JPH04247615A - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH04247615A JPH04247615A JP1310291A JP1310291A JPH04247615A JP H04247615 A JPH04247615 A JP H04247615A JP 1310291 A JP1310291 A JP 1310291A JP 1310291 A JP1310291 A JP 1310291A JP H04247615 A JPH04247615 A JP H04247615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- electron beam
- area
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 3-chloroprop-1-enylbenzene Chemical compound ClCC=CC1=CC=CC=C1 IWTYTFSSTWXZFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N methacryloyl chloride Chemical compound CC(=C)C(Cl)=O VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム照射による
レジストパターンの形成方法に関する。近時、レジスト
は高加速電圧で多量の電子ビームを照射してレジストパ
ターンを形成する際、位置ずれの少ない所望のレジスト
パターンを形成することができるレジストパターンの形
成方法が要求されている。
レジストパターンの形成方法に関する。近時、レジスト
は高加速電圧で多量の電子ビームを照射してレジストパ
ターンを形成する際、位置ずれの少ない所望のレジスト
パターンを形成することができるレジストパターンの形
成方法が要求されている。
【０００２】
【従来の技術】従来のＡｌ膜等が形成されたＳｉ等から
なるウェハー上に塗布された感光性レジストは、特にパ
ターンルールが ０．５μｍ以下の微細なレジストパタ
ーンを形成する場合、高加速電圧で多量の電子ビームを
レジストに照射することによってレジストを露光し感光
させている。
なるウェハー上に塗布された感光性レジストは、特にパ
ターンルールが ０．５μｍ以下の微細なレジストパタ
ーンを形成する場合、高加速電圧で多量の電子ビームを
レジストに照射することによってレジストを露光し感光
させている。
【０００３】そして、電子ビーム露光されたレジストを
現像することにより、所望のレジストパターンを形成し
、このレジストパターンをエッチング等のマスクとして
半導体プロセスに用いている。
現像することにより、所望のレジストパターンを形成し
、このレジストパターンをエッチング等のマスクとして
半導体プロセスに用いている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のレジス
トパターンの形成方法では、絶縁物である感光性レジス
トに高加速電圧で多量の電子ビームを照射するため、レ
ジスト中に反応に寄与する電子ビームによる電荷（チャ
ージ）以外の電荷が貯り易い。
トパターンの形成方法では、絶縁物である感光性レジス
トに高加速電圧で多量の電子ビームを照射するため、レ
ジスト中に反応に寄与する電子ビームによる電荷（チャ
ージ）以外の電荷が貯り易い。
【０００５】このため、レジスト中に電荷が貯った状態
でこのレジストに再度別のレジストパターンを形成すた
めに電子ビーム照射すると、レジスト中に貯った電荷の
電界によるチャージアップによって再度照射された電子
ビームが所望の露光位置から曲げられずれてしまい、下
層基板とレジストパターン間でずれが生じたり、レジス
トパターンとレジストパターン間でずれが生じたりする
等、所望のレジストパターンを形成し難いという問題が
あった。
でこのレジストに再度別のレジストパターンを形成すた
めに電子ビーム照射すると、レジスト中に貯った電荷の
電界によるチャージアップによって再度照射された電子
ビームが所望の露光位置から曲げられずれてしまい、下
層基板とレジストパターン間でずれが生じたり、レジス
トパターンとレジストパターン間でずれが生じたりする
等、所望のレジストパターンを形成し難いという問題が
あった。
【０００６】そこで、本発明は、レジストに高加速電圧
で多量の電子ビームを照射してレジストパターンを形成
する際、位置ずれの少ない所望のレジストパターンを形
成することができるレジストパターンの形成方法を提供
することを目的としている。
で多量の電子ビームを照射してレジストパターンを形成
する際、位置ずれの少ない所望のレジストパターンを形
成することができるレジストパターンの形成方法を提供
することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によるレジストパ
ターンの形成方法は上記目的達成のため、予め少なくと
もチャージアップを飽和させるような露光量でデバイス
パターン形成領域以外の領域のレジストに電子ビームを
照射し、次いで、チップ内の所望領域のレジストに電子
ビームを照射してレジストを感光させた後、レジストを
現像してレジストパターンを形成するものである。
ターンの形成方法は上記目的達成のため、予め少なくと
もチャージアップを飽和させるような露光量でデバイス
パターン形成領域以外の領域のレジストに電子ビームを
照射し、次いで、チップ内の所望領域のレジストに電子
ビームを照射してレジストを感光させた後、レジストを
現像してレジストパターンを形成するものである。
【０００８】本発明においては、デバイスパターン形成
