JPS62247039A - 電子機器用銅合金 - Google Patents
電子機器用銅合金Info
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- JPS62247039A JPS62247039A JP28250985A JP28250985A JPS62247039A JP S62247039 A JPS62247039 A JP S62247039A JP 28250985 A JP28250985 A JP 28250985A JP 28250985 A JP28250985 A JP 28250985A JP S62247039 A JPS62247039 A JP S62247039A
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Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明に強度、導電、率及び耐熱性が優れ、メッキ性、
モールド性及びボンディング特性が良好で、特に半導体
用リードフレームに好適な電子機器用銅合金に関するも
のである。
モールド性及びボンディング特性が良好で、特に半導体
用リードフレームに好適な電子機器用銅合金に関するも
のである。
従来の技術
一般に電子機器用銅合金、特に半導体用ＩＪ−ドフレー
ムには次のような特性が要求されてい、−る。
ムには次のような特性が要求されてい、−る。
（１）電気及び熱の良導体であること。
（２）耐熱性が良いこと。
（３）メッキ性及びハンダ付は性が良いこと。
（４）樹脂とのモールド性及び半導体′素子並びにワイ
ヤーとのボンディング性が良好なこと。
ヤーとのボンディング性が良好なこと。
このような特性を満足するものとして半導体用リードフ
レームには従来からＣｕ−０，１５ｗｔ％Ｓｎ合金（以
下ｗｔ％をチと略記〕や（：ｕ−０，１’４Ｆｅ−Ｐ合
金が用いられている。
レームには従来からＣｕ−０，１５ｗｔ％Ｓｎ合金（以
下ｗｔ％をチと略記〕や（：ｕ−０，１’４Ｆｅ−Ｐ合
金が用いられている。
発明が解決しようとする問題点
近年半導体産業の発展に伴って電子機器用材料への要求
特性が高くなり、特に半導体用とｌ、て更に優れた特性
のリードフレームの開発が強く望まれている。
特性が高くなり、特に半導体用とｌ、て更に優れた特性
のリードフレームの開発が強く望まれている。
問題点を解決する定めの手段
本発明にこれに鑑み種々検討の結果、更に強度、耐熱性
、モールド性、ボンディング性、メッキ性及びハンダ付
は性を高め７′ｉ：を子機器用銅合金を開発したもので
ある。
、モールド性、ボンディング性、メッキ性及びハンダ付
は性を高め７′ｉ：を子機器用銅合金を開発したもので
ある。
即ち本発明合金の一つは、Ｍｇ ０．Ｏｏ ｓ〜０．８
％、Ｃｒ ０．０１〜１，０チを含み、残部Ｃｕと不可
避的不純物からなることを特徴とするものである。
％、Ｃｒ ０．０１〜１，０チを含み、残部Ｃｕと不可
避的不純物からなることを特徴とするものである。
また本発明合金の他の一つは、Ｍｇ０．００５〜０．８
％、Ｃｒ ０．０１〜１．０％、Ｐ２０ｐｐｍ以下を含
み、残部Ｃｕと不可避的不純物からなることを特徴とす
るものである。
％、Ｃｒ ０．０１〜１．０％、Ｐ２０ｐｐｍ以下を含
み、残部Ｃｕと不可避的不純物からなることを特徴とす
るものである。
作用
本発明においてＭｇ含有量をｏ、ｏｏｓ〜０，８％、Ｃ
ｒ含有量を０．０１〜１．０％と限定し友のは、Ｍｇ含
有量がｏ、ｏｏｓ％未満でも、Ｃｒ含有量が０．０１チ
未満でも強度及び耐熱性が不十分で所定の特性が得られ
ず、Ｍｇ含有量が０．８％を越えても、またＣｒ含有量
が１．０％を越えても導電率が著しく低下すると共に加
工性が悪化して製造が困難となるためである。
ｒ含有量を０．０１〜１．０％と限定し友のは、Ｍｇ含
有量がｏ、ｏｏｓ％未満でも、Ｃｒ含有量が０．０１チ
未満でも強度及び耐熱性が不十分で所定の特性が得られ
ず、Ｍｇ含有量が０．８％を越えても、またＣｒ含有量
が１．０％を越えても導電率が著しく低下すると共に加
工性が悪化して製造が困難となるためである。
また上記合金において、更にメッキ密着性及びボンディ
ング性を同上させ、かつ水素脆化を確実に防止するため
には酸素含有量を５０ｐｐｍ以下とすることが望ましい
。次にＰ含有量’に２０ｐｐｍ以下に限定し友のは、
