JPS62262851A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS62262851A JPS62262851A JP10694086A JP10694086A JPS62262851A JP S62262851 A JPS62262851 A JP S62262851A JP 10694086 A JP10694086 A JP 10694086A JP 10694086 A JP10694086 A JP 10694086A JP S62262851 A JPS62262851 A JP S62262851A
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
レジスト膜の上に界面活性剤を被覆して、荷電粒子ビー
ムで露光する。そうすると、露光時にチャージアップに
よる露光ズレが防止できる。
ムで露光する。そうすると、露光時にチャージアップに
よる露光ズレが防止できる。
［産業上の利用分野］
本発明はフォトプロセスにおけるパターン形成方法に関
する。
する。
ＩＣなど半導体装置のウェハー処理において、最も重要
な処理工程に微細パターンを写真食刻法で形成する、所
謂フォトプロセスがあり、このフォトプロセスでは、従
前より紫外線や遠紫外線などの光露光法によってレジス
ト膜パターンを形成していた。
な処理工程に微細パターンを写真食刻法で形成する、所
謂フォトプロセスがあり、このフォトプロセスでは、従
前より紫外線や遠紫外線などの光露光法によってレジス
ト膜パターンを形成していた。
ところが、光露光法は光波長に限界（４０００人程度が
限界）があって、近年、それに代わる露光方法として、
荷電粒子ビームによる露光法、例えば、電子ビーム露光
法が汎用されており、サブミクロン級の微細パターンの
描画やフォトマスクの作成には、必須の露光法となって
きた。
限界）があって、近年、それに代わる露光方法として、
荷電粒子ビームによる露光法、例えば、電子ビーム露光
法が汎用されており、サブミクロン級の微細パターンの
描画やフォトマスクの作成には、必須の露光法となって
きた。
しかし、このような荷電粒子ビーム露光法は光露光とは
違って、電荷をもった粒子を照射するのであるから、そ
の電荷の蓄積について十分に配慮されなければならない
。
違って、電荷をもった粒子を照射するのであるから、そ
の電荷の蓄積について十分に配慮されなければならない
。
［従来の技術と発明が解決しようとする問題点］さて、
荷電粒子ビーム露光、例えば、電工ビーム露光は、マス
クを用いた光露光のような一括露光方式と異なり、転写
マスクを用いずに、基板上のレジスト膜に直接ビームを
照射し、スキャンニング（走査）してパターンを描画す
る方法が採られている。第２図（ａ）、 ｆｂｌはそれ
を説明するための図で、同図はレジスト膜を塗布した半
導体基板の部分平面図（同図（ａ））とその断面図（同
図（ｂ）；同図（ａｌのＡＡ’断面図）を示しており、
例えば、半導体基板１にポジ型レジスト膜２を塗布し、
その露光領域り、、Ｄ２のみ計算制御系（図示せず）で
制御された電子ビームＥＢでスキャンニングして露光す
る。次いで、それを現像し露光領域のレジスト膜を除去
して、レジスト膜パターンが形成されるものである。
荷電粒子ビーム露光、例えば、電工ビーム露光は、マス
クを用いた光露光のような一括露光方式と異なり、転写
マスクを用いずに、基板上のレジスト膜に直接ビームを
照射し、スキャンニング（走査）してパターンを描画す
る方法が採られている。第２図（ａ）、 ｆｂｌはそれ
を説明するための図で、同図はレジスト膜を塗布した半
導体基板の部分平面図（同図（ａ））とその断面図（同
図（ｂ）；同図（ａｌのＡＡ’断面図）を示しており、
例えば、半導体基板１にポジ型レジスト膜２を塗布し、
その露光領域り、、Ｄ２のみ計算制御系（図示せず）で
制御された電子ビームＥＢでスキャンニングして露光す
る。次いで、それを現像し露光領域のレジスト膜を除去
して、レジスト膜パターンが形成されるものである。
ところが、例えば、レジスト膜の露光領域Ｄ１を最初に
露光して、次に、露光領域Ｄ２を露光すると、露光領域
Ｄ１には電子ビームの照射によって電子が蓄積されてチ
ャージアンプしており、従って、次の露光領域Ｄ２を露
光する時、領域Ｄ１から斥力を受けて、ｎＭ 域Ｄ ２
°にズレを起こす問題がある。
露光して、次に、露光領域Ｄ２を露光すると、露光領域
Ｄ１には電子ビームの照射によって電子が蓄積されてチ
ャージアンプしており、従って、次の露光領域Ｄ２を露
光する時、領域Ｄ１から斥力を受けて、ｎＭ 域Ｄ ２
°にズレを起こす問題がある。
また、露光領域Ｄ１を電子ビームで露光する場合でも、
お互いに排斥し合って所定位置からズレを起こしたり、
また、パターンの大きさが違ってくることがある。これ
らのズレ量は、露光パターンの密度、露光量、ビームの
電流密度などで相異して一定しないが、−例を掲げると