領域以外の領域がスクライブライン領域である場合に好
ましく適用することができる。この場合、ポジ型レジス
トを用い、スクライブライン領域の露光をポジ型レジス
トがネガ化するのに充分な露光量で行ってもよく、これ
に伴い、抜きパターンを形成されないようにすることが
でき、スクライブライン領域に抜きパターンを必要とし
ない場合特に有効である。
領域以外の領域がスクライブライン領域である場合に好
ましく適用することができる。この場合、ポジ型レジス
トを用い、スクライブライン領域の露光をポジ型レジス
トがネガ化するのに充分な露光量で行ってもよく、これ
に伴い、抜きパターンを形成されないようにすることが
でき、スクライブライン領域に抜きパターンを必要とし
ない場合特に有効である。
【０００９】本発明においては、デバイスパターン形成
領域以外の領域のレジストに照射する電子ビーム露光量
がチップ内の所望領域のレジストに照射する電子ビーム
露光量よりも大きくなるようにしてもよく、この場合、
電子ビームのずれを更に減少させることができ好ましい
。
領域以外の領域のレジストに照射する電子ビーム露光量
がチップ内の所望領域のレジストに照射する電子ビーム
露光量よりも大きくなるようにしてもよく、この場合、
電子ビームのずれを更に減少させることができ好ましい
。
【００１０】
【作用】従来のレジスト中に貯った電子ビーム照射によ
る電荷によってチャージアップが生じてパターンずれが
生じるという問題は、露光領域の単位面積当たりの電子
ビームの露光量が多ければ多い程顕著になると推定され
る。
る電荷によってチャージアップが生じてパターンずれが
生じるという問題は、露光領域の単位面積当たりの電子
ビームの露光量が多ければ多い程顕著になると推定され
る。
【００１１】しかしながら、図１に示すように、確かに
ある露光量（飽和露光量）までは露光量を増加させると
ずれ量が大きくなっているが、その飽和露光量を越える
とずれ量が小さくなっていく傾向があることが判る。
ある露光量（飽和露光量）までは露光量を増加させると
ずれ量が大きくなっているが、その飽和露光量を越える
とずれ量が小さくなっていく傾向があることが判る。
【００１２】また、図２から、ウェーハ内の露光チップ
数を増加させる程、チップコーナにおけるチップ露光前
後の電子ビームのズレを減少させることができることが
判る。
数を増加させる程、チップコーナにおけるチップ露光前
後の電子ビームのズレを減少させることができることが
判る。
【００１３】このため、本発明では、予めスクライブラ
イン等の領域のレジストに少なくともチャージアップを
飽和させるような露光量で電子ビーム照射をした後、チ
ップ内の所望領域のレジストに所望のレジストパターン
形成のために電子ビームを照射する。
イン等の領域のレジストに少なくともチャージアップを
飽和させるような露光量で電子ビーム照射をした後、チ
ップ内の所望領域のレジストに所望のレジストパターン
形成のために電子ビームを照射する。
【００１４】このように、予めチャージアップを飽和さ
せてから本番の電子ビーム照射を行うようにしたため、
電子ビーム照射によってレジスト中に貯った電荷による
チャージアップを生じ難くすることができ、再度電子ビ
ーム照射しても電子ビームが所望の露光位置からずれ難
くすることができる。
せてから本番の電子ビーム照射を行うようにしたため、
電子ビーム照射によってレジスト中に貯った電荷による
チャージアップを生じ難くすることができ、再度電子ビ
ーム照射しても電子ビームが所望の露光位置からずれ難
くすることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
（第１の実施例）まず、Ｓｉウェーハ上にＰＭＭＡ（ポ
リメチルメタクリレート）からなるポジ型レジストを膜
厚 １．５μｍ程度でスピンコートした後、ホットプレ
ートを用いて１７０℃、 １００秒程度でレジストをベ
ークする。
リメチルメタクリレート）からなるポジ型レジストを膜
厚 １．５μｍ程度でスピンコートした後、ホットプレ
ートを用いて１７０℃、 １００秒程度でレジストをベ
ークする。
【００１６】次に、予めチャージアップを飽和させる露
光量、５０μｃ／ｃｍ２ 、３０ｋＶ程度でウェーハ内
のスクライブラインのレジストに電子ビームを照射する
。そして、露光量が５０μｃ／ｃｍ２ 、３０ｋＶ程度
でチップ内の所望領域のレジストに電子ビームを照射し
てレジストを感光させた後、レジストを有機溶媒で現像
することによりレジパターンを得ることができる。
光量、５０μｃ／ｃｍ２ 、３０ｋＶ程度でウェーハ内
のスクライブラインのレジストに電子ビームを照射する
。そして、露光量が５０μｃ／ｃｍ２ 、３０ｋＶ程度
でチップ内の所望領域のレジストに電子ビームを照射し
てレジストを感光させた後、レジストを有機溶媒で現像
することによりレジパターンを得ることができる。
【００１７】上記実施例の場合と従来の一括露光の場合
とで露光フィールド外周のずれ量をバーニヤパターンに
より測定したところ、従来の場合 ０．５μｍ という
パターン同士のずれがあったものが、上記実施例ではず
れが ０．１μｍと著しく減少していることが判った。
とで露光フィールド外周のずれ量をバーニヤパターンに
より測定したところ、従来の場合 ０．５μｍ という
パターン同士のずれがあったものが、上記実施例ではず
れが ０．１μｍと著しく減少していることが判った。
【００１８】なお、上記実施例ではポジ型レジストを用
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、ネガ型レジストにも適用することができる。以下、
具体的に説明する。 （第２の実施例）まず、Ｓｉウェーハ上にＣＭＳ（クロ
ロメチルスチレン）からなるネガ型レジストを膜厚 １
．５μｍ程度でスピンコートした後、９０℃、 １００