Ｐの添加により大気中での鋳造を可能にすると共に、強
度及び耐熱性を一層向上させるためであるが、２０ｐｐ
ｍ全越えて含有させると電気抵抗を低下するばかりか、
酸化膜の密着性を劣化し、モールド性やボンディング性
全悪くするためである。
ング性を同上させ、かつ水素脆化を確実に防止するため
には酸素含有量を５０ｐｐｍ以下とすることが望ましい
。次にＰ含有量’に２０ｐｐｍ以下に限定し友のは、
Ｐの添加により大気中での鋳造を可能にすると共に、強
度及び耐熱性を一層向上させるためであるが、２０ｐｐ
ｍ全越えて含有させると電気抵抗を低下するばかりか、
酸化膜の密着性を劣化し、モールド性やボンディング性
全悪くするためである。
実施例
黒鉛ルツボを用いてタフピッチ銅を大気中と真空中でそ
れぞれ溶ＳＬ、、これにＭｇ、 Ｃｒ、 Ｐ等を添加し
て金型に鋳造し、第１表に示す合金組成の鋳塊（厚さ２
５ｍ、巾１２０瓢、長さ１５０■）を得た。
れぞれ溶ＳＬ、、これにＭｇ、 Ｃｒ、 Ｐ等を添加し
て金型に鋳造し、第１表に示す合金組成の鋳塊（厚さ２
５ｍ、巾１２０瓢、長さ１５０■）を得た。
これらの鋳塊について、その表面を一面あたり２．５ｍ
面削し、た後、加熱して８５０℃で熱間圧延Ｌ、次いで
冷間圧延と中間焼鈍を繰返し行なって、最終加工率３０
％の厚さ０．２５ｍの板に仕上げｔｏ 上記板材について３５０℃で仕上げ焼鈍を行なってから
引張強さ、導電率、耐熱性、熱間加工性、メッキ性、モ
ールド性及びボンディング性を調べ、その結果を第１表
に併記し友。
面削し、た後、加熱して８５０℃で熱間圧延Ｌ、次いで
冷間圧延と中間焼鈍を繰返し行なって、最終加工率３０
％の厚さ０．２５ｍの板に仕上げｔｏ 上記板材について３５０℃で仕上げ焼鈍を行なってから
引張強さ、導電率、耐熱性、熱間加工性、メッキ性、モ
ールド性及びボンディング性を調べ、その結果を第１表
に併記し友。
導電率の測定はＪＩＳ−ＨＯ５０５に、引張強さの測定
１’！ＪＩＳ−Ｚ２２４１に基づいて行なった。
１’！ＪＩＳ−Ｚ２２４１に基づいて行なった。
耐熱性は上記板材を４５０℃に５分間加熱し几後、荷重
５０（ｌのピツカーズ硬度を測定して比較した。メッキ
性については上記板材より３０鵡平方のサンプルを切出
し、表面脱脂してから識洗（表面より厚さ０．３μ溶解
〕後、厚さ５μのＡｇメッキを行ない、しかる後４５０
℃で５分間加熱処理してから表面を観察し、表面のフク
レの有無を調べ、フクレが０個のものを◎印、２個以下
のものを○印、３〜６個のものをΔ印、それ以上のもの
全×印で表わ１．、た。熱間加工性については、８５０
℃の熱間圧延時にワレの発生を調べ、ワレを生じたもの
をＸ印、生じないものを○印で表わＬ７た。更にモール
ド性とボンディング性については、これ等両特性に大き
な影響を与える酸化膜の密着性を調べ友。即ち上記板材
より巾Ｌｏｆｉ、長さ５０ｍｍのサンプルを切出し、表
面を清浄化し友後、大気中４２０℃で１分間加熱処理し
て表面に酸化膜を形放し、これについてセロハンテープ
による剥離試験を行ない、全く剥離が見られないものを
◎印、剥離がわずかなものを○印、部分的に剥離が見ら
れるものをΔ印、全面が剥離し念ものをＸ印で表わし、
た。
５０（ｌのピツカーズ硬度を測定して比較した。メッキ
性については上記板材より３０鵡平方のサンプルを切出
し、表面脱脂してから識洗（表面より厚さ０．３μ溶解
〕後、厚さ５μのＡｇメッキを行ない、しかる後４５０
℃で５分間加熱処理してから表面を観察し、表面のフク
レの有無を調べ、フクレが０個のものを◎印、２個以下
のものを○印、３〜６個のものをΔ印、それ以上のもの
全×印で表わ１．、た。熱間加工性については、８５０
℃の熱間圧延時にワレの発生を調べ、ワレを生じたもの
をＸ印、生じないものを○印で表わＬ７た。更にモール
ド性とボンディング性については、これ等両特性に大き
な影響を与える酸化膜の密着性を調べ友。即ち上記板材
より巾Ｌｏｆｉ、長さ５０ｍｍのサンプルを切出し、表
面を清浄化し友後、大気中４２０℃で１分間加熱処理し
て表面に酸化膜を形放し、これについてセロハンテープ
による剥離試験を行ない、全く剥離が見られないものを
◎印、剥離がわずかなものを○印、部分的に剥離が見ら
れるものをΔ印、全面が剥離し念ものをＸ印で表わし、
た。
第 １
’ ２ ０．０２４０．１４ １２
−＃ ３ ０．０６１０．０７ ３６
−／Ｉ ４ ０．１４ ０．１１
５ −／ｌ ５ ０．３２
０．３４ ３５ −／／ ６ ０．