、約ｌ０ｉｎの長さをスキャンニングすれば、約１μｍ
程度のズレが起こる。
お互いに排斥し合って所定位置からズレを起こしたり、
また、パターンの大きさが違ってくることがある。これ
らのズレ量は、露光パターンの密度、露光量、ビームの
電流密度などで相異して一定しないが、−例を掲げると
、約ｌ０ｉｎの長さをスキャンニングすれば、約１μｍ
程度のズレが起こる。
また、図示していないが、基板上には複数個の位置合わ
せ用パターンが設けられており、個々の露光に先立って
、そのパターンで凡その位置合ねせをおこなうが、その
位置合わせの際にもズレが生じる。
せ用パターンが設けられており、個々の露光に先立って
、そのパターンで凡その位置合ねせをおこなうが、その
位置合わせの際にもズレが生じる。
従って、このようなチャージアップによる位置ズレをな
くするために、従来からも種々の方法が検討されており
、例えば、導電性のレジスト膜を用いる方法が提案され
ている。しかし、実際には未だ実用に供せらる導電性レ
ジスト膜は得られていない。
くするために、従来からも種々の方法が検討されており
、例えば、導電性のレジスト膜を用いる方法が提案され
ている。しかし、実際には未だ実用に供せらる導電性レ
ジスト膜は得られていない。
また、従来のレジスト膜の上に導電膜、例えば、数１０
０人の金（Ａｕ）やアルミニウム（八１）の膜を被着す
る方法があり、そうすれば、チャージが逸散して、ズレ
が解消する。しかしながら、膜厚の制御が難しくて、導
電膜を厚く被着した場合にはビーム散乱が起こり、パタ
ーン精度が劣化することになる。且つ、このような導電
膜を被覆すれば、露光後、現像前に除去する工程の追加
が必要になる。
０人の金（Ａｕ）やアルミニウム（八１）の膜を被着す
る方法があり、そうすれば、チャージが逸散して、ズレ
が解消する。しかしながら、膜厚の制御が難しくて、導
電膜を厚く被着した場合にはビーム散乱が起こり、パタ
ーン精度が劣化することになる。且つ、このような導電
膜を被覆すれば、露光後、現像前に除去する工程の追加
が必要になる。
本発明は、このような工程を追加することな（簡便に処
理できて、しかも、チャージアンプによるズレを解消さ
せるパターン形成方法を提案するものである。
理できて、しかも、チャージアンプによるズレを解消さ
せるパターン形成方法を提案するものである。
［問題点を解決するための手段］
その目的は、レジスト膜を塗布し、該レジスト膜の上に
界面活性剤を被覆し、次いで、該レジスト膜を荷電粒子
ビームで露光してレジスト膜パターンを形成するように
したパターン形成方法によって達成される。
界面活性剤を被覆し、次いで、該レジスト膜を荷電粒子
ビームで露光してレジスト膜パターンを形成するように
したパターン形成方法によって達成される。
［作用］
即ち、本発明は、レジスト膜の上に界面活性剤を被覆し
て、荷電粒子ビーム露光、例えば、電子ビーム露光する
。そうすると、処理が簡便になって、且つ、チャージア
ップによる位置ズレが防止される。
て、荷電粒子ビーム露光、例えば、電子ビーム露光する
。そうすると、処理が簡便になって、且つ、チャージア
ップによる位置ズレが防止される。
［実施例］
第１図（ａｌ〜（ｄｌは本発明にかかる形成方法の工程
順断面図を示しており、この工程図に従って説明する。
順断面図を示しており、この工程図に従って説明する。
まず、同図ｆａｌは半導体基板１上に膜厚１．５μｍの
ＰＭＭＡ （ポリメタアクリレート）からなるレジスト
膜２をスピンナー（回転塗布機）で塗布し、１７０℃、
２０分間のプリベーク（予備熱処理）をおこなった図
である。
ＰＭＭＡ （ポリメタアクリレート）からなるレジスト
膜２をスピンナー（回転塗布機）で塗布し、１７０℃、
２０分間のプリベーク（予備熱処理）をおこなった図
である。
次いで、第１図（ｂ）に示すように、液状のアルコキシ
ルアルキロールアミンからなる界面活性剤５をスピンナ
ーで膜厚０．１μｍ程度塗布し、６０”ｃ。
ルアルキロールアミンからなる界面活性剤５をスピンナ
ーで膜厚０．１μｍ程度塗布し、６０”ｃ。
２０分間のベータ（熱処理）をおこなう。次いで、同図
（Ｃ１に示すように、レジスト膜の所望領域り。
（Ｃ１に示すように、レジスト膜の所望領域り。
を電子ビームＥＢで露光する。電子ビームは加速電圧２
０にシ、ドーズ量８Ｘ］０−５Ｃ／ｃｌ程度にする。
０にシ、ドーズ量８Ｘ］０−５Ｃ／ｃｌ程度にする。
次いで、第１図（ｄｌに示すように、メチルイソブチル
ケトン（ＭｉＢＫ）からなる現像液に浸漬して現像する
。この時、全面の界面活性剤５が同時に除去される。
ケトン（ＭｉＢＫ）からなる現像液に浸漬して現像する
。この時、全面の界面活性剤５が同時に除去される。
このように処理すれば、電子ビーＪ、露光時に、界面活
性剤５がチャージを逃がすため、チャージアップするこ
とがなく、そのためのズレが解消されて、高精度に露光
される。且つ、この界面活性剤は液状であるからスピン
ナーで容易に塗布できて、けっ、現像液で容易に除去さ
れる。従って、従来の導電膜を真空中で被着（蒸着）し
たり、また、特別な除去工程を追加したりする導電膜の
被着法に較べると、極めて処理が簡歌になる。
性剤５がチャージを逃がすため、チャージアップするこ
とがなく、そのためのズレが解消されて、高精度に露光
される。且つ、この界面活性剤は液状であるからスピン
ナーで容易に塗布できて、けっ、現像液で容易に除去さ
れる。従って、従来の導電膜を真空中で被着（蒸着）し
たり、また、特別な除去工程を追加したりする導電膜の
被着法に較べると、極めて処理が簡歌になる。
なお、上記例は界面活性剤としてアルコキシルアルキロ
ールアミンを用いているが、非イオン型のポリエチレン
グリコール型、多価アルコール型の界面活性剤が望まし
く、アニオン型やカチオン型のようなす１〜リウムが含
まれるような界面活性剤は、半導体基板を汚染するなど
の問題があるから、余り好ましくない。
ールアミンを用いているが、非イオン型のポリエチレン
グリコール型、多価アルコール型の界面活性剤が望まし
く、アニオン型やカチオン型のようなす１〜リウムが含
まれるような界面活性剤は、半導体基板を汚染するなど
の問題があるから、余り好ましくない。
また、上記のように、界面活性剤自体をそのまま塗布す
る方法のほか、バインダーに界面活性剤を添加して塗布
する方法を採っても良い。
る方法のほか、バインダーに界面活性剤を添加して塗布
する方法を採っても良い。
［発明の効果］
以上の説明から明らかなように、本発明によるパターン
形成方法によれば、極めて処理が簡便になり、且つ、チ
ャージアップによるズレが解消されて、荷電粒子ビーム
露光によるレジスト膜パターンを高精度に形成できる利
点がある。
形成方法によれば、極めて処理が簡便になり、且つ、チ
ャージアップによるズレが解消されて、荷電粒子ビーム
露光によるレジスト膜パターンを高精度に形成できる利
点がある。
第１図は本発明にかかる形成方法の形成工程順断面図、
第２図は電子ビーム露光を説明するだめの図である。
図において、
１は半導体基板、 ２はレジスト膜、５は界面活
性剤、 ＥＢは電子ビーム、 Ｄ＋ 、Ｄ２１ ＤＯは露光領域、 Ｄ２ ′はズレを起こした露光領域 を示している。 苅ト４６８８にす＼がるバターシ弔う戊カル第１図
性剤、 ＥＢは電子ビーム、 Ｄ＋ 、Ｄ２１ ＤＯは露光領域、 Ｄ２ ′はズレを起こした露光領域 を示している。 苅ト４６８８にす＼がるバターシ弔う戊カル第１図
Claims (1)
- レジスト膜を塗布し、該レジスト膜の上に界面活性剤を
被覆し、次いで、該レジスト膜を荷電粒子ビームで露光
してレジスト膜パターンを形成するようにしたことを特
徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10694086A JPS62262851A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10694086A JPS62262851A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62262851A true JPS62262851A (ja) | 1987-11-14 |
Family
ID=14446381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10694086A Pending JPS62262851A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62262851A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108537A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Daicel Chem Ind Ltd | 遮光性マスキングフイルム |
| JPS59155836A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性組成物 |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP10694086A patent/JPS62262851A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58108537A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-28 | Daicel Chem Ind Ltd | 遮光性マスキングフイルム |
| JPS59155836A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 感光性組成物 |
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