秒程度でレジストをベークする。
いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、ネガ型レジストにも適用することができる。以下、
具体的に説明する。 （第２の実施例）まず、Ｓｉウェーハ上にＣＭＳ（クロ
ロメチルスチレン）からなるネガ型レジストを膜厚 １
．５μｍ程度でスピンコートした後、９０℃、 １００
秒程度でレジストをベークする。
【００１９】次に、予めチャージアップを飽和させる露
光量、８０μｃ／ｃｍ２ 、２０ｋＶ程度でウェーハ内
のスクライブラインのレジストに電子ビームを照射する
。そして、露光量が３５μｃ／ｃｍ２ 、３０ｋＶ程度
でチップ内の所望領域のレジストに電子ビームを照射し
てレジストを感光させ、ホットプレートを用いて６０℃
、 １００秒程度でレジストをベークした後、レジスト
を有機溶媒で現像することにより、レジパターンを得る
ことができる。
光量、８０μｃ／ｃｍ２ 、２０ｋＶ程度でウェーハ内
のスクライブラインのレジストに電子ビームを照射する
。そして、露光量が３５μｃ／ｃｍ２ 、３０ｋＶ程度
でチップ内の所望領域のレジストに電子ビームを照射し
てレジストを感光させ、ホットプレートを用いて６０℃
、 １００秒程度でレジストをベークした後、レジスト
を有機溶媒で現像することにより、レジパターンを得る
ことができる。
【００２０】この実施例の場合と従来の一括露光の場合
とで露光フィールド外周のずれ量をバーニヤパターンに
より測定したところ、従来の場合 ０．５μｍというパ
ターン同士のずれがあったものが、この実施例ではずれ
が ０．１μｍと著しく減少していることが判った。
とで露光フィールド外周のずれ量をバーニヤパターンに
より測定したところ、従来の場合 ０．５μｍというパ
ターン同士のずれがあったものが、この実施例ではずれ
が ０．１μｍと著しく減少していることが判った。
【００２１】次に、本発明においては、ポジ型レジスト
を用い、スクライブライン領域の露光をポジ型レジスト
がネガ化するのに充分な露光量で行う場合であってもよ
く、この場合このスクライブライン領域に抜きパターン
を形成しないようにすることができ、スクライブライン
領域に抜きパターンを必要としない場合特に有効である
。以下、具体的に説明する。 （第３の実施例）まず、Ｓｉウェーハ上に日本ゼオン社
製商品名Ｚ・ＣＭＲ・１００ （メタクリル酸、メタク
リル酸エステル、メタクリル酸塩化物）からなるポジ型
レジストを膜厚 １．５μｍ程度でスピンコートした後
、ホットプレートを用いて １９０℃、 １００秒程度
でレジストをベークする。
を用い、スクライブライン領域の露光をポジ型レジスト
がネガ化するのに充分な露光量で行う場合であってもよ
く、この場合このスクライブライン領域に抜きパターン
を形成しないようにすることができ、スクライブライン
領域に抜きパターンを必要としない場合特に有効である
。以下、具体的に説明する。 （第３の実施例）まず、Ｓｉウェーハ上に日本ゼオン社
製商品名Ｚ・ＣＭＲ・１００ （メタクリル酸、メタク
リル酸エステル、メタクリル酸塩化物）からなるポジ型
レジストを膜厚 １．５μｍ程度でスピンコートした後
、ホットプレートを用いて １９０℃、 １００秒程度
でレジストをベークする。
【００２２】次に、予めチャージアップを飽和させる露
光量、 ２００μｃ／ｃｍ２ 、２０ｋＶ程度でウェー
ハ内のスクライブラインのレジストに電子ビームを照射
する。この時、露光されたスクライブライン領域のポジ
型レジストはネガ化する。
光量、 ２００μｃ／ｃｍ２ 、２０ｋＶ程度でウェー
ハ内のスクライブラインのレジストに電子ビームを照射
する。この時、露光されたスクライブライン領域のポジ
型レジストはネガ化する。
【００２３】そして、露光量が３０μｃ／ｃｍ２ 、２
０ｋＶ程度でチップ内の所望領域のレジストに電子ビー
ムを照射してレジストを感光させた後、レジストを有機
溶媒で現像することによりレジパターンを得ることがで
きる。この時、チップ内のパターンのみ現像され、スク
ライブライン領域のネガ化されたレジストが残る。
０ｋＶ程度でチップ内の所望領域のレジストに電子ビー
ムを照射してレジストを感光させた後、レジストを有機
溶媒で現像することによりレジパターンを得ることがで
きる。この時、チップ内のパターンのみ現像され、スク
ライブライン領域のネガ化されたレジストが残る。
【００２４】この実施例の場合と従来の一括露光の場合
とで露光フィールド外周のずれ量をバーニヤパターンに
より測定したところ、従来の場合 ０．５μｍというパ
ターン同士のずれがあったものがこの実施例では、 ０
．１μｍと著しく減少していることが判った。
とで露光フィールド外周のずれ量をバーニヤパターンに
より測定したところ、従来の場合 ０．５μｍというパ
ターン同士のずれがあったものがこの実施例では、 ０
．１μｍと著しく減少していることが判った。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、レジストに高加速電圧
で多量の電子ビームを照射してレジストパターンを形成
する際、位置ずれの少ない所望のレジストパターンを形
成することができるという効果がある。
で多量の電子ビームを照射してレジストパターンを形成
する際、位置ずれの少ない所望のレジストパターンを形
成することができるという効果がある。
【図１】露光量とずれ量との関係を示す図である。
【図２】ウェーハ内露光チップ数とチップコーナにおけ
るチップ露光前後の電子ビームのずれとの関係を示す図
である。
るチップ露光前後の電子ビームのずれとの関係を示す図
である。
Claims (4)
- 【請求項１】予め少なくともチャージアップを飽和させ
るような露光量でデバイスパターン形成領域以外の領域
のレジストに電子ビームを照射し、次いで、チップ内の