５７ （１１８１９１２／Ｉ ７ ０．
０２ ０．６５ ７ −ｎ ８
０．０Ｂ ０．７８ ２５ １４／／
９ ０．０６２ ０．０９ ３
−１／ １００．３０ ０．２８ １９
−１１ １１０．０６ ０．６１
２４ −４５ ９３ １２７ ◎ ◎
０４８ ８８ １３２ ◎ ◎ ０４７
９０ １３００ ◎ ０５０ ８
７ １３９ ◎ ◎ ０５２ ８５
１４４０ ◎ ０５３ ８５ １５０ ◎
○ ０５２ ８５ １４２ ◎ ◎ ０
５４ ８３ １４４ ◎ ○ ０４８
９０ １３２ ◎ ◎ ０５２ ８６
１３９ ◎ ◎ ０５２ ８５ １
４０ ◎ ◎ ○第 ｌ ／’ １３１．２ ０．３２ ９
−／／ １４ ０．０５ ０．００４ ４
１ −／／ １５０．１３ １．８
１７ −／／ １６０．０３ ０．１
４ ６３ −１／ １７０．０５
０．０８ ４１ ３従来合金 １８ Ｃｕ
−０，１５Ｓｎ−Ｐ／／ １９ Ｃｕ−０，
１Ｆｅ−Ｐ表 （つづき） ３５ ９７ ８８ ０ ◎ 〇 −−−−Ｘ ３８ ８８ ｓｓ、ｏ ○ ０５’８ ５６
１３８Ｘ ｘ ｘ４α ９２ １１０
０ Δ ○ ５ ５０ ７６ １４２０ Δ ０４Ｓ”
９０ ７５ ◎ ○ ０４４ ９０ １１５
◎ ○ ○第１表から明らかなように本発明合金随１
〜１１は従来合金Ｎ１１８．１９と比較し、強度及び耐
熱性が優れ、かつ酸化膜の密着性が良く、モールド性及
びボンディング性が良いことが判る。
−＃ ３ ０．０６１０．０７ ３６
−／Ｉ ４ ０．１４ ０．１１
５ −／ｌ ５ ０．３２
０．３４ ３５ −／／ ６ ０．
５７ （１１８１９１２／Ｉ ７ ０．
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０４８ ８８ １３２ ◎ ◎ ０４７
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１４４０ ◎ ０５３ ８５ １５０ ◎
○ ０５２ ８５ １４２ ◎ ◎ ０
５４ ８３ １４４ ◎ ○ ０４８
９０ １３２ ◎ ◎ ０５２ ８６
１３９ ◎ ◎ ０５２ ８５ １
４０ ◎ ◎ ○第 ｌ ／’ １３１．２ ０．３２ ９
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−０，１５Ｓｎ−Ｐ／／ １９ Ｃｕ−０，
１Ｆｅ−Ｐ表 （つづき） ３５ ９７ ８８ ０ ◎ 〇 −−−−Ｘ ３８ ８８ ｓｓ、ｏ ○ ０５’８ ５６
１３８Ｘ ｘ ｘ４α ９２ １１０
０ Δ ○ ５ ５０ ７６ １４２０ Δ ０４Ｓ”
９０ ７５ ◎ ○ ０４４ ９０ １１５
◎ ○ ○第１表から明らかなように本発明合金随１
〜１１は従来合金Ｎ１１８．１９と比較し、強度及び耐
熱性が優れ、かつ酸化膜の密着性が良く、モールド性及
びボンディング性が良いことが判る。
これに対し本発明で規定する合金組成の範囲より外れる
比較合金随１２〜１７では引張強さ、導電率、耐熱性、
メッキ性、酸化膜の密着性及び熱間加工性の一つ以上が
劣ることが判る。即ちＭｇ含有量が少ない比較合金Ｎ１
１１２とＣｒ含有量が少ない比較合金Ｎ１１ＬＪ４では
、何れも強度及び耐熱性が劣り、Ｍｇ含有量の多い比較
合金ｍ１３とＣｒ含有量の多い比較合金１＠１５では何
れも熱間加工性が悪く、特に比較合金醜１３では板材に
加工するのを断念した。また比較合金Ｎ［１１５は導電
率の低下が著しく、メッキ性及び酸化膜密着性も劣る。
比較合金随１２〜１７では引張強さ、導電率、耐熱性、
メッキ性、酸化膜の密着性及び熱間加工性の一つ以上が
劣ることが判る。即ちＭｇ含有量が少ない比較合金Ｎ１
１１２とＣｒ含有量が少ない比較合金Ｎ１１ＬＪ４では
、何れも強度及び耐熱性が劣り、Ｍｇ含有量の多い比較
合金ｍ１３とＣｒ含有量の多い比較合金１＠１５では何
れも熱間加工性が悪く、特に比較合金醜１３では板材に
加工するのを断念した。また比較合金Ｎ［１１５は導電
率の低下が著しく、メッキ性及び酸化膜密着性も劣る。
また酸素含有量が５０ｐｐｍ’ｚ越える比較合金随１６
では、耐熱性が不十分でメッキ性及び酸化膜密着性が劣
り、Ｐ含有量が２０ｐｐｍｆ越える牝較合金随１７では
導電率の低下が著しく、メッキ性及び酸化膜密着性も劣
ることが判る。
では、耐熱性が不十分でメッキ性及び酸化膜密着性が劣
り、Ｐ含有量が２０ｐｐｍｆ越える牝較合金随１７では
導電率の低下が著しく、メッキ性及び酸化膜密着性も劣
ることが判る。
発明の効果
このように本発明によれば、電子機器用材として強度、
耐熱性、導電性、メッキ性、モールド性及びボンディン
グ性が優れており、特に半導体用リードフレームとして
機器の小型化、高ｆｆ度化を達成することができろ等工
業上顕著な効果を奏するものである。
耐熱性、導電性、メッキ性、モールド性及びボンディン
グ性が優れており、特に半導体用リードフレームとして
機器の小型化、高ｆｆ度化を達成することができろ等工
業上顕著な効果を奏するものである。
Claims (3)
- （１）Ｍｇ０．００５〜０．８ｗｔ％、Ｃｒ０．０１〜
１．０ｗｔ％を含み、残部Ｃｕと不可避的不純物からな
る電子機器用銅合金。 - （２）合金の酸素含有量を５０ｐｐｍ以下とする特許請
求の範囲第１項記載の電子機器用銅合金。 - （３）Ｍｇ０．００５〜０．８ｗｔ％、Ｃｒ０．０１〜
１．０ｗｔ％、Ｐ２０ｐｐｍ以下を含み、残部Ｃｕと不
可避的不純物からなる電子機械用銅合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28250985A JPS62247039A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 電子機器用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28250985A JPS62247039A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 電子機器用銅合金 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247039A true JPS62247039A (ja) | 1987-10-28 |
Family
ID=17653368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28250985A Pending JPS62247039A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | 電子機器用銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62247039A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250136A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Mitsubishi Shindo Kk | Ｃｕ合金製端子 |
| WO1991019320A1 (en) * | 1990-05-31 | 1991-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame and semiconductor package using it |
| CN113272464A (zh) * | 2019-01-11 | 2021-08-17 | 三菱综合材料株式会社 | 铜合金材料 |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP28250985A patent/JPS62247039A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62250136A (ja) * | 1986-04-23 | 1987-10-31 | Mitsubishi Shindo Kk | Ｃｕ合金製端子 |
| JPH0379417B2 (ja) * | 1986-04-23 | 1991-12-18 | Mitsubishi Shindo Kk | |
| WO1991019320A1 (en) * | 1990-05-31 | 1991-12-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Lead frame and semiconductor package using it |
| CN113272464A (zh) * | 2019-01-11 | 2021-08-17 | 三菱综合材料株式会社 | 铜合金材料 |
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