型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10889986A JPS62264667A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | Ｐウエル型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10889986A JPS62264667A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | Ｐウエル型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62264667A true JPS62264667A (ja) | 1987-11-17 |
Family
ID=14496443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10889986A Pending JPS62264667A (ja) | 1986-05-13 | 1986-05-13 | Ｐウエル型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62264667A (ja) |
-
1986
- 1986-05-13 JP JP10889986A patent/JPS62264667A/ja active Pending
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