所望領域のレジストに電子ビームを照射してレジストを
感光させた後、レジストを現像してレジストパターンを
形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法
。 - 【請求項２】前記デバイスパターン形成領域以外の領域
がスクライブライン領域であることを特徴とする請求項
１記載のレジストパターンの形成方法。 - 【請求項３】ポジ型レジストを用い、前記スクライブラ
イン領域の露光をポジ型レジストがネガ化するのに充分
な露光量で行うことを特徴とする請求項２記載のレジス
トパターンの形成方法。 - 【請求項４】前記デバイスパターン形成領域以外の領域
のレジストに照射する電子ビーム露光量が、チップ内の
所望領域のレジストに照射する電子ビーム露光量よりも
大きくなっていることを特徴とする請求項１記載のレジ
ストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1310291A JPH04247615A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | レジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1310291A JPH04247615A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04247615A true JPH04247615A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=11823790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1310291A Withdrawn JPH04247615A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04247615A (ja) |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP1310291A patent/JPH04247615A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4099062A (en) | Electron beam lithography process | |
| US6806941B2 (en) | Pattern forming method and pattern forming apparatus | |
| JPH11102859A (ja) | 化学増幅型フォトレジストのパターニング方法 | |
| US4101782A (en) | Process for making patterns in resist and for making ion absorption masks useful therewith | |
| US6576405B1 (en) | High aspect ratio photolithographic method for high energy implantation | |
| JP2546690B2 (ja) | 電子ビーム近接効果補償方法 | |
| JPH04247615A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| US5186788A (en) | Fine pattern forming method | |
| JPH03138922A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH06110214A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS63254729A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JP2000150339A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JP2604573B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2005150182A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH02264261A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH10163093A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| KR100442968B1 (ko) | 반도체소자의감광막형성방법 | |
| KR0179339B1 (ko) | 감광막패턴 형성방법 | |
| JPH02174216A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63254728A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| KR910007534B1 (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| KR100187370B1 (ko) | 반도체장치의 패턴형성방법 | |
| JPS62173722A (ja) | パタン形成方法 | |
| JPH01128433A (ja) | 画像反転パターン形成方法 | |
| JPH05226211A (ja) | 露